JP2003267750A - 抵抗体被覆用ガラス組成物 - Google Patents
抵抗体被覆用ガラス組成物Info
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- JP2003267750A JP2003267750A JP2002071186A JP2002071186A JP2003267750A JP 2003267750 A JP2003267750 A JP 2003267750A JP 2002071186 A JP2002071186 A JP 2002071186A JP 2002071186 A JP2002071186 A JP 2002071186A JP 2003267750 A JP2003267750 A JP 2003267750A
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- JP
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- glass
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- coating
- resistor
- glass composition
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/04—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低温で焼成することができ、しかも抵抗器の
製造の際に用いるメッキ液等に対する化学的耐食性に優
れた抵抗体被覆用ガラス組成物の提供を課題とする。 【解決手段】 重量％表示で、Ｂｉ２Ｏ３：５．０〜３
５．０％、ＺｎＯ：３．０〜１５．０％、ＳｉＯ２：２
５．０〜４５．０％、Ａｌ２Ｏ３：３．０〜１０．０％
を含有し、且つＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＭｇＯの内
の少なくとも１種を１０．０〜４０．０％含有し、実質
的にＰｂＯとＢ２Ｏ３とを含有しない抵抗体被覆用ガラ
ス組成物である。
製造の際に用いるメッキ液等に対する化学的耐食性に優
れた抵抗体被覆用ガラス組成物の提供を課題とする。 【解決手段】 重量％表示で、Ｂｉ２Ｏ３：５．０〜３
５．０％、ＺｎＯ：３．０〜１５．０％、ＳｉＯ２：２
５．０〜４５．０％、Ａｌ２Ｏ３：３．０〜１０．０％
を含有し、且つＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＭｇＯの内
の少なくとも１種を１０．０〜４０．０％含有し、実質
的にＰｂＯとＢ２Ｏ３とを含有しない抵抗体被覆用ガラ
ス組成物である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はチップ抵抗器等の抵
抗器に使用される抵抗体を被覆するのに用いられる抵抗
体被覆用ガラス組成物に関する。
抗器に使用される抵抗体を被覆するのに用いられる抵抗
体被覆用ガラス組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話を始めとする情報通信機器等に
おいては、その機器回路に用いられる抵抗器としてチッ
プ抵抗器が多く使用されるようになってきている。チッ
プ抵抗器は、外部から電気的、化学的、機械的に保護さ
れる必要があることから、その製造は、例えば基板上の
回路に電極、抵抗体等を配置し、該抵抗体を含む領域を
ガラスペーストで被覆した後、焼成し、また前記電極を
含む領域をメッキ等して行われる。このような抵抗体の
被覆に用いられるガラスは、その性質上、軟化点が低く
て低温での焼成ができるものが好ましく、その要請を満
たすものとして、従来、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系
ガラスが一般的には用いられている。特開昭５８−６４
２４５号には、鉛系ガラスの耐酸性の改善を目的とし
て、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系ガラス
が開示されている。更に特開平４−１４４９３４号に
は、より低温での焼成を可能とするも耐酸性の低下を抑
えることを目的として、ＰｂＯ系ガラスにＴｉＯ２粉末
を添加するものが開示されている。
おいては、その機器回路に用いられる抵抗器としてチッ
