KR920004210B1 - 유전성 조성물 - Google Patents

유전성 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR920004210B1
KR920004210B1 KR1019890000876A KR890000876A KR920004210B1 KR 920004210 B1 KR920004210 B1 KR 920004210B1 KR 1019890000876 A KR1019890000876 A KR 1019890000876A KR 890000876 A KR890000876 A KR 890000876A KR 920004210 B1 KR920004210 B1 KR 920004210B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
composition
weight
glass
mixture
dielectric
Prior art date
Application number
KR1019890000876A
Other languages
English (en)
Other versions
KR890012382A (ko
Inventor
조셉 엠씨 코믹크 코넬리우스
Original Assignee
이. 아이. 듀우판 드 네모아 앤드 캄파니
제임스 제이.플린
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이. 아이. 듀우판 드 네모아 앤드 캄파니, 제임스 제이.플린 filed Critical 이. 아이. 듀우판 드 네모아 앤드 캄파니
Publication of KR890012382A publication Critical patent/KR890012382A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR920004210B1 publication Critical patent/KR920004210B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/16—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions with vehicle or suspending agents, e.g. slip
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
    • C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/08—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances quartz; glass; glass wool; slag wool; vitreous enamels
    • H01B3/085—Particles bound with glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/08—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances quartz; glass; glass wool; slag wool; vitreous enamels
    • H01B3/087—Chemical composition of glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
    • C03C2214/04—Particles; Flakes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

유전성 조성물
본 발명은 개량된 후막 유전성 조성물, 특히 저유전상수(dielectric constant)를 갖는 것에 관한 것이다.
초고속 집적 회로(VHSIC)기술의 발전은 저유전상수를 갖는 유전성 물질을 필요로 하게 되었다. 유전상수(K)는 그 물질의 절연능의 척도이다. 유전상수는 주어진 물질과 동일한 두께를 갖는 공기와의 커패시턴스 비이다. 공기의 유전상수 값을 1로 한다. 저유전상수에 대한 필요성응 전기 신호의 주파수와 함께 증가한다. 제 K 유전성 물질에 있어서의 신호 손실, 신호선들 사이의 누화, 신호 발생 및 소멸시간이 최소화 된다.
중합체 물질(K=2-4), 유리, 유리-세라믹 및 세라믹 물질(K=3.8-6)의 사용을 포함하는 저 K 물질에 대한 여러가지 접근을 상당한 주목을 받아왔다. 재료 선택을 위해서는 유전성 이외에조 물리적 성질, 화학적 성질, 전기적 성질 및 기계적 성질을 고려해야 한다. 전기 설계 변수, 패키징, 제조 및 최종 용도의 필요 조건들이 또한 많은 물질들의 응용성을 제한한다.
최저의 유전상수는 중합체 물질을 사용하여 얻어질 수 있다. 중합체 물질의 사용은 주로 열적인 문제에 의해 제한을 받는다. 높은 공정 온도 및 주변온도, 열팽창 및 열전도성은 많은 적용에 있어서, 저K 중합체 물질의 사용을 저해한다.
높은 공정 온도 또는 사용 온도, 특히 500℃ 이상이 요구되는 응용에서는 무기 물질이 필요하다. 이 무기 물질에 있어서 최저 K 값은 SiO2의 내화성 때문에, 통상적으로 유리 또는 유리 세라믹과 같은 다른 물질을 혼합하여 사용할 필요가 있으며, 이것은 얻을 수 있는 K의 최소 값을 상당히 상승시킨다.
