JPS6131347A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6131347A JPS6131347A JP59150832A JP15083284A JPS6131347A JP S6131347 A JPS6131347 A JP S6131347A JP 59150832 A JP59150832 A JP 59150832A JP 15083284 A JP15083284 A JP 15083284A JP S6131347 A JPS6131347 A JP S6131347A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- alumina
- conductor
- fired
- crystallized glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は酸化アルミニウムと硼珪酸亜鉛系結晶化ガラ
スフリットとからなる低温焼成可能な磁器組成物に関す
るものである。
スフリットとからなる低温焼成可能な磁器組成物に関す
るものである。
従来の技術
従来、IC基板には例えばセラミックスが用いられてき
たが、小型化、高密度化、低廉化さらには回路伝播の高
速度化に伴い、多層化の方向にある。
たが、小型化、高密度化、低廉化さらには回路伝播の高
速度化に伴い、多層化の方向にある。
そしてIC多層基板用のセラミックスとしては、主とし
てアルミナ系の材料が用いられてきた。
てアルミナ系の材料が用いられてきた。
このアルミナ系のIC多層基板は、次のようにして製造
されていた。即ち、アルミナ92〜97重量%、CaO
1%0−5ift系からなる混合粉末に有機バインダ、
溶剤を加えて泥漿とし、ドクターブレード法などのシー
ト成形法によってセラミックグリーンシートに成形し、
このシート上にタングステン、モリブデンあるいはモリ
ブデン−マンガンなどのペーストで所望の回路導体パタ
ーンを形成し、次いでシートを積み重ねて熱圧着し、こ
れを加湿水素−窒素混合ガスあるいはアンモニア分解ガ
スの雰囲気中において1600〜1700℃で焼成して
いた。
されていた。即ち、アルミナ92〜97重量%、CaO
1%0−5ift系からなる混合粉末に有機バインダ、
溶剤を加えて泥漿とし、ドクターブレード法などのシー
ト成形法によってセラミックグリーンシートに成形し、
このシート上にタングステン、モリブデンあるいはモリ
ブデン−マンガンなどのペーストで所望の回路導体パタ
ーンを形成し、次いでシートを積み重ねて熱圧着し、こ
れを加湿水素−窒素混合ガスあるいはアンモニア分解ガ
スの雰囲気中において1600〜1700℃で焼成して
いた。
発明が解決しようとする問題点
このように、アルミナからなる多層基板は高純度のアル
ミナを用い、高温で焼成する必要があるため、内部の回
路導体の材料として融点の高いタングステン、モリブデ
ンなどを用いなければならないという制約がある。従っ
て、焼成コストが高くなること、アルミナの誘電率が1
0程度あるため、信号伝播遅延や雑音が発生すること、
タングステン、モリブデンなどは導体抵抗が高く、抵抗
を下げるには導体幅を広げることで対処しなければなら
ないが、これは高密度化と逆行すること、また導体抵抗
が高いということに起因して回路の高速度化を制限する
ことなどの問題を有していた。
ミナを用い、高温で焼成する必要があるため、内部の回
路導体の材料として融点の高いタングステン、モリブデ
ンなどを用いなければならないという制約がある。従っ
て、焼成コストが高くなること、アルミナの誘電率が1
0程度あるため、信号伝播遅延や雑音が発生すること、
タングステン、モリブデンなどは導体抵抗が高く、抵抗
を下げるには導体幅を広げることで対処しなければなら
ないが、これは高密度化と逆行すること、また導体抵抗
が高いということに起因して回路の高速度化を制限する
ことなどの問題を有していた。
問題点を解決するための手段
上記の従来の問題点を解決するべく検討の結果、この発
明は低温焼結が可能で、多層化、小型化、低廉化などが
容易に実現できる磁器組成物を提供することを目的とす
るものである。
明は低温焼結が可能で、多層化、小型化、低廉化などが
容易に実現できる磁器組成物を提供することを目的とす
るものである。
また、この発明の磁器組成物は低誘電率、低誘電損失で
内部電極に〜、〜−Pd、 Cu 、 NLなどの導体
抵抗の低い材料が使用でき、従って雑音の発生が少なく
、信号伝播の遅延解消や高速度化が可能な多層基板を構
成することのできる磁器組成物を提供することを目的と
するものである。
内部電極に〜、〜−Pd、 Cu 、 NLなどの導体