プ抵抗器が多く使用されるようになってきている。チッ
プ抵抗器は、外部から電気的、化学的、機械的に保護さ
れる必要があることから、その製造は、例えば基板上の
回路に電極、抵抗体等を配置し、該抵抗体を含む領域を
ガラスペーストで被覆した後、焼成し、また前記電極を
含む領域をメッキ等して行われる。このような抵抗体の
被覆に用いられるガラスは、その性質上、軟化点が低く
て低温での焼成ができるものが好ましく、その要請を満
たすものとして、従来、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２系
ガラスが一般的には用いられている。特開昭５８−６４
２４５号には、鉛系ガラスの耐酸性の改善を目的とし
て、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系ガラス
が開示されている。更に特開平４−１４４９３４号に
は、より低温での焼成を可能とするも耐酸性の低下を抑
えることを目的として、ＰｂＯ系ガラスにＴｉＯ２粉末
を添加するものが開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、鉛を含
むガラスは環境上の観点から、近年その使用が避けられ
る傾向が出てきている。また上記した特開昭５８−６４
２４５号公報、特開平４−１４４９３４号公報に記載の
従来の鉛を含むガラスは、やはり耐酸性等に難があり、
抵抗器の製造の際に用いるメッキ液等に対する耐食性に
弱点があった。
むガラスは環境上の観点から、近年その使用が避けられ
る傾向が出てきている。また上記した特開昭５８−６４
２４５号公報、特開平４−１４４９３４号公報に記載の
従来の鉛を含むガラスは、やはり耐酸性等に難があり、
抵抗器の製造の際に用いるメッキ液等に対する耐食性に
弱点があった。
【０００４】そこで本発明は、上記従来の抵抗体被覆用
ガラス組成物における問題点を解消し、低温で焼成する
ことができ、しかも抵抗器の製造の際に用いるメッキ液
等に対する化学的耐食性に優れた抵抗体被覆用ガラス組
成物の提供を課題とする。
ガラス組成物における問題点を解消し、低温で焼成する
ことができ、しかも抵抗器の製造の際に用いるメッキ液
等に対する化学的耐食性に優れた抵抗体被覆用ガラス組
成物の提供を課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、ガラス中からＰ
ｂＯを除去すること、或いは更にＢ２Ｏ３をも除去する
ことにより、抵抗体被覆用ガラス組成物の耐酸性を向上
させることを見出すと共に、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３の代わり
に、Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３及びＢ
ａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯを適当に用いることで、
低温焼成と耐食性に優れた抵抗体被覆用ガラスを得るこ
とができることを見出し、この知見に基づいて本発明を
完成するに至った。即ち本発明の抵抗体被覆用ガラス組
成物は、重量％表示で、Ｂｉ２Ｏ３：５．０〜３５．０
％、ＺｎＯ：３．０〜１５．０％、ＳｉＯ２：２５．０
〜４５．０％、Ａｌ２Ｏ３：３．０〜１０．０％を含有
し、且つＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＭｇＯの内の少な
くとも１種を１０．０〜４０．０％含有し、実質的にＰ
ｂＯとＢ２Ｏ３とを含有しないことを第１の特徴として
いる。また本発明の抵抗体被覆用ガラス組成物は、重量
％表示で、Ｂｉ２Ｏ３：５．０〜３５．０％、ＺｎＯ：
３．０〜１５．０％、ＳｉＯ２：２５．０〜４５．０
％、Ａｌ２Ｏ３：３．０〜１０．０％、Ｂ２Ｏ３：１
２．０％以下を含有し、且つＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及
びＭｇＯの内の少なくとも１種を１０．０〜４０．０％
含有し、実質的にＰｂＯを含有しないことを第２の特徴
としている。
題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、ガラス中からＰ
ｂＯを除去すること、或いは更にＢ２Ｏ３をも除去する
ことにより、抵抗体被覆用ガラス組成物の耐酸性を向上
させることを見出すと共に、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３の代わり