95% Al203기판에 프린트되는 회로에 있어서, Al203기판과 유전체의 열팽창 계수(TCE)는 다층 회로의 뒤틀림 및 (또는) 균열을 방지하기 위해 서로 조화되어야 한다. 일반적으로, 유리 및 유리-세라믹 계에서 저 K는 통상적으로 저 TCE 및 높은 유리 연화점을 의미한다. 코오디어라이트 및 멀라이트와 같은 물질은 저유전상수를 갖지만, TCE의 부조화 때문에 Al203기판상에 사용하기에 적합하지 못한다. 또한, 저연화점의 유리와 함께 멀라이트 코오디어라이트 함유하는 조성물은 일반적으로 TCE를 상승시키고, 소성 온도를 저하시키며, K를 증가시키는 경향이 있다.
양호한 저 K 유전체에 있어서, 이와같은 물질의 특성과 설계 조건 및 최종 사용 조건들의 조합은 종종 그리고 심하게 종래에 사용할 수 있었던 물질을 제한한다. 따라서, 96중량%의 알루미나 기판상에서 통상적으로 소성시킬 수 있는 스크린 프린트 가능한 저 K후막 조성물이 절실하게 요구된다.
본 발명은 그 일차적인 관점으로서, 본질적으로 (a) B2O3대 SiO2의 중량비가 0.22-0.55이고, Al2030.5-1.5중량%, 알칼리 금속, 알칼리 토금속 또는 이들의 혼합물의 산화물로 되는 혼합물 1.5-4.0중량%를 함유하며, 이산화물의 혼합물은 유리 총량에 기초하여 0.3-1.0중량% Li2O를 함유하는 납이 없는 무정형 보로실리케이트 유리 55-77중량%, 및 (b) 석영 및 석영과 7이상의 TCE를 갖는 다른 불확성 산화물 충전재 소량의 혼합물로부터 선택된 무기 충전재 45-25중량%로 구성되는 미분 고상물의 혼합물인, 저 K유전층 제조를 위한 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 이차적인 관점으로서, 유기 매질중에 분산된 상술한 조성물로 되는 스크린-프린트 가능한 후막 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 또 다른 관점으로서, 알루미나 기판상에 상술한 후막 조성물 층을 프린트하고, 기판으로부터 유기매질을 휘발시키기 위해 조성물을 소성시킴(유리의 점성상 소성은 유리 중에 석영 및 기타 충전재의 일부를 용해시킬 수 있음)으로써 제조된 저K 유전층에 관한 것이다.
A. 유리 조성물
본 발명에 사용될 수 있는 유리 조성물은 0.5-1.5중량%의 Al203및 1.5-4.0중량%의 알칼리 금속 산화물 및(또는) 알칼리 토금속 산화물을 함유하는 무정형 보로실케이트 유리이다. 이 유리의 보로실리케이트 성분은 유리의 94.5-98.3중량% 범위내이어야 한다. 94.5중량% 미만의 보로실리케이트를 사용하면 유리는 전기 전도성이 너무 커지게 되고, 소산 인자(DF)가 너무 높아진다. 반대로, 보로실리케이트의 함량이 98.3중량% 이상이면, 유리의 소성 온도가 실질적인 소성 온도를 초과하게 된다. B2O3대 SiO2의 중량비는 0.22-0.55 범위내이어야 하며, 0.25-0.40이 바람직하다. 유리는 850℃-950℃에서 점성상 소성이 가능한것이 바람직하다. 특히 바람직한 유리 조성물은 SiO272중량%, B1O325중량%, Al2031중량%, K2O 1중량%, Na2O 0.5중량% 및 Li2O 0.5중량%의 조성을 갖는다.