抵抗の低い材料が使用でき、従って雑音の発生が少なく
、信号伝播の遅延解消や高速度化が可能な多層基板を構
成することのできる磁器組成物を提供することを目的と
するものである。
作 用
即ら、この発明の要旨とするところは、酸化アルミニウ
ム40〜70重量%と酸化亜鉛、酸化硼素、酸化珪素を
主成分とする結晶化ガラスフリット60〜30重量%か
らなる磁器組成物である。
ム40〜70重量%と酸化亜鉛、酸化硼素、酸化珪素を
主成分とする結晶化ガラスフリット60〜30重量%か
らなる磁器組成物である。
この磁器組成物の組成比を上記の範囲に限定したのは、
酸化アルミニウムが70重量%以上、結晶化ガラスフリ
ットが30重量%以下では1200℃以上でなければ焼
結せず、また緻密な焼結体が得にくい。そして酸化アル
ミニウムの量が40重量%以下で、結晶化ガラスフリッ
トが60重量%以上では900℃以下で焼結するが、焼
成温度範囲が狭く、安定した焼成品が得にくい。
酸化アルミニウムが70重量%以上、結晶化ガラスフリ
ットが30重量%以下では1200℃以上でなければ焼
結せず、また緻密な焼結体が得にくい。そして酸化アル
ミニウムの量が40重量%以下で、結晶化ガラスフリッ
トが60重量%以上では900℃以下で焼結するが、焼
成温度範囲が狭く、安定した焼成品が得にくい。
またこの発明において、酸化アルミニウムの粒子径は2
μ以下、結晶化ガラスフリットの粒子径は5μ以下が好
ましい。これは酸化アルミニウムの粒子径が2μ以上に
なると、結晶化ガラスフリットとの反応が不十分で発泡
したり、表面にガラス質が浮遊し、セラミックス基板と
して安定したものが得にくい。また結晶化ガラスフリッ
トの粒子径が5μ以上となると、安定した焼結体が得に
クク、機械的強度が1/2以下となる。
μ以下、結晶化ガラスフリットの粒子径は5μ以下が好
ましい。これは酸化アルミニウムの粒子径が2μ以上に
なると、結晶化ガラスフリットとの反応が不十分で発泡
したり、表面にガラス質が浮遊し、セラミックス基板と
して安定したものが得にくい。また結晶化ガラスフリッ
トの粒子径が5μ以上となると、安定した焼結体が得に
クク、機械的強度が1/2以下となる。
また、この磁器組成物によれば、空気中あるいは非酸化
性雰囲気中で〜、〜−Pd、 Cu 、 Njなどを導
体回路として用いられる極めて低温の900〜1100
℃で焼成可能である。
性雰囲気中で〜、〜−Pd、 Cu 、 Njなどを導
体回路として用いられる極めて低温の900〜1100
℃で焼成可能である。
これを多層回路用基板としたとき、内部導体材料として
は、負、NL、〜、〜−Pdなどがあるが、負、N(を
回路導体として使用するときは、酸化防止のため焼成雰
囲気はキャリアガスとしての窒素ガスとバインダ燃焼に
必要な加湿水素中が適当である。
は、負、NL、〜、〜−Pdなどがあるが、負、N(を
回路導体として使用するときは、酸化防止のため焼成雰
囲気はキャリアガスとしての窒素ガスとバインダ燃焼に
必要な加湿水素中が適当である。
従来から導体として用いられる出の比抵抗が2−き
×10Ω個であるのに対し、〜、〜−Pd、C11の比
抵抗は1/10以下であり、また焼結温度が900〜1
100℃という低温のため、〜の拡散、反応はほとんど
認められず、回路伝播の高速度化を考えた場合、回路導
体として〜、〜−Pd、Cu、N、が好ましい。
抵抗は1/10以下であり、また焼結温度が900〜1
100℃という低温のため、〜の拡散、反応はほとんど
認められず、回路伝播の高速度化を考えた場合、回路導
体として〜、〜−Pd、Cu、N、が好ましい。
この発明に係る磁器組成物は900〜1100℃の低温
焼成による焼成コストの大幅ダウンが得られ、しかも〜
、〜−Pd、Cu、N、などを用いると、回路導体の抵
抗が1/10以下となり、導体幅を狭くでき、小型化が
実現できるのである。さらに誘電率がアルミナに比べて
約40%低下するため、信号伝1lli遅延の回避や雑
音発生の防止が可能となり、多層基板にとって有益な結
果をもたらすことになるのである。
焼成による焼成コストの大幅ダウンが得られ、しかも〜
、〜−Pd、Cu、N、などを用いると、回路導体の抵
抗が1/10以下となり、導体幅を狭くでき、小型化が
実現できるのである。さらに誘電率がアルミナに比べて
約40%低下するため、信号伝1lli遅延の回避や雑
音発生の防止が可能となり、多層基板にとって有益な結
果をもたらすことになるのである。
実 施 例
以下、この発明を実施例によって詳細に説明する。
素原料としては粒子径が2μ以下の酸化アルミニウムと
5μ以下の酸化亜鉛、酸化硼素、酸化珪素を主成分とす
る混合粉末を一旦溶融後粉砕した粉末で、焼成して結晶