に、Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３及びＢ
ａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯを適当に用いることで、
低温焼成と耐食性に優れた抵抗体被覆用ガラスを得るこ
とができることを見出し、この知見に基づいて本発明を
完成するに至った。即ち本発明の抵抗体被覆用ガラス組
成物は、重量％表示で、Ｂｉ２Ｏ３：５．０〜３５．０
％、ＺｎＯ：３．０〜１５．０％、ＳｉＯ２：２５．０
〜４５．０％、Ａｌ２Ｏ３：３．０〜１０．０％を含有
し、且つＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＭｇＯの内の少な
くとも１種を１０．０〜４０．０％含有し、実質的にＰ
ｂＯとＢ２Ｏ３とを含有しないことを第１の特徴として
いる。また本発明の抵抗体被覆用ガラス組成物は、重量
％表示で、Ｂｉ２Ｏ３：５．０〜３５．０％、ＺｎＯ：
３．０〜１５．０％、ＳｉＯ２：２５．０〜４５．０
％、Ａｌ２Ｏ３：３．０〜１０．０％、Ｂ２Ｏ３：１
２．０％以下を含有し、且つＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及
びＭｇＯの内の少なくとも１種を１０．０〜４０．０％
含有し、実質的にＰｂＯを含有しないことを第２の特徴
としている。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の抵抗体被覆用ガラス組成
物を構成する成分の限定理由を、次に説明する。なお本
発明で言う「実質的にＰｂＯとＢ２Ｏ３とを含有せ
ず」、「実質的にＰｂＯを含有せず」とは、ＰｂＯやＢ
２Ｏ３を成分として用いないという意味で、ガラスを構
成する各成分の原料中に不純物として、それらＰｂＯや
Ｂ２Ｏ３が混入したガラスを排除するものではない。
物を構成する成分の限定理由を、次に説明する。なお本
発明で言う「実質的にＰｂＯとＢ２Ｏ３とを含有せ
ず」、「実質的にＰｂＯを含有せず」とは、ＰｂＯやＢ
２Ｏ３を成分として用いないという意味で、ガラスを構
成する各成分の原料中に不純物として、それらＰｂＯや
Ｂ２Ｏ３が混入したガラスを排除するものではない。
【０００７】Ｂｉ２Ｏ３の含有量は５．０〜３５．０重
量％とする。Ｂｉ２Ｏ３は本発明に係るガラスの網目
（骨格）を形成する酸化物であり、ガラスを低温焼成さ
せるための必須成分である。Ｂｉ２Ｏ３の含有量が５．
０重量％未満ではその効果が少なく、また３５．０重量
％を超える場合にはガラスが不安定になり、失透する傾
向となる。Ｂｉ２Ｏ３の含有量は１０．０〜２５．０重
量％であることがより好ましい。
量％とする。Ｂｉ２Ｏ３は本発明に係るガラスの網目
（骨格）を形成する酸化物であり、ガラスを低温焼成さ
せるための必須成分である。Ｂｉ２Ｏ３の含有量が５．
０重量％未満ではその効果が少なく、また３５．０重量
％を超える場合にはガラスが不安定になり、失透する傾
向となる。Ｂｉ２Ｏ３の含有量は１０．０〜２５．０重
量％であることがより好ましい。
【０００８】ＺｎＯの含有量は３．０〜１５．０重量％
とする。ＺｎＯはガラスを低温焼成させるための必須成
分である。ＺｎＯの含有量が３．０重量％未満ではその
効果が少なく、また１５．０重量％を超える場合にはガ
ラスの安定性が悪くなり、失透する傾向となる。ＺｎＯ
の含有量は３．０〜８．０重量％であることがより好ま
しい。
とする。ＺｎＯはガラスを低温焼成させるための必須成
分である。ＺｎＯの含有量が３．０重量％未満ではその
効果が少なく、また１５．０重量％を超える場合にはガ
ラスの安定性が悪くなり、失透する傾向となる。ＺｎＯ
の含有量は３．０〜８．０重量％であることがより好ま
しい。
【０００９】ＳｉＯ２の含有量は２５．０〜４５．０重
量％が好ましい。ＳｉＯ２は本発明に係るガラスの網目
（骨格）を形成する酸化物であり、ガラスに耐酸性を保
持させるための必須成分である。ＳｉＯ２の含有量が２
５．０重量％未満ではガラス骨格としての役割が不十分
となる。また４５．０重量％を超える場合には軟化点が
上がり低温焼成が十分に行えなくなる。ＳｉＯ２の含有
量は３５．０〜４５．０重量％であることがより好まし
い。
量％が好ましい。ＳｉＯ２は本発明に係るガラスの網目
（骨格）を形成する酸化物であり、ガラスに耐酸性を保
