JPH04206602A - 厚膜抵抗組成物 - Google Patents
厚膜抵抗組成物Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は絶縁基板上に印刷し焼成して該基板上に印刷抵
抗体を形成するための厚膜抵抗組成物に関する。
抗体を形成するための厚膜抵抗組成物に関する。
［従来の技術］
従来の厚膜回路においては印刷抵抗体形成に導電粒子と
して酸化ルテニウムないしはパイロクロア型のルテニウ
ム酸鉛又は、ルテニウム酸ビスマスを用いたルテニウム
系抵抗ペーストか一般に広く使用されている。ルテニウ
ム系の抵抗ペーストは、上記の導電成分とガラスフリッ
トを有機ビヒクルに分散させてなり、導電成分とガラス
の配合比を変えることにより所望の抵抗値を得ることが
できる。又、抵抗の温度係数（以後ＴＣ，Ｒと呼ぶ）を
調整する目的で、ＣＬＩ２０．ＭｎＯ２，Ａ Ｉ２０＋
、 Ｔ ＋ Ｏｒ 、 Ｚ ｒ ０２等の無機添
加物を加えることが一般に行われている。
して酸化ルテニウムないしはパイロクロア型のルテニウ
ム酸鉛又は、ルテニウム酸ビスマスを用いたルテニウム
系抵抗ペーストか一般に広く使用されている。ルテニウ
ム系の抵抗ペーストは、上記の導電成分とガラスフリッ
トを有機ビヒクルに分散させてなり、導電成分とガラス
の配合比を変えることにより所望の抵抗値を得ることが
できる。又、抵抗の温度係数（以後ＴＣ，Ｒと呼ぶ）を
調整する目的で、ＣＬＩ２０．ＭｎＯ２，Ａ Ｉ２０＋
、 Ｔ ＋ Ｏｒ 、 Ｚ ｒ ０２等の無機添
加物を加えることが一般に行われている。
［発明か解決しようとする課題］
しかしなから、ルテニウム系ペーストを用いて抵抗形成
する場合、低い抵抗値の限界が３〜５Ω／口／１０μｍ
までである。それ故、抵抗値として低いものか要求され
る電気回路の配線においては膜厚を厚くしたり、スクエ
ア数を少なくしている。そのため抵抗体を広い面積で印
刷しなければならず厚膜配線板の小型化・高密度が困難
である。
する場合、低い抵抗値の限界が３〜５Ω／口／１０μｍ
までである。それ故、抵抗値として低いものか要求され
る電気回路の配線においては膜厚を厚くしたり、スクエ
ア数を少なくしている。そのため抵抗体を広い面積で印
刷しなければならず厚膜配線板の小型化・高密度が困難
である。
一方、ルテニウム系抵抗ペーストの代わりにＡｇＰｄ系
導体ペーストを用いることも考えられるが、ＴＣＲか大
きすぎて、抵抗体として望まれる精度が得られにくい。
導体ペーストを用いることも考えられるが、ＴＣＲか大
きすぎて、抵抗体として望まれる精度が得られにくい。
本発明は上記の問題点を解決し、シート抵抗値が０．−
１〜３０Ω／口／１０μｍの範囲であり、かつＴＣＲが
士ｓｏｐｐｍを有する印刷抵抗体を形成する為の厚膜抵
抗組成物を提供することを目的とする。
１〜３０Ω／口／１０μｍの範囲であり、かつＴＣＲが
士ｓｏｐｐｍを有する印刷抵抗体を形成する為の厚膜抵
抗組成物を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は貴金属粉末と無機結合剤とが有機ヒヒクルに分
散されてなる厚膜抵抗組成物において、（Ａ）貴金属粉
末が、銀４４〜４７重量％とパラジウム５３〜５６重量
％の組成を有し、（Ｂ）無機結合剤が、軟化点７５０〜
９００℃のガラスフリットと必要に応じてチタニアもし
くはアルミナを含ませることを特徴とする厚膜抵抗組成
物である。
散されてなる厚膜抵抗組成物において、（Ａ）貴金属粉
末が、銀４４〜４７重量％とパラジウム５３〜５６重量
％の組成を有し、（Ｂ）無機結合剤が、軟化点７５０〜
９００℃のガラスフリットと必要に応じてチタニアもし
くはアルミナを含ませることを特徴とする厚膜抵抗組成
物である。
本発明における抵抗組成物は銀及びパラジウムからなる
貴金属粉末を含有している。これらの金属成分比は重量
比で銀／パラジウムが４７１５３〜４４１５６である。
貴金属粉末を含有している。これらの金属成分比は重量
比で銀／パラジウムが４７１５３〜４４１５６である。
又、銀とパラジウムは、銀粉末とパラジウム粉末の混合
物を用いてもよく、銀とパラジウムの合金粉末でもよい
。使用される銀粉末は平均粒径が０． ５〜７μｍで表
面積か０５〜３ｍ２／ｇのものが、パラジウム粉末は平
均粒径が０． １〜１．５μｍでその表面積か０．５〜
２０ｍ２／ｇのものかそれぞれ好ましい。
物を用いてもよく、銀とパラジウムの合金粉末でもよい
。使用される銀粉末は平均粒径が０． ５〜７μｍで表
面積か０５〜３ｍ２／ｇのものが、パラジウム粉末は平
均粒径が０． １〜１．５μｍでその表面積か０．５〜
２０ｍ２／ｇのものかそれぞれ好ましい。
又、合金粉末の場合は、平均粒径か０１〜５μｍで表面
積か１〜１０ｍ’／ｇのものかふされしい。
積か１〜１０ｍ’／ｇのものかふされしい。
該貴金属粉末とともに本発明に係わる抵抗組成物を構成
する無機結合剤粉末は少なくともガラスフリットを含ん
でおり、必要に応じてチタニアないしはアルミナを含ん
でもよい。
する無機結合剤粉末は少なくともガラスフリットを含ん
でおり、必要に応じてチタニアないしはアルミナを含ん
でもよい。
前記無機結合剤の配合量は、所望の抵抗値を得るように
増減すればよいが本発明の用途では、貴金属粉末１００
重量部に対し１０〜１２０重量部の範囲が好ましい。
増減すればよいが本発明の用途では、貴金属粉末１００
重量部に対し１０〜１２０重量部の範囲が好ましい。
本発明で使用されるガラスフリットは７５０〜９００℃
に軟化点がある非晶質ガラスでその組成が重量％で５ｉ
ｎ２４０〜６０． Ａ Ｉ２０，１０〜２０．Ｂ２０ｉ
３〜１２．ＭｇＯ０，５〜５゜Ｃａ ０．１５〜３０
であり更に好ましくは重量％で５ｉＯｐ５０〜６０．Ａ
１２ ｏｉ １２〜１６゜Ｂ、０３５〜１０３ＭｇＯ２
〜５．ＣａＯ１８〜３０のもので７５０〜８５０℃の軟
化点を有するものである。
に軟化点がある非晶質ガラスでその組成が重量％で５ｉ
ｎ２４０〜６０． Ａ Ｉ２０，１０〜２０．Ｂ２０ｉ
３〜１２．ＭｇＯ０，５〜５゜Ｃａ ０．１５〜３０
であり更に好ましくは重量％で５ｉＯｐ５０〜６０．Ａ
１２ ｏｉ １２〜１６゜Ｂ、０３５〜１０３ＭｇＯ２
〜５．ＣａＯ１８〜３０のもので７５０〜８５０℃の軟
化点を有するものである。
金属酸化物としてはチタニアないしはアルミナのどちら
でもよいが粒径が０．１μｍ以下の微細粉が効果的であ
る。しかしながら多少粒径か大きいものを用いても、さ
らにアルコキシド、キレート等の有機化合物を用いても
所望の特性は十分確保される。
でもよいが粒径が０．１μｍ以下の微細粉が効果的であ
る。しかしながら多少粒径か大きいものを用いても、さ
らにアルコキシド、キレート等の有機化合物を用いても
所望の特性は十分確保される。
また、金属酸化物の含有量は、１〜２５重量部が効果的
である。
である。
貴金属粉及び無機結合剤を分散させる有機ビヒクルは、
エチルセルロース、アクリル樹脂等の樹脂をターピネオ
ール、ブチルカルピトール、パインオイル等の有機溶剤
に溶解したものが好ましく用いられ、配合量は、２０〜
１２０重量部程度が望ましい。
エチルセルロース、アクリル樹脂等の樹脂をターピネオ
ール、ブチルカルピトール、パインオイル等の有機溶剤
に溶解したものが好ましく用いられ、配合量は、２０〜
１２０重量部程度が望ましい。
［作用］
このような構成から成る本発明の抵抗組成物をアルミナ
セラミックス基板上へ印刷し、乾燥の後ピーク温度８０
０〜９００℃で約５〜３０分焼成して抵抗組成物が被覆
された回路基板が作製される。
セラミックス基板上へ印刷し、乾燥の後ピーク温度８０
０〜９００℃で約５〜３０分焼成して抵抗組成物が被覆
された回路基板が作製される。
このように作製された本発明の抵抗組成物が被覆された
回路基板では抵抗値レンジ０．１〜３０Ω／口／ １０
μｍでかつＴＣＲか±５０ｐｐｍＩＪ内におさまって
いる。
回路基板では抵抗値レンジ０．１〜３０Ω／口／ １０
μｍでかつＴＣＲか±５０ｐｐｍＩＪ内におさまって
いる。
一般にＡｇＰｄ合金のＴＣＲ特性においてＡｇＰｄ比が
４０／６０前後で極めてＴＣＲか低くなる領域がある。
４０／６０前後で極めてＴＣＲか低くなる領域がある。
本発明ではこの性質を利用してＡｇ及びＰｄからなる貴
金属粉末を導電粒子とし、抵抗値調整に特定な高軟化点
ガラス及び金属酸化物を組み合せ無機結合剤とすること
により抵抗値範囲０．１〜３０ΩでＴＣＲか±ｓｏｐｐ
