JPS62209895A - セラミツク多層配線基板用絶縁ペ−スト - Google Patents
セラミツク多層配線基板用絶縁ペ−ストInfo
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- JPS62209895A JPS62209895A JP5170686A JP5170686A JPS62209895A JP S62209895 A JPS62209895 A JP S62209895A JP 5170686 A JP5170686 A JP 5170686A JP 5170686 A JP5170686 A JP 5170686A JP S62209895 A JPS62209895 A JP S62209895A
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- insulating paste
- ceramic
- paste
- ceramic multilayer
- insulating
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- Pending
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Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体ＩＣ、チップ部品などを搭載し、かつ
それらを相互配線したセラミック多層配線基板に代表さ
れるセラミック多層配線基板用絶縁ペーストに関する。
それらを相互配線したセラミック多層配線基板に代表さ
れるセラミック多層配線基板用絶縁ペーストに関する。
従来の技術
セラミック多層配線基板の製造方法を大別すると、■厚
膜印刷法、■グリーンシート印刷法、■グリーンシート
積層法の三つの方法に分けられ名。
膜印刷法、■グリーンシート印刷法、■グリーンシート
積層法の三つの方法に分けられ名。
これらの方法の中で古くから開発が進められ一般に実用
化されているのが厚膜印刷法である。この厚膜印刷法は
、焼結済のアルミナ基板上に導体や絶縁体の厚膜用ペー
ストを使用して多層回路を形成する方法である。この方
法の利点は、厚膜用ペーストが手軽に入手できることや
工法そのものが簡単なため比較的容易に製造ができるこ
とである。
化されているのが厚膜印刷法である。この厚膜印刷法は
、焼結済のアルミナ基板上に導体や絶縁体の厚膜用ペー
ストを使用して多層回路を形成する方法である。この方
法の利点は、厚膜用ペーストが手軽に入手できることや
工法そのものが簡単なため比較的容易に製造ができるこ
とである。
厚膜印刷用絶縁ペーストとしては、アルミナペーストあ
るいはガラスペーストが知られているが、最近では、セ
ラミック・ガラス複合系絶縁ペーストが開発され、従来
のガラスペーストに比べて熱伝導率や機械的強度などの
点で優れた絶縁ペーストとして注目されている。（例え
ば、特開昭５４−８２７００号公報） 発明が解決しようとする問題点 前記、複合系絶縁ペーストのガラス成分とじては、低誘
電率、化学的安定性などの点から硼珪酸ガラスが適して
いるが、硼珪酸ガラスの熱膨張率はアルミナの１／２程
度なので、この複合系絶縁ペーストを用いてアルミナ基
板上に多層回路を形成した場合、アルミナ基板と絶縁層
との熱膨張の差が大きいために絶縁層数を多くすると絶
縁層にクランクが生じたり、基板が反ってＩＣやチップ
部品などを実装する時の障害となるなどの問題があった
。
るいはガラスペーストが知られているが、最近では、セ
ラミック・ガラス複合系絶縁ペーストが開発され、従来
のガラスペーストに比べて熱伝導率や機械的強度などの
点で優れた絶縁ペーストとして注目されている。（例え
ば、特開昭５４−８２７００号公報） 発明が解決しようとする問題点 前記、複合系絶縁ペーストのガラス成分とじては、低誘
電率、化学的安定性などの点から硼珪酸ガラスが適して
いるが、硼珪酸ガラスの熱膨張率はアルミナの１／２程
度なので、この複合系絶縁ペーストを用いてアルミナ基
板上に多層回路を形成した場合、アルミナ基板と絶縁層
との熱膨張の差が大きいために絶縁層数を多くすると絶
縁層にクランクが生じたり、基板が反ってＩＣやチップ
部品などを実装する時の障害となるなどの問題があった
。
問題点を解決するための手段
前記問題点を解決するために本発明の絶縁ペーストは、
＾ｈＯ＋とＡｈＯｚよりも熱膨張率の大きいＭｇＯとさ
らに焼結性を高めるためのＣａｂ、 ＳｉＯ□とを混合
したセラミック粉末と硼珪酸ガラス粉末とを有機性溶剤
と有機性バインダと共に混練したものである。
＾ｈＯ＋とＡｈＯｚよりも熱膨張率の大きいＭｇＯとさ
らに焼結性を高めるためのＣａｂ、 ＳｉＯ□とを混合
したセラミック粉末と硼珪酸ガラス粉末とを有機性溶剤
と有機性バインダと共に混練したものである。
作用
大きい熱膨張率を有すＭｇＯを添加することによって、
絶縁層の熱膨張率をアルミナ基板の熱膨張率に近づける
ことが可能となる。さらに、Ｃａｂ。
絶縁層の熱膨張率をアルミナ基板の熱膨張率に近づける
ことが可能となる。さらに、Ｃａｂ。
ＳｉＯ□を同時に添加することによって焼結性が良くな
