JPH04218204A - 導電性組成物 - Google Patents
導電性組成物Info
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- JPH04218204A JPH04218204A JP41086490A JP41086490A JPH04218204A JP H04218204 A JPH04218204 A JP H04218204A JP 41086490 A JP41086490 A JP 41086490A JP 41086490 A JP41086490 A JP 41086490A JP H04218204 A JPH04218204 A JP H04218204A
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title abstract 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 45
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 aliphatic alcohols Chemical class 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCO HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000010665 pine oil Substances 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【技術分野】本発明は、電子部品の集積化等に用いられ
る基板に対して好適に適用される導電性組成物に関する
ものである。
る基板に対して好適に適用される導電性組成物に関する
ものである。
【0002】
【背景技術】従来から、電子部品の集積化等のために用
いられる基板に導体通路を形成するための導電性組成物
の一つとして、抵抗が低く、安価な銀を導体金属とした
ものが一般的に使用されているが、集積化が進み、その
ような銀にて形成された導体通路間の距離が短くなると
、大気中で電流を流した場合に、銀のマイグレーション
が生じ、導体通路間で導通してしまったり、また半田付
けに際して、銀くわれが生じ、基板に対する接合強度が
低下したりするという問題を内在していた。
いられる基板に導体通路を形成するための導電性組成物
の一つとして、抵抗が低く、安価な銀を導体金属とした
ものが一般的に使用されているが、集積化が進み、その
ような銀にて形成された導体通路間の距離が短くなると
、大気中で電流を流した場合に、銀のマイグレーション
が生じ、導体通路間で導通してしまったり、また半田付
けに際して、銀くわれが生じ、基板に対する接合強度が
低下したりするという問題を内在していた。
【0003】このため、そのような銀のマイグレーショ
ンや銀くわれを防止すべく、通常、銀にパラジウムを加
えてなる導体ペーストを用いることが考えられていた。
ンや銀くわれを防止すべく、通常、銀にパラジウムを加
えてなる導体ペーストを用いることが考えられていた。
【0004】しかしながら、かかる導体ペーストを、ガ
ラス基板に適用した場合において、それを高温で焼成す
るとガラスが溶融するところから、その焼成は400〜
600℃程度の温度において行なわれることとなるが、
パラジウムは、かかる温度範囲において、大気中の酸素
を吸収して、重量増加すると共に、膨張してしまい、そ
れによって基板との密着性が低下し、更には導電性も低
下するという問題が生じているのである。
ラス基板に適用した場合において、それを高温で焼成す
るとガラスが溶融するところから、その焼成は400〜
600℃程度の温度において行なわれることとなるが、
パラジウムは、かかる温度範囲において、大気中の酸素
を吸収して、重量増加すると共に、膨張してしまい、そ
れによって基板との密着性が低下し、更には導電性も低
下するという問題が生じているのである。
【0005】
【解決課題】ここにおいて、本発明は、上記の如き事情
を背景にして成されたものであって、その解決すべき課
題とするところは、比較的低温(約400〜600℃)
にて焼成されても、パラジウムの酸化が効果的に抑制さ
れ得、以て良好な密着性及び導電性を有する導電性組成
物を提供することにある。
を背景にして成されたものであって、その解決すべき課
題とするところは、比較的低温(約400〜600℃)
にて焼成されても、パラジウムの酸化が効果的に抑制さ
れ得、以て良好な密着性及び導電性を有する導電性組成
物を提供することにある。
【0006】
【解決手段】そして、本発明は、かかる課題を解決する
ために、銀とパラジウムの混合粉末またはそれら金属の
複合粉末若しくは合金粉末と、ボロン粉末及びシリコン
粉末のうちの少なくとも1種以上とが、不活性ビヒクル
中に分散せしめられてなる導電性組成物を、その要旨と
するものである。
ために、銀とパラジウムの混合粉末またはそれら金属の
複合粉末若しくは合金粉末と、ボロン粉末及びシリコン
粉末のうちの少なくとも1種以上とが、不活性ビヒクル
