JP2005129806A - 抵抗体ペースト及び厚膜抵抗体 - Google Patents

Abstract

【課題】 高い抵抗値と、抵抗値のバラツキ（Ｃ．Ｖ．値）、温度特性（ＴＣＲ）、耐電圧特性（ＳＴＯＬ）等の特性を両立する。
【解決手段】 少なくとも実質的に鉛を含まないガラス組成物及び実質的に鉛を含まない導電材料を含有し、これらが有機ビヒクルと混合されてなる抵抗体ペーストである。導電材料の平均粒径は、５μｍ以上、５０μｍ以下である。また、導電材料において、粒径０．１μｍ以下の粒子の割合は１０％以下である。導電材料としては、例えば、ＣａＲｕＯ₃、ＳｒＲｕＯ₃、ＢａＲｕＯ₃を用いる。形成される抵抗体において、導電材料の反応割合が１５％以上、８０％以下である。
【選択図】 なし

Description

本発明は、抵抗体ペースト及び厚膜抵抗体に関するものであり、特に、鉛フリーで高抵抗値を有する抵抗体ペースト及び厚膜抵抗体に関する。

ガラスや導電材料を含む抵抗体ペーストを基板上に塗布し焼成することによって形成される厚膜抵抗体においては、通常、導電材料として酸化ルテニウム（ＲｕＯ₂）等が用いられ、ガラスとしてＰｂＯ系ガラスが用いられている。ガラスは、導電材料及び基板との結着剤としての機能を果たし、また導電材料とガラスの比率によって抵抗値調整が可能である。

近年、環境問題が盛んに議論されてきており、例えば半田材料等においては、鉛を除外することが求められている。厚膜抵抗体も例外ではなく、したがって、環境に配慮した場合、ＰｂＯ系ガラスの使用は避けなければならない。このような状況から、鉛を含有した抵抗体ペーストを用いることは望ましくなく、鉛フリーの厚膜抵抗体ペーストについての研究がなされている（例えば、特許文献１〜特許文献５等を参照）。

一方、例えば、１０ｋΩ／□以上の高抵抗を有する厚膜抵抗体の場合、導電材料として抵抗率の低いＲｕＯ₂を用いると、その添加量を大幅に減らす必要があり、僅かな添加量の変動が抵抗値の大きな変動に繋がり、抵抗値調整が難しくなる。そこで、このような高抵抗を有する厚膜抵抗体には、通常、抵抗率の高い鉛ルテニウムの複合酸化物、例えばＰｂ₂Ｒｕ₂Ｏ₆が導電材料として用いられている。抵抗率の高いＰｂ₂Ｒｕ₂Ｏ₆を導電材料として用いることで、高抵抗の厚膜抵抗体を得ることは比較的容易である。

しかしながら、先にも述べたように、環境に配慮した場合、ＰｂＯ系ガラスは勿論のこと、導電材料についても鉛を含む材料の使用は避けなければならず、Ｐｂ₂Ｒｕ₂Ｏ₆に代わる導電材料が必要になっている。

上記Ｐｂ₂Ｒｕ₂Ｏ₆と同程度の抵抗率を持つ導電材料としては、ＳｒＲｕＯ₃、ＢａＲｕＯ₃、ＣａＲｕＯ₃等の複合酸化物が挙げられる。しかしながら、これらの複合酸化物を導電材料として使用した場合、焼成中にガラス組成物と反応し、ＲｕＯ₂へと分解してしまうため、高い抵抗値を得るためには、導電材料の量を少なくしなければならず、抵抗値のバラツキ（Ｃ．Ｖ．値）、温度特性（ＴＣＲ）、耐電圧特性（ＳＴＯＬ）等の特性を両立した抵抗体を得ることは困難である。

前記複合酸化物のガラスとの反応による分解を抑えるためには、Ｒｕイオンのガラスに対する溶解度を小さくすればよいものと考えられ、そのためには予めガラスをＲｕで飽和させておけばよいものと考えられる。このような観点から、本願出願人は、特許文献６において、ガラス組成物に、導電性を与えるための金属元素を含む第１の導電性材料（ＲｕＯ₂）をあらかじめ溶解させてガラス材料を得る工程を備えた抵抗体ペーストの製造方法を既に提案している。
特開平８−２５３３４２号公報 特開平１０−２２４００４号公報 特開２００１−１９６２０１号公報 特開平１１−２５１１０５号公報 特許第３０１９１３６号公報 特開２００３−７５１７号公報