유리중에는 소성될 때 세라믹 충전재, 구체적으로 석영이 용해되는 것을 방지하기 위해서 소량의 알루미나가 필요하다. 그러나, 1.5중량% 이상이 사용되면, 유리의 점도가 과도해져 습윤성 및 소성성이 악역향을 받는다. 또한, 0.3-1.0 중량%의 Li2O를 함유하는 알칼리 금속 및(또는) 알칼리 토금속 또는 이들의 혼합물의 산화물 1.5-4.0중량%를 함유하는 것이 필요하다. 소성시키는 동안 유리의 적절한 저 점도를 얻는데 에는 적어도 상기 금속 산화물 1.5중량%가 필요하다. 그러나, 4.0중량% 이상이 사용되면, 소성된 조성물의 전도성이 너무 커지기 쉽다. 유리중의 알칼리 이온들의 양을 최소화하기 위해서는, 유리중에 0.3-1.0중량%의 Li2O를 함유시킴으로써 최저의 유효 소성 점도가 최소량의 알칼리 이온(예, 알칼리 금속 이온 및 알칼리 토금속 이온)으로 얻어질 수 있게 하는 것이 바람직하다. 또한, 다른 알칼리 금속 산화물(Na2O, K2O)의 양은 유리 총량에 기초하여 3.0중량＆ 이하로 유지되어야 한다. 상승한 유리는 유전상수에 악영향을 미치는 Bi, Pb 또는 기타 극성이 큰 이온을 함유해서는 않된다.
유리는 바람직한 성분들을 바람직한 비율로 혼합하고, 이 혼합물을 가하여 용융물을 형성하는 종래의 유리 제조 기술로써 제조할 수 있다. 당 업계에 잘 알려진 바와같이, 가열은 피크 온도까지 용융물이 완전히 액화 및 균일하게 되는 시간동안 행한다. 본 발명에서는 성분들을 폴리에틸렌 용기에서 플라스틱 볼로 진탕시킴으로써 미리 혼합한 다음, 백금 도가니에서 소정의 온도로 용융시킨다. 용융물을 피크 온도에서 1-3/2 시간 동안 가열한다. 이어서 용융물을 켄칭시킨다. 이어서 조 프릿(crudefrit)을 최대 입도가 5미크론 이하가 되도록 제트 분쇄한다.
상술한 유리는 이들의 낮은 분극성 및 이것으로 인한 저유전 상수 때문에 VHSIC 응용에 특히 바람직하게 사용된다. 더우기, 이 유리는 비교적 높은 SiO2농도를 갖기 때문에, 높은B2O3농도를 갖는 것보다 내구성이 더 크다. 보로실리케이트 유리 자체는 높은 연화점율 갖는 경향이 있기 때문에, 알칼리 금속 산화물 및(또는) 알칼리 토금속 산화물 소량을 첨가하여 연화점을 저하시키는 것이 필요하다. 그러나, 상기 산화물들의 양은 절연성을 불량하게 하는 이온 이동을 방지하기 위해서 최소화되야 한다.
본 발명의 유리 조성물의 구체적인 잇점은 10V 바이어스하에서 1N NaC1용액으로부터 Na + 이온의 이동에 의해 측정했을 때 고도의 밀봉 층을 얻을 수 있다는 점이다.
B. 무기 충전재
본 발명에 바람직한 무기 충전재는 매우 낮은 K값 (3.8)과 매우 높은 TCE값(11.2ppm/℃)을 갖는 알파-석영이다. 따라서, 다른 충전재들의 사용은 이 두 특성 모두를 저하시킬 수도 있다. 그러나, 조성물에 극소량(예, 0.5-5중량%)의 Al203를 첨가하면 조성물이 사용되는 기판의 휨작용을 감소시키는 매우 바람직한 효과를 얻을 수 있음을 발견하였다.
이 점에 관해서 7.2㎝ 대각선 기판(diagonal substrate)의 휨(bowing)은 1부피%의 석영을 Al203로 대체시켜 12개의 유전층을 형성하고 24회 소성시킨 후, +157미크론에서 -18미크론까지 감소하였음을 발견하였다. 소성된 조성물의 전기적 및 기계적 특성은 유전성 후막으로서 매우 만족스러운 것이었다.
