JPH03150234A - 抵抗体ペースト及びセラミックス基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明はセラミックス基板に適した抵抗体ペースト及び
それを用いたセラミックス基板に関するものである。

【従来の技術】

従来混成集積回路における抵抗はセラミックス基板上又
は内部に銀（Ａｇ）又はＡｇ−パラジウム（Ｐｄ）導体
を形成し、その間に抵抗体ペーストを印刷し、空気等の
酸化性雰囲気中で約８５０〜９００℃で焼成し、形成さ
れていた。 その際に使用されていた抵抗体ペーストは主としてＲｕ
Ｏｘとガラスからなっていた。 しかし最近ではマイグレーション等の信頼性の面からＡ
ｇ又はＡｇ−Ｐｄ導体に代わり、銅（Ｃｕ）導体が使用
されるようになってきている。 しかしＣｕ導体は窒素等の非酸化性雰囲気中で焼成しな
いと酸化されてしまうため、非酸化性雰囲気で還元され
抵抗を形成しないＲｕＯ□は使用できない。 そこで最近、ＬａＢｓ粉末とガラス粉末、　ＳｎＯ。 ドープ品とガラス粉末、珪化物とガラス粉末等が提案さ
れている。 しかし上記組み合わせは抵抗値や抵抗値温度係数（ＴＣ
Ｒ）がまだ十分に安定して得られないという欠点がある
。 ［発明の解決しようとする課題］ 本発明は、窒素等の非酸化性雰囲気中で焼成が可能で、
抵抗値、抵抗値温度係数（ＴＣＲ）が安定的に得られる
従来知られていなかった抵抗体ペースト及びセラミック
ス基板を新規に提供することを目的とするものである。 ［課題を解決するための手段］ 本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、無機成分が重量％表示で実質的に、ガラス粉末２０
〜７０とＳｎＯ□及び／又はＳｂをドープしたＳｎＯ□
粉末３０〜８０からなり、当該ガラス粉末は重量％表示
で実質的にＳｎＯｚ　１２〜５０゜ＡＩ２０．０〜２０
．　Ｍｇ００〜４０．　ＣａＯＯ〜４０．　Ｓｒ００〜
６０．　ＭｇＯ÷ＣａＯ÷Ｓｒ０１６〜６０．　ＬＬ、
０＋　Ｎａ、０÷に２０十Ｃｓ、０　０　〜１０．　　
Ｐｂ０　０　〜１０．　　Ｚｎ０　０　〜２０．　　Ｚ
ｒＯ。 ＋ＴｉＯｚ　　Ｏ〜１０．　　ＢｚＯｓ　　８〜４０．
　　Ｔａｘｅｓ　　Ｏ〜６０゜Ｎｔ）ｘｏａ　　Ｏ〜５
０．　　ＴａｚＯｓ＋Ｎｂ２０ｓ　　Ｏ〜６０．　　Ｆ
ｅ２０ｘ＋ＣｕＯ＋ＮｉＯ＋ＣｏＯ＋ＭｎＯ÷ＭｏＯｉ
＋ＷＯｓ＋Ｃｒ＊０３＋　　Ｂｉａｓｓ÷ＣｅＯｚ÷Ｓ
ｂｚＯ，ｘ＋ＩｎｔＯａ＋Ｓｎ０２０．１〜２０からな
る抵抗体ペーストおよび第１項記載の抵抗体ペーストを
使用して焼成されたセラミックス基板を提供するもので
ある。 以下、本発明を詳細に説明する。 本発明の抵抗体ペーストは単層又は多層セラミックス基
板に使用されるものとして適したものであり、焼成後の
固化したアルミナ基板等のセラミックス基板、あるいは
セラミックス基板用のグリーンシート上に印刷等の方法
により形成した後、窒素雰囲気中等の非酸化性雰囲気中
で焼成されるものである。尚％は特に記載しない限り、
重量％を意味する。 本発明の抵抗体ペーストは無機成分が実質的に ガラス粉末　　　２０〜７０％ 導電物質粉末　　３０〜８０％ かもなり、以下順次これらについて説明する。 ガラス粉末は、低温度（例えば９００℃以下）で充分に
流動性を有し、焼成時に上記導電物質粉末を覆って充分
に濡らし、かつ焼結するＳｉＯａ　　Ｂｔｕｓ系ガラス
のものが好ましい。 かかるガラス粉末の含有量が２０％より少ないと導電物
質粉末を充分に濡らすことができないため、焼結層に空
孔が多くなり、本発明の抵抗体ペーストを焼成すること
によって得られる抵抗体の強度が弱くなり、又抵抗値の
安定性が低下するので好ましくなく、７０％を越えると
、導電物質粉末間の接着が少なくなり、上記抵抗値が大
きくなりすぎ適当でない。 本発明にかかるガラス粉末は上記範囲中２５〜６５％の
範囲が望ましい。 一方導電物質粉末としては、通常市販されているＳｎｕ
ｇ、　Ｓｂを通常Ｓｂ２０ａの酸化物としてドープした
ＳｎＯ□が単独又は併用して使用できるが、その理由は
、かかる物質は、導電率が高い、すなわち抵抗率が低い
特性を有するため、導電物質とガラスとの複合体である
本発明にかかる抵抗体の抵抗値を目標に合致させること
が可能であるためである。 ＳｂをＳｎＯｚにドープしたものは、ドープしないＳｎ
Ｏ□に比較して抵抗値が低くなり、ドープ量が多くなる
と抵抗値が高くなる。本発明にかかる抵抗が１０　ＭΩ
以下のものなら、上記ドープ量はＳｂ、ｏ、の酸化物換
算で０〜２０％が適正な範囲であり、望ましい範囲は（
Ｌｌ−１５％、特に望ましい範囲はｌ−１０％である、
また本発明にかかる抵抗がＩＯＭΩ以上ならば、上記ド
ープ量はＳ　ｂ　ｚ　Ｏｓの酸化物換算で２０％以上の
ものも使用できる。 本発明にかかるガラスの粒度は、小さすぎると上記抵抗
値が大きくなりすぎ好ましくなく、大きすぎると、ガラ
スを充分に濡らすことができず、焼結層に空孔が多くな
り好ましくない。 平均粒径は０．５〜６μｍが必要な範囲であり、望まし
い範囲は１〜５μｍである。 一方、本発明にかかる導電物質粉末の粒度は小さすぎる
と抵抗値が大きくなり過ぎ好ましくなく、大きすぎると
セラミックス基板上で不均一になり、抵抗値のバラツキ
が大きくなるので好ましくない、平均粒径は０．Ｏｌ〜
５μ園の範囲が必要な範囲であり、望ましい範囲は０．
０５〜３μｌである。 本発明にかかるガラス粉末は、無機成分が実質的に Ｓｉ０ｇ　　　　　　　　　１２〜５０％Ａ１．０．　
　　　　　　　０〜２０％ＭｇＯ＋ＣａＯ＋Ｓｒ０　　
　　１６〜６０％（１４ｇＯ，０〜４０％、Ｃａ００〜
４０％、　Ｓｒ００〜６０％）ＬｉｘＯ÷ＮａｔＯ÷に
、０÷Ｃｓｚ０　０〜ｌＯ％ｐｂｏ　　　　　　　　　
　０〜１０％ＺｎＯ０〜２０％ ７、ｒＯｘ暑ＴｉＯ＊　　　　　　　　　　　　　　（
１〜１０％８　ｚ　Ｏｘ　　　　　　　　　８〜４０％
Ｔａ＊Ｏｓ　　　　　　　　　０〜６９％Ｎ　ｂ　ｔ　
Ｏｓ　　　　　　　　　０〜５０％Ｔａｘｅｓ÷Ｎｂａ
Ｏｓ　　　　　　　　　Ｇ〜６０％金属酸化物　　　　
０．１〜２０％ からなり、順次これらについて説明する。 かかる組成において、Ｓｉｎｇはガラスのネットワーク
フォーマ−であり、１２％より少ないと、軟化点が低く
なりすぎ耐熱性が低下し、再焼成時に変形を生じ易くな
るので好ましくない。 一方、Ｓｉｎｇが５０％より多いと、軟化点が高くなり
過ぎ、焼成時にガラスの流動が悪くなり、導電物質粉末
を覆って濡らすことができず、焼結層の空孔が多くなり
すぎ、抵抗の安定性が悪くなるので適当でない、望まし
くは、１５〜４５％の範囲である。 ＡＩＩＯ，は必須ではないが、含有することにより、耐
湿性の向上に効果がある。２０％を超えるとガラスの軟
化温度が高くなり、焼結性が悪くなり適当でない、望ま
しくは１８％以下である。 ＭｇＯ÷ＣａＯ＋ＳｒＯはガラス粉末製造時の溶解性を
向上さすため及び熱膨張係数を調整する働きがある、　
１６％より少ないと上記の溶解性が充分に向上しないと
共にガラス製造時に失透を生じやすく、６０％を超える
と熱膨張係数が大きくなりすぎ、いずれも適当でない、
望ましくは、１８〜５５％の範囲である。 又、上記ＭｇＯ◆ＣａＯ＋ＳｒＯの内のＭｇＯ，ＣａＯ
はそれぞれ４０％以上であると、熱膨張係数が太きくな
りすぎ、不適当である。望ましい範囲は０〜３５％であ
る。上記ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯの内のＳｒＯは６０％
以上であると熱膨張係数が太きくなりすぎ、不適当であ
る。望ましい範囲は０〜５５％である。 ＬｉａＯ÷ＮａＪ＋ＫｉＯ＋ＣＳｘＯは必須ではないが
、ガラスの溶解性の向上を図ることができ、又抵抗値を
高くする作用がある、　１０％を超えると、熱膨張係数
が大きくなりすぎ、基板とのマツチングが悪くなり、焼
成後厚膜にクラックが入る可能性が大となり、適当でな
い。望ましくは８％以下である。 ＰｂＯは必須ではないが、ガラスのフラックス成分とし
ての効果があり、又抵抗値を高くする作用がある、　１
０％を超えると抵抗値が不安定になり適当でない。望ま
しくは５％以下である。 ＺｎＯは必須ではないが、ガラスの溶解性の改善のため
に２０％まで含有させることが可能であり、１５％以下
が望ましい範囲である。 ＺｎＯｔ＋ＴｆＯｘは必須ではないが、添加することに
より、抵抗体の耐湿信頼性を向上さすことができる。添
加量はｌＯ％が可能であるが、望ましくは７％以下であ
る。 Ｂ、０．はフラックス成分として用いるが、８％より少
ないと軟化点が高くなり、焼結不足となり、焼結層に空
孔が多くなりすぎる。また４０％を超えるとガラスの耐
水性が低下し適当でない、望ましくは１０〜３８％の範
囲である。 Ｔａｘｅｓ、　ＮｂｘＯｓは必須成分ではないが、抵抗
値と抵抗値温度係数（ＴＣＲ）の調整のために使用する
。 Ｔａｘｅｓ、　ＮｂｚＯｓを導入することにより、抵抗
値を高い方向へ動かすことができ、更にＴＣＲを正の方
向へ動かす効果がある。その量は、目標抵抗値に合致す
るように決める。 但し、Ｔａ、Ｏ，は６０％、ＮｂｚＯｓは５０％を超え
ると、ガラス化が困難となる。 Ｔａｇｓ、　ＮｂｉＯｓ、　Ｔａ、ＩＯｓ＋ＮｂｔＯ，
の必要な範囲、望ましい範囲については、それぞれ第１
図、第２図、第３図に示し、更に第１〜３図の主な点を
以下にまとめる。 第１図はＴａｘｅｓを単独（Ｎｂ、ＯＳ＜０．１％）で
使用する場合のＴａｓｋｓの量の抵抗値に対する必要な
範囲と望ましい範囲を示す説明図。 第２図はＮｂｚＯｓを単独（Ｔａ、ＯＳ＜　０．１％）
で使用する場合のＮｂｚＯｓの量の抵抗値に対する必要
な範囲と望ましい範囲を示す説明図。 第３図はＴａｘｅｓ　＋ＮｂＪｓの量の抵抗値に対する
必要な範囲と望ましい範囲を示す説明図。 尚、ここでいう並用とは、Ｔａｘｅｓ　、　ＮｂｔＯｓ
の両方とも（Ｌ１％以上であることをいう。 従って少なくとも、一方が０．１％以下なら、多い方の
単独使用ということになる。 　　　　″′″＋１１１１１ 上記金属酸化物としては、ＦｅＪｉ、　Ｃｕｂ、　Ｎｉ
ｐ。 ＭｎＯ、ＭＯＯ３，ＷＯ３，Ｂｉａｓ３．　Ｃｅｎ２．
　Ｃｏｄ、　Ｃｒ２ｅ５゜Ｓｂ２０ｉ、　ＩｎｚＯｉ、
　ＳｎＯａ等が、単独又は並用して使用できる。抵抗値
の調整、抵抗値温度係数（ＴＣＲ）の調整、およびレー
ザートリミング性の改良の機能を有する。これらの金属
酸化物の中で望ましいものはＮｉｐ、　ＭｎＯ，Ｓｂｚ
Ｏｚであり、特に望ましいものはＮｉＯである。以下に
それぞれの機能を列挙する。 ＦｅｚＯｘ、　Ｃｕｂ、　Ｎｉｐ、　ＭｎＯ，Ｃｏｄ、
　Ｃｒａｂｓ、　ＳｎＯａ。 Ｓｂ、ｏ、、ｗｏ３は抵抗値を下げ、ＴＣＲを正の方向
へ動かす。 Ｍｏ０３は抵抗値を下げ、ＴＣＲを負の方向へ動かす。 ＣｅＯ□は抵抗値を上げ、ＴＣＲを正の方向へ動かす。 ０１２０１は抵抗値を上げ、ＴＣＲを負の方向へ動かす
。 ＩｎｚＯｉは抵抗値を上げ、ＴＣＲを負の方向へ動かす
。 以上の効果がある。 更に抵抗値の調整のためにレーザートリミングを行う際
のカット性を向上さすことができる。 ガラス組成率の量は、目標抵抗、抵抗値温度係数（ＴＣ
Ｒ）、レーザートリミング性に合致させる量を含有する
が、上記金属酸化物の総量は０．１％より少ないと効果
がなく、２０％を超えると高温放置試験による抵抗値ド
リフトが大きくなり好ましくない。望ましくはｌ−１５
％の範囲である。 また、上記金属酸化物の中で、抵抗値、ＴＣＲを調整し
抵抗値のドリフトを安定させる効果に優れているのはＮ
ｉＯとＭｎＯとＳｂ２０．であり、このうちＮｉＯが最
も優れている。 以上記載した抵抗値が１Ｍ以内の望ましい範囲について
まとめると以下の通りとなる。 ３ｉ０□　　　　　　　　１５〜４５％Ａｌｔｏ３０〜
１８％ ＭｇＯ÷ＣａＯ÷Ｓｒ０　　　　１８〜５５％（Ｓ１ｇ
Ｏ，０〜３５％、Ｃａ０　０〜３５％、ＳｒＯ（１−５
５％）Ｌ　Ｌ　ｚ　Ｑ　＋　Ｎ　ａ　ｚ　Ｏ＋にｉｏ＋
ｃｓｔｏ　　　Ｏ〜　８％ｐｂｏ　　　　　　　　　　
　　　　　　　ｏ〜　５％２００　　　　　　　　　　
　　　　　　　　０〜１５％ＺｒＯ□÷Ｔｉ０□　　　
　　　　　　　　０〜７％８．０．　　　　　　　　　
　　　　　１０〜３８％Ｔａｉｌｓ　　　　　　　　　
　　　　Ｏ，５〜５０％Ｎｂ、０５　　　　　　　　　
　　０．５〜４５％Ｔａｉｌｓ÷Ｎｂ、０．　　　　　
　　０．５〜５０％金属酸化物　　　　　１−１５％ 本発明の抵抗体ペーストの組成物は、各粉末が上記割合
に混合されているものであり、以下本発明の抵抗体ペー
ストの作製方法とそれを使用した厚膜回路の製造の一例
について説明する。 上記本発明の抵抗体ペーストの組成物に有機バインダー
、溶剤からなる有機ビヒクルを添加し、混練し、ペース
ト状とする。この有機バインダーとしては、エチルセル
ロース、アクリル樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合樹
脂、ポリα−メチルスチレン樹脂、溶剤としては、α−
テルビネオール：ブチルカルビトールアセテート：ブチ
ルカルビトール、　２，２．４−トリメチルペンタンジ
オ−ルー１，３．−モノイソブチレート：ジエチレング
リコールジーｎ−ブチルエーテル等が通常使用できる。 さらに分散剤として界面活性剤を添加してもよい。 次いで焼成後の固化したアルミナ基板、又はガラスセラ
ミックス基板等のセラミックス基板上に導体を作成する
ために、Ｃｕを主成分とするＣｕペースト等の導体ペー
ストを所定の回路パターンに印刷等の方法で形成、乾燥
後、酸素濃度約２０ｐｐｍ以下の窒素雰囲気等の非酸化
性雰囲気中で８００〜１０００℃程度、５〜３０分程度
で焼成する。この焼成条件の望ましい範囲は８８０〜９
２０℃、７〜１５分である。次いで抵抗を設けるべき所
定の箇所に上記本発明の抵抗体ペーストを印刷した後乾
燥させ、上記窒素雰囲気中、８００〜１０００℃程度、
５〜３０分程度で焼成する。この焼成条件の望ましい範
囲は８８０〜９２０℃、７〜１５分である。 多層セラミックス基板一括焼成の場合は、上記Ｃｕペー
ストと本発明の抵抗体ペーストを印刷したセラミックス
基板用等のセラミックスのグリーンシートを熱圧着後積
層し、上記窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気中で８００〜
１０００℃程度、数分〜数時間で一括焼成し、多層基板
を作成する。 尚本発明の抵抗体ペーストには、着色のために金属酸化
物、耐熱性無機顔料等の着色顔料を０〜５％添加するこ
とができる。 また、ガラス製造時、清澄剤、溶融促進剤として硝酸塩
、亜ヒ酸、硫酸塩、フッ化物、塩化物等を０〜５％添加
してすることができる。 ［実施例］ 本発明にかかるガラス粉末の各原料を酸化物換算で表−
１に、金属酸化物は表−２に示す割合で調合し、これを
白金ルツボに入れ、１３５０〜１５００℃で２〜３時間
撹拌しつつ加熱撹拌した。次いでこれを水砕又はフレー
ク状とし、更に粉砕装置により平均粒径０．５〜６μｍ
になるように粉砕し、ガラス粉末を製造した。次いで導
電物質としてＳｎＯ□及び／又はＳｂをＳｂ、ｏｎの酸
化物換算で５％ドープしたＳｎｏｗの粉末を平均粒径０
．０１〜５μｍになるように調整した。次いでこれらの
ガラス粉末と上記導電物質粉末を表−ｌに記載の割合で
混合し、本発明の抵抗体ペーストにかかる組成物を得た
。 次いでこれらに有機バインダーとしてエチルセルロース
、溶剤としてα−テルピネオールからなる有機ビヒクル
を添加し、混練し、粘度が３０Ｘ　１０　ｃｐｓのペー
ストを作成した。次いで固化したアルミナ基板上に本発
明にかかる抵抗の電極としてＣｕペーストを所定の回路
にスクリーン印刷、乾燥し、酸素濃度２０ｐｐｍ以下の
窒素雰囲気中９００℃、１０分で焼成した。 次いで抵抗所定箇所に上記抵抗体ペーストを２００メツ
シュスクリーンでスクリーン印刷、乾燥し、酸素濃度２
Ｏｐｐ−以下の窒素雰囲気中で９００℃１０分で焼成し
た。焼成膜厚は約１５ｇｍであった。 このようにしてセラミック基板上に回路を作成した。こ
の回路について、抵抗値、抵抗温度係数（ＴＣＲ）、高
温放置による抵抗値ドリフトを測定した。これらの結果
を表−１に記載した。表−１から明らかなように本発明
にかかる抵抗体ペーストは抵抗特性に優れ、厚膜回路用
抵抗体ペーストとして十分使用できる特性を有すること
が認められる。 比較例として本発明にかかる抵抗体ペースト以外のもの
についても同様の評価を行ったので表−３に記載した。 なお各特性の測定方法は次の通りである。 １）抵抗値及び抵抗値温度係数（ＴＣＲ）２５℃、−５
５℃、　＋　１２５℃の抵抗値（Ｒ，。。 Ｒ−ｓｓ、Ｒ１□）を恒温槽中で抵抗計により測定し、
次の式により算出した。 １１》高温放置による抵抗値ドリフト １５０℃の恒温槽中で１００時間放置し、次の式により
算出した。 上式において Ｒ１゜。、＝　１００時間後の抵抗値 Ｒ，＝抵抗の初期値 表−３ １比較例　 １　サンプル番号　　１１　　１２　　　＋３　８１０
□　　　　　　　　３０　　　２０　　　３◎Ａ１ｍｓ
、　　　　　　　　　１０　　　１５　　　　　◎ガ　
　　　ＭｇＯ０５５ Ｃａ０　　　　　　　　　　Ｉｓ　　　　２５　　　　
１５ラ　　　　　Ｓｒ０　　　　　　　　　　２０　　
　　１０　　　　　ＩｓＬｉｓｏ　　　　　　　　　　
◎　　　　ＯＯス　　　　ＮａＪ　　　　　　　　　０
　　　　２　　　　２に□０　　　　　　　０　　５　
　０ 組　　　　Ｃｓ＊Ｏｏ　　　　ｏ　　　　。 Ｐｂ０　　　　　　　　　　０　　　　０　　　　５成
　　　　Ｚｎ０　　　　　　　　５　　　０　　　０Ｚ
ｎ０＊　　　　　　　　　　０　　　　２　　　　０＾
　　　　Ｔｉｎｔ　　　　　　　　　　０　　　　１　
　　　０％　　　　　Ｂ−Ｏｓ　　　　　　　　　２０
　　　１５　　　２８ｖＴａｒｎｓ　　　　　　　　　
０　　　　０　　　　０Ｎｂ、ｏ、　　　　　　　　ｏ
　　　　ｏ　　　　。 １　　　ｌ　金属酸化物　Ｉ　ＯＩ　ＯＩ　Ｏｌ特　　
　抵抗値（Ω／口）　　　　３［３０Ｋ　　　７００Ｋ
Ｈｏｔ　　ＴＣＲ（ｐｐｍ℃）　　−２０００−１２０
０−８００性　　Ｃｏｌｄ　ＴＣＲ（ｐｐｍｃ）　　−
２２００−１２５０−９００抵抗値Ｆリフト　ｃ％）　
　　　　÷ｔｓｏ　　　　　−ｚ、ｏ　　　　　÷５．
０［発明の効果］ 本発明の抵抗体ペーストは、窒素雰囲気等の非酸化性雰
囲気中で焼成が可能で、安定した信頼性の高い抵抗をセ
ラミックス基板上に形成可能であり、特に高温放置によ
る抵抗値ドリフト特性に優れているという効果も認めら
れる。

【図面の簡単な説明】

第１図：　Ｔａｘｅｓを単独（Ｎｂ、Ｏｓ＝０）で使用
する場合のＴａｘｅｓの量の抵抗値に対する必要な範囲
と望ましい範囲を示す説明図。 第２図：　Ｎｂ、０．を単独（ｒａｚｏｓ：０）で使用
する場合のＮｂｚＯｓの量の抵抗値に対する必要な範囲
と望ましい範囲を示す説明図。 第３図：　Ｔａｘｅｓ　＋ＮｂｚＯｓの量の抵抗値に対
する必要な範囲と望ましい範囲を示す説明図。 第　１１の 刀ラス中７）Ｔａ２０５倶童（重量幻 第　２　図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）　無機成分が重量％表示で実質的に、ガラス粉末
   ２０〜７０とＳｎＯ＿２及び／又はＳｂをドープしたＳ
   ｎＯ＿２粉末３０〜８０からなり、当該ガラス粉末は重
   量％表示で実質的にＳｉＯ＿２１２〜５０、Ａｌ＿２Ｏ
   ＿３０〜２０、ＭｇＯ０〜４０、ＣａＯ０〜４０、Ｓｒ
   Ｏ０〜６０、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ１６〜６０、Ｌｉ
   ＿２Ｏ＋Ｎａ＿２Ｏ＋ｋ＿２＋Ｃｓ＿２Ｏ０〜１０、Ｐ
   ｂＯ０〜１０、ＺｎＯ０〜２０、ＺｒＯ＿２＋ＴｉＯ＿
   ２〜１０、Ｂ＿２Ｏ＿３８〜４０、Ｔａ＿２Ｏ＿５０〜
   ６０、Ｎｂ＿２Ｏ＿５０〜５０、Ｔａ＿２Ｏ＿５＋Ｎｂ
   ＿２Ｏ＿５０〜６０、Ｆｅ＿２Ｏ＿３＋ＣｕＯ＋ＮｉＯ
   ＋ＣｏＯ＋ＭｎＯ＋ＭｏＯ＿３＋ＷＯ＿３＋Ｃｒ＿２Ｏ
   ＿３＋Ｂｉ＿２Ｏ＿３ＣｅＯ＿２＋Ｓｂ＿２Ｏ＿３＋Ｉ
   ｎ＿２Ｏ＿３＋ＳｎＯ＿２０．１〜２０からなる抵抗体
   ペースト。
2. （２）　第１項記載の抵抗体ペーストを使用して焼成さ
   れたセラミックス基板。