JPH0426525A - 被覆用ガラス組成物 - Google Patents
被覆用ガラス組成物Info
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- JPH0426525A JPH0426525A JP13195390A JP13195390A JPH0426525A JP H0426525 A JPH0426525 A JP H0426525A JP 13195390 A JP13195390 A JP 13195390A JP 13195390 A JP13195390 A JP 13195390A JP H0426525 A JPH0426525 A JP H0426525A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、電子部品に用いられる回路を保護するための
被覆用ガラス組成物に関するものである。
被覆用ガラス組成物に関するものである。
[従来技術とその問題点コ
セラミック基板上に形成される抵抗体及び導体からなる
回路は、外部から電気的、化学的、機械的に保護される
必要があり、この保護材料としてガラスが用いられてい
る。
回路は、外部から電気的、化学的、機械的に保護される
必要があり、この保護材料としてガラスが用いられてい
る。
導体の材料としては従来より銀−パラジウムが主に使用
されているが、近年電子部品における技術的進歩に伴っ
て回路の高密度化が要求されるようになってきており、
銀−パラジウムよりも電気的特性、信頼性に優れる銅を
使用することが提案されている。ただし銅は酸化されや
すく、これを導体として用いた場合、窒素雰囲気下で焼
成を行う必要がある。
されているが、近年電子部品における技術的進歩に伴っ
て回路の高密度化が要求されるようになってきており、
銀−パラジウムよりも電気的特性、信頼性に優れる銅を
使用することが提案されている。ただし銅は酸化されや
すく、これを導体として用いた場合、窒素雰囲気下で焼
成を行う必要がある。
ところで従来よりこの用途に使用されるガラスとしては
、PbO−B2O,−SiO゜系ガラスがあり、このガ
ラスは耐酸性に優れているため後工程で電極メ、キを行
うことが可能であり、且つ耐水性に優れているため回路
を高湿度下で作動させる際の信頼性が高い。さらに軟化
点が低く、所望の熱膨張係数に調節しやすいという長所
を存する。
、PbO−B2O,−SiO゜系ガラスがあり、このガ
ラスは耐酸性に優れているため後工程で電極メ、キを行
うことが可能であり、且つ耐水性に優れているため回路
を高湿度下で作動させる際の信頼性が高い。さらに軟化
点が低く、所望の熱膨張係数に調節しやすいという長所
を存する。
しかしながらこの系のガラスは、窒素雰囲気下で焼成す
ると還元されて鉛(Pb)が析出し易くなって特性が著
しく劣化しやすいという欠点を有しており、そのため一
般にPbO−B2O3−SiO゜系ガラスを用いる場合
は、ガラスに別途過酸化物を添加することによってPb
Oの還元を防止する手段が採られるが、この場合でも焼
成時に過剰に放出された酸素によって発泡が生じたり、
周囲の銅導体の酸化が起こりやすいという問題が発生す
る。
ると還元されて鉛(Pb)が析出し易くなって特性が著
しく劣化しやすいという欠点を有しており、そのため一
般にPbO−B2O3−SiO゜系ガラスを用いる場合
は、ガラスに別途過酸化物を添加することによってPb
Oの還元を防止する手段が採られるが、この場合でも焼
成時に過剰に放出された酸素によって発泡が生じたり、
周囲の銅導体の酸化が起こりやすいという問題が発生す
る。
またこの用途のガラスとしては、PbO−B2O*−S
iO2系ガラス以外にもZnO−B2O3−SiO2系
ガラスやCd0−111aOs−SiO2系ガラスが存
在するが、ZnO−B2O3−5f02系ガラスは、耐
酸性が悪く、且つガラスを被覆する前後の抵抗体の抵抗
値が変化する、いわゆる抵抗値変化率が大きくなるため
抵抗値の設定を行いにくく、さらにCd0−B2O3−
SI02系ガラスハ、CdOを用いるため人体に悪影響
を及ぼす恐れがあると共に公害の要因となるため好まし
くない。
iO2系ガラス以外にもZnO−B2O3−SiO2系
ガラスやCd0−111aOs−SiO2系ガラスが存
在するが、ZnO−B2O3−5f02系ガラスは、耐
酸性が悪く、且つガラスを被覆する前後の抵抗体の抵抗
値が変化する、いわゆる抵抗値変化率が大きくなるため
抵抗値の設定を行いにくく、さらにCd0−B2O3−
SI02系ガラスハ、CdOを用いるため人体に悪影響
を及ぼす恐れがあると共に公害の要因となるため好まし
くない。
[発明の目的]
本発明は、上記蓼情に鑑みなされたもので、窒素雰囲気
下で焼成しても還元されにくいため導体として銅を使用
することが可能であり、耐酸性に優れ、抵抗値変化率が
小さく、且つ人体に対する影響及び公害の点でも問題の
ない被覆用ガラス組成物を提供することを目的とするも
のである。
下で焼成しても還元されにくいため導体として銅を使用
することが可能であり、耐酸性に優れ、抵抗値変化率が
小さく、且つ人体に対する影響及び公害の点でも問題の
ない被覆用ガラス組成物を提供することを目的とするも
のである。
本発明の他の目的は、基板の焼成時に回路が劣化しない
ように800℃以下の軟化点を育し、またアルミナ基板
の熱膨張係数に適合するように55〜75X 1G−’
/ ”Cの熱膨張係数を有する被覆用ガラス組成物を提
供することである。
ように800℃以下の軟化点を育し、またアルミナ基板
の熱膨張係数に適合するように55〜75X 1G−’
/ ”Cの熱膨張係数を有する被覆用ガラス組成物を提
供することである。
[発明の構成]
本発明者等は、種々の研究を重ねた結果、PbO−B2
O3−5iOz系ガラス組成中にV2O6を所定量添加
することによって、過酸化物を添加することな(窒素雰
囲気下で焼成してもPbOの還元を防止することができ
ることを見いだし、本発明として提案するものである。
O3−5iOz系ガラス組成中にV2O6を所定量添加
することによって、過酸化物を添加することな(窒素雰
囲気下で焼成してもPbOの還元を防止することができ
ることを見いだし、本発明として提案するものである。
すなわち本発明の被覆用ガラス組成物は、重量百分率1
?Pbo 8.0〜G5.0%、B、033.0〜30
.0%、SiO23.0〜35.0%、V2O50.5
〜35.0%、ZnO5,0〜50.0%、Al2O3
0〜10.0%、MgO、CaO、SrO1BaOから
選択された1者又は2者以上0〜20.0%からなり、
好ましくは、重量百分率でpbo io、o〜80.0
%、B2O33,0〜25.0%、 5to25.0〜
30.0%、V2O50,8〜30.0%、ZnO7,
0〜45.0%、Al2030〜7.0%、I[gO、
CaO、SrO、BaOから選択された1者又は2者以
上0〜19.0%からなることを特徴とする。
?Pbo 8.0〜G5.0%、B、033.0〜30
.0%、SiO23.0〜35.0%、V2O50.5
〜35.0%、ZnO5,0〜50.0%、Al2O3
0〜10.0%、MgO、CaO、SrO1BaOから
選択された1者又は2者以上0〜20.0%からなり、
好ましくは、重量百分率でpbo io、o〜80.0
%、B2O33,0〜25.0%、 5to25.0〜
30.0%、V2O50,8〜30.0%、ZnO7,
0〜45.0%、Al2030〜7.0%、I[gO、
CaO、SrO、BaOから選択された1者又は2者以
上0〜19.0%からなることを特徴とする。
以下本発明の被覆用ガラス組成物の各成分の限定理由を
示す。
示す。
PbOは、中間酸化物であり、軟化点を下げる効果を育
しており、その含有量は8.0〜65.0%、好ましく
は10.0〜60.0%である。8.0%より少ない場
合は、軟化点を低く維持するために同じ効果を有するZ
nOやB2O3の含有量を相対的に増やす必要があるた
め耐酸性が低下し、65.0%より多い場合は、ガラス
が還元しやすくなる。
しており、その含有量は8.0〜65.0%、好ましく
は10.0〜60.0%である。8.0%より少ない場
合は、軟化点を低く維持するために同じ効果を有するZ
nOやB2O3の含有量を相対的に増やす必要があるた
め耐酸性が低下し、65.0%より多い場合は、ガラス
が還元しやすくなる。
B2O3は網目形成酸化物であり、軟化点を下げる効果
を有し、且つフラックス剤として用いられ、その含有量
は3.0〜30.0%、好ましくは5.0〜25゜0%
である。3.0%より少ない場合は、フラックス剤とし
ての効果が乏しいためガラス化せず、30゜0%より多
い場合は、ガラスの耐酸性、耐水性か著しく低下して回
路保護の目的を達成することができにくい。
を有し、且つフラックス剤として用いられ、その含有量
は3.0〜30.0%、好ましくは5.0〜25゜0%
である。3.0%より少ない場合は、フラックス剤とし
ての効果が乏しいためガラス化せず、30゜0%より多
い場合は、ガラスの耐酸性、耐水性か著しく低下して回
路保護の目的を達成することができにくい。
sio。も網目形成酸化物であり、耐酸性、耐水性を良
好にすると共に抵抗値変化率を小さくする効果を有し、
その含有量は3.0〜35.0%、好ましくは5.0〜
30.0%である。3.0%より少ない場合は、上記効
果に乏しくなり、35.0%より多い場合は、ガラスの
軟化点が上がり、流動性が悪くなるため良好な被覆が行
えなくなる。
好にすると共に抵抗値変化率を小さくする効果を有し、
その含有量は3.0〜35.0%、好ましくは5.0〜
30.0%である。3.0%より少ない場合は、上記効
果に乏しくなり、35.0%より多い場合は、ガラスの
軟化点が上がり、流動性が悪くなるため良好な被覆が行
えなくなる。
V2O5は網目形成酸化物であり、Pboの還元を防止
する効果を有しており、その含有量は0.5〜35゜0
%、好ましくは0.8〜30.0%である。0.5%よ
り少ない場合は、上記効果に乏しくなり、35.0%よ
り多い場合は、ガラスが失透しやすくなる。
する効果を有しており、その含有量は0.5〜35゜0
%、好ましくは0.8〜30.0%である。0.5%よ
り少ない場合は、上記効果に乏しくなり、35.0%よ
り多い場合は、ガラスが失透しやすくなる。
ZnOは中間酸化物であり、軟化点を下げる効果を存し
ており、その含有量は5.0〜50.0%、好ましくは
7.0〜45.0%である。5.0%より少ない場合は
、熱膨張係数が高くなりすぎ、SO,O%より多い場合
は、ガラスが失透しやすくなると共に耐酸性が悪くなる
。
ており、その含有量は5.0〜50.0%、好ましくは
7.0〜45.0%である。5.0%より少ない場合は
、熱膨張係数が高くなりすぎ、SO,O%より多い場合
は、ガラスが失透しやすくなると共に耐酸性が悪くなる
。
A1□03は中間酸化物であり、Sin、と同様耐水性
を向上する目的で含有することができるが、 10.0
%より多いとガラスの軟化点が上がり、流動性が悪くな
るため、その含有量は0〜10.0%、好ましくは0〜
7.0%である。
を向上する目的で含有することができるが、 10.0
%より多いとガラスの軟化点が上がり、流動性が悪くな
るため、その含有量は0〜10.0%、好ましくは0〜
7.0%である。
MgO、CaO、SrO、BaOは、網目修飾酸化物で
あり、ガラスの熱膨張係数を調節する目的で含有でき、
その含有量は含量でO〜20.0%、好ましくは0〜1
3.0%である。20.0%より多い場合は、ガラスが
失透しやすくなる。
あり、ガラスの熱膨張係数を調節する目的で含有でき、
その含有量は含量でO〜20.0%、好ましくは0〜1
3.0%である。20.0%より多い場合は、ガラスが
失透しやすくなる。
尚、本発明のガラスはv205の作用によって茶色系に
発色するため、消色剤としてCeO2やTeO2を25
゜0%まで含有させることが可能であり、これ以外にも
As2O3,5b203等を清澄剤として5.0%まで
添加することが可能である。
発色するため、消色剤としてCeO2やTeO2を25
゜0%まで含有させることが可能であり、これ以外にも
As2O3,5b203等を清澄剤として5.0%まで
添加することが可能である。
[実施例コ
以下本発明の被覆用ガラス組成物を実施例に基づいて説
明する。
明する。
次表は本発明の実施例のガラス(試料階1〜8)及び比
較例のガラス(試料陽9〜11)を示すものである。
較例のガラス(試料陽9〜11)を示すものである。
以下余白
表に示した各ガラス試料は以下のように調製した。
まず、表に示す酸化物組成になるように原料を調合し混
合した後、白金るつぼにて約1300℃で溶融し、次い
で水冷ローラーでフィルム状に成型したガラスをアルミ
ナボールミルで微粉砕してガラス粉末を得た。このガラ
ス粉末を用いて軟化点、熱膨張係数を測定してその結果
を表に示した。
合した後、白金るつぼにて約1300℃で溶融し、次い
で水冷ローラーでフィルム状に成型したガラスをアルミ
ナボールミルで微粉砕してガラス粉末を得た。このガラ
ス粉末を用いて軟化点、熱膨張係数を測定してその結果
を表に示した。
また先記したNo、1−10の試料のガラス粉末に対し
、アクリル系の熱分解性バインダをテルピネオールの溶
剤に溶解させたビークルをスリーロールで混練してガラ
スペーストを作成し、No、11の試料のガラス粉末に
はさらに過酸化物としてSrO□粉末も添加してガラス
ペーストを作成した。次いでこれらのガラスペーストを
スクリーン印刷で第1図及び第2図に示すテスト用回路
を形成したアルミナ基板上に塗布し、窒素雰囲気下で約
590℃、10分間の条件で焼成した。第1図及び第2
図は、表面にテスト用回路を形成し、ガラスを被覆した
アルミナ基板の平面図及び断面図であり、1はアルミナ
基板、2は導体、3は抵抗体、4はガラスを各々示すも
ので、これを使用して抵抗値変化率を測定すると共に耐
酸性、発泡の数を調べ、その結果を表に示した。
、アクリル系の熱分解性バインダをテルピネオールの溶
剤に溶解させたビークルをスリーロールで混練してガラ
スペーストを作成し、No、11の試料のガラス粉末に
はさらに過酸化物としてSrO□粉末も添加してガラス
ペーストを作成した。次いでこれらのガラスペーストを
スクリーン印刷で第1図及び第2図に示すテスト用回路
を形成したアルミナ基板上に塗布し、窒素雰囲気下で約
590℃、10分間の条件で焼成した。第1図及び第2
図は、表面にテスト用回路を形成し、ガラスを被覆した
アルミナ基板の平面図及び断面図であり、1はアルミナ
基板、2は導体、3は抵抗体、4はガラスを各々示すも
ので、これを使用して抵抗値変化率を測定すると共に耐
酸性、発泡の数を調べ、その結果を表に示した。
表から明らかなように本発明の実施例である階1〜8の
試料は、軟化点が595℃以下、熱膨張係数が59〜7
2X 10−7/ ”Cで、抵抗値変化率が+2.4〜
−0.5%と小さく、良好な耐酸性を育し、且つ発泡の
数が少なかった。
試料は、軟化点が595℃以下、熱膨張係数が59〜7
2X 10−7/ ”Cで、抵抗値変化率が+2.4〜
−0.5%と小さく、良好な耐酸性を育し、且つ発泡の
数が少なかった。
一方、比較例であるN19の試料は、軟化点、熱膨張係
数、発泡の数については良好な値を示したが、抵抗値変
化率が+85%と大きく、耐酸性も悪かった。また同じ
<mioの試料は、主成分であるPbOが焼成過程で還
元されてPbとなったため十分にガラス化せず、ペース
ト焼成後の特性の測定は不可能であった。さらにNo、
11の試料は、良好な軟化点、熱膨張係数、抵抗値変化
率、耐酸性を示したが、発泡の数が非常に多かった。
数、発泡の数については良好な値を示したが、抵抗値変
化率が+85%と大きく、耐酸性も悪かった。また同じ
<mioの試料は、主成分であるPbOが焼成過程で還
元されてPbとなったため十分にガラス化せず、ペース
ト焼成後の特性の測定は不可能であった。さらにNo、
11の試料は、良好な軟化点、熱膨張係数、抵抗値変化
率、耐酸性を示したが、発泡の数が非常に多かった。
尚、軟化点はガラス粉末を示差熱分析計で、熱膨張係数
はガラス粉末を焼結したものをデイラドメーターで測定
したものである。また抵抗値変化率は、回路の抵抗を4
端子法によって測定して、焼成前後の抵抗値の差を焼成
前の抵抗値で割った値に100を乗じた値(%)で示し
たものであり、0%に近い程良好な特性である。さらに
耐酸性は、5重量%硫酸水溶液(25℃)中に30分間
浸せきした後水洗、乾燥し、ガラス表面の光沢の劣化及
び残渣の宵無を観察し、また発泡の数は、ガラス表面を
実体顕微鏡(X 30)で観察し、10a+m口当たり
のブリスタの数を計算することに調べたものである。
はガラス粉末を焼結したものをデイラドメーターで測定
したものである。また抵抗値変化率は、回路の抵抗を4
端子法によって測定して、焼成前後の抵抗値の差を焼成
前の抵抗値で割った値に100を乗じた値(%)で示し
たものであり、0%に近い程良好な特性である。さらに
耐酸性は、5重量%硫酸水溶液(25℃)中に30分間
浸せきした後水洗、乾燥し、ガラス表面の光沢の劣化及
び残渣の宵無を観察し、また発泡の数は、ガラス表面を
実体顕微鏡(X 30)で観察し、10a+m口当たり
のブリスタの数を計算することに調べたものである。
[発明の効果コ
以上のように本発明の被覆用ガラス組成物は、窒素雰囲
気下で焼成しても還元されにくいため過酸化物を添加す
る必要がなく、しかも抵抗値変化率が小さく、且つCd
Oを含有しないため人体に対する悪影響及び公害の点で
も問題は生じない。
気下で焼成しても還元されにくいため過酸化物を添加す
る必要がなく、しかも抵抗値変化率が小さく、且つCd
Oを含有しないため人体に対する悪影響及び公害の点で
も問題は生じない。
さらに軟化点がeoo℃以下、熱膨張係数が55〜75
X 10−’/’Cであり、耐酸性にも優れており、特
に銅導体を使用した高密度の回路の保護材料として好適
である。
X 10−’/’Cであり、耐酸性にも優れており、特
に銅導体を使用した高密度の回路の保護材料として好適
である。
第1図は表面にテスト用回路を形成し、ガラスを被覆し
たアルミナ基板の平面図、第2図Ct第1図のA−A”
線断面図である。 1・・・アルミナ基板 2・・・導体3・・・抵抗
体 4・・・ガラス特許出願人 日本電気
硝子株式会社 代表者 岸 1)清 作
たアルミナ基板の平面図、第2図Ct第1図のA−A”
線断面図である。 1・・・アルミナ基板 2・・・導体3・・・抵抗
体 4・・・ガラス特許出願人 日本電気
硝子株式会社 代表者 岸 1)清 作
Claims (2)
- (1)重量百分率で、PbO8.0〜65.0%、B_
2O_33.0〜30.0%、SiO_23.0〜35
.0%、V_2O_50.5〜35.0%、ZnO5.
0〜50.0%、Al_2O_30〜10.0%、Mg
O、CaO、SrO、BaOから選択された1者又は2
者以上0〜20.0%からなることを特徴とする被覆用
ガラス組成物。 - (2)重量百分率で、PbO10.0〜60.0%、B
_2O_35.0〜25.0%、SiO_25.0〜3
0.0%、V_2O_50.8〜30.0%、ZnO7
.0〜45.0%、Al_2O_30〜7.0%、Mg
O、CaO、SrO、BaOから選択された1者又は2
者以上0〜19.0%からなることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の被覆用ガラス組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13195390A JPH0426525A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 被覆用ガラス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13195390A JPH0426525A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 被覆用ガラス組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0426525A true JPH0426525A (ja) | 1992-01-29 |
Family
ID=15070072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13195390A Pending JPH0426525A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 被覆用ガラス組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0426525A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6450803B2 (en) | 1998-01-12 | 2002-09-17 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
JP2008020541A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US8390775B2 (en) | 2005-06-30 | 2013-03-05 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device with protection film at connection of TCP and therminal and fabrication method thereof |
-
1990
- 1990-05-21 JP JP13195390A patent/JPH0426525A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6450803B2 (en) | 1998-01-12 | 2002-09-17 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
US8390775B2 (en) | 2005-06-30 | 2013-03-05 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device with protection film at connection of TCP and therminal and fabrication method thereof |
JP2008020541A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP4564472B2 (ja) * | 2006-07-11 | 2010-10-20 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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