물론, 유전성 층은 상당량의 석영이 유리중에 용해되려는 경향이 존재하는 동안에 소성을 여러번 행한다. 이와같이 조성물의 분산된 결정성 석영에서 용해된 무정형 실리카로의 변화는 조성물의 TCE 값을 감소시킨다. 알루미나의 첨가로인해 소성하는 동안 석영이 유리중으로 용해되는 것이 억제되고, 이로 인하여 소성층의 TCE 값이 알루미나 기판의 TCE 값과 더욱더 비슷하게 되도록 소성층의 TCE 값을 보다 크게 유지되는 것으로 생각된다.
본 발명의 조성물에 사용된 충전재는 850-950℃의 정상적인 소성 조건하에서 소성되지 않는다. 전형적인 소성 주기는 피크 온도까지 20-25분, 피크 온도에서 10분 및 25-30분의 냉각 시간으로 된다.
본 발명의 고상물에 입도는 유전상수 값에 있어서 중요하지 않다. 그러나, 양호한 그린(비소성) 밀도를 얻고 소성에 따른 수축을 억제하기 위해서는 평균 입도가 1-15미크론, 바람직하기로는 2-10미크론인 것이 중요하다.
C. 유기 매질
상술한 무기 입자들은 기계적인 혼합(예, 로울 밀)에 의해 불활성 액상 매질(비히클)과 혼합되어 스크린 프린팅에 적합한 컨시스턴시(consistency) 및 레올로지(rheology)를 갖는 페이스트 같은 조성물을 형성한다. 페이스트같은 조성물은 통상적인 방법으로 통상의 세라믹 기판상에 후막(thick film)으로 프린트된다.
유기 매질의 주 목적은 조성물의 미분 고상물을 세라믹 또는 기타 기판에 용이하게 도포될 수 있는 형태로 분산시키기 위한 비히클로서 작용하는 것이다. 따라서, 유기 매질은, 첫째 고상물들이 적당한 안정성을 유지하면서 분산될 수 있는 것이어야 한다. 둘째, 유기 매질은, 첫째 고상물들이 적당한 안정성을 유지하면서 분산될 수 있는 것이어야 한다. 둘째, 유기 매질의 레올로지 특성은 이들이 분산물에 양호한 도포 특성을 제공하는 것이어야 한다.
대부분의 후막 조성물은 스크린 프린팅법으로 기판에 도포된다. 따라서, 이들은 스크린을 용이하게 통과할 수 있도록 적당한 점도를 가져야 한다. 또한, 이들은 스크린된 후 신속하게 정착되어 양호한 해상력을 제공하기 위해서 틱소트로픽해야한다. 레올로지 특성이 무엇보다 중요하지만, 유기 매질은 또한 적당한 고상물 및 기판의 습윤성, 양호한 건조 속도, 거친 취급을 견디기에 충분한 건조 피막 강도 양호한 소성성을 제공하도록 조제되는 것이 바람직하다. 소성 조성물의 만족할 만한 외관도 또한 중요하다.
이러한 모든 기준을 고려하여 매우 다양한 액체가 유기 매질로서 사용될 수 있다. 대부분의 후막 조성물을 위한 유기 매질은 전형적으로 틱소트로피 부여제 및 습윤제를 종종 함유하는 용제중의 수지 용액이다. 이 용제들은 통상적으로 130℃-350℃ 범위 내에서 끓는다.
지금까지 상기 목적을 위해 가장 빈번하게 사용된 바람직한 수지는 에틸 셀룰로오스이다. 그러나, 에틸히드록시에틸 셀룰로오스, 송진, 에틸 셀룰로오스와 페놀 수지의 혼합물, 저급 알콜의 폴리메타크, 릴레이트 및 에틸렌 글리콜 모노아세테이트의 모노부틸 에테르와 같은 수지도 또한 사용될 수 있다.
바람직한 용제의 예로서는 케로센, 미네랄정, 디부틸프탈레이트, 부틸 카르비톨, 부틸 카르비톨 아세테이트, 헥실렌 글리콜 및 고비점 알콜 및 알콜 에스테르 등을 들 수 있다. 상기 용제등과 다른 용제들은 다양하게 배합되어 소정의 점도 및 휘발성을 얻도록 조제된다.
통상적으로 사용되는 틱소트로피 부여제 중에는 수소화 캐스터 오일(hydrogenated castor oil)과 그 유도체 및 에틸 셀룰로오스가 있다. 물론, 틱소트로피 부여제를 혼합하는 것이 반드시 필요하지는 않는데, 그 이유는 특정 현탁액에 있어서 고유 전단 회박화와 결부된 용제 수지 특성이 이 점에 있어서 단독으로 적합 할 수도 있기 때문이다. 바람직한 습윤제로서 포스페이트 에스테르 및 소야 레시틴(soya lecithin)을 들수 있다.
페이시트 분산물중의 유기 매질 대 고상물의 비는 상당히 변할 수 있으며, 분산물이 도포되는 방법 및 사용되는 유기 매질의 종류에 의존한다. 통상적으로, 분산물은 양호한 적용 범위를 얻기 위해서 40-90중량%의 고상물과 60-10중량%의 유기 매질을 상호보완적으로 함유해야 한다.
페이스트는 최종적인 소정의 조성물의 점도 및 프린트 두께에 의해 주로 결정되는 사용된 매질(비하클)상에서 편리하게 제조된다.
D. 다층 적용
본 발명의 조성물은 다층 구조 제조에 사용됨에 있어서, 귀금속 및 구리 이외의 대부분의 비금속 도체와 함께 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명의 조성물은 Ni, Au, Ag, Pd/Ag 및 Pt/Ag와 함께 사용될 수 있다. 합금되지 않은 은 금속으로 된 도체를 사용할 수 있지만, 소성하는 동안 유전층 중으로 이동하려는 은 금속의 경향 때문에 바람직하지 못하다. 그러나, 산소 방출 화합물을 제공하여 유기물의 연소를 촉진시키도록 조성물을 제공하여 유기물의 연소를 촉진시키도록 조성물을 개질시키면 구리 또한 본 발명의 조성물과 함께 사용할 수 있다. 이러한 화합물로서 Co3O4및 MnO2와 같은 물질을 들 수 있다. 이와같은 다수의 유전성 조성물과는 달리 본 발명의 조성물은 공기와 같은 산화성 분위기 또는 질소와 같은 비산화성 분위기 중에서 소성될 수 있다. 소성 분위기의 선택은 통상적으로 소성 조건하에서 전도성 금속의 산화 안정성에 의해 결정될 것이다.
[실시예 1]
유전상수가 4인 96% Al2O3의 기판상에 사용하기 적합한 밀봉성의 스크린 프린트가능한 후막 유전성 조성물은 페이스트가 2.5sec-1의 전단 속도에서 260-330Pa.s의 최종 점도를 갖도록 3/2 비율의 유리 및 석영, 그리고 5/90/5 비율의 에틸 셀룰로오스, Texanol
Figure kpo00001
용제 및 포스페이트 에스테르 습윤제로 구성된 비히클을 함께 로울 분쇄함으로써 제조하였다. 유리 조성은 72%의 SiO2, 25%의 B2O3, 1%의 Al2O3,1%의 K2O, 0.5%의 Na2O 및 0.5%의 Li2O이다. 페이스트를 스크린 프린트하고 58분 동안의 전체 사이클 시간으로 905℃의 공기중에서 6분 동안 소성시켰다. 소성된 페이스트의 두 층의 총두께는 38-48미크론이었다. 금 전극으로 측정한 유전상수는 4.0이었으며, 24회 성 후 2인치×2인치의 96% Al2O3기판의 변형은 +3밀/인치였다. (정(+)의 휨은 기판의 중심부가 가장자리보다 높다는 것을 의미한다.)
[실시예 2]
실시예 1의 조성물과 유사한 밀봉성의 스크린 프린트 가능한 후막 유전성 조성물은 1%의 석영 충전재를 Al2O3로 대체시킴으로써 제조하였다. 유전상수는 4.1이었으며, 24회 소성후 측정한 2인치×2인치의 96% Al2O3기판의 변형은 -1/인치였다.
[실시예 3]
유리가 74%의 SiO2, 15%의 B2O3, 1%의 Al2O3, 4%의 Na2O, 6%의 PbO인 것을 제외하고는 실시예 1에서와 같이 후막 유전성 조성물을 제조하고 시험하였다. 소성된 층은 4.6의 유전 상수를 가졌지만, 밀봉성이지는 않았다.
[실시예 4]
유리가 81%의 SiO2, 13%의 B2O3, 2%의 Al2O3, 4%의 Na2O로 되는 것을 제외하고는 실시예 1에서와 같이 후막 유전성 조성물을 제조하고 시험하였다. 소성된 층은 4, 3의 유전 상수를 가졌지만, 밀봉성이지는 않았다.

Claims (6)

  1. 본질적으로 (a)Al2O30.5-1.5중량% 및 알칼리 금속, 알칼리 토금속 또는 이들의 혼합물의 산화물로 되는 혼합물 1.5-4.0 중량%를 함유하며, B2O3대 SiO2의 중량비가 0.22-0.55이고, 상기 산화물의 혼합물이 유리 총량에 기초하여 0.3-1.0중량%의 Li2O를 함유하는, 납이 없는 무정형의 보로실리케이트 유리 55-75중량%, 및 알파 석영과 0.5-5.0중량%의 불활성 산화물과의 혼합물 중에서 선택된 7이상의 TCE를 갖는 세라믹 충전재 45-25중량%로 구성되는 것을 특징으로 하는 미분 고상물의 혼합물인 저 K 유전층 제조용 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 보로실리케이트 유리가 Na2O와 K2O의 혼합물 0.9-3.0중량%를 함유하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서, 유리의 보로실리케이트 성분이 본질적으로 72중량%의 SiO2와 28중량%의 B2O3로 구성되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서, 세라믹 충전재가 알파 석영과 0.5-5.0 중량%의 Al2O3의 혼합물인 것을 특징으로 하는 조성물.
  5. 유기 용제중에 용해된 수지로 되는 유기 매질 중에 분산된 제 1 항의 조성물로 되는 스크린 프린트 가능한 후막 조성물.
  6. 제 5 항에 있어서, 수지가 에틸 셀룰로오스인 것을 특징으로 하는 조성물.
KR1019890000876A 1988-01-28 1989-01-27 유전성 조성물 KR920004210B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US149507 1988-01-28
US149.507 1988-01-28
US07/149,507 US4849379A (en) 1988-01-28 1988-01-28 Dielectric composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR890012382A KR890012382A (ko) 1989-08-26
KR920004210B1 true KR920004210B1 (ko) 1992-05-30

Family

ID=22530599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890000876A KR920004210B1 (ko) 1988-01-28 1989-01-27 유전성 조성물

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4849379A (ko)
EP (1) EP0326092A3 (ko)
JP (1) JPH01226751A (ko)
KR (1) KR920004210B1 (ko)
MY (1) MY103805A (ko)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5041342A (en) * 1988-07-08 1991-08-20 Ngk Insulators, Ltd. Multilayered ceramic substrate fireable in low temperature
US5258335A (en) * 1988-10-14 1993-11-02 Ferro Corporation Low dielectric, low temperature fired glass ceramics
US5164342A (en) * 1988-10-14 1992-11-17 Ferro Corporation Low dielectric, low temperature fired glass ceramics
US5071794A (en) * 1989-08-04 1991-12-10 Ferro Corporation Porous dielectric compositions
US5024975A (en) * 1989-10-19 1991-06-18 E. I. Du Pont De Nemours And Co., Inc. Crystallizable, low dielectric constant, low dielectric loss composition
DE3935471A1 (de) * 1989-10-25 1991-05-02 Hoechst Ag Keramische stoffzusammensetzung und ihre verwendung
DK0432907T3 (da) * 1989-11-22 1995-07-10 Johnson Matthey Plc Forbedrede pastasammensætninger
US5196381A (en) * 1990-01-16 1993-03-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Metaphosphate glass composition
US5212121A (en) * 1990-06-13 1993-05-18 Mitsui Mining Company, Limited Raw batches for ceramic substrates, substrates produced from the raw batches, and production process of the substrates
US5206190A (en) * 1990-09-04 1993-04-27 Aluminum Company Of America Dielectric composition containing cordierite and glass
US5256470A (en) * 1990-10-11 1993-10-26 Aluminum Company Of America Crystal growth inhibitor for glassy low dielectric inorganic composition
US5079194A (en) * 1990-10-11 1992-01-07 Aluminum Company Of America Crystal growth inhibitor for glassy low dielectric inorganic composition
US5118643A (en) * 1990-10-25 1992-06-02 Aluminum Company Of America Low dielectric inorganic composition for multilayer ceramic package containing titanium silicate glass
JPH0723252B2 (ja) * 1991-07-31 1995-03-15 日本電気株式会社 低温焼結性低誘電率無機組成物
US5177034A (en) * 1991-11-04 1993-01-05 Aluminum Company Of America Gallium crystal growth inhibitor for glassy low dielectric inorganic composition
US5316985A (en) * 1991-12-09 1994-05-31 Aluminum Company Of America Suppression of crystal growth in low dielectric inorganic composition using ultrafine alumina
US5242867A (en) * 1992-03-04 1993-09-07 Industrial Technology Research Institute Composition for making multilayer ceramic substrates and dielectric materials with low firing temperature
US5226959A (en) * 1992-03-16 1993-07-13 Aluminum Company Of America Gallium-containing glassy low dielectric ceramic compositions
US5312784A (en) * 1992-08-07 1994-05-17 Aluminum Company Of America Devitrification inhibitor in low dielectric borosilicate glass
US5270268A (en) * 1992-09-23 1993-12-14 Aluminum Company Of America Aluminum borate devitrification inhibitor in low dielectric borosilicate glass
US5468694A (en) * 1992-11-21 1995-11-21 Yamamura Glass Co. Ltd. Composition for producing low temperature co-fired substrate
US5507502A (en) * 1994-12-07 1996-04-16 Kalplas, Inc. Packing life extender ring
JP3372733B2 (ja) * 1995-11-29 2003-02-04 京セラ株式会社 ガラスセラミック焼結体の製造方法および配線基板の製造方法
JP3323069B2 (ja) * 1996-07-22 2002-09-09 京セラ株式会社 低温焼成磁器組成物
JP3550270B2 (ja) * 1997-04-25 2004-08-04 京セラ株式会社 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器の製造方法
DE19826809A1 (de) * 1998-06-16 1999-12-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Schicht für Entladungslampen und zugehöriges Herstellungsverfahren
US6228788B1 (en) * 1998-08-21 2001-05-08 Advanced Ceramic X Corporation High-frequency ceramic inductor formulation
JP4531900B2 (ja) * 1999-12-28 2010-08-25 日本碍子株式会社 コンポジットガラス及びその製造方法
JP4298629B2 (ja) * 2003-12-26 2009-07-22 キヤノン株式会社 インクジェット記録装置
US7186461B2 (en) * 2004-05-27 2007-03-06 Delaware Capital Formation, Inc. Glass-ceramic materials and electronic packages including same
US7387838B2 (en) * 2004-05-27 2008-06-17 Delaware Capital Formation, Inc. Low loss glass-ceramic materials, method of making same and electronic packages including same
US8764993B2 (en) * 2008-04-03 2014-07-01 General Electric Company SiOC membranes and methods of making the same
JP5786878B2 (ja) 2013-02-06 2015-09-30 Tdk株式会社 誘電体磁器組成物、電子部品および複合電子部品
CN105829263B (zh) * 2013-12-19 2018-07-17 株式会社村田制作所 玻璃陶瓷材料和层叠陶瓷电子部件
JP6075481B2 (ja) * 2015-02-10 2017-02-08 Tdk株式会社 ガラスセラミックス組成物およびコイル電子部品
JP6414566B2 (ja) * 2016-05-26 2018-10-31 株式会社村田製作所 ガラス−セラミック−フェライト組成物および電子部品
RU2701611C1 (ru) * 2017-11-07 2019-09-30 Ферро Корпорэйшн Композиции диэлектрика с низкой к для применений при высоких частотах

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4591758A (en) * 1983-06-22 1986-05-27 Burroughs Corporation Gas plasma display panel containing an improved low-temperature dielectric
US4547467A (en) * 1983-06-22 1985-10-15 Burroughs Corporation Dielectric composition and devices using it
US4613648A (en) * 1984-03-29 1986-09-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Castable ceramic compositions
JPS60235744A (ja) * 1984-05-04 1985-11-22 Asahi Glass Co Ltd セラミック基板用組成物
US4654095A (en) * 1985-03-25 1987-03-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dielectric composition
US4655864A (en) * 1985-03-25 1987-04-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dielectric compositions and method of forming a multilayer interconnection using same
JPS62113758A (ja) * 1985-10-25 1987-05-25 株式会社住友金属セラミックス 低温焼成セラミツクス
JPS62209895A (ja) * 1986-03-10 1987-09-16 松下電器産業株式会社 セラミツク多層配線基板用絶縁ペ−スト

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0550451B2 (ko) 1993-07-29
EP0326092A2 (en) 1989-08-02
US4849379A (en) 1989-07-18
KR890012382A (ko) 1989-08-26
EP0326092A3 (en) 1990-03-28
JPH01226751A (ja) 1989-09-11
MY103805A (en) 1993-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920004210B1 (ko) 유전성 조성물
EP0429965B1 (en) Crystallizable glass and thick film compositions thereof
US4521329A (en) Copper conductor compositions
KR880001312B1 (ko) 크로스오버유전잉크 및 이를 이용한 다층전기회로 형성 방법과 이에 따라 제조된 회로 기판 및 전자 어셈블리
US4849380A (en) Dielectric composition
US7147804B2 (en) Terminal electrode compositions for multilayer ceramic capacitors
US3778285A (en) High k dielectric printing pastes
EP0132810A1 (en) Borosilicate glass composition
JP2003077336A (ja) 導電性ペースト及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ
US3755723A (en) Novel glasses, silver compositions and capacitors therefrom
JPH01111752A (ja) 失透性ガラスフリット
EP1443531A1 (en) Terminal electrode compositions for multilayer ceramic capacitors
KR950006199B1 (ko) 봉입재 조성물
USRE34982E (en) Thick film copper via fill inks
US4536329A (en) Borosilicate glass compositions
US3413240A (en) Compositions
EP0498409A1 (en) Partially crystallizable glass compositions
US3837869A (en) Celsian containing dielectric crossover compositions
US4567151A (en) Binder glass of Bi2 O3 -SiO2 -GeO2 (-PbO optional) admixed with ZnO/ZnO and Bi2 O3
EP0306271A1 (en) Thick film paste compositions for use with an aluminum nitride substrate
EP0201362B1 (en) Base metal resistive paints
US3505134A (en) Metalizing compositions whose fired-on coatings can be subjected to acid bath treatment and the method of using such metalizing compositions
JPH057343B2 (ko)
WO2021221172A1 (ja) 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品
JPH0426525A (ja) 被覆用ガラス組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19950308

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee