JPH0574166B2 - - Google Patents
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- JPH0574166B2 JPH0574166B2 JP62238479A JP23847987A JPH0574166B2 JP H0574166 B2 JPH0574166 B2 JP H0574166B2 JP 62238479 A JP62238479 A JP 62238479A JP 23847987 A JP23847987 A JP 23847987A JP H0574166 B2 JPH0574166 B2 JP H0574166B2
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は低温焼結セラミツクス上に導電被膜を
形成するのに好適な導体膜形成用組成物に関す
る。 〔従来の技術〕 IC、LSI等の高密度実装基板として600〜1200
℃で焼成可能な低温焼結セラミツクスが注目され
ている。 その理由は比較的融点の低い金属を回路材料に
使うことができ、しかも焼成温度が低くて済む為
基板の製造コストを低下できるからである。しか
しながら低温焼結用のセラミツクスグリーンシー
トに、Ag、Pd、Pt、Au、Cu、Niのうちの少な
くとも１種からなる金属粉末を主成分とする導体
膜形成用組成物を回路パターンに塗布し、これを
焼成して実装用基板とした場合、該導体膜の半田
に対する濡れ性が著しく低いのが常である。 この原因は上記グリーンシート中にはガラス分
が多く含まれこれが焼成中に導体膜に拡散する為
と考えられている。 この半田の濡れ性の不足は導体膜表面の研磨に
より改善することができるが、このような研磨の
実施は製造コスト増を招くので研磨不要な導体膜
形成用組成物が望ましいことは云うまでもない。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明の目的は、低温焼結セラミツクスグリー
ンシート上に塗布し、焼成したまゝで充分な半田
濡れ性の導体膜が得られる導体膜形成用組成物を
提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 この目的を達成するため本発明のグリーンシー
ト上に塗布する組成物、Ag、Pd、Pt、Auのう
ちの少なくとも１種からなる導電用金属粉末100
重量部と、Mo、Ｗの少なくとも１種からなる金
属粉末0.01〜３重量部又はMo化合物、Ｗ化合物
の少なくとも１種の粉末を金属に換算して0.01〜
３重量部を含有せしめた点に特徴がある。 〔作用〕 導電用金属粉末100重量部当りMo、Ｗ粉末を
0.01〜３重量部混合することにより半田濡れ性の
改善に顕著な効果がある。この範囲外では半田濡
れ性は低い。Mo、Ｗの添加形態は酸化物、金属
酸塩、アルコキシド、レジネート等の化合物粉末
であつてよく、金属に換算して0.01〜３重量部で
あれば良い。 以上にガラス粉末を10重量部以下添加してもよ
い。ガラス粉末は軟化点が500〜800℃であれば何
れでも良く、例えば硼珪酸鉛ガラスを用いること
が出来るが、前記導電用金属粉末100重量部当り
10重量部を超えると半田濡れ性が低下するので、
10重量部以下にする必要がある。このガラス粉末
は基板からのガラス成分の拡散により接着の充分
な導体膜が得られる場合は使用しなくても良い。 上記組成物にはガラス粉末の他に通常の導体膜
形成用組成物と同様に酸化ビスマス、酸化銅、酸
化マンガン等を添加しても差支えない。 上記組成物は有機質ビヒクルと共に混練してペ
ースト状にして用いることができる。このビヒク
ルは、セルロースエステム、ゴム、ロジン系など
の誘電体、ポリオレフイン、ビニル、アクリル、
スチレン、エポキシなどの誘導体や共重合体等の
バインダーをターピネオール、ブチルカルビトー
ルなど沸点100〜300℃の溶剤に溶解したものであ
る。 ペースト状組成物はスクリーン印刷等で回路パ
ターンに塗布し、焼成すれば導体回路を有する基
板を製造しうる。 〔実施例〕 第１表に示す組成のガラス粉末60重量部とアル
ミナ粉末40重量部とを混合し、これに７重量％の
ブチラールターピネオール溶液35重量部を加えて
スラリー状にし、セラミツクスグリーンシート
Ａ、Ｂ、Ｃを作製した。 この３種類のセラミツクスグリーンシート上に
第２表に示す種々の組成の導体膜形成用組成物を
塗布し、850℃で10分間焼成して導体膜の面積抵
抗値と半田濡れ性を調べた。 該導体膜形成用組成物に用いたガラス粉末は、
PbO523、SiO27、Al2O33、B2O310、ZnO28各重
量％であり、ビヒクルはエチルセルロースの４％
ターピネオール溶液で、ビヒクル量は何れも20重
量部である。
形成するのに好適な導体膜形成用組成物に関す
る。 〔従来の技術〕 IC、LSI等の高密度実装基板として600〜1200
℃で焼成可能な低温焼結セラミツクスが注目され
ている。 その理由は比較的融点の低い金属を回路材料に
使うことができ、しかも焼成温度が低くて済む為
基板の製造コストを低下できるからである。しか
しながら低温焼結用のセラミツクスグリーンシー
トに、Ag、Pd、Pt、Au、Cu、Niのうちの少な
くとも１種からなる金属粉末を主成分とする導体
膜形成用組成物を回路パターンに塗布し、これを
焼成して実装用基板とした場合、該導体膜の半田
に対する濡れ性が著しく低いのが常である。 この原因は上記グリーンシート中にはガラス分
が多く含まれこれが焼成中に導体膜に拡散する為
と考えられている。 この半田の濡れ性の不足は導体膜表面の研磨に
より改善することができるが、このような研磨の
実施は製造コスト増を招くので研磨不要な導体膜
形成用組成物が望ましいことは云うまでもない。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明の目的は、低温焼結セラミツクスグリー
ンシート上に塗布し、焼成したまゝで充分な半田
濡れ性の導体膜が得られる導体膜形成用組成物を
提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 この目的を達成するため本発明のグリーンシー
ト上に塗布する組成物、Ag、Pd、Pt、Auのう
ちの少なくとも１種からなる導電用金属粉末100
重量部と、Mo、Ｗの少なくとも１種からなる金
属粉末0.01〜３重量部又はMo化合物、Ｗ化合物
の少なくとも１種の粉末を金属に換算して0.01〜
３重量部を含有せしめた点に特徴がある。 〔作用〕 導電用金属粉末100重量部当りMo、Ｗ粉末を
0.01〜３重量部混合することにより半田濡れ性の
改善に顕著な効果がある。この範囲外では半田濡
れ性は低い。Mo、Ｗの添加形態は酸化物、金属
酸塩、アルコキシド、レジネート等の化合物粉末
であつてよく、金属に換算して0.01〜３重量部で
あれば良い。 以上にガラス粉末を10重量部以下添加してもよ
い。ガラス粉末は軟化点が500〜800℃であれば何
れでも良く、例えば硼珪酸鉛ガラスを用いること
が出来るが、前記導電用金属粉末100重量部当り
10重量部を超えると半田濡れ性が低下するので、
10重量部以下にする必要がある。このガラス粉末
は基板からのガラス成分の拡散により接着の充分
な導体膜が得られる場合は使用しなくても良い。 上記組成物にはガラス粉末の他に通常の導体膜
形成用組成物と同様に酸化ビスマス、酸化銅、酸
化マンガン等を添加しても差支えない。 上記組成物は有機質ビヒクルと共に混練してペ
ースト状にして用いることができる。このビヒク
ルは、セルロースエステム、ゴム、ロジン系など
の誘電体、ポリオレフイン、ビニル、アクリル、
スチレン、エポキシなどの誘導体や共重合体等の
バインダーをターピネオール、ブチルカルビトー
ルなど沸点100〜300℃の溶剤に溶解したものであ
る。 ペースト状組成物はスクリーン印刷等で回路パ
ターンに塗布し、焼成すれば導体回路を有する基
板を製造しうる。 〔実施例〕 第１表に示す組成のガラス粉末60重量部とアル
ミナ粉末40重量部とを混合し、これに７重量％の
ブチラールターピネオール溶液35重量部を加えて
スラリー状にし、セラミツクスグリーンシート
Ａ、Ｂ、Ｃを作製した。 この３種類のセラミツクスグリーンシート上に
第２表に示す種々の組成の導体膜形成用組成物を
塗布し、850℃で10分間焼成して導体膜の面積抵
抗値と半田濡れ性を調べた。 該導体膜形成用組成物に用いたガラス粉末は、
PbO523、SiO27、Al2O33、B2O310、ZnO28各重
量％であり、ビヒクルはエチルセルロースの４％
ターピネオール溶液で、ビヒクル量は何れも20重
量部である。
【表】
本発明により焼成したまゝで半田濡れ性の充分
な導体膜が得られ、回路基板の製造コスト低下に
大きく寄与することができる。
な導体膜が得られ、回路基板の製造コスト低下に
大きく寄与することができる。
Claims (1)
- １ Ag、Pd、Pt、Auのうちの少なくとも１種
からなる導電用金属粉末100重量部と、Mo、Ｗ
の少なくとも１種からなる金属粉末0.01〜３重量
部又はMo化合物、Ｗ化合物の少なくとも１種の
粉末を金属に換算して0.01〜３重量部とを含有す
るセラミツクグリーンシート上に塗布する導体膜
形成用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23847987A JPS6481106A (en) | 1987-09-22 | 1987-09-22 | Composition for forming conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23847987A JPS6481106A (en) | 1987-09-22 | 1987-09-22 | Composition for forming conductive film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6481106A JPS6481106A (en) | 1989-03-27 |
| JPH0574166B2 true JPH0574166B2 (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=17030852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23847987A Granted JPS6481106A (en) | 1987-09-22 | 1987-09-22 | Composition for forming conductive film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6481106A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006310760A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Tdk Corp | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
Families Citing this family (12)
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|---|---|---|---|---|
| JP2825813B2 (ja) * | 1988-03-16 | 1998-11-18 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミック体の製造方法 |
| JP2825812B2 (ja) * | 1988-03-16 | 1998-11-18 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミック体の製造方法 |
| WO1991004650A1 (en) * | 1989-09-19 | 1991-04-04 | Fujitsu Limited | Via-forming ceramics composition |
| JP2732171B2 (ja) * | 1992-08-21 | 1998-03-25 | 株式会社住友金属エレクトロデバイス | セラミックス回路基板の製造方法 |
| JP2537007B2 (ja) * | 1993-03-31 | 1996-09-25 | ミヨシ電子株式会社 | 低温焼成用銅組成物 |
| JPH06349316A (ja) * | 1993-06-11 | 1994-12-22 | Tdk Corp | 導電ペースト |
| JPH07192526A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | 導電体形成用ペースト |
| JP3941201B2 (ja) | 1998-01-20 | 2007-07-04 | 株式会社デンソー | 導体ペースト組成物及び回路基板 |
| JP3932858B2 (ja) | 2001-10-23 | 2007-06-20 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト |
| US6762369B2 (en) | 2001-10-29 | 2004-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayer ceramic substrate and method for manufacturing the same |
| JP2008106449A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Mitsuba Corp | 換気機能付きパワーウインドウシステム |
| US9783874B2 (en) * | 2011-06-30 | 2017-10-10 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick film paste and use thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6268864A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性塗料 |
-
1987
- 1987-09-22 JP JP23847987A patent/JPS6481106A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6268864A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性塗料 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006310760A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Tdk Corp | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP4513981B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-07-28 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6481106A (en) | 1989-03-27 |
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| JPS6115523B2 (ja) | ||
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |