JPH03126639A - 被覆用ガラス組成物 - Google Patents
被覆用ガラス組成物Info
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- JPH03126639A JPH03126639A JP26255589A JP26255589A JPH03126639A JP H03126639 A JPH03126639 A JP H03126639A JP 26255589 A JP26255589 A JP 26255589A JP 26255589 A JP26255589 A JP 26255589A JP H03126639 A JPH03126639 A JP H03126639A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/04—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、高信頼性が要求される電子部品の回路を保護
するための被覆用ガラス組成物に関するものである。
するための被覆用ガラス組成物に関するものである。
[従来技術とその問題点コ
セラミック基板上に形成される導体及び抵抗体からなる
回路は、外部から電気的、化学的、機械的に保護される
必要があり、この保護材料としてガラスが用いられる。
回路は、外部から電気的、化学的、機械的に保護される
必要があり、この保護材料としてガラスが用いられる。
導体の材料としては従来より銀−パラジウムが主に使用
されているが、近年電子部品における技術的進歩に伴っ
て回路の高密度化が要求されるようになってきており、
銀−パラジウムよりも電気的特性、信頼性に優れる銅を
使用することが提案されている。ただし銅は酸化されや
すく、そのため導体の焼成は窒素雰囲気下で行う必要が
ある。
されているが、近年電子部品における技術的進歩に伴っ
て回路の高密度化が要求されるようになってきており、
銀−パラジウムよりも電気的特性、信頼性に優れる銅を
使用することが提案されている。ただし銅は酸化されや
すく、そのため導体の焼成は窒素雰囲気下で行う必要が
ある。
特に高信頼性が要求される電子部品の回路の場合は、9
00℃焼成のケミカルボンドタイプの銅導体が使用され
、基板上に導体を焼き付けた後、抵抗体を焼き付けるた
め抵抗体の材料として窒素雰囲気下で焼成が可能なLa
B6及び5n02が使用される。
00℃焼成のケミカルボンドタイプの銅導体が使用され
、基板上に導体を焼き付けた後、抵抗体を焼き付けるた
め抵抗体の材料として窒素雰囲気下で焼成が可能なLa
B6及び5n02が使用される。
ところで従来より電子部品の回路被覆用ガラスとしてP
b04203−S102系、ZnO−B2O3−5I0
2系及びCd04203−3I02系のガラスが存在す
る。しかしながらPbO−B20a−SI02系ガラス
は、窒素雰囲気下で焼成すると還元されて鉛が析出し易
くなるため特性が著しく劣化する。またZnO−B2O
3−5IO□系ガラスを用いるとガラスを被覆焼成する
前後で抵抗体の抵抗値が変化する、いわゆる抵抗値変化
率が大きくなるため抵抗値の設定を行いにくいという問
題が□あり、さらにCd0−B2O3−SiO□系ガラ
スの場合は、OdOを用いるため人体に悪影響を及ぼす
恐れがあると共に公害の要因となるので好ましくない。
b04203−S102系、ZnO−B2O3−5I0
2系及びCd04203−3I02系のガラスが存在す
る。しかしながらPbO−B20a−SI02系ガラス
は、窒素雰囲気下で焼成すると還元されて鉛が析出し易
くなるため特性が著しく劣化する。またZnO−B2O
3−5IO□系ガラスを用いるとガラスを被覆焼成する
前後で抵抗体の抵抗値が変化する、いわゆる抵抗値変化
率が大きくなるため抵抗値の設定を行いにくいという問
題が□あり、さらにCd0−B2O3−SiO□系ガラ
スの場合は、OdOを用いるため人体に悪影響を及ぼす
恐れがあると共に公害の要因となるので好ましくない。
[発明の目的]
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、窒素雰囲気
下で焼成しても還元されにくいため導体として銅を使用
することが可能であり、抵抗値変化率が小さく、且つ人
体に対する影響及び公害の点でも問題のない被覆用ガラ
ス組成物を提供することを目的とするものである。
下で焼成しても還元されにくいため導体として銅を使用
することが可能であり、抵抗値変化率が小さく、且つ人
体に対する影響及び公害の点でも問題のない被覆用ガラ
ス組成物を提供することを目的とするものである。
本発明の他の目的は、軟化点が650〜880℃熱膨張
係数が55〜75XIO−’/’Cであり、耐水性に優
れた被覆用ガラス組成物を提供することである。
係数が55〜75XIO−’/’Cであり、耐水性に優
れた被覆用ガラス組成物を提供することである。
すなわち本発明のガラス組成物は900℃焼成のケミカ
ルボンドタイプの銅導体が使用され、それに伴って抵抗
体としてLaB、及びSnO3が使用される高信頼性の
電子部品回路の保護用として開発されたものであるが、
LaB、及び5n02は680℃以上の高温で焼成する
と劣化しやすく、またSnO2は850℃以下の低温で
焼成すると抵抗値変化率が大きくなるためガラスの軟化
点は650〜680℃であることが要求される。さらに
回路はアルミナ基板上に形成され、ガラスの熱膨張係数
をアルミナのそれに適合させる必要があるため、55〜
75X1G−’/”Cであるのが好ましく、またガラス
の耐水性が悪いと回路を高湿度下で作動させる際信頼性
に乏しくなるため耐水性に優れていることが要求される
。
ルボンドタイプの銅導体が使用され、それに伴って抵抗
体としてLaB、及びSnO3が使用される高信頼性の
電子部品回路の保護用として開発されたものであるが、
LaB、及び5n02は680℃以上の高温で焼成する
と劣化しやすく、またSnO2は850℃以下の低温で
焼成すると抵抗値変化率が大きくなるためガラスの軟化
点は650〜680℃であることが要求される。さらに
回路はアルミナ基板上に形成され、ガラスの熱膨張係数
をアルミナのそれに適合させる必要があるため、55〜
75X1G−’/”Cであるのが好ましく、またガラス
の耐水性が悪いと回路を高湿度下で作動させる際信頼性
に乏しくなるため耐水性に優れていることが要求される
。
[発明の構成]
本発明の被覆用ガラス組成物は、重量百分率でV2O5
1〜lG%、Zn020〜50%、B2O33〜30%
、810211〜25%、Al2O3[i 〜15%、
MgO1CaO,5rO1RaOの群から選択された1
者又は2者以上1〜20%を含有してなることを特徴と
する。
1〜lG%、Zn020〜50%、B2O33〜30%
、810211〜25%、Al2O3[i 〜15%、
MgO1CaO,5rO1RaOの群から選択された1
者又は2者以上1〜20%を含有してなることを特徴と
する。
以下本発明の被覆用ガラス組成物の各成分の限定理由を
示す、。
示す、。
V2O5は網目形成酸化物であり、その含有量は1〜1
0%である。1%より少ない場合は、抵抗体の抵抗値変
化率が大きくなり、10%より多い場合は軟化点が65
0℃より低くなってしまう。
0%である。1%より少ない場合は、抵抗体の抵抗値変
化率が大きくなり、10%より多い場合は軟化点が65
0℃より低くなってしまう。
ZnOは中間酸化物であり、その含有量は20〜50%
である。20%より少ない場合は、軟化点が880℃よ
り高くなってしまい、50%より多い場合は軟化点が6
50℃より低くなると共にガラスが失透し易くなる。
である。20%より少ない場合は、軟化点が880℃よ
り高くなってしまい、50%より多い場合は軟化点が6
50℃より低くなると共にガラスが失透し易くなる。
B2O3は網目形成酸化物であり、且つガラスの溶融性
を良好にするフラックス剤として用いられ、その含有量
は8〜30%である。3%より少ない場合は、フラック
ス剤としての効果が乏しくガラス化せず30%より多い
場合は、軟化点が850℃より低くなると共に耐水性が
低下する。
を良好にするフラックス剤として用いられ、その含有量
は8〜30%である。3%より少ない場合は、フラック
ス剤としての効果が乏しくガラス化せず30%より多い
場合は、軟化点が850℃より低くなると共に耐水性が
低下する。
S10.も網目形成酸化物であり、ガラスの軟化点゛及
び熱膨張係数を調整すると共に耐水性を良好にし、しか
も抵抗値変化率を小さくする効果を有し、その含有量は
、11〜25%である。11%より少ない場合は、軟化
点が650℃より低くなり、25%より多い場合は、軟
化点が680℃より高くなると共に熱膨張係数が小さく
なりすぎる。
び熱膨張係数を調整すると共に耐水性を良好にし、しか
も抵抗値変化率を小さくする効果を有し、その含有量は
、11〜25%である。11%より少ない場合は、軟化
点が650℃より低くなり、25%より多い場合は、軟
化点が680℃より高くなると共に熱膨張係数が小さく
なりすぎる。
Al2O3は中間酸化物であり、SiO2と同様耐水性
5− を良好にする効果を有する。またSiO2の一部に置き
換えて用いると熱膨張係数を高める効果があり、その含
有量は6〜15%である。6%より少ない場合は、熱膨
張係数が小さくなりすぎ、15%より多い場合は、軟化
点が[0℃より高くなり流動性が低下し良好な被覆が行
なえなくなる。
5− を良好にする効果を有する。またSiO2の一部に置き
換えて用いると熱膨張係数を高める効果があり、その含
有量は6〜15%である。6%より少ない場合は、熱膨
張係数が小さくなりすぎ、15%より多い場合は、軟化
点が[0℃より高くなり流動性が低下し良好な被覆が行
なえなくなる。
MgO,Cab、 SrO,BaOは、網目修飾酸化物
であり、ガラスの熱膨張係数を高める効果を有し、その
含有量は1〜20%である。1%より少ない場合は、熱
膨張係数が小さくなりすぎ、セラミック基板に適合しな
くなり、20%より多い場合は、ガラスが不安定となり
、失透しやすくなる。
であり、ガラスの熱膨張係数を高める効果を有し、その
含有量は1〜20%である。1%より少ない場合は、熱
膨張係数が小さくなりすぎ、セラミック基板に適合しな
くなり、20%より多い場合は、ガラスが不安定となり
、失透しやすくなる。
尚、本発明のガラスはV2O5の作用によって茶色系に
発色するため、消色剤としてCeO2やTeO2を25
%まで含有させることが可能であり、これ以外にも清澄
剤としてAs2O,や5b203を5%まで含有させる
ことが可能である。
発色するため、消色剤としてCeO2やTeO2を25
%まで含有させることが可能であり、これ以外にも清澄
剤としてAs2O,や5b203を5%まで含有させる
ことが可能である。
[実施例コ
以下本発明の被覆用ガラス組成物を実施例に基づいて説
明する。
明する。
−〇−
皮表は本発明のガラス
(試料Nα1〜6)
及び比
較例のガラス
(試料Na 7及び8)
を示すものであ
る。
以
下
余
白
7−
表に示した各ガラス試料は以下のように調製した。
まず表に示す酸化物組成になるように原料を調合し混合
した後、白金るつぼにて約1300℃で溶融し、次いで
水冷ローラーでフィルム状に酸型したガラスをアルミナ
ボールで微粉砕してガラス粉末を得た、そのガラス粉末
を用いて軟化点、熱膨張係数を測定してその結果を表に
示した。またこのガラス粉末とアクリル系の熱分解性バ
インダをテルピネオールなどの溶剤に溶解させたビーク
ルをスリーロールミルで混練してガラスペーストを作成
し、次いでスクリーン印刷で第1図及び第2図に示すテ
スト用回路を形成したアルミナ基板上に塗布し、約66
5℃で焼成した。第1図及び第2図は、表面にテスト用
回路を形成し、ガラスを被覆したアルξす基板の平面図
及び断面図であり、1はアルミナ基板、2は導体、3は
LaB8系あるいはSnO2系の抵抗体、4はガラスを
各々示すもので、これを使用して耐水性、抵抗値変化率
を測定し、その結果を表に示した。
した後、白金るつぼにて約1300℃で溶融し、次いで
水冷ローラーでフィルム状に酸型したガラスをアルミナ
ボールで微粉砕してガラス粉末を得た、そのガラス粉末
を用いて軟化点、熱膨張係数を測定してその結果を表に
示した。またこのガラス粉末とアクリル系の熱分解性バ
インダをテルピネオールなどの溶剤に溶解させたビーク
ルをスリーロールミルで混練してガラスペーストを作成
し、次いでスクリーン印刷で第1図及び第2図に示すテ
スト用回路を形成したアルミナ基板上に塗布し、約66
5℃で焼成した。第1図及び第2図は、表面にテスト用
回路を形成し、ガラスを被覆したアルξす基板の平面図
及び断面図であり、1はアルミナ基板、2は導体、3は
LaB8系あるいはSnO2系の抵抗体、4はガラスを
各々示すもので、これを使用して耐水性、抵抗値変化率
を測定し、その結果を表に示した。
9−
表から明らかなように本発明品(試料N[11〜6)は
、軟化点が650〜680℃、熱膨張係数が55〜75
XIO−7/’Cで耐水性が良好であり、且つ抵抗値変
化率が−0,5〜+4.6と小さく、各特性とも良好な
値を示していた。一方比較例である試料N117は、軟
化点、耐水性については良好な値を示したが、熱膨張係
数が50X10−7/’Cと低く;抵抗値変化率も+7
.5〜12.4と大きいため好ましくなかった。さらに
試料Na 8は主成分であるPbOが焼成過程で還元さ
れてpbとなるため十分にガラス化せずペースト焼成後
の耐水性、抵抗値変化率の測定は不能であった。
、軟化点が650〜680℃、熱膨張係数が55〜75
XIO−7/’Cで耐水性が良好であり、且つ抵抗値変
化率が−0,5〜+4.6と小さく、各特性とも良好な
値を示していた。一方比較例である試料N117は、軟
化点、耐水性については良好な値を示したが、熱膨張係
数が50X10−7/’Cと低く;抵抗値変化率も+7
.5〜12.4と大きいため好ましくなかった。さらに
試料Na 8は主成分であるPbOが焼成過程で還元さ
れてpbとなるため十分にガラス化せずペースト焼成後
の耐水性、抵抗値変化率の測定は不能であった。
尚、軟化点はガラス粉末を示差熱分析計で、熱膨張係数
はガラス粉末を焼結したものをデイラドメーターで測定
したものであり、耐水性はペーストを焼成したアルミナ
基板をプレッシャークツカーで121”C−2気圧−1
00%RHの条件下で20時間処理した後、ガラス表面
の光沢度合を観察して判定した。さらに抵抗値変化率は
回路の抵抗を4端子法によって測定して、焼成前後の抵
抗値の差を10− 焼成前の抵抗値で割った値に100を乗じた値(%)で
示したものであり、0%に近い程良好な特性である。
はガラス粉末を焼結したものをデイラドメーターで測定
したものであり、耐水性はペーストを焼成したアルミナ
基板をプレッシャークツカーで121”C−2気圧−1
00%RHの条件下で20時間処理した後、ガラス表面
の光沢度合を観察して判定した。さらに抵抗値変化率は
回路の抵抗を4端子法によって測定して、焼成前後の抵
抗値の差を10− 焼成前の抵抗値で割った値に100を乗じた値(%)で
示したものであり、0%に近い程良好な特性である。
[発明の効果コ
以上のように本発明の被覆用ガラス組成物は、窒素雰囲
気下で焼成しても還元されにくいため導体として銅を使
用することが可能であり、抵抗値変化率が小さく、且つ
CdOを含有しないため人体に対する悪影響及び公害の
点でも問題は生じない。
気下で焼成しても還元されにくいため導体として銅を使
用することが可能であり、抵抗値変化率が小さく、且つ
CdOを含有しないため人体に対する悪影響及び公害の
点でも問題は生じない。
さらに軟化点が650〜680℃、熱膨張係数が55〜
75X10−7/”Cであり、耐水性にも優れているた
め高信頼性が要求される電子部品の回路の被覆用ガラス
として好適である。
75X10−7/”Cであり、耐水性にも優れているた
め高信頼性が要求される電子部品の回路の被覆用ガラス
として好適である。
第1図は表面にテスト用回路を形成し、ガラスを被覆し
たアルミナ基板の平面図、第2図は第1図のA−A’線
断面図である。 −11−
たアルミナ基板の平面図、第2図は第1図のA−A’線
断面図である。 −11−
Claims (1)
- (1)重量百分率でV_2O_51〜10%、ZnO2
0〜50%、B_2O_33〜30%、SiO_211
〜25%、Al_2O_36〜15%、MgO、CaO
、SrO、BaOの群から選択された1者又は2者以上
1〜20%を含有してなることを特徴とする被覆用ガラ
ス組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26255589A JPH03126639A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 被覆用ガラス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26255589A JPH03126639A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 被覆用ガラス組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03126639A true JPH03126639A (ja) | 1991-05-29 |
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ID=17377435
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JP (1) | JPH03126639A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1361199A1 (en) * | 2002-04-24 | 2003-11-12 | Central Glass Company, Limited | Lead-free low-melting glass |
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JP2011153049A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体被覆用ガラスおよびそれを用いてなる半導体被覆用材料 |
JP2012051761A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体被覆用ガラス |
JP5631497B1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-11-26 | 新電元工業株式会社 | 半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
WO2020158187A1 (ja) * | 2019-01-29 | 2020-08-06 | 日本電気硝子株式会社 | 半導体素子被覆用ガラス及びこれを用いた半導体被覆用材料 |
-
1989
- 1989-10-06 JP JP26255589A patent/JPH03126639A/ja active Pending
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JP2020121893A (ja) * | 2019-01-29 | 2020-08-13 | 日本電気硝子株式会社 | 半導体素子被覆用ガラス及びこれを用いた半導体被覆用材料 |
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