ｍを有する抵抗ペーストを提供せんとするものである。
金属粉末を導電粒子とし、抵抗値調整に特定な高軟化点
ガラス及び金属酸化物を組み合せ無機結合剤とすること
により抵抗値範囲０．１〜３０ΩでＴＣＲか±ｓｏｐｐ
ｍを有する抵抗ペーストを提供せんとするものである。
ここにおいて特定なガラスフリットを用いた理由として
は８５０℃前後で焼成される際、抵抗値の変動をできる
だけ小さく抑えるためであり、０．１〜３０Ωの範囲で
ＴＣＲを安定して小さく抑えるためである。この無機酸
化物を必要に応じて用いる理由として焼成時の抵抗膜の
発泡等による異常値の発生を防止するためである。
は８５０℃前後で焼成される際、抵抗値の変動をできる
だけ小さく抑えるためであり、０．１〜３０Ωの範囲で
ＴＣＲを安定して小さく抑えるためである。この無機酸
化物を必要に応じて用いる理由として焼成時の抵抗膜の
発泡等による異常値の発生を防止するためである。
［実施例コ
以下実施例に基ついて本発明をより詳細に説明するが、
該実施例は本発明を限定するものではない。
該実施例は本発明を限定するものではない。
エチルセルロースをターピネオールに溶解したビヒクル
中に微細に分割された貴金属粉末と無機結合剤粉末を第
２表に示すような配合比で混合し、混線分散した厚膜抵
抗組成物を９６％アルミナセラミックス基板上に印刷し
、コンベア炉中ピーク温度８５０℃における１０分間の
焼成を１回行い、膜厚７〜１４μの電気回路を形成した
。ガラスフリットとして第１表Ｂ、 Ｃ，Ｄの組成を
有するＳ ｉ ０２−Ａ ＋２０３−Ｂ２０ｇ −Ｍｇ
Ｏ−ＣａＯ系ガラスを用いた組成物（実施例）と低軟化
点を有するガラスフリットＡを用いた組成物及びＡ ｇ
／Ｐ ｃｌ比を４４１５６〜４７１５３以外の範囲で作
成した組成物（比較例）を使用した。
中に微細に分割された貴金属粉末と無機結合剤粉末を第
２表に示すような配合比で混合し、混線分散した厚膜抵
抗組成物を９６％アルミナセラミックス基板上に印刷し
、コンベア炉中ピーク温度８５０℃における１０分間の
焼成を１回行い、膜厚７〜１４μの電気回路を形成した
。ガラスフリットとして第１表Ｂ、 Ｃ，Ｄの組成を
有するＳ ｉ ０２−Ａ ＋２０３−Ｂ２０ｇ −Ｍｇ
Ｏ−ＣａＯ系ガラスを用いた組成物（実施例）と低軟化
点を有するガラスフリットＡを用いた組成物及びＡ ｇ
／Ｐ ｃｌ比を４４１５６〜４７１５３以外の範囲で作
成した組成物（比較例）を使用した。
（以下余白）
第３表
第３表から明らかな通り、本実施例によるＡｇ／Ｐｄ比
（重量％）４４１５６〜４７１５３の範囲において７５
０〜９００℃の高軟化点を有するＳ １０２−Ａｔ２０
．−Ｂ、Ｏｔ −ＭｇＯ−ＣａＯ系ガラスフリットを用
いた抵抗体組成物はＴＣＲが±５０ｐｐｍ以内である。
（重量％）４４１５６〜４７１５３の範囲において７５
０〜９００℃の高軟化点を有するＳ １０２−Ａｔ２０
．−Ｂ、Ｏｔ −ＭｇＯ−ＣａＯ系ガラスフリットを用
いた抵抗体組成物はＴＣＲが±５０ｐｐｍ以内である。
一方、Ａ ｇ ／ Ｐ ｄ比が４４１５６〜４７１５３
の範囲以外の組成の抵抗体組成物はＴＣＰか±５ｏｐｐ
ｍの範囲を越えている。さらにＡ ｇ ／ Ｐ ｄ比は
４５１５５とし、ガラスフリットとして従来まで厚膜ペ
ーストに広く使用されてきた低軟化点ガラスを用いた抵
抗体組成物では、同じ＜ＴＣＲが±５ｏｐｐｍを越えて
しまう。
の範囲以外の組成の抵抗体組成物はＴＣＰか±５ｏｐｐ
ｍの範囲を越えている。さらにＡ ｇ ／ Ｐ ｄ比は
４５１５５とし、ガラスフリットとして従来まで厚膜ペ
ーストに広く使用されてきた低軟化点ガラスを用いた抵
抗体組成物では、同じ＜ＴＣＲが±５ｏｐｐｍを越えて
しまう。
［発明の効果コ
本発明ではＡｇ／Ｐｄ粉を導電粒子として用い、高軟化
点を有するガラスフリットとを含んで成る抵抗体組成物
が焼成により抵抗値か０．１〜３０Ω／口／ １． Ｏ
ｔｔ ｍ、及びＴＣＲか±５０ｐｐｍ以内の特性を有す
る。
点を有するガラスフリットとを含んで成る抵抗体組成物
が焼成により抵抗値か０．１〜３０Ω／口／ １． Ｏ
ｔｔ ｍ、及びＴＣＲか±５０ｐｐｍ以内の特性を有す
る。
これにより、厚膜配線において抵抗体として低い抵抗値
が要求される場合においても従来までのルテニウム系で
行っていたような膜厚を厚＜Ｌ。
が要求される場合においても従来までのルテニウム系で
行っていたような膜厚を厚＜Ｌ。
スクエア数を少なくすることなく小型かつ高密度な配線
か可能とする。
か可能とする。
特許出願人 田中マッセイ株式会社
Claims (4)
- １．貴金属粉末と無機結合剤とが有機ビヒクルに分散さ
れてなる厚膜抵抗組成物において、（Ａ）貴金属粉末が
、銀４４〜４７重量％とパラジウム５３〜５６重量％の
組成を有し、 （Ｂ）無機結合剤が、軟化点７５０〜９００℃のガラス
フリットと必要に応じてチタニアもしくはアルミナを含
ませることを特徴とする厚膜抵抗組成物。 - ２．無機結合剤が、貴金属粉末１００重量部に対し、１
０〜１２０重量部のガラスフリットであることを特徴と
する請求項１に記載の厚膜抵抗組成物。 - ３．ガラスフリットが、重量表示でＳｉＯ＿２４０〜６
０％、Ａｌ＿２Ｏ＿３１０〜２０％、Ｂ＿２Ｏ＿３３〜
１２％、ＭｇＯ０．５〜５％、及びＣａＯ１５〜３０％
の組成を有することを特徴とする請求項１〜２に記載の
厚膜抵抗組成物。 - ４．無機結合剤が、ガラスフリットに加えて、チタニア
又はアルミナを１〜２５重量部含有していることを特徴
とする請求項１〜３に記載の厚膜抵抗組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2333545A JP2986539B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 厚膜抵抗組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2333545A JP2986539B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 厚膜抵抗組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206602A true JPH04206602A (ja) | 1992-07-28 |
| JP2986539B2 JP2986539B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=18267248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2333545A Expired - Fee Related JP2986539B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 厚膜抵抗組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2986539B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0910232A1 (en) * | 1997-10-17 | 1999-04-21 | National Starch and Chemical Investment Holding Corporation | Low resistivity palladium-silver compositions |
| EP1452841A3 (de) * | 2003-02-28 | 2006-06-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Füllstandsgeber für einen Kraftstofftank eines Kraftfahrzeugs |
| US7196295B2 (en) * | 2003-11-21 | 2007-03-27 | Watlow Electric Manufacturing Company | Two-wire layered heater system |
| CN100336139C (zh) * | 1998-04-29 | 2007-09-05 | 莫顿国际股份有限公司 | 薄膜电阻的形成 |
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