中に分散せしめられてなる導電性組成物を、その要旨と
するものである。
【0007】
【具体的説明】ところで、かかる本発明において、パラ
ジウム(Pd)及び銀(Ag)は、それら金属の各々の
粉末を混合してなる混合粉末や、それら金属の複合粉末
、更にはそれら金属からなる合金粉末の何れの形態にお
いても、好適に利用され得るものであるが、なかでも、
Ag/Pd合金粉末が、酸化性の低い点で、最も好まし
く用いられる。なお、複合粉末としては、一般に、公知
の共沈法により得られる共沈粉等がある。
ジウム(Pd)及び銀(Ag)は、それら金属の各々の
粉末を混合してなる混合粉末や、それら金属の複合粉末
、更にはそれら金属からなる合金粉末の何れの形態にお
いても、好適に利用され得るものであるが、なかでも、
Ag/Pd合金粉末が、酸化性の低い点で、最も好まし
く用いられる。なお、複合粉末としては、一般に、公知
の共沈法により得られる共沈粉等がある。
【0008】そして、このようなAg/Pdの混合粉末
,複合粉末或いは合金粉末(以下、Ag/Pd導体粉末
と総称する)において、パラジウムの割合は、それが多
くなり過ぎると、導電性が低下し、また少な過ぎると、
銀のマイグレーション等の問題が生じるところから、A
g:Pd=95〜30:5〜70(重量%)において選
定されることが好ましい。
,複合粉末或いは合金粉末(以下、Ag/Pd導体粉末
と総称する)において、パラジウムの割合は、それが多
くなり過ぎると、導電性が低下し、また少な過ぎると、
銀のマイグレーション等の問題が生じるところから、A
g:Pd=95〜30:5〜70(重量%)において選
定されることが好ましい。
【0009】また、本発明にあっては、ボロン(B)粉
末及び/又はシリコン(Si)粉末を、上記Ag/Pd
導体粉末と共に用いることを必須とするものであるが、
それらの使用割合としては、Ag/Pd導体粉末との合
計量において、重量基準で、0.1 %以上、5 %以
下の範囲が好適に採用されることとなる。なお、かかる
使用割合は、それらB粉末及びSi粉末の何れか一方が
単独で用いられる場合には、その使用粉末の含有量とし
、また併用して用いられる場合には、それら両粉末の合
計量とされる。また、かかる使用割合が、0.1%未満
では効果が充分に得られず、一方5%を越えると、B粉
末及びSi粉末が導電性を有しないものであるため、導
電性が低下するようになるのである。
末及び/又はシリコン(Si)粉末を、上記Ag/Pd
導体粉末と共に用いることを必須とするものであるが、
それらの使用割合としては、Ag/Pd導体粉末との合
計量において、重量基準で、0.1 %以上、5 %以
下の範囲が好適に採用されることとなる。なお、かかる
使用割合は、それらB粉末及びSi粉末の何れか一方が
単独で用いられる場合には、その使用粉末の含有量とし
、また併用して用いられる場合には、それら両粉末の合
計量とされる。また、かかる使用割合が、0.1%未満
では効果が充分に得られず、一方5%を越えると、B粉
末及びSi粉末が導電性を有しないものであるため、導
電性が低下するようになるのである。
【0010】そして、本発明に係る導体組成物では、上
記の如き、Ag/Pd導体粉末と、B粉末及びSi粉末
のうちの少なくとも1種以上とが、所定の不活性ビヒク
ルに分散せしめられることにより、ペースト状とされて
いる。なお、不活性ビヒクルとしては、公知の有機液体
が何れも採用され得、例えば脂肪族アルコール;そのよ
うなアルコールのエステル,例えばアセテートやプロピ
オネート;テルペン,例えば松根油,テルピネオール;
エチレングリコールモノアセテート等の他の溶媒が挙げ
られ、更にポリメタクリレートやエチルセルロース等の
濃厚化剤や、安定化剤、その他の添加物等が適宜添加さ
れることも可能である。
記の如き、Ag/Pd導体粉末と、B粉末及びSi粉末
のうちの少なくとも1種以上とが、所定の不活性ビヒク
ルに分散せしめられることにより、ペースト状とされて
いる。なお、不活性ビヒクルとしては、公知の有機液体
が何れも採用され得、例えば脂肪族アルコール;そのよ
うなアルコールのエステル,例えばアセテートやプロピ
オネート;テルペン,例えば松根油,テルピネオール;
エチレングリコールモノアセテート等の他の溶媒が挙げ
られ、更にポリメタクリレートやエチルセルロース等の
濃厚化剤や、安定化剤、その他の添加物等が適宜添加さ
れることも可能である。
【0011】さらに、本発明に係る導電性組成物には、
好ましくは、適当なガラス粉末、中でも、低い焼成温度
で充分に溶融し得る低融点ガラス粉末が、該導電性組成
物の組成に応じて、適宜に添加されていることが望まし
く、これにより、基板との密着性がより一層向上され得
るのである。
好ましくは、適当なガラス粉末、中でも、低い焼成温度
で充分に溶融し得る低融点ガラス粉末が、該導電性組成
物の組成に応じて、適宜に添加されていることが望まし
く、これにより、基板との密着性がより一層向上され得
るのである。
【0012】そして、このような構成の導電性組成物は
、通常、電子部品の集積化のために用いられる各種の基
板、例えばガラス基板等に、スクリーン印刷法等の公知
の手法を用いて適用されることとなり、その後、常法に
従って、乾燥せしめられて、不活性ビヒクルが除去され
、更に、大気中、例えば約400〜600℃程度の温度
にて焼成されることにより、目的とする導体通路が形成
せしめられることとなるのである。
、通常、電子部品の集積化のために用いられる各種の基
板、例えばガラス基板等に、スクリーン印刷法等の公知
の手法を用いて適用されることとなり、その後、常法に
従って、乾燥せしめられて、不活性ビヒクルが除去され
、更に、大気中、例えば約400〜600℃程度の温度
にて焼成されることにより、目的とする導体通路が形成
せしめられることとなるのである。
【0013】なお、本発明において、Ag/Pd導体粉
末と共に用いられるB粉末やSi粉末は、何れも、常温
では、空気中で安定であるが、約400℃以上の温度で
は酸素と反応するところから、上記の如き焼成の際に、
Pdが酸素を吸収することを妨げるような作用を為し、
これによって、Pdが酸化して、膨張することによる導
体の抵抗の増大、ひいては基板と密着性の低下を効果的
に回避し得、以て密着性や導電性の良好な導体が得られ
るのである。
末と共に用いられるB粉末やSi粉末は、何れも、常温
では、空気中で安定であるが、約400℃以上の温度で
は酸素と反応するところから、上記の如き焼成の際に、
Pdが酸素を吸収することを妨げるような作用を為し、
これによって、Pdが酸化して、膨張することによる導
体の抵抗の増大、ひいては基板と密着性の低下を効果的
に回避し得、以て密着性や導電性の良好な導体が得られ
るのである。
【0014】
【実施例】以下に、本発明の実施例を示し、本発明を更
に具体的に明らかにすることとするが、本発明が、その
ような実施例の記載によって何等の制約をも受けるもの
でなく、また本発明には、以下の実施例の他にも、更に
は上記の具体的記述以外にも、本発明の趣旨を逸脱しな
い限りにおいて、当業者の知識に基づいて種々なる変更
、修正、改良等を加え得るものであることが、理解され
るべきである。
に具体的に明らかにすることとするが、本発明が、その
ような実施例の記載によって何等の制約をも受けるもの
でなく、また本発明には、以下の実施例の他にも、更に
は上記の具体的記述以外にも、本発明の趣旨を逸脱しな
い限りにおいて、当業者の知識に基づいて種々なる変更
、修正、改良等を加え得るものであることが、理解され
るべきである。
【0015】先ず、表1に示される如き混合組成の各種
フィラーを準備し、それらフィラーの100重量部に対
して、メチルセルロースをテルピネオールに溶かした不
活性ビヒクル10重量部を添加して、3本ロールミルに
て混練し、各種導体ペーストを作製した。なお、ここで
、ガラス組成としては、PbO・SiO2 ・B2O3
系の低融点ガラスが用いられ、その添加量は、Ag/
Pd導体粉とB粉末及び/又はSi粉末との合計100
重量部に対する割合(重量部)である。そして、これら
各組成物(ペースト)を、それぞれ、ガラス基板上に、
厚み:30μm、幅:1mm、長さ:100mmの寸法
にて印刷し、大気中、下記表2に示される各温度で焼成
した。 そして、焼成後、表面抵抗計(四探針法)を使用して、
それぞれの表面抵抗値を測定した。その結果を、表2に
示す。
フィラーを準備し、それらフィラーの100重量部に対
して、メチルセルロースをテルピネオールに溶かした不
活性ビヒクル10重量部を添加して、3本ロールミルに
て混練し、各種導体ペーストを作製した。なお、ここで
、ガラス組成としては、PbO・SiO2 ・B2O3
系の低融点ガラスが用いられ、その添加量は、Ag/
Pd導体粉とB粉末及び/又はSi粉末との合計100
重量部に対する割合(重量部)である。そして、これら
各組成物(ペースト)を、それぞれ、ガラス基板上に、
厚み:30μm、幅:1mm、長さ:100mmの寸法
にて印刷し、大気中、下記表2に示される各温度で焼成
した。 そして、焼成後、表面抵抗計(四探針法)を使用して、
それぞれの表面抵抗値を測定した。その結果を、表2に
示す。
【0016】
【表1】
【0017】
【表2】
【0018】これら表1及び表2の結果から明らかなよ
うに、B粉末やSi粉末が、所定の範囲において添加さ
れている組成物(A〜H)にあっては、大気中での比較
的低温〜中温域における焼成に際しても、充分な導電性
が得られたことが分かった(No.1〜12)。即ち、
それらB粉末やSi粉末が、焼成時に、酸素と反応する
ことにより、Pdの酸化を抑制するためである。これに
対して、B粉末やSi粉末が無添加(I)である場合に
は、表面抵抗が大きくなり、導体として好ましいもので
はなく(No. 13〜14)、また、焼成温度を高く
した場合(No. 15)には、ガラス基板が軟化点を
超えるため、変形を生じ、回路基板として使用出来ない
という問題が発生した。
うに、B粉末やSi粉末が、所定の範囲において添加さ
れている組成物(A〜H)にあっては、大気中での比較
的低温〜中温域における焼成に際しても、充分な導電性
が得られたことが分かった(No.1〜12)。即ち、
それらB粉末やSi粉末が、焼成時に、酸素と反応する
ことにより、Pdの酸化を抑制するためである。これに
