JP2012051761A - 半導体被覆用ガラス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】組成として質量%で、ZnO 40〜60%、B2O3 5〜25%、SiO2 15〜35%、Al2O3 3〜12%を含有し、鉛成分を実質的に含有しないことを特徴とする半導体被覆用ガラス、および当該半導体被覆用ガラスからなるガラス粉末を含むことを特徴とする半導体被覆用材料。
【選択図】なし
Description
Claims (4)
- 組成として質量%で、ZnO 40〜60%、B2O3 5〜25%、SiO2 15〜35%、Al2O3 3〜12%を含有し、鉛成分を実質的に含有しないことを特徴とする半導体被覆用ガラス。
- さらに組成として、Bi2O3 0〜5%、MnO2 0〜5%、Nb2O5 0〜5%、CeO2 0〜3%を含有することを特徴とする請求項1に記載の半導体被覆用ガラス。
- 請求項1または2に記載の半導体被覆用ガラスからなるガラス粉末を含むことを特徴とする半導体被覆用材料。
- ガラス粉末100質量部に対して、TiO2、ZrO2、ZnO、ZnO・B2O3および2ZnO・SiO2から選択される少なくとも1種類の無機粉末を0.01〜5質量部含有してなることを特徴とする請求項3に記載の半導体被覆用材料。
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