持させるための必須成分である。ＳｉＯ２の含有量が２
５．０重量％未満ではガラス骨格としての役割が不十分
となる。また４５．０重量％を超える場合には軟化点が
上がり低温焼成が十分に行えなくなる。ＳｉＯ２の含有
量は３５．０〜４５．０重量％であることがより好まし
い。
【００１０】Ａｌ２Ｏ３の含有量は３．０〜１０．０重
量％が好ましい。Ａｌ２Ｏ３はガラスの耐酸性を上げる
ための必須成分である。Ａｌ２Ｏ３が３．０重量％未満
ではその効果が少なく、また１０．０重量％を超えると
軟化点が上がり、低温焼成が十分に行えなくなる。Ａｌ
２Ｏ３の含有量は、３．０〜８．０重量％であることが
より好ましい。
量％が好ましい。Ａｌ２Ｏ３はガラスの耐酸性を上げる
ための必須成分である。Ａｌ２Ｏ３が３．０重量％未満
ではその効果が少なく、また１０．０重量％を超えると
軟化点が上がり、低温焼成が十分に行えなくなる。Ａｌ
２Ｏ３の含有量は、３．０〜８．０重量％であることが
より好ましい。
【００１１】ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＭｇＯは、そ
れらの何れか１種以上を１０．０〜４０．０重量％の範
囲で含有させることが好ましい。ＢａＯ、ＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ及びＭｇＯは低温焼成させるのに必要な成分である。
と同時に、ガラスの膨張係数を調整する役割も果たす。
これらの成分の含有量は保護する材料の膨張係数に応じ
て、また焼成温度を考慮して上記範囲内で適宜調整す
る。ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＭｇＯの含有量は、合
計で２５．０〜３５．０重量％であることがより好まし
い。
れらの何れか１種以上を１０．０〜４０．０重量％の範
囲で含有させることが好ましい。ＢａＯ、ＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ及びＭｇＯは低温焼成させるのに必要な成分である。
と同時に、ガラスの膨張係数を調整する役割も果たす。
これらの成分の含有量は保護する材料の膨張係数に応じ
て、また焼成温度を考慮して上記範囲内で適宜調整す
る。ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＭｇＯの含有量は、合
計で２５．０〜３５．０重量％であることがより好まし
い。
【００１２】ＰｂＯとＢ２Ｏ３とは実質的に含有させな
い。ＰｂＯを含有させると軟化点は低下するが、耐酸性
が悪くなる。また環境上の観点から好ましくない。Ｂ２
Ｏ３は環境上の観点からあまり好ましくない。また耐酸
性の点からも含有させないのが好ましい。しかしながら
Ｂ２Ｏ３はガラスの網目（骨格）を形成する酸化物で、
Ｂ２Ｏ３の含有によりガラスの軟化点を低下させ、低温
焼成効果を発揮させることができる。従ってＢ２Ｏ３は
１２．０重量％以下含有させることができる。１２．０
重量％を超えると耐酸性の悪化が大きくなる。Ｂ２Ｏ３
の含有量は１０．０重量％以下がより好ましい。
い。ＰｂＯを含有させると軟化点は低下するが、耐酸性
が悪くなる。また環境上の観点から好ましくない。Ｂ２
Ｏ３は環境上の観点からあまり好ましくない。また耐酸
性の点からも含有させないのが好ましい。しかしながら
Ｂ２Ｏ３はガラスの網目（骨格）を形成する酸化物で、
Ｂ２Ｏ３の含有によりガラスの軟化点を低下させ、低温
焼成効果を発揮させることができる。従ってＢ２Ｏ３は
１２．０重量％以下含有させることができる。１２．０
重量％を超えると耐酸性の悪化が大きくなる。Ｂ２Ｏ３
の含有量は１０．０重量％以下がより好ましい。
【００１３】
【実施例】表１に示す実施例１〜４、比較例１〜４の各
ガラス組成物の酸化物成分になるように原料を調合し、
混合機でよく混合した後、その混合した原料を電気炉中
で１４００〜１５００℃まで上昇させた白金ルツボに入
れ、２時間溶融した。その融液を水冷ロールに流し出し
て薄片状のガラスフレークを得た。更に各ガラスフレー
クをボールミルで平均粒径３μｍになるまで粉砕して、
粉末状のガラスを得た。前記粉末状ガラスを用いて軟化
点を測定した。結果を表１に示す。
ガラス組成物の酸化物成分になるように原料を調合し、
混合機でよく混合した後、その混合した原料を電気炉中
で１４００〜１５００℃まで上昇させた白金ルツボに入
れ、２時間溶融した。その融液を水冷ロールに流し出し
て薄片状のガラスフレークを得た。更に各ガラスフレー
クをボールミルで平均粒径３μｍになるまで粉砕して、
粉末状のガラスを得た。前記粉末状ガラスを用いて軟化
点を測定した。結果を表１に示す。
【００１４】なお実施例において使用した原料は、Ｂｉ
２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＢａＣ
Ｏ３、Ａｌ（ＯＨ）３、Ｈ３ＢＯ３、ＳｉＯ２、Ｍｇ
（ＯＨ）２である。
２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＢａＣ
Ｏ３、Ａｌ（ＯＨ）３、Ｈ３ＢＯ３、ＳｉＯ２、Ｍｇ
（ＯＨ）２である。
【００１５】前記粉末状ガラスと、テルピネオールにエ
チルセルロースを８％溶解させたビヒクルとを混合した
後、３本ロールで混練し、ガラスペーストを得た。更に
このガラスペーストをスクリーン印刷でアルミナ基板上
に塗布した後、１２０℃で乾燥させ、その後で表１に示
す各焼成温度で約１時間焼成した。この各基板焼成温度
は、前記各軟化温度より２０℃高い温度としている。前
記得られた各焼成基板を耐酸性試験に供した。耐酸性試
験は、２５℃、５重量％の硫酸水溶液に対して、各焼成
基板を１０分間浸漬し、水洗後乾燥させてからガラス表
面を観察し、耐酸性を評価した。結果を表１に示す。
チルセルロースを８％溶解させたビヒクルとを混合した
後、３本ロールで混練し、ガラスペーストを得た。更に
このガラスペーストをスクリーン印刷でアルミナ基板上
に塗布した後、１２０℃で乾燥させ、その後で表１に示
す各焼成温度で約１時間焼成した。この各基板焼成温度
は、前記各軟化温度より２０℃高い温度としている。前
記得られた各焼成基板を耐酸性試験に供した。耐酸性試
験は、２５℃、５重量％の硫酸水溶液に対して、各焼成
基板を１０分間浸漬し、水洗後乾燥させてからガラス表
面を観察し、耐酸性を評価した。結果を表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】表１によれば、ＰｂＯとＢ２Ｏ３とを除外
した実施例１、２では、軟化点が８００℃、８３０℃と
なるものの、非常に良好な耐酸性を示すことがわかる。
また実施例３、４では、ＰｂＯを除外するもののＢ２Ｏ
３を少し添加することで、耐酸性をある程度良好に保持
することができると共に、軟化点を８００℃よりも多少
低い温度まで下げることができる。比較例１〜４は軟化
点を更に下げることができるが、耐酸性に難点が生じ
る。
した実施例１、２では、軟化点が８００℃、８３０℃と
なるものの、非常に良好な耐酸性を示すことがわかる。
また実施例３、４では、ＰｂＯを除外するもののＢ２Ｏ
３を少し添加することで、耐酸性をある程度良好に保持
することができると共に、軟化点を８００℃よりも多少
低い温度まで下げることができる。比較例１〜４は軟化
点を更に下げることができるが、耐酸性に難点が生じ
る。
【００１８】
【発明の効果】本発明は以上の構成及び作用からなり、
請求項１に記載の抵抗体被覆用ガラス組成物によれば、
重量％表示で、Ｂｉ２Ｏ３：５．０〜３５．０％、Ｚｎ
Ｏ：３．０〜１５．０％、ＳｉＯ２：２５．０〜４５．
０％、Ａｌ２Ｏ３：３．０〜１０．０％を含有し、且つ
ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＭｇＯの内の少なくとも１
種を１０．０〜４０．０％含有し、実質的にＰｂＯとＢ
２Ｏ３とを含有しないようにしたので、鉛やホウ素を含
有させることなく、低温で焼成することができ、しかも
抵抗器の製造の際に用いるメッキ液等に対する化学的耐
食性に十分優れた抵抗体被覆用のガラスを提供すること
ができる。また請求項２に記載の抵抗体被覆用ガラス組
成物によれば、重量％表示で、Ｂｉ２Ｏ３：５．０〜３
５．０％、ＺｎＯ：３．０〜１５．０％、ＳｉＯ２：２
５．０〜４５．０％、Ａｌ２Ｏ３：３．０〜１０．０
％、Ｂ２Ｏ３：１２．０％以下を含有し、且つＢａＯ、
ＣａＯ、ＳｒＯ及びＭｇＯの内の少なくとも１種を１
０．０〜４０．０％含有し、実質的にＰｂＯを含有しな
いようにしたので、鉛を含有させることなく、一層低温
で焼成することができ、しかも抵抗器の製造の際に用い
るメッキ液等に対する化学的耐食性にも優れた抵抗体被
覆用のガラスを提供することができる。
請求項１に記載の抵抗体被覆用ガラス組成物によれば、
重量％表示で、Ｂｉ２Ｏ３：５．０〜３５．０％、Ｚｎ
Ｏ：３．０〜１５．０％、ＳｉＯ２：２５．０〜４５．
０％、Ａｌ２Ｏ３：３．０〜１０．０％を含有し、且つ
ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＭｇＯの内の少なくとも１
種を１０．０〜４０．０％含有し、実質的にＰｂＯとＢ
２Ｏ３とを含有しないようにしたので、鉛やホウ素を含
有させることなく、低温で焼成することができ、しかも
抵抗器の製造の際に用いるメッキ液等に対する化学的耐
食性に十分優れた抵抗体被覆用のガラスを提供すること
ができる。また請求項２に記載の抵抗体被覆用ガラス組
成物によれば、重量％表示で、Ｂｉ２Ｏ３：５．０〜３
５．０％、ＺｎＯ：３．０〜１５．０％、ＳｉＯ２：２
５．０〜４５．０％、Ａｌ２Ｏ３：３．０〜１０．０
％、Ｂ２Ｏ３：１２．０％以下を含有し、且つＢａＯ、
ＣａＯ、ＳｒＯ及びＭｇＯの内の少なくとも１種を１
０．０〜４０．０％含有し、実質的にＰｂＯを含有しな
いようにしたので、鉛を含有させることなく、一層低温
で焼成することができ、しかも抵抗器の製造の際に用い
るメッキ液等に対する化学的耐食性にも優れた抵抗体被
覆用のガラスを提供することができる。
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4G062 AA09 BB01 DA04 DA05 DB03
DC01 DD01 DE03 DE04 DF01
EA01 EA10 EB01 EC01 ED01
ED04 ED05 EE01 EE04 EE05
EF01 EF04 EF05 EG01 EG04
EG05 FA01 FA10 FB01 FC01
FD01 FE01 FF01 FG01 FH01
FJ01 FK01 FL01 GA03 GA04
GA05 GB01 GC01 GD01 GE01
HH01 HH03 HH05 HH07 HH09
HH11 HH13 HH15 HH17 HH20
JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10
KK01 KK03 KK05 KK07 KK10
MM05 MM08 MM23 MM31 NN32
NN34
4M109 AA03 ED06
Claims (2)
- 【請求項１】 重量％表示で、 Ｂｉ２Ｏ３ ： ５．０〜３５．０％ ＺｎＯ ： ３．０〜１５．０％ ＳｉＯ２ ： ２５．０〜４５．０％ Ａｌ２Ｏ３ ： ３．０〜１０．０％ を含有し、且つＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＭｇＯの内
の少なくとも１種を１０．０〜４０．０％含有し、実質
的にＰｂＯとＢ２Ｏ３とを含有しないことを特徴とする
抵抗体被覆用ガラス組成物。 - 【請求項２】 重量％表示で、 Ｂｉ２Ｏ３ ： ５．０〜３５．０％ ＺｎＯ ： ３．０〜１５．０％ ＳｉＯ２ ： ２５．０〜４５．０％ Ａｌ２Ｏ３ ： ３．０〜１０．０％ Ｂ２Ｏ３ ： １２．０％以下 を含有し、且つＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＭｇＯの内
の少なくとも１種を１０．０〜４０．０％含有し、実質
的にＰｂＯを含有しないことを特徴とする抵抗体被覆用
ガラス組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002071186A JP2003267750A (ja) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | 抵抗体被覆用ガラス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002071186A JP2003267750A (ja) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | 抵抗体被覆用ガラス組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
| US8394649B2 (en) | 2004-09-07 | 2013-03-12 | Canaon Anelva Corporation | Method of production of a magnetoresistance effect device |
| WO2013168236A1 (ja) * | 2012-05-08 | 2013-11-14 | 新電元工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| WO2015173429A1 (en) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | Vito Nv | Method for providing a glass joint between a ceramic component and a substrate, joining composition and glass joint |
| JP5827398B2 (ja) * | 2012-05-08 | 2015-12-02 | 新電元工業株式会社 | 半導体接合保護用ガラス組成物の製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JPWO2013168623A1 (ja) * | 2012-05-08 | 2016-01-07 | 新電元工業株式会社 | 半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| WO2021149633A1 (ja) * | 2020-01-21 | 2021-07-29 | 日本山村硝子株式会社 | 低熱膨張性封着・被覆用ガラス |
-
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- 2002-03-15 JP JP2002071186A patent/JP2003267750A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8394649B2 (en) | 2004-09-07 | 2013-03-12 | Canaon Anelva Corporation | Method of production of a magnetoresistance effect device |
| US8934290B2 (en) | 2004-09-07 | 2015-01-13 | Canon Anelva Corporation | Magnetoresistance effect device and method of production of the same |
| WO2013168236A1 (ja) * | 2012-05-08 | 2013-11-14 | 新電元工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JP5827398B2 (ja) * | 2012-05-08 | 2015-12-02 | 新電元工業株式会社 | 半導体接合保護用ガラス組成物の製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP5827397B2 (ja) * | 2012-05-08 | 2015-12-02 | 新電元工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JPWO2013168623A1 (ja) * | 2012-05-08 | 2016-01-07 | 新電元工業株式会社 | 半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| US9570408B2 (en) | 2012-05-08 | 2017-02-14 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device |
| WO2015173429A1 (en) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | Vito Nv | Method for providing a glass joint between a ceramic component and a substrate, joining composition and glass joint |
| WO2021149633A1 (ja) * | 2020-01-21 | 2021-07-29 | 日本山村硝子株式会社 | 低熱膨張性封着・被覆用ガラス |
| CN115038674A (zh) * | 2020-01-21 | 2022-09-09 | 日本山村硝子株式会社 | 低热膨胀性封接/被覆用玻璃 |
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