化する結晶化ガラス粉末とを用いた。
5μ以下の酸化亜鉛、酸化硼素、酸化珪素を主成分とす
る混合粉末を一旦溶融後粉砕した粉末で、焼成して結晶
化する結晶化ガラス粉末とを用いた。
次いで、素原料を第1表に示す組成比のものが得られる
ように調合し、その粉末100重量部に対し、ポリビニ
ルブチラールを5〜12重ω%、トルエンなどの有機溶
剤60〜90重量%、フタル酸エステルなどの可塑剤を
3〜6重量%加えて40時間混合した。得られたスラリ
ーを脱泡しのら、ドクターブレード法によって0.5〜
1mmの肉厚のグリーンシートになるようにシート成形
した。素材評価のためにこのシートを1インチ角に打ち
扱き、第1表に示した焼成条件で焼成した。この焼成板
の両面に銀ペーストを印刷し、800℃、30分間の条
件で銀電極を焼き付け、誘電率(ε)、誘電損失(ta
nδ)および絶縁抵抗(IR)の各電気的特性や3点曲
げ試験法による抗折強度、さらに収縮率、密iなどを測
定し、その結果を第1表に合わせて示した。
ように調合し、その粉末100重量部に対し、ポリビニ
ルブチラールを5〜12重ω%、トルエンなどの有機溶
剤60〜90重量%、フタル酸エステルなどの可塑剤を
3〜6重量%加えて40時間混合した。得られたスラリ
ーを脱泡しのら、ドクターブレード法によって0.5〜
1mmの肉厚のグリーンシートになるようにシート成形
した。素材評価のためにこのシートを1インチ角に打ち
扱き、第1表に示した焼成条件で焼成した。この焼成板
の両面に銀ペーストを印刷し、800℃、30分間の条
件で銀電極を焼き付け、誘電率(ε)、誘電損失(ta
nδ)および絶縁抵抗(IR)の各電気的特性や3点曲
げ試験法による抗折強度、さらに収縮率、密iなどを測
定し、その結果を第1表に合わせて示した。
なお、第1表*印を付したものはこの発明の範囲外のも
のであり、それ以外はこの発明の範囲内のものである。
のであり、それ以外はこの発明の範囲内のものである。
本実施例における焼成条件は、バインダー燃焼の350
℃で1時間、均一な結晶核を形成させるために600℃
で1時間、焼成温度域1000℃で1時間保持し、昇温
速度は2℃/minとし、均一で緻密な焼成体を得るも
のである。
℃で1時間、均一な結晶核を形成させるために600℃
で1時間、焼成温度域1000℃で1時間保持し、昇温
速度は2℃/minとし、均一で緻密な焼成体を得るも
のである。
一方素原料としての結晶化ガラス粉末は市販のアルカリ
金属酸化物を含まない硼珪酸亜鉛系のガラス粉末、例え
ばZn O60〜70重it%、8aQ319〜25重
量%、5i0210〜16重量%、AO2,5重量%或
いハZn 030〜55重量%、aL0325〜45重
8%、5L025〜15重量%に−0、CaO、BaO
の何れか少なくとも1種を乾式混合し、空気中で120
0〜1400℃に−(溶融したのち水中に急冷する。そ
の後ボールミルにて乾式粉砕し、5μ以下の粉末を得る
ものである。
金属酸化物を含まない硼珪酸亜鉛系のガラス粉末、例え
ばZn O60〜70重it%、8aQ319〜25重
量%、5i0210〜16重量%、AO2,5重量%或
いハZn 030〜55重量%、aL0325〜45重
8%、5L025〜15重量%に−0、CaO、BaO
の何れか少なくとも1種を乾式混合し、空気中で120
0〜1400℃に−(溶融したのち水中に急冷する。そ
の後ボールミルにて乾式粉砕し、5μ以下の粉末を得る
ものである。
第 1 表
上記第1表中*2の系は
によるものである。
上記第1表から明らかなように誘電損失、絶縁抵抗はア
ルミナと同程度であり、抗折強度はステアタイトやフォ
ルステライトよりもすぐれた値が得られた。
ルミナと同程度であり、抗折強度はステアタイトやフォ
ルステライトよりもすぐれた値が得られた。
次に上記した工程で準備したグリーンシートの上に回路
導体を構成する材料であるん、〜−Pdまたは髄、N1
ペーストを印刷し、同寸法のグリーンシートを重ねて6
0℃、500〜1000ki 4.90xの条件で熱圧
着し、〜、〜−Pdのものは空気中で、負、陳は窒素ガ
スをキャリアガスとした加湿水素中で焼成した。
導体を構成する材料であるん、〜−Pdまたは髄、N1
ペーストを印刷し、同寸法のグリーンシートを重ねて6
0℃、500〜1000ki 4.90xの条件で熱圧
着し、〜、〜−Pdのものは空気中で、負、陳は窒素ガ
スをキャリアガスとした加湿水素中で焼成した。
何れも焼成は900〜1100℃、2時間の条件で行な
った。
った。
得られた試料について、磁器と回路導体との反応性、回
路導体の比抵抗を測定したところ磁器との反応は何れも
なく、2×10Ω個以下であった。
路導体の比抵抗を測定したところ磁器との反応は何れも
なく、2×10Ω個以下であった。