り緻密な絶縁層が得られる。
り緻密な絶縁層が得られる。
実施例
以下、本発明のセラミック多層配線基板用絶縁ペースト
の一実施例について具体的に述べる。
の一実施例について具体的に述べる。
まず、ガラス粉末の作製条件は、第１表に示すガラス組
成になるように秤量し、ライカイ機で混合後、白金ルツ
ボに入れて電気炉にて１３００〜１４００℃の温度で溶
融し、溶融後すばやく水中に滴下急冷してガラスの固り
を得た。これをライカイ機で粗粉砕し、さらにボールミ
ルポットで粉砕して平均粒径２〜３μｍのガラス粉末を
作製した。また、セラミック粉末の作製条件は、第１表
に示すセラミック組成になるように秤量し、ボールミル
ポットで混合して作製した。このようにして作製したガ
ラス粉末とセラミック粉末とをガラス／セラミックの重
量比が４０／６０．５０１５０．６０／４０になるよう
に秤量し、ボールミルポットで混合後、乾燥してガラス
・セラミック混合粉末を作製した。この粉末を有機性溶
剤と有機性バインダと共に三段ロールで混練してペース
ト化した。この絶縁ペーストを５０ｍ角１１１ｍ厚で基
板の反りが１０μｍ以内に厳選したアルミナ基板上に印
刷し、乾燥後さらに印刷して、これを数回くり返した後
、電気炉にて空気中１０００℃で焼成した。各試料の焼
成後の絶縁層厚みは２５０μｍ±１０μｍであった。次
に、この試料の反り量を接触式表面あらさ計を用いて測
定した。図は測定方法を示しており、１は触針、２は測
定試料、３は試料台、４は反り量である。図に示すよう
に試料台３に測定試料２を固定して、試料の全長＆（５
０龍）の区間の反り量４を測定し表１に示した。
成になるように秤量し、ライカイ機で混合後、白金ルツ
ボに入れて電気炉にて１３００〜１４００℃の温度で溶
融し、溶融後すばやく水中に滴下急冷してガラスの固り
を得た。これをライカイ機で粗粉砕し、さらにボールミ
ルポットで粉砕して平均粒径２〜３μｍのガラス粉末を
作製した。また、セラミック粉末の作製条件は、第１表
に示すセラミック組成になるように秤量し、ボールミル
ポットで混合して作製した。このようにして作製したガ
ラス粉末とセラミック粉末とをガラス／セラミックの重
量比が４０／６０．５０１５０．６０／４０になるよう
に秤量し、ボールミルポットで混合後、乾燥してガラス
・セラミック混合粉末を作製した。この粉末を有機性溶
剤と有機性バインダと共に三段ロールで混練してペース
ト化した。この絶縁ペーストを５０ｍ角１１１ｍ厚で基
板の反りが１０μｍ以内に厳選したアルミナ基板上に印
刷し、乾燥後さらに印刷して、これを数回くり返した後
、電気炉にて空気中１０００℃で焼成した。各試料の焼
成後の絶縁層厚みは２５０μｍ±１０μｍであった。次
に、この試料の反り量を接触式表面あらさ計を用いて測
定した。図は測定方法を示しており、１は触針、２は測
定試料、３は試料台、４は反り量である。図に示すよう
に試料台３に測定試料２を固定して、試料の全長＆（５
０龍）の区間の反り量４を測定し表１に示した。
（Ｌ・人工／、’、 ｈ＞
第１表（１） ペースト成分と反り量第１表（２）ペ
ースト成分と反り量 表から、セラミック成分中のＭｇＯの添加量を多くする
に従って基板の反りが小さくなることがわかる。又、Ｍ
ｇＯの添加量が３０ｗｔ％を越えると焼結が不十分とな
り、絶縁層の内部にピンホールが多くなることがわかっ
た。さらに、基板の反りの許容範囲はＩＣやチップ部品
などの実装時の作業性を考えると５０μｍ以下が望まし
く、この点を考慮に入れるとＭｇＯの添加量としては１
０〜３０ｗｔ％の範囲が最適であるなどのことが明らか
となった。
ースト成分と反り量 表から、セラミック成分中のＭｇＯの添加量を多くする
に従って基板の反りが小さくなることがわかる。又、Ｍ
ｇＯの添加量が３０ｗｔ％を越えると焼結が不十分とな
り、絶縁層の内部にピンホールが多くなることがわかっ
た。さらに、基板の反りの許容範囲はＩＣやチップ部品
などの実装時の作業性を考えると５０μｍ以下が望まし
く、この点を考慮に入れるとＭｇＯの添加量としては１
０〜３０ｗｔ％の範囲が最適であるなどのことが明らか
となった。
発明の効果
本発明の絶縁ペーストは、熱膨張率の大きいＭｇＯを添
加することによって、絶縁層の熱膨張率をアルミナ基板
の熱膨張率に近づけることが可能となり、その結果、基
板の反りを小さくする効果があり、絶縁層厚みが２５０
μｍにおいても反り量が５０μｍ以内に押えることが可
能となりＩＣやチップ部品などの実装が容易に行なえる
など、本発明の効果は大きい。
加することによって、絶縁層の熱膨張率をアルミナ基板
の熱膨張率に近づけることが可能となり、その結果、基
板の反りを小さくする効果があり、絶縁層厚みが２５０
μｍにおいても反り量が５０μｍ以内に押えることが可
能となりＩＣやチップ部品などの実装が容易に行なえる
など、本発明の効果は大きい。
図面は、基板の反りの測定方法を示した模式図である。
１・・・・・・触針、２・・・・・・測定試料、３・・
・・・・試料台、４・・・・・・反り量。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ばか１名７−−−触
釘 ２−−一泪文試軒 ３−−ｍ−９升台 ４−一一反り量。
・・・・試料台、４・・・・・・反り量。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ばか１名７−−−触
釘 ２−−一泪文試軒 ３−−ｍ−９升台 ４−一一反り量。
Claims (1)
- セラミック混合粉末４０〜６０ｗｔ％と硼珪酸ガラス
粉末６０〜４０ｗｔ％とを有機性溶剤と有機性バインダ
と共に混練した絶縁ペーストであって、前記セラミック
混合粉末の組成がＡ１＿２Ｏ＿３６５〜８５ｗｔ％、Ｍ
ｇＯ１０〜３０ｗｔ％、ＳｉＯ＿２１〜５ｗｔ％、Ｃａ
Ｏ０．５〜４ｗｔ％であり、硼珪酸ガラス粉末の組成が
ＳｉＯ＿２６０〜９０ｗｔ％、Ｂ＿２Ｏ＿３５〜３０ｗ
ｔ％、Ａｌ＿２Ｏ＿３０．１〜１０ｗｔ％、ＢａＯ０．
１〜１０ｗｔ％、酸化アルカリ金属０．１〜６ｗｔ％で
あることを特徴とするセラミック多層配線基板用絶縁ペ
ースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5170686A JPS62209895A (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | セラミツク多層配線基板用絶縁ペ−スト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5170686A JPS62209895A (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | セラミツク多層配線基板用絶縁ペ−スト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62209895A true JPS62209895A (ja) | 1987-09-16 |
Family
ID=12894338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5170686A Pending JPS62209895A (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | セラミツク多層配線基板用絶縁ペ−スト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62209895A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6451346A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-27 | Asahi Glass Co Ltd | Glass ceramic composition |
| EP0326092A2 (en) * | 1988-01-28 | 1989-08-02 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric composition |
| EP0326093A2 (en) * | 1988-01-28 | 1989-08-02 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric composition |
| US5024975A (en) * | 1989-10-19 | 1991-06-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Co., Inc. | Crystallizable, low dielectric constant, low dielectric loss composition |
-
1986
- 1986-03-10 JP JP5170686A patent/JPS62209895A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6451346A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-27 | Asahi Glass Co Ltd | Glass ceramic composition |
| EP0326092A2 (en) * | 1988-01-28 | 1989-08-02 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric composition |
| EP0326093A2 (en) * | 1988-01-28 | 1989-08-02 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric composition |
| US5024975A (en) * | 1989-10-19 | 1991-06-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Co., Inc. | Crystallizable, low dielectric constant, low dielectric loss composition |
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