しかしながら、予めガラス材料に導電材料を溶解させるためには、そのための工程を増やす必要があり、生産性や製造コスト等の点で不利である。また、ガラスを形成する酸化物とＲｕＯ₂とを混合し、溶融、急冷して厚膜抵抗体用ガラスを作製しても、必ずしも十分に、且つ安定に高抵抗化することができないということがわかってきた。これは、製造条件等によっては添加したＲｕＯ₂の全量がガラス化せず、その結果、一部ＲｕＯ₂が結晶状態のまま残存することによるものと推測される。先にも述べた通り、ＲｕＯ₂は抵抗率が低く、結晶状態のままガラス中に残存すると、高抵抗化の妨げとなり、実使用上、十分なＣ．Ｖ．値を得ることは難しい。

一方、特許文献１〜特許文献５記載の発明は、Ｐｂフリー抵抗体を得るための発明ではあるが、目的や視点が異なり、高抵抗で、抵抗値のバラツキ（Ｃ．Ｖ．値）、温度特性（ＴＣＲ）、耐電圧特性（ＳＴＯＬ）等の特性に優れた抵抗体を提供するという観点からは、不十分と言わざるを得ない。

本発明は、このような先行技術の有する課題を解決するために提案されたものである。すなわち、本発明は、１０ｋΩ／□以上の高い抵抗値を有し、抵抗値のバラツキ（Ｃ．Ｖ．値）、温度特性（ＴＣＲ）、耐電圧特性（ＳＴＯＬ）等の特性にも優れた抵抗体ペースト及び抵抗体を提供することを目的とし、さらには電子部品を提供することを目的とする。また、本発明は、余分な工程を追加する必要がなく、安定に高抵抗化することが可能な抵抗体ペースト及び抵抗体を提供することを目的とし、さらには電子部品を提供することを目的とする。

本発明者らは、上述の課題を解決することを目的として、長期に亘り種々の研究を重ねてきた。その結果、使用する導電材料の粒径を適正な範囲とし、反応相を除いた導電材料の実質的な粒径を確保することで、前述の問題を解消し得ることを見出すに至った。本発明は、このような知見に基づいて完成されたものである。

すなわち、本発明の抵抗体ペーストは、少なくとも実質的に鉛を含まないガラス組成物及び実質的に鉛を含まない導電材料を含有し、これらが有機ビヒクルと混合されてなる抵抗体ペーストであって、前記導電材料の平均粒径が５μｍ以上、５０μｍ以下であることを特徴とする。また、本発明の抵抗体は、前記抵抗体ペーストを塗布、または印刷した後、焼成することによって形成されてなることを特徴とするものであり、本発明の電子部品は、このようにして形成される抵抗体を備えることを特徴とするものである。

本発明は、鉛フリーのガラス材料、及び鉛フリーの導電材料を使用することで、１０ｋΩ／□以上の高い抵抗値を実現するものである。本発明では、導電材料の平均粒径を所定の値にすることで、反応相を除いた導電材料の実質的な粒径を確保し、高抵抗値を実現している。また、抵抗値のバラツキも抑えられ、温度特性（ＴＣＲ）や耐電圧特性（ＳＴＯＬ）等の特性も良好なものとなる。

本発明においては、導電材料の平均粒径を５μｍ以上、５０μｍ以下としているので、１０ｋΩ／□以上の高い抵抗値を有しながらも、抵抗値のバラツキが小さく、温度特性（ＴＣＲ）の絶対値が小さく、耐電圧特性（ＳＴＯＬ）も良好なものとすることが可能である。また、本発明によれば、余分な工程を追加する必要がないので、生産性や製造コストの点でも有利であり、安定に高抵抗化が可能であるという利点も有する。

以下、本発明を適用した抵抗体ペースト、抵抗体、及び電子部品について詳細に説明する。

本発明の抵抗体ペーストは、ガラス組成物及び導電材料を含み、これらが有機ビヒクルと混合されてなるものである。ここで重要なことは、使用する導電材料の平均粒径を適正な範囲、具体的には５μｍ以上、５０μｍ以下とすることであり、これにより、高抵抗化と、抵抗値のバラツキ（Ｃ．Ｖ．値）、温度特性（ＴＣＲ）、耐電圧特性（ＳＴＯＬ）等の特性の両立が可能となる。また、前記導電材料においては、前記平均粒径の他、粒径０．１μｍ以下の粒子の割合も各特性に影響を及ぼし、粒径０．１μｍ以下の粒子の割合を１０％以下とすることが好ましい。