導体としてんやAuを用いてもよい。
また、グリーンシートから焼成体となったときの収縮の
割合は、約4%でアルミナの15%に比べて極めて小ざ
く、寸法精度の高い焼成体が得られる。見掛比重はアル
ミナの約26%軽い2,874、機械的強度はフォルス
テライトやステアタイトより高い1800kg4以上、
線膨張係数はアルミナの約り0%小さい6.5x 10
/ ”C1表面粗さはアルミナと同程度の2〜3μであ
った。
割合は、約4%でアルミナの15%に比べて極めて小ざ
く、寸法精度の高い焼成体が得られる。見掛比重はアル
ミナの約26%軽い2,874、機械的強度はフォルス
テライトやステアタイトより高い1800kg4以上、
線膨張係数はアルミナの約り0%小さい6.5x 10
/ ”C1表面粗さはアルミナと同程度の2〜3μであ
った。
この発明の磁器組成物よりなる多層基板は内部回路導体
に〜−Pdを用いたものは、空気中での再焼成が可能で
あり、抵抗やコンデンサを厚膜により形成することが可
能である。
に〜−Pdを用いたものは、空気中での再焼成が可能で
あり、抵抗やコンデンサを厚膜により形成することが可
能である。
効 果
以上のようにこの発明の磁器組成物は、基板材料、特に
多層基板材料として従来のアルミナM板材料に比べて数
段すぐれた特性を有するものである。
多層基板材料として従来のアルミナM板材料に比べて数
段すぐれた特性を有するものである。
Claims (2)
- (1)酸化アルミニウム40〜70重量%と結晶化ガラ
スフリット60〜30重量%からなる磁器組成物。 - (2)結晶化ガラスフリットが酸化亜鉛、酸化硼素、酸
化珪素を主成分とすることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59150832A JPS6131347A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59150832A JPS6131347A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | 磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6131347A true JPS6131347A (ja) | 1986-02-13 |
Family
ID=15505358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59150832A Pending JPS6131347A (ja) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6131347A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6437454A (en) * | 1987-08-01 | 1989-02-08 | Nippon Funen Kk | Production of pottery product |
EP1003695A1 (en) * | 1997-08-11 | 2000-05-31 | Colorobbia Italia S.p.a. | Glass-ceramics process for their preparation and use |
JP2001010868A (ja) * | 1999-06-22 | 2001-01-16 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品 |
-
1984
- 1984-07-19 JP JP59150832A patent/JPS6131347A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6437454A (en) * | 1987-08-01 | 1989-02-08 | Nippon Funen Kk | Production of pottery product |
EP1003695A1 (en) * | 1997-08-11 | 2000-05-31 | Colorobbia Italia S.p.a. | Glass-ceramics process for their preparation and use |
JP2001010868A (ja) * | 1999-06-22 | 2001-01-16 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品 |
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