対して、B粉末やSi粉末が無添加(I)である場合に
は、表面抵抗が大きくなり、導体として好ましいもので
はなく(No. 13〜14)、また、焼成温度を高く
した場合(No. 15)には、ガラス基板が軟化点を
超えるため、変形を生じ、回路基板として使用出来ない
という問題が発生した。
【0019】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に従う導電性組成物は、Ag/Pd導体粉末と共に、B
粉末及び/又はSi粉末が含有されてなるものであると
ころから、比較的低温度における焼成に際しても、Pd
の酸化が有利に抑制され得ることとなり、従って、基板
に対する充分な密着性を有すると共に、導電性の極めて
良好な導体が得られるのである。
に従う導電性組成物は、Ag/Pd導体粉末と共に、B
粉末及び/又はSi粉末が含有されてなるものであると
ころから、比較的低温度における焼成に際しても、Pd
の酸化が有利に抑制され得ることとなり、従って、基板
に対する充分な密着性を有すると共に、導電性の極めて
良好な導体が得られるのである。
Claims (1)
- 【請求項1】 銀とパラジウムの混合粉末またはそれ
ら金属の複合粉末若しくは合金粉末と、ボロン粉末及び
シリコン粉末のうちの少なくとも1種以上とが、不活性
ビヒクル中に分散せしめられてなる導電性組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP41086490A JPH04218204A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 導電性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP41086490A JPH04218204A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 導電性組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04218204A true JPH04218204A (ja) | 1992-08-07 |
Family
ID=18519955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP41086490A Pending JPH04218204A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 導電性組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04218204A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1058492A2 (en) * | 1999-06-02 | 2000-12-06 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Method of forming distortion-free circuits |
JP2007234537A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Asahi Glass Co Ltd | 導体ペーストおよびセラミック多層基板製造方法 |
JP2011029113A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Jsr Corp | 感光性黒色ペーストおよびバス電極黒層の形成方法 |
-
1990
- 1990-12-14 JP JP41086490A patent/JPH04218204A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1058492A2 (en) * | 1999-06-02 | 2000-12-06 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Method of forming distortion-free circuits |
EP1058492A3 (en) * | 1999-06-02 | 2003-05-21 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Method of forming distortion-free circuits |
JP2007234537A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Asahi Glass Co Ltd | 導体ペーストおよびセラミック多層基板製造方法 |
JP2011029113A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Jsr Corp | 感光性黒色ペーストおよびバス電極黒層の形成方法 |
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