JPH03131546A - 抵抗体ペースト及びセラミックス基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、セラミックス基板用の抵抗体ペーストに関す
るものである。

［従来の技術］ 従来混成集積回路における抵抗はセラミックス基板上又
は内部に銀（ＡｇＪ又はＡｇ−パラジウム（Ｐｄ）導体
を形成し、その間に抵抗体ペーストを印刷し、空気等の
酸化性雰囲気中で約８５０〜９００℃で焼成し、形成さ
れていた。その際に使用されていた抵抗体ペーストは主
としてＲｕＯ２とガラスからなっていた。しかし最近で
はマイグレーション等の信頼性の面がらＡｇ又はＡｇ−
Ｐｄ導体に代わり、銅（Ｃｕ）、導体が使用されるよう
になってきている。

しかし、Ｃｕ導体は窒素等の非酸化性雰囲気中で焼成し
ないと酸化されてしまうため、非酸化性雰囲気で還元さ
れないＲｕ０ｚは使用できない。

そこで最近、ＬａＢ　ｓとガラス粉末、５ｎＯｚド一プ
品とガラス粉末、珪化物とガラス粉末等が提案されてい
る。しかし、上記組合わせは抵抗値や抵抗値温度係数（
ＴＣＲ）が十分に安定して得ら第１ないという欠点があ
る。

［発明の解決しようとする課題］ 本発明は、窒素等の非酸化性雰囲気中で焼成が可能で、
抵抗値、抵抗値温度係数（ＴＣＲ）が安定的に得られる
従来知られていなかった抵抗体ペースト及びセラミック
ス基板を新規に提供することを目的とするものである。

［課題を解決するための手段コ 本発明は、前述の問題点を解決すべ（なさ打たものであ
り、無機成分が重量％表示で実質的に、ガラス粉末２０
〜７０とＳｎ及び／又はＳｂをドープしたＳｎＯ□扮末
３粉末８０からなる組成物に、該組成物の総量に対して
、次の群から選ばれた少なくとも１つ以上の金属酸化物
を０．１〜２０添加してなる抵抗体ペースト。

ａ　　ＮｉＯ＋Ｎｉ２０ｓ ｂ　　　ＭｎＯ＋Ｍｎ０ｚ＋Ｍｎ２０ｘ＋ＭｎａＯ＜ｃ
　　ＢｔｚＯ８ ｄ　　Ｃｅ０ａ＋Ｃｅｚ０３ ｅ　　ＣｕＯ＋ＣｕｚＯ ｆ　　ＭＯＯ２＋ＭＯＯ３ ｇ）ＷＯ□＋Ｗｏ３ ｈ）ＣｏＯ＋ＣｏｚＯｓ＋Ｃｏ５０４ ｉ）ＣｒＯ＋ＣｒｚＯｓ Ｊ）ＳｂＪｉ＋５ｂ２０ｓ ｋ）　　ＩｎｚＯｓ １）ＦｅＯ＋ＦｅＪｓ 無機成分が重量％表示で実質的に、ガラス粉末２０〜７
０と５ｎＯｚ及び／又はＳｂをドープしり５ｎｏｚ粉末
３０〜８０からなる組成物に、鉄、銅、ニッケル、マン
ガン、モリブデン、タングステン、ビスマス、セリウム
、コバルト、クロム、アンチモン、インジウムからなる
群から選ばれた少なくとも１種以上の金属酸化物を上記
組成物に対して０．１〜２０添加してなる抵抗体ペース
ト、第１項記載の抵抗体ペーストを使用して非酸化性雰
囲気中で焼成されたセラミックス基板等を提供するもの
である。

以下本発明の詳細な説明する。

本発明の抵抗体ペーストは単層又は多層セラミックス基
板に使用されるものであり、焼成後の固化したアルミナ
基板等のセラミックス基板、あるいはセラミックス基板
用のグリーンシート上に印刷等の方法により形成した後
、窒素雰囲気中等の非酸化性雰囲気中で焼成されるもの
である。なお、％は特に記載しない限り、重量％を意味
する。

本発明の抵抗体ペーストは、無機成分が実質的にガラス
粉末２０〜７０％、導電物質粉末３０〜８０％とこのガ
ラス粉末＋導電物質粉末の総量に対して実質的に （ａ）　ＮｉＯ＋Ｎｉ＊０３ （ｂ）　ＭｎＯ＋ＭｎＯ２＋Ｍｎ２Ｏ３＋Ｍｎ３０４（
ｃ　　ＢｉｚＯｉ （ｄ　　ＣｅＯ２＋Ｃｅ２０３ （ｅ　　ＣｕＯ＋ＣｕｚＯ （ｆ　　Ｍｏ０ｚ＋ＭｏＯｓ （ｇ　　ｗｏ□＋ＷＯ。

（ｈ）　ＣｏＯ＋ＣｏｔＯｎ＋Ｃｏ５０＊（ｉ）　Ｃｒ
Ｏ＋ＣｒｇＯｓ （ｊ）　５ｂ２０３＋５ｂ２Ｏ５ （ｋ）　　ＩｎａＯｓ （１）ＦｅＯ＋ＦｅｚＯ５ の群から選ばれた少なくとも１つ以上の金属酸化物を０
．１〜２０％添加してなり、以下順次これらについて説
明する。

ガラス粉末は、低温度（例えば９００℃以下）で十分に
流動性を有し、焼成時に上記導電物質粉末を覆って十分
に濡らし、かつ焼結するＳｉＯ□−８，０，系ガラスの
ものが好ましい。

かかるガラス粉末の含有量が２０％より少ないと導電物
質粉末を十分に濡らすことができないため、焼結層に空
孔が多（なり、本発明の抵抗体ペーストを焼成すること
によって得られる抵抗体の強度が弱くなり、又抵抗値の
安定性が低下するので好ましくなく、７０％を超えると
、導電物質粉末間の接着が少な（なり、上記抵抗値が大
きくなりすぎ適当でない。

本発明にかかるガラス粉末は上記範囲中２５〜６５％の
範囲が望ましい。

一方、導電物質粉末としては、通常市販されているＳｎ
Ｏ□、Ｓｂを通常Ｓｂ、ｏ３の酸化物としてドープした
ＳｎＯ□が単独又は併用して使用できるが、その理由は
、かかる物質は、導電率が高い、すなわち抵抗率が低い
特性を有するため、導電物質とガラスとの複合体である
本発明にかかる抵抗体の抵抗値を目標に合致させること
が可能であるためである。

ＳｂをＳｎＯ□にドープしたものは、ドープしないＳｎ
Ｏ□に比較して抵抗値が低くなり、ドープ量が多くなる
と抵抗値が高くなる。本発明にかかる抵抗が１０　ＭΩ
以下のものなら、上記ドープ量は５ｂｚＯｉの酸化物換
算で０〜２０％が適正な範囲であり望ましい範囲は０．
１〜１５％、特に望ましい範囲は１〜１０％である。ま
た本発明にかかる抵抗がＩＯＭΩ以上ならば上記ドープ
量は５ｂ２０、の酸化物換算で２０％以上のものも使用
できる。

本発明にかかるガラスの粒度は、小さすぎると上記抵抗
値が太き（なりすぎ好ましくなく、大きすぎるとガラス
が十分に濡らすことができず、焼結層に空孔が大きくな
り好ましくない。

平均粒径は０．５〜６μｍが必要な範囲であり、望まし
い範囲は１〜５μｍである。

一方、本発明にかかる導電物質粉末の粒度は、小さすぎ
ると抵抗値が太き（なりすぎ好ましくなく、大きすぎる
とセラミックス基板上で不均一になり、抵抗値のバラツ
キが大きくなるので好ましくない。平均粒径は０．Ｏ１
〜５　ｇ　ｍの範囲が必要な範囲であり、望ましい範囲
は０．０５〜３μｍである。

本発明にかかるガラス粉末は、無機成分が実質的に （ＭｇＯ ＳｉＯｚ　　　　　　　　　　　　　　　１０　〜７０
％Ａｌ！Ｏｘ　　　　　　　　　　　　　　Ｏ〜４０％
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋Ｂａ０　　　１０　〜７０％
０〜４０％、ＣａＯＯ〜４０％、Ｓｒ０　０〜６０％。

Ｂａ０　０　〜６０％） Ｌｉ２０＋ＮａｚＯ＋に２０＋Ｃ５ｚ０　　０〜１０％
ｐｂｏ　　　　　　　　　　　　　　　　　ｏ　〜ｌＯ
％ＺｎＯ０〜２０％ Ｚｒ０ｚ＋Ｔｉ０ｉ　　　　　　　　　　　Ｏ〜１０％
８２０３　　　　　　　　　　　　　５〜４０％Ｔａ２
０５　　　　　　　　　　　　　　Ｏ〜６０％Ｎｂ２Ｏ
５Ｏ〜５０％ ＴａｚＯｓ＋Ｎｂ２Ｏ５Ｏ〜６０％ からなり、順次これらについて説明する。

かかる組成において、ＳｉＯ□はガラスのネットワーク
フォーマ−であり、１０％より少ないと、軟化点が低く
なりすぎ耐熱性が低下し、再焼成時に変形を生じやすく
なるので好ましくない。

一方、５ｉＯｚが７０％より多いと、軟化点が高くなり
過ぎ、焼成時にガラスの流動が悪（なり、導電物質粉末
を覆って濡らすことができず焼結層の空孔が多くなりす
ぎ、抵抗の安定性が悪くなるので適当でない。望ましく
は、１５〜６０％の範囲である。

Ａｌ２Ｏ，は必須ではないが、添加することにより、耐
湿性の向上に効果がある。４０％を超えるとガラスの軟
化温度が高（なり、焼結性が悪くなり適当でない。望ま
しくは３５％以下である。

ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯはガラス粉末製造時の
溶解性を向上さすため及び熱膨張係数を調整する目的で
添加する。１０％より少ないと、上記の溶解性が十分に
向上しないと共にガラス製造時に失透を生じやすく、７
０％を超えると、熱膨張係数が太き（なりすぎ、いずれ
も適当でない。望ましくは１５〜６５％の範囲である。

また、上記ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの内のＭｇ
Ｏ，ＣａＯはそれぞれ４０％以上であると熱膨張係数が
大きくなりすぎ不適当である。望ましい範囲は０〜３５
％である。上記ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの内の
ＳｒＯ。

Ｂａｎはそれぞれ６０％以上であると熱膨張係数が大き
くなりすぎ不適当である。望ましい範囲は０〜５５％で
ある。

Ｌｉ２Ｏ＋ＮａｚＯ＋に２０＋Ｃ５ａＯは必須ではない
が、添加することにより、ガラスの溶解性の向上を図る
ことができる。１０％を超えると、熱膨張係数が太き（
なりすぎ、基板とのマツチングが悪くなり、焼成後厚膜
にクラックが入る可能性が大となり、適当でない。望ま
しくは８％以下である。

ＰｂＯは必須ではないが、ガラスのフラックス成分とし
ての効果があり、又抵抗値が高くする作用がある。１０
％を超えると抵抗値が不安定になり適当でない。望まし
くは５％以下である。

ＺｎＯは必須ではないが、ガラスの溶解性の改善のため
に２０％まで含有することが可能であり、１５％以下が
望ましい範囲である。

ＺｒＯ□＋ＴｉＯ□は必須ではないが、添加することに
より、抵抗体の耐湿信頼性を向上さすことができる。添
加量は１０％が可能であるが、望ましくは７％以下であ
る。

Ｂ２Ｏ３はフラックス成分として用いるが、５％より少
ないと軟化点が高くなり、焼結不足となり焼結層に空孔
が多くなりすぎる。また４０％を超えるとガラスの耐水
性が低下し適当でない。

望ましくは、７〜３８％の範囲である。

Ｔａ２０５．　Ｎｂｚ０５は必須成分ではないが、抵抗
値と抵抗値温度係数（ＴＣＲ）の調整のために使用する
。

Ｔｑ、ｎ、−Ｎｈ、Ｏ−を導入オる。−とにより、）氏
抗値を高い方向へ動かすことができ、更にＴＣＲを正の
方向へ動かす効果がある。その里は、目標抵抗値に合致
するように決める。

但し、ＴａｚＯｓは６０％、Ｎｂ２Ｏ５は５０％を超え
ると、ガラス化が困難となる。

ＴａｚＯｓ、ＮｂｚＯｓ、Ｔａ２０５＋Ｎｂ２Ｏ５の必
要な範囲、望ましい範囲については、それぞれ第１図、
第２図、第３図に示す。

第１図はＴａｘｅｓを単独（Ｎｂ２０ｓ”０）で使用す
る場合のＴａ２ｅｓの量の抵抗値に対する必要な範囲と
望ましい範囲を示す説明図。

第２図はＮｂ、Ｏｓを単独（ＴａｚＯｓ”０）で使用す
る場合のＮｂ２Ｏ６の量の抵抗値に対する必要な範囲と
望ましい範囲を示す説明図。

第３図はＴａｚＯｓ＋ＮｂＪ５の量の抵抗値に対する必
要な範囲と望ましい範囲を示す説明図。

更に第１〜３図の主な点を以下にまとめる。

Ｔａ−０−、Ｎｂ２Ｏ５を単独で使用する場合の各抵抗
値に対するＴａｘｅｓ、　Ｎｂ１Ｏｓの使用範囲ＴａＪ
ｓ、　ＮｂｚＯＢを並用する場合の各抵抗値に対するＴ
ａ２１ｓ、　ＮｂｚＯｓの使用範囲ガラス組成率の量は
、目標抵抗、抵抗値温度係数（ＴＣＲ）、レーザートリ
ミング性に合致させる量を含有する。

以上記載した望ましい範囲についてまとめると以下の通
りとなる。

５Ｌ０２１５〜６０％ Ａ１．０．　　　　　　　　０〜３５％ＭｇＯ＋ＣａＯ
＋ＳｒＯ÷Ｂａ０　　１５〜６５％（Ｍｇ００〜３５．
Ｃａ００〜３５．ＳｒＯＯ〜５５．Ｂａ０Ｏ〜５５） ＬｚＪ＋ＮａｚＯ＋ＫＪ＋Ｃ５ｚ０　０〜８％ＰｂＯＱ
〜５％ ＺｎＯＯ〜１５％ ＺｒＯ２＋ＴｉＯ２０〜７％ Ｂａ５ｓ　　　　　　　　　　７〜３８％Ｔａ１ｌｓ　
　　　　　　　　Ｏ〜５０％Ｎｂ、０．　　　　　　　
　０〜４５％Ｔａ２０ａ＋ＮｂｚＯａ　　　　　　Ｏ〜
５０％である。なお、Ｔａ２０５．Ｎｂ２０ｓ　、　Ｔ
ａ２０ａ＋ＮｂｚＯｓ　ノ各抵抗値に対する望ましい範
囲は、第１〜５図による。

一方、前記金属酸化物は、抵抗値の調整、抵抗値温度係
数（ＴＣＰ）の調整及びレーザートリミング性の改良の
ために添加し、前記提示した酸化物の群の中で少なくと
も１つの酸化物が添加されればよい。例えば、ＭｎＯが
０．１〜２０％添加されるのみでも良い。

Ｆｅｄ、　Ｆｅ２０ｓは抵抗値を上げ、ＴＣＲを負の方
向へ動かす。Ｃｕｂ、　Ｃ：ｕ２０は抵抗値を上げ、Ｔ
ＣＲを負の方向へ動かす。Ｎｉｐ、Ｎｉ２Ｏ３は抵抗値
を下げ、ＴＣＲを負の方向へ動かす。ＭｎＯ，Ｍｎ０ｚ
、　ＭｎｚＯｓ。

Ｍｎ５Ｏ４は抵抗値を下げ、ＴＣＲを正の方向へ動かす
。ＷＯ２，ＷＯｓは抵抗値を上げ、ＴＣＲを正の方向へ
動かす。ＢｉＪ３は抵抗値を下げ、ＴＣＲを正の方向へ
動かす。ＣｅＯ□、Ｃｅ２０ｓは抵抗値を上げ、ＴＣＲ
を正の方向へ動かす、　ＣｏＯ，Ｃｏ２Ｏ３，Ｇｏ、０
４は抵抗値を上げ、ＴＣＲを正の方向へ動かす。５ｂ２
０ｘ。

５ｂ２０ｓは抵抗値を下げ、ＴＣＰを正の方向へ動かす
。ＩｎｚＯｉは抵抗値を上げ、ＴＣＲを負の方向へ動か
す。ＭｏＯ□、Ｍｏ５ｓは抵抗値を上げ、ＴＣＲを正の
方向へ動かす。（ｌｒＯ，Ｃｒａｂｓは抵抗値を上げ、
ＴＣＲを正の方向へ動かす。

更に抵抗値の調整のためにレーザートリミングを行なう
際のカット性を向上さすことができる。前記金属酸化物
量はの添加量は目標抵抗、抵抗値温度係数（ＴＣＲ）レ
ーザートリミング性に合致させる量を添加するが、その
量は上記ガラス粉末と導電物質粉末の総量に対して０．
１％より少ないと効果がなく、２０％を超えると高温放
置試験による抵抗値ドリフトが太き（なり、好ましくな
い。望ましくは０．２〜１８％の範囲である。上記金属
酸化物の中で、抵抗値ＴＣＲを調整し抵抗値のドリフト
を安定させる効果の点で望ましいものはＮｉＯ，ＭｎＯ
，Ｍｎ０ｚ、ＭｎＪｘ、Ｍｎ５Ｏ＋。

Ｂｉ２０ｉ、ＣｅＯ□であり、この中で特に望ましい範
囲はＮｉｐ、　ＭｎＯであって、これらを単独または並
用して使用できる。尚、上記添加される金属酸化物は、
上記例示されたＮｉｐ、　ＭｎＯ等を主成分どするが、
場合によってはその金属にかがる別のタイプの金属酸化
物を含有していることもある。

即ち、鉄、銅、ニッケル、マンガン、モリブデン、タン
グステン、ビスマス、セリウム、コバルト、クロム、ア
ンチモン、インジウム、これらの金属の酸化物を含有し
ていても使用できる。

本発明の抵抗体ペーストの組成物は、各粉末が上記割合
に混合されているものであり、以下本発明の抵抗体ペー
ストの作製方法とそれを使用した厚膜回路の製造の一例
について説明する。

上記本発明の抵抗体ペーストの組成物に有機バインダー
、溶剤からなる有機ビヒクルを添加し、混合し、ペース
ト状とする。この有機バインダーとしては、エチルセル
ロース、アクリル樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合樹
脂、ポリα−メヂルスチレン樹脂、溶剤としては、α−
テルピネオール：ブチルカルビトールアセテート；ブチ
ルカルピトール；２，２．４−トリメチルペンタンジオ
−ルー１．３−モノイソブチレート；ジエチレングリコ
ールジ−ｎ−ブチルエーテル等が通常使用できる。さら
に分散剤として界面活性剤を添加してもよい。

次いで焼成後の固化したアルミナ基板、又はガラスセラ
ミックス基板等のセラミックス基板上に導体を作成する
ために、Ｃｕを主成分とするＣｕペースト等の導体ペー
ストを所定の回路パターンに印刷等の方法で形成、乾燥
後、酸素濃度約２０ｐｐｍ以下の窒素雰囲気等の非酸化
性雰囲気中で８００〜１０００℃程度、５〜３０分程度
で焼成する。この焼成条件の望ましい範囲は８８０〜９
２０℃、７〜１５分である。次いで、抵抗を設けるべき
所定個所に上記本発明の抵抗体ペーストを印刷した後乾
燥させ、上記窒素雰囲気中、８００〜１０００℃程度、
５〜３０分程度で焼成する。この焼成条件の望ましい範
囲は８８０〜９２０℃、７〜１５分である。

多層セラミックス基板−括焼成の場合は、上記Ｃｕペー
ストと本発明の抵抗体ペーストを印刷したセラミックス
基板用等のセラミックスのグリーンシートを熱圧着後積
層し、上記窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気中で８００〜
１０００℃程度、数分〜数時間で一括焼成、多層基板を
作成する。

なお、本発明の抵抗体ペーストには、着色のために上記
金属酸化物以外の金属酸化物、耐熱性無機顔料等の着色
顔料な０〜５％添加することができる。

また、ガラス製造時、清澄剤、溶融促進剤として硝酸塩
、亜ヒ酸、硫酸塩、フッ化物、塩化物等を０〜５％添加
してすることができる。

実施例 本発明にかかるガラス粉末の各原料を酸化物換算で表−
１に示す割合で調合し、これを白金ルツボに入れ、１３
５０〜１５００℃で２〜３時間撹拌しつつ加熱撹拌した
。次いでこれを水砕又はフレーク状とし、更に粉砕装置
により平均粒径０．５〜６μｍになるように粉砕し、ガ
ラス粉末を製造した。次いで導電物質として５ｎａｐｓ
及び／ＳｂをＳｂ、ｏ、の酸化物換算で５％ドープした
５ｎ２０３粉末を平均粒径０．０１〜５μｍになるよう
に調整した。次に表−２に示す金属酸化物を表−１のサ
ンプル番号に対応して表−１の粒径で準備した。次いで
これらのガラス粉末と該導電物質粉末と該金属酸化物を
表−１、表−２に記載の割合で混合し、本発明の抵抗体
ペーストにかかる組成物を得た。

次いでこれらに有機バインダーとしてエチルセルロース
溶剤としてα−テルビテオールからなる有機ビヒクルを
添加し、混練し、粘度が３０Ｘ　ｌｏ’ｃｐｓのペース
トを作成した。次いで固化したアルミナ基板上に本発明
にかかる抵抗の電極としてＣｕペーストを所定の回路に
スクリーン印刷、乾燥、酸素濃度２０ｐｐｍ以下の窒素
雰囲気中９００℃、１０分で焼成した。

次いで、抵抗所定個所に上記抵抗体ペーストを２００メ
ツシユスクリーンでスクリーン印刷し、乾燥し、酸素濃
度２０ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中９００℃、１０分で焼
成した。焼成膜厚は約１５μｍであった。

このようにしてセラミックス基板上に回路な作成した。

この回路について、抵抗値、抵抗温度係数（ＴＣＲ）、
高温放置による抵抗値ドリフトを測定した。これらの結
果を表−１に記載した。

表−１から明らかなように本発明にかかる抵抗体ペース
トは抵抗特定に優れ、厚膜回路用抵抗体ペーストとして
、十分使用できる特性を有することが認められる。

比較例として本発明にかかる抵抗体ペースト以外のもの
についても同様の評価を行なったので表−３に記載した
。

なお、各特性の測定方法は次の通りであり、ｉ）抵抗値
及び抵抗値温度係数（ＴＣＲ）２５℃、−５５℃、＋１
２５℃の抵抗値（Ｒｚｓ、Ｒ−ｓｓ。

Ｒ１□６）の測定を恒温槽中で抵抗計により測定し、次
の式により算出した。

ｉｉ）高温装置による抵抗値ドリフト ５０ °Ｃの恒温槽中で ｉｏｏ時間放首し、 次の 式により算出した。

ｉｔ。

上式において ｏｏｈ＝１００ 時間後の抵抗値 Ｒ０＝抵抗の初期値 表 ３ ［発明の効果］ 本発明の抵抗体ペーストは、窒素雰囲気等の非酸化性雰
囲気中で焼成が可能で、安定した信頼性の高い抵抗をセ
ラミックス基板上に形成可能であり、特に高温放置によ
る抵抗値ドリフト特性に優れているという効果も認めら
れる。

【図面の簡単な説明】

第１図：　Ｔａ２０５を単独（Ｎｂ２０ｓ”０）で使用
する場合のＴａｚＯａの債の抵抗値に対する必要な範囲
と望ましい範囲を示す説明図。 第２図：　Ｎｂ２Ｏ５を単独（Ｔａ２０５＝０）で使用
する場合のＮｂ、０８の量の抵抗値に対する必要な範囲
と望ましい範囲を示す説明図。 第３図：　ＴａｚＯｓ＋Ｎｂｚｏ、の量の抵抗値に対す
る必要な範囲と望ましい範囲を示す説明図。 弔 ！ １躬 刀゛ラス中の“敗２０５イジ肩゛１）Ｃ萱４ｚｙ、＞一 ２フ 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）無機成分が重量％表示で実質的に、ガラス粉末２０
   〜７０とＳｎ及び／又はＳｂをドープしたＳｎＯ＿２粉
   末３０〜８０からなる組成物に、該組成物の総量に対し
   て、次の群から選ばれた少なくとも１つ以上の金属酸化
   物を０．１〜２０添加してなる抵抗体ペースト。 （ａ）ＮｉＯ＋Ｎｉ＿２Ｏ＿３ （ｂ）ＭｎＯ＋ＭｎＯ＿２＋Ｍｎ＿２Ｏ＿３＋Ｍｎ＿３
   Ｏ＿４（ｃ）Ｂｉ＿２Ｏ＿３ （ｄ）ＣｅＯ＿２＋Ｃｅ＿２Ｏ＿３ （ｅ）ＣｕＯ＋Ｃｕ＿２Ｏ （ｆ）ＭｏＯ＿２＋ＭｏＯ＿３ （ｇ）ＷＯ＿２＋ＷＯ＿３ （ｈ）ＣｏＯ＋Ｃｏ＿２Ｏ＿３＋Ｃｏ＿３Ｏ＿４（ｉ）
   ＣｒＯ＋Ｃｒ＿２Ｏ＿３ （ｊ）Ｓｂ＿２Ｏ＿３＋Ｓｂ＿２Ｏ＿５ （ｋ）Ｉｎ＿２Ｏ＿３ （Ｉ）ＦｅＯ＋Ｆｅ＿２Ｏ＿３ ２）ガラス粉末が重量％表示で ＳｉＯ＿２１０〜７０ Ａｌ＿２Ｏ＿３０〜４０ ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ１０〜７０（ＭｇＯ０
   〜４０，ＣａＯ０〜４０，ＳｒＯ０〜６０，ＢａＯ０〜
   ６０） Ｌｉ＿２Ｏ＋Ｎａ＿２Ｏ＋Ｋ＿２Ｏ＋Ｃｓ＿２Ｏ０〜１
   ０ＰｂＯ０〜１０ ＺｎＯ０〜２０ ＺｒＯ＿２＋ＴｉＯ＿２０〜１０ Ｂ＿２Ｏ＿３５〜４０ Ｔａ＿２Ｏ＿５０〜６０ Ｎｂ＿２Ｏ＿５０〜５０ Ｔａ＿２Ｏ＿５＋Ｎｂ＿２Ｏ＿５０〜６０ からなることを特徴とする第１項記載の抵抗体ペースト
   。 ３）無機成分が重量％表示で実質的に、ガラス粉末２０
   〜７０とＳｎＯ＿２及び／又はＳｂをドープしたＳｎＯ
   ＿２粉末３０〜８０からなる組成物に、鉄、銅、ニッケ
   ル、マンガン、モリブデン、タングステン、ビスマス、
   セリウム、コバルト、クロム、アンチモン、インジウム
   からなる群から選ばれた少なくとも１種以上の金属酸化
   物を上記組成物に対して０．１〜２０添加してなる抵抗
   体ペースト。 ４）第１項記載の抵抗体ペーストを使用して非酸化性雰
   囲気中で焼成されたセラミックス基 板。