導電材料としては、必要な抵抗値に応じて任意の材料を選択することができるが、鉛を実質的に含まない鉛フリーで高抵抗値の厚膜抵抗体を得るという目的からは、Ｐｂ₂Ｒｕ₂Ｏ₆と同程度の抵抗率を持つ導電材料、すなわち、ＳｒＲｕＯ₃、ＢａＲｕＯ₃、ＣａＲｕＯ₃から選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましい。

一方、ガラス組成物は、特に限定されることはないが、本発明では、環境保全上、やはり鉛を実質的に含まない鉛フリーのガラス組成物を用いる。なお、本発明において、「鉛を実質的に含まない」とは、不純物レベルとは言えない量を越える鉛を含まないことを意味し、不純物レベルの量（例えば、ガラス材料または導電性材料中の含有量が０．０５体積％以下程度）であれば含有されていてもよい趣旨である。鉛は、不可避不純物として極微量程度に含有されることがある。

ガラス組成物の原料としては、通常、ガラス形成酸化物とガラス修飾酸化物とを混合して用いるが、ガラス形成酸化物としては、Ｂ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｐ₂Ｏ₅等を挙げることができ、これらの中から選択される少なくとも１種を用いる。ガラス修飾酸化物としては、Ｎａ₂Ｏ、Ｌｉ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ等のアルカリ酸化物や、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ等のアルカリ土類酸化物、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＭｎＯ等の酸化物等を挙げることができ、これらの中から適宜選択して用いればよい。また、酸化物の代わりにＣａＣＯ₃等の炭酸塩を原料に用いることも可能である。さらに、必要に応じて、その他の金属酸化物を原料酸化物として添加してもよい。この場合、ガラス化し得る範囲内であれば、これらの添加量に制限はない。

前記ガラス組成物においては、その平均粒径を適正に設定することが好ましく、平均粒径が０．５μｍ以上、１０μｍ以下であることが好ましい。前記平均粒径が０．５μｍ未満であると、温度特性（ＴＣＲ）が大きくなる虞れがある。逆に、前記平均粒径が１０μｍを越えると、抵抗値のバラツキ（Ｃ．Ｖ．値）が大きくなり、また、温度特性（ＴＣＲ）も大きくなる虞れがある。

ビヒクルとしては、この種の厚膜抵抗体ペーストに用いられるものがいずれも使用可能であり、例えば、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、メタクリル樹脂、ブチルメタクリレート等のバインダ樹脂と、ターピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、アセテート、トルエン、各種アルコール、キシレン等の溶剤とを混合して用いることができる。このとき、各種の分散剤や活性剤、可塑剤等を用途等に応じて適宜併用することも可能である。さらに、必要に応じて、遷移金属群元素の酸化物、典型金属群元素の酸化物等の各種酸化物をＴＣＲ調整剤、またはその他の目的で添加してもよい。

抵抗体ペーストには、ガラス組成物、導電材料の他、抵抗値及び温度特性の調整等を目的として、添加物が含まれていてもよい。添加物としては、ＣｕＯ、ＭｎＯ₂、ＴｉＯ₂、Ｍｎ₃Ｏ₄、ＺｎＯ、ＭｇＯ、Ｖ₂Ｏ₅、Ｖ₂Ｏ₃、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｃｒ₂Ｏ₃、Ｆｅ₂Ｏ₃、ＣｏＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、ＳｎＯ₂、ＨｆＯ₂、ＷＯ₃、Ｂｉ₂Ｏ₃等が例示される。中でも、耐フラックス性等の観点から、ＣｕＯは好ましい添加物である。ＣｕＯを添加物として使用する場合、その体積添加割合は、５体積％以下とすることが好ましく、１〜３体積％とすることがより好ましい。ＣｕＯの体積添加割合が多すぎると、抵抗体の温度特性を劣化させる傾向にある。

前述のガラス組成物、導電材料、添加物は、有機ビヒクルと混合することで抵抗体ペーストとして調製されるが、この時、ガラス組成物、導電材料、及び添加物を合計した体積を１００とした場合に、前記ガラス組成物の割合を６３体積％以上、８８体積％以下、前記導電材料の割合を１０体積％以上、３５体積％以下とすることが好ましい。

抵抗体を形成するには、前述の成分を含む抵抗体ペーストを例えば基板上にスクリーン印刷等の手法で印刷（塗布）し、８５０℃程度の温度で焼成すればよい。基板としては、アルミナ基板、ＡｌＮ基板等のセラミック基板等を用いることができ、基板形態としては、単層基板、複合基板、多層基板のいずれであってもよい。多層基板の場合、厚膜抵抗体は、表面に形成してもよいし、内部に形成してもよい。

抵抗体の形成に際しては、通常、基板に電極となる導電パターンを形成するが、この導電パターンは、例えば、ＡｇやＰｔ等の良導電材料を含む導電ペーストを印刷することにより形成することができる。また、形成した抵抗体の表面に、ガラス膜等の保護膜を形成してもよい。

形成した抵抗体においては、導電材料粒子がガラス組成物と反応し、外側がＲｕＯ₂で覆われ、内側には原料として用いた高抵抗導電材料が残った形となる。ここで、反応によりＲｕＯ₂となった部分の割合、すなわち導電材料の反応割合が１５％以上、８０％以下とすることが望ましい。この反応割合が大きすぎると、抵抗値のバラツキ（Ｃ．Ｖ．値）、温度特性（ＴＣＲ）、耐電圧特性（ＳＴＯＬ）等の特性が劣化する虞れがある。逆に、反応割合が小さすぎると、導電材料粒子とガラス組成物の結着が不十分となり、温度特性（ＴＣＲ）や耐電圧特性（ＳＴＯＬ）等の特性が劣化する虞れがある。

前記反応割合は、ガラス組成物の組成や粒径、配合量、さらには、添加物の種類及び添加量、焼成条件等によっても制御することが可能である。したがって、抵抗体の形成に際しては、これらの条件を最適化し、反応割合が前記範囲内となるように制御することが好ましい。

以下、本発明の具体的な実施例について、実験結果に基づいて説明する。

導電材料の作製
組成がＣａＲｕＯ₃となるように所定量のＣａＣＯ₃粉末とＲｕＯ₂粉末を秤量し、ボールミルにて混合して乾燥した。得られた粉末を５℃／分の速度で１２００〜１４００℃の間まで昇温し、その温度に５〜６４時間保持した後、５℃／分の速度で室温まで冷却することによってＣａＲｕＯ₃化合物の粉末を得た。得られた粉末をボールミルにて粉砕した。ＳｒＲｕＯ₃及びＢａＲｕＯ₃についても同様にして作製した。

以上の作製方法において、焼成条件と粉砕時間を調節することにより、様々な平均粒径を有する導電材料を得た。得られた導電材料について、平均粒径及び粒径０．１μｍ以下の粒子の割合を測定した。

ガラス組成物の作製
Ｂ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＣａＣＯ₃、ＭｎＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＣｕＯ、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＭｎＯ等の酸化物を所定量秤量し、ボールミルにて混合した後、乾燥した。得られた粉末を５℃／分の速度で１３００℃まで昇温し、その温度に１時間保持した後、水中に投入することによって急冷し、ガラス化した。得られたガラス化物をボールミルで粉砕し、ガラス組成物粉末を得た。作製したガラス組成物の組成を表１に示す。

抵抗体ペーストの作製
上述の如く作製した導電材料の粉末と、ガラス組成物粉末、添加物、及び有機ビヒクルを各組成となるように秤量し、３本ロールミルで混練し、抵抗体ペーストを得た。なお、有機ビヒクルは、樹脂としてエチルセルロースを用い、溶剤としてターピネオールを用い、溶剤を加熱攪拌しながら樹脂を溶かして作製した。添加物としては、ＣｕＯを用いた。また、導電材料粉末、ガラス組成物粉末及び添加物粉末の合計重量と有機ビヒクルの重量の比は、得られた抵抗体ペーストがスクリーン印刷に適した粘度となるように、重量比で１：０．２５〜１：４の範囲で調合し、抵抗体ペーストを作製した。

抵抗体の作製
９６％のアルミナ基板上に、Ａｇ−Ｐｔ導体ペーストを所定形状にスクリーン印刷して乾燥させた。Ａｇ−Ｐｔ導体ペーストにおけるＡｇの割合は９５重量％、Ｐｔの割合は５重量％とした。このアルミナ基板をベルト炉に入れ、投入から排出まで１時間のパターンで焼き付けを行った。この時の焼き付け温度は８５０℃、その温度での保持時間は１０分間とした。

このようにして導体が形成されたアルミナ基板上に、先に作製した抵抗体ペーストをスクリーン印刷法にて所定の形状（１ｍｍ×１ｍｍの方形状）のパターンで塗布し、乾燥した。その後、導体焼き付けと同じ条件で抵抗体ペーストを焼き付け、厚膜抵抗体を得た。

厚膜抵抗体の特性評価
（１）導電材料の反応率
得られた抵抗体を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて観察し、抵抗体中の導電材料が内側に原料として用いた高抵抗導電材料が残り、外側はＲｕＯ２で覆われていることを確認した。そして、抵抗体をＸＲＤにて分析を行い、得られた回折線の高抵抗導電材料とＲｕＯ２の強度比から導電材料の反応率を算出した。
（２）抵抗値
Agilent Technologies 社製の製品番号 34401Aにより測定。試料数３６個の平均値を求めた。
（３）Ｃ．Ｖ．値（抵抗値のバラツキ）
Ｃ．Ｖ．値＝抵抗値の標準偏差／抵抗値の平均値である。Ｃ．Ｖ．値＜５．０が特性の基準となる。
（４）ＴＣＲ
室温２５℃を基準として、１２５℃へ温度を変えた時の抵抗値変化率を求めた。試料数１０個の平均値である。２５℃、１２５℃の抵抗値をR25、R125（Ω／□）とおくと、ＴＣＲ（ppm／℃）＝(R25-R125)/R25/100×1000000であり、ＴＣＲ＜±１００ppm／℃が特性の基準となる。
（５）ＳＴＯＬ（短時間過負荷）
厚膜抵抗体に試験電圧を５秒間印加し、その前後における抵抗値の変化率を求めた。試料数１０個の平均値である。試験電圧＝２．５×定格電圧であり、定格電圧＝√（Ｒ／８）、Ｒは抵抗値（Ω／□）である。計算した試験電圧が２００Ｖを越える抵抗値を持つ抵抗体については、試験電圧を２００Ｖにて行った。ＳＴＯＬ＜±５．０％が特性の基準となる。

導電材料の平均粒径に関する検討
導電材料をＣａＲｕＯ₃とし、導電材料の平均粒径を変えた試料１〜１３を作製し、抵抗体の特性を評価した。結果を表２に示す。なお、以下の各表においても同様であるが、本発明で規定する範囲を外れる試料（比較例に相当する。）には、＊印を付してある。

この表２から明らかなように、導電材料の平均粒径を５〜５０μｍとした試料５〜試料１１において、高抵抗値が得られ、抵抗値のバラツキ（Ｃ．Ｖ．値）、温度特性（ＴＣＲ）、耐電圧特性（ＳＴＯＬ）の各特性についても良好な結果が得られている。これに対して、導電材料の平均粒径が５μｍ未満の試料１〜試料４や、５０μｍを越える試料１２，１３では、抵抗値のバラツキ（Ｃ．Ｖ．値）や温度特性（ＴＣＲ）が大きくなり、耐電圧特性（ＳＴＯＬ）も劣化している。

粒径０．１μｍ以下の割合に関する検討
導電材料の平均粒径を一定（５μｍ）とし、粒径０．１μｍ以下の粒子の割合を変えた試料１４〜１８を作製し、抵抗体の特性を評価した。結果を表３に示す。表３から明らかなように、粒径０．１μｍ以下の粒子の割合が１０％を越えると、抵抗値のバラツキ（Ｃ．Ｖ．値）が大きくなっている。

ＳｒＲｕＯ ₃ を用いた例
導電材料をＳｒＲｕＯ₃とし、導電材料の平均粒径を変えた試料１９〜２４を作製し、抵抗体の特性を評価した。結果を表４に示す。導電材料をＳｒＲｕＯ₃を用いた場合にも、導電材料をＣａＲｕＯ₃とした場合と同様の傾向が確認された。

ＢａＲｕＯ ₃ を用いた例
導電材料をＢａＲｕＯ₃とし、導電材料の平均粒径を変えた試料２５〜３０を作製し、抵抗体の特性を評価した。結果を表５に示す。導電材料をＢａＲｕＯ₃を用いた場合にも、導電材料をＣａＲｕＯ₃とした場合と同様の傾向が確認された。

ガラス組成物の平均粒径に関する検討
ガラス組成物の平均粒径を変えて試料３１〜３５を作製し、抵抗体の特性を評価した。結果を表６に示す。表６から明らかなように、ガラス組成物の平均粒径が１０μｍを越えると、抵抗値のバラツキ（Ｃ．Ｖ．値）が大きくなっている。

ガラス組成物の種類に関する検討
ガラス組成物の種類を変えて試料３６〜４４を作製し、抵抗体の特性を評価した。結果を表７に示す。表７から明らかなように、いずれのガラス組成物においても、導電粒子の平均粒径や粒径０．１μｍ以下の粒子の割合を本発明の範囲内に設定することで、良好な特性が得られている。

導電材料とガラス組成物の比率に関する検討
導電材料とガラス組成物の配合比率を変えて試料４５〜５０を作製し、抵抗体の特性を評価した。結果を表８に示す。当然のことながら、表８に示す通り、導電材料の比率が少なくなれば抵抗値が高くなり、導電材料の比率が多くなれば抵抗値が低くなっている。導電材料の比率が少なく抵抗値が高い場合にも、導電粒子の平均粒径や粒径０．１μｍ以下の粒子の割合を本発明の範囲内に設定することで、抵抗値のバラツキ（Ｃ．Ｖ．値）や温度特性（ＴＣＲ）、耐電圧特性（ＳＴＯＬ）についても良好な特性が得られている。

導電材の反応率に関する検討
焼成条件等を変えて導電材料の反応率が異なる試料５１〜５８を作製し、抵抗体の特性を評価した。結果を表９に示す。表９に示す通り、導電材料の平均粒径や粒径０．１μｍ以下の粒子の割合が同じでも、反応率が８０％を越えて高い場合（試料５１）や、１５％未満と低い場合（試料５７，５８）には、各特性の低下が見られる。これに対して、導電材料の反応率を１５％〜８０％とすることで、抵抗値のバラツキ（Ｃ．Ｖ．値）や温度特性（ＴＣＲ）、耐電圧特性（ＳＴＯＬ）が、低いレベルに抑えられている。

ガラス組成物への導電性の付与（比較例）
ガラス組成物に導電性を与えるためにＲｕＯ₂を予め溶解させておき、抵抗体ペーストを作製した。この方法は、特許文献６に開示される方法であり、本発明の比較例に相当するものである。

作製に際しては、先の表２に示す試料６と基本的に同じ条件とした。すなわち、導電材料として、平均粒径１μｍ、粒径０．１μｍ以下の粒子の割合が１０％のＣａＲｕＯ₃を用いた。ガラス組成物に導電性を与えるためのＲｕＯ₂を含めた導電材料全体の割合は、３０体積％とした。ガラス組成物の平均粒径は１．０μ、割合は７０体積％である。抵抗体における導電材料の反応率は８０％であった。

得られた抵抗体の抵抗値は、５２００００００Ωと非常に高いものであったが、Ｃ．Ｖ．値は２１．０、ＴＣＲは±２１０ｐｐｍ／℃、ＳＴＯＬは−４．９％と、本発明を適用した各試料に比べて大きく劣っていることがわかった。

Claims (9)

1. 少なくとも実質的に鉛を含まないガラス組成物及び実質的に鉛を含まない導電材料を含有し、これらが有機ビヒクルと混合されてなる抵抗体ペーストであって、
   前記導電材料の平均粒径が５μｍ以上、５０μｍ以下であることを特徴とする抵抗体ペースト。
2. 前記導電材料において、粒径０．１μｍ以下の粒子の割合が１０％以下であることを特徴とする請求項１記載の抵抗体ペースト。
3. 前記導電材料は、ＣａＲｕＯ₃、ＳｒＲｕＯ₃、ＢａＲｕＯ₃から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１記載の抵抗体ペースト。
4. 前記ガラス組成物の平均粒径が０．５μｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の抵抗体ペースト。
5. 添加物を含むことを特徴とする請求項１記載の抵抗体ペースト。
6. 前記ガラス組成物、導電材料、及び添加物を合計した体積を１００とした場合に、
   前記ガラス組成物の割合が６３体積％以上、８８体積％以下であり、
   前記導電材料の割合が１０体積％以上、３５体積％以下であることを特徴とする請求項５記載の抵抗体ペースト。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載の抵抗体ペーストを塗布、または印刷した後、焼成することによって形成されてなる厚膜抵抗体。
8. 導電材料の反応割合が１５％以上、８０％以下であることを特徴とする請求項７記載の厚膜抵抗体。
9. 請求項７記載の厚膜抵抗体を備えていることを特徴とする電子部品。