JP3494184B2 - ガラスセラミックス組成物 - Google Patents
ガラスセラミックス組成物Info
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- ceramic composition
- sintering
- ceramic
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
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- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミックス多層基板の
作製に用いられるガラスセラミックス組成物に関するも
のであり、特に高周波帯域を利用する通信機器等の回路
基板に好適なセラミックス多層基板の作製に用いられる
ガラスセラミックス組成物に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、厚膜回路部品、ＩＣ、ＬＳＩ等が
高密度実装されるセラミックス多層基板の絶縁材料とし
て、アルミナセラミックスや、ガラス粉末とセラミック
ス粉末とからなるガラスセラミックス組成物が知られて
いる。中でもガラスセラミックス組成物は、１０００℃
以下の温度で焼結することができるため、導体抵抗の低
いＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の低融点の金属材料を内層導体と
して使用することが可能になり、注目されている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】近年、通信機器の分野
においては、利用される周波数帯域が１ＧＨｚ以上の高
周波となりつつあるが、このような高周波帯域を利用す
る通信機器の回路基板としてガラスセラミックス組成物
を用いて作製した多層基板を使用することが検討されて
いる。 【０００４】ところでこのような回路基板では、高周波
帯域での伝送損失の少ないＣｕを内層導体として用いる
ことが望ましいとされているが、Ｃｕは高温で酸化し易
いために基板との同時焼成はＮ2 等の中性雰囲気で行わ
れる。しかしながら中性雰囲気で多層基板を焼成した場
合、従来のガラスセラミックス組成物では緻密な焼結体
が得られず、基板の強度が著しく劣るという問題を有し
ている。即ち、多層基板は通常グリーンシート成形法に
よって作製されるためにバインダー成分を含んでいる
が、中性雰囲気中ではバインダー成分の分解温度が高く
なり、バインダー成分が分解して飛散する前にガラスセ
ラミックス組成物が焼結してしまい、緻密な焼結体が得
られなくなるためである。 【０００５】また、高周波回路基板に求められる他の特
性として、高周波帯域での誘電正接（ｔａｎδ）が小さ
いことが挙げられる。つまり高周波回路では、高速の微
弱な信号を扱うために送信線の伝送損失を低く抑える必
要があり、そのためには基板の誘電正接が小さくなけれ
ばならない。しかしながら従来より知られているガラス
セラミックス組成物では、このような誘電正接の小さい
多層基板を得ることができないのが現状である。 【０００６】本発明の目的は、１０００℃以下の低い温
度で焼結するとともに、中性雰囲気で焼成しても緻密な
焼結体が得られ、しかも高周波回路に十分対応できる低
い誘電正接を有するセラミックス多層基板を作製するこ
とが可能なガラスセラミックス組成物を提供することに
ある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明者等は種々の実験
を行った結果、中性雰囲気での焼成でバインダー成分を
完全に除去するためには、ガラスセラミックス組成物の
焼結開始温度が８００℃以上であればよいことを見いだ
し、本発明を提案するに至った。 【０００８】即ち、本発明のガラスセラミックス組成物
は、重量百分率でガラス粉末 ４０〜７０％、セラミッ
クス粉末 ６０〜３０％からなり、該ガラス粉末がＳｉ
Ｏ2４０〜５０％、Ａｌ2 Ｏ3 １５〜２５％、Ｂ2 Ｏ3
２０〜３０％、アルカリ土類金属酸化物 ５〜１０％、
ＺｒＯ2 １〜５％、アルカリ金属酸化物 ０〜１％から
なることを特徴とする。 【０００９】 【作用】本発明のガラスセラミックス組成物は、各成分
の含有量を上記した範囲に限定することにより、焼結開
始温度が８００℃以上で、しかも高周波帯域における誘
電正接が小さいセラミックス多層基板を作製することが
できる。 【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。 【００１１】本発明のガラスセラミックス組成物は、４
０〜７０％のガラス粉末と３０〜６０％のセラミックス
粉末とからなる。ガラス粉末の含有量が４０％未満、即
ち、セラミックス粉末が６０％を超えると、焼結体が緻
密化しないために基板強度が著しく低下する。またガラ
ス粉末の含有量が７０％を超えると、即ちセラミックス
粉末が３０％未満であると、焼結後にガラス成分が基板
表面から浮き出るために表面に印刷した導体との接着強
度が低下する。 【００１２】本発明において、ガラス粉末の組成を上記
のように限定した理由を述べる。 【００１３】ＳｉＯ2 はガラスのネットワークフォーマ
ーであり、その含有量は４０〜５０％である。ＳｉＯ2
が４０％より少ないと軟化点が低くなりすぎて焼結開始
温度が低くなり、バインダー成分が飛散する前に焼結が
始まるため、緻密な焼結体が得られなくなる。また焼結
体を再加熱すると変形し易くなり好ましくない。一方５
０％より多いと軟化点が高くなりすぎ、１０００℃以下
の温度で焼結し難くなる。 【００１４】Ａｌ2 Ｏ3 はガラスの軟化点を上げて焼結
開始温度を高めるとともに、高温多湿の条件下で使用し
ても基板の変質が起こらないように耐水性を向上させる
成分であり、その含有量は１５〜２５％である。Ａｌ2
Ｏ3 が１５％より少ないと焼結開始温度が低くなるとと
もに焼結体の耐水性が悪くなる。一方２５％より多いと
軟化点が高くなりすぎて１０００℃以下の温度で焼結し
難くなる。 【００１５】Ｂ2 Ｏ3 はガラス化を容易にする成分であ
り、その含有量は２０〜３０％である。Ｂ2 Ｏ3 が２０
％より少ないとガラス化し難くなるとともに、１０００
℃以下の温度では緻密な焼結体が得られなくなる。一方
３０％より多くなると耐水性が低下する。 【００１６】アルカリ土類金属酸化物はガラスの溶解性
を向上させる成分であり、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及び
ＢａＯの群から選ばれるの１種以上を５〜１０％含有す
る。アルカリ土類金属酸化物が５％より少ないと溶解性
が悪くなって失透し易くなり、１０％より多いと熱膨張
係数が大きくなりすぎる。 【００１７】ＺｒＯ2 は焼結開始温度を高める成分であ
り、１〜５％含有する。ＺｒＯ2 が１％より少ないとそ
の効果が少なく、５％より多いと溶解性が悪くなる。 【００１８】アルカリ金属酸化物はガラスの溶解性を向
上させる成分であり、Ｌｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ及びＫ2 Ｏの
群から選ばれる１種以上を１％まで含有してもよいが、
これより多くなると高周波帯域での誘電正接が大きくな
るため好ましくない。 【００１９】本発明において使用するセラミックス粉末
としては、例えばアルミナ、ムライト、ジルコン、ジル
コニア、コージエライトの群から選ばれる１種以上であ
ることが好ましい。 【００２０】次に、本発明のガラスセラミックス組成物
を用いたセラミックス多層基板の作製方法の一例を述べ
る。 【００２１】まず上記組成を有するガラス粉末とセラミ
ックス粉末を所定の混合割合で秤取し、バインダー、可
塑剤及び溶剤等と混合してスラリーを調製する。バイン
ダーとしては、例えばポリビニルブチラール樹脂やメタ
アクリル酸樹脂等を用いることができ、可塑剤としては
フタル酸ジブチル等を使用することができる。また溶剤
としては、例えばトルエン、メチルエチルケトン等を用
いることができる。 【００２２】このようにして得られたスラリーをポリエ
ステルフィルム上にドクターブレード法により塗布し、
厚み０．２ｍｍ程度のグリーンシートを製造する。これ
を乾燥し、所定の大きさに切断した後、各グリーンシー
トに機械的加工によりスルーホールを形成し、導体とな
るＣｕペーストをスルーホール及びグリーンシート表面
に印刷し形成する。さらにこれらのグリーンシートを複
数枚積層し、熱圧着により一体化する。 【００２３】続いてこの積層グリーンシートをＮ2 雰囲
気中で毎分３℃の速度で昇温し、８００℃の温度で２時
間保持することによって、グリーンシート中のバインダ
ー、可塑剤等の有機物質を除去する。その後毎分１０℃
の速度で９５０〜１０００℃まで昇温し、１時間保持し
て焼結させ、多層基板を得る。 【００２４】 【実施例】以下、本発明のガラスセラミックス組成物
を、実施例に基づいて説明する。 【００２５】表１は、本発明の実施例（試料Ｎｏ．１〜
６）及び比較例（試料Ｎｏ．７〜９）を示している。 【００２６】 【表１】 【００２７】まず表１のガラス組成となるようにガラス
原料を調合し、これを白金ルツボ中に入れ、１５５０℃
で２時間保持して溶融した。次にこの溶融ガラスを急冷
して薄板状に成形した後、アルミナボールで粉砕し分級
することによって平均粒径が約２μｍのガラス粉末を得
た。 【００２８】このようにして得られたガラス粉末を表１
に示す各種セラミックス粉末と所定の割合で混合して試
料を作製し、焼結開始温度、焼結終了温度、脱バインダ
ー性、誘電正接について評価した。結果を表１に示す。 【００２９】表１から明らかなように、本発明の実施例
である試料Ｎｏ．１〜６は、焼結開始温度が８２０〜８
５０℃、焼結終了温度が９４０〜９７０℃であり、脱バ
インダー性が良好であった。また１ＧＨｚにおける誘電
正接も２０×１０-4以下の低い値を示していた。 【００３０】これに対して比較例である試料Ｎｏ．７
は、誘電正接が２０×１０-4であり、実施例と同等の値
を示したものの、ＳｉＯ2 の含有量が本発明の範囲より
も少ないガラス粉末を使用しているために、脱バインダ
ー性が不完全であった。試料Ｎｏ．８は、アルカリ金属
酸化物を多量に含むガラス粉末を使用しており、誘電正
接の値が１３０×１０-4と著しく大きくなっていた。ま
た試料Ｎｏ．９は、Ｂ2Ｏ3 の含有量が本発明の範囲よ
りも少ないガラス粉末を使用しているために、焼結終了
温度が１１００℃であり、１０００℃以下では緻密な焼
結体が得られなかった。 【００３１】なお焼結開始温度と焼結終了温度は、各試
料を直径５ｍｍ、長さ２０ｍｍの円柱状試験体にプレス
成形した後、熱機械分析装置により、焼結開始温度及び
焼結終了温度を測定した。脱バインダー性は次のように
して評価した。まず、試料１００ｇに対し、ポリビニル
ブチラール１２ｇ、フタル酸ジブチル３ｇ及びトルエン
６０ｍｌを混合調製してスラリーを得、ドクターブレー
ド法によりシート成型した。次いで得られたシートをＮ
2 中、１０００℃で１０分間焼成した後、得られた焼結
体の色を観察し、白色のものを○、カーボンの残留によ
りグレーとなったものを×とした。誘電正接の測定は、
７×７×７０ｍｍの角柱状試験体を作製し、Ｎ2 中、１
０００℃で１０分間焼成した後、空洞共振器法により１
ＧＨｚにおける値を測定した。 【００３２】 【発明の効果】以上のように、本発明のガラスセラミッ
クス組成物は、１０００℃以下の温度で焼結するととも
に、中性雰囲気で焼成しても完全にバインダーを除去で
きるために緻密な焼結体を得ることができる。しかも高
周波帯域における誘電正接が低いために、高周波帯域を
利用する通信機器等の回路基板に好適なセラミックス多
層基板を作製することが可能である。
作製に用いられるガラスセラミックス組成物に関するも
のであり、特に高周波帯域を利用する通信機器等の回路
基板に好適なセラミックス多層基板の作製に用いられる
ガラスセラミックス組成物に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、厚膜回路部品、ＩＣ、ＬＳＩ等が
高密度実装されるセラミックス多層基板の絶縁材料とし
て、アルミナセラミックスや、ガラス粉末とセラミック
ス粉末とからなるガラスセラミックス組成物が知られて
いる。中でもガラスセラミックス組成物は、１０００℃
以下の温度で焼結することができるため、導体抵抗の低
いＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の低融点の金属材料を内層導体と
して使用することが可能になり、注目されている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】近年、通信機器の分野
においては、利用される周波数帯域が１ＧＨｚ以上の高
周波となりつつあるが、このような高周波帯域を利用す
る通信機器の回路基板としてガラスセラミックス組成物
を用いて作製した多層基板を使用することが検討されて
いる。 【０００４】ところでこのような回路基板では、高周波
帯域での伝送損失の少ないＣｕを内層導体として用いる
ことが望ましいとされているが、Ｃｕは高温で酸化し易
いために基板との同時焼成はＮ2 等の中性雰囲気で行わ
れる。しかしながら中性雰囲気で多層基板を焼成した場
合、従来のガラスセラミックス組成物では緻密な焼結体
が得られず、基板の強度が著しく劣るという問題を有し
ている。即ち、多層基板は通常グリーンシート成形法に
よって作製されるためにバインダー成分を含んでいる
が、中性雰囲気中ではバインダー成分の分解温度が高く
なり、バインダー成分が分解して飛散する前にガラスセ
ラミックス組成物が焼結してしまい、緻密な焼結体が得
られなくなるためである。 【０００５】また、高周波回路基板に求められる他の特
性として、高周波帯域での誘電正接（ｔａｎδ）が小さ
いことが挙げられる。つまり高周波回路では、高速の微
弱な信号を扱うために送信線の伝送損失を低く抑える必
要があり、そのためには基板の誘電正接が小さくなけれ
ばならない。しかしながら従来より知られているガラス
セラミックス組成物では、このような誘電正接の小さい
多層基板を得ることができないのが現状である。 【０００６】本発明の目的は、１０００℃以下の低い温
度で焼結するとともに、中性雰囲気で焼成しても緻密な
焼結体が得られ、しかも高周波回路に十分対応できる低
い誘電正接を有するセラミックス多層基板を作製するこ
とが可能なガラスセラミックス組成物を提供することに
ある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明者等は種々の実験
を行った結果、中性雰囲気での焼成でバインダー成分を
完全に除去するためには、ガラスセラミックス組成物の
焼結開始温度が８００℃以上であればよいことを見いだ
し、本発明を提案するに至った。 【０００８】即ち、本発明のガラスセラミックス組成物
は、重量百分率でガラス粉末 ４０〜７０％、セラミッ
クス粉末 ６０〜３０％からなり、該ガラス粉末がＳｉ
Ｏ2４０〜５０％、Ａｌ2 Ｏ3 １５〜２５％、Ｂ2 Ｏ3
２０〜３０％、アルカリ土類金属酸化物 ５〜１０％、
ＺｒＯ2 １〜５％、アルカリ金属酸化物 ０〜１％から
なることを特徴とする。 【０００９】 【作用】本発明のガラスセラミックス組成物は、各成分
の含有量を上記した範囲に限定することにより、焼結開
始温度が８００℃以上で、しかも高周波帯域における誘
電正接が小さいセラミックス多層基板を作製することが
できる。 【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。 【００１１】本発明のガラスセラミックス組成物は、４
０〜７０％のガラス粉末と３０〜６０％のセラミックス
粉末とからなる。ガラス粉末の含有量が４０％未満、即
ち、セラミックス粉末が６０％を超えると、焼結体が緻
密化しないために基板強度が著しく低下する。またガラ
ス粉末の含有量が７０％を超えると、即ちセラミックス
粉末が３０％未満であると、焼結後にガラス成分が基板
表面から浮き出るために表面に印刷した導体との接着強
度が低下する。 【００１２】本発明において、ガラス粉末の組成を上記
のように限定した理由を述べる。 【００１３】ＳｉＯ2 はガラスのネットワークフォーマ
ーであり、その含有量は４０〜５０％である。ＳｉＯ2
が４０％より少ないと軟化点が低くなりすぎて焼結開始
温度が低くなり、バインダー成分が飛散する前に焼結が
始まるため、緻密な焼結体が得られなくなる。また焼結
体を再加熱すると変形し易くなり好ましくない。一方５
０％より多いと軟化点が高くなりすぎ、１０００℃以下
の温度で焼結し難くなる。 【００１４】Ａｌ2 Ｏ3 はガラスの軟化点を上げて焼結
開始温度を高めるとともに、高温多湿の条件下で使用し
ても基板の変質が起こらないように耐水性を向上させる
成分であり、その含有量は１５〜２５％である。Ａｌ2
Ｏ3 が１５％より少ないと焼結開始温度が低くなるとと
もに焼結体の耐水性が悪くなる。一方２５％より多いと
軟化点が高くなりすぎて１０００℃以下の温度で焼結し
難くなる。 【００１５】Ｂ2 Ｏ3 はガラス化を容易にする成分であ
り、その含有量は２０〜３０％である。Ｂ2 Ｏ3 が２０
％より少ないとガラス化し難くなるとともに、１０００
℃以下の温度では緻密な焼結体が得られなくなる。一方
３０％より多くなると耐水性が低下する。 【００１６】アルカリ土類金属酸化物はガラスの溶解性
を向上させる成分であり、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及び
ＢａＯの群から選ばれるの１種以上を５〜１０％含有す
る。アルカリ土類金属酸化物が５％より少ないと溶解性
が悪くなって失透し易くなり、１０％より多いと熱膨張
係数が大きくなりすぎる。 【００１７】ＺｒＯ2 は焼結開始温度を高める成分であ
り、１〜５％含有する。ＺｒＯ2 が１％より少ないとそ
の効果が少なく、５％より多いと溶解性が悪くなる。 【００１８】アルカリ金属酸化物はガラスの溶解性を向
上させる成分であり、Ｌｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ及びＫ2 Ｏの
群から選ばれる１種以上を１％まで含有してもよいが、
これより多くなると高周波帯域での誘電正接が大きくな
るため好ましくない。 【００１９】本発明において使用するセラミックス粉末
としては、例えばアルミナ、ムライト、ジルコン、ジル
コニア、コージエライトの群から選ばれる１種以上であ
ることが好ましい。 【００２０】次に、本発明のガラスセラミックス組成物
を用いたセラミックス多層基板の作製方法の一例を述べ
る。 【００２１】まず上記組成を有するガラス粉末とセラミ
ックス粉末を所定の混合割合で秤取し、バインダー、可
塑剤及び溶剤等と混合してスラリーを調製する。バイン
ダーとしては、例えばポリビニルブチラール樹脂やメタ
アクリル酸樹脂等を用いることができ、可塑剤としては
フタル酸ジブチル等を使用することができる。また溶剤
としては、例えばトルエン、メチルエチルケトン等を用
いることができる。 【００２２】このようにして得られたスラリーをポリエ
ステルフィルム上にドクターブレード法により塗布し、
厚み０．２ｍｍ程度のグリーンシートを製造する。これ
を乾燥し、所定の大きさに切断した後、各グリーンシー
トに機械的加工によりスルーホールを形成し、導体とな
るＣｕペーストをスルーホール及びグリーンシート表面
に印刷し形成する。さらにこれらのグリーンシートを複
数枚積層し、熱圧着により一体化する。 【００２３】続いてこの積層グリーンシートをＮ2 雰囲
気中で毎分３℃の速度で昇温し、８００℃の温度で２時
間保持することによって、グリーンシート中のバインダ
ー、可塑剤等の有機物質を除去する。その後毎分１０℃
の速度で９５０〜１０００℃まで昇温し、１時間保持し
て焼結させ、多層基板を得る。 【００２４】 【実施例】以下、本発明のガラスセラミックス組成物
を、実施例に基づいて説明する。 【００２５】表１は、本発明の実施例（試料Ｎｏ．１〜
６）及び比較例（試料Ｎｏ．７〜９）を示している。 【００２６】 【表１】 【００２７】まず表１のガラス組成となるようにガラス
原料を調合し、これを白金ルツボ中に入れ、１５５０℃
で２時間保持して溶融した。次にこの溶融ガラスを急冷
して薄板状に成形した後、アルミナボールで粉砕し分級
することによって平均粒径が約２μｍのガラス粉末を得
た。 【００２８】このようにして得られたガラス粉末を表１
に示す各種セラミックス粉末と所定の割合で混合して試
料を作製し、焼結開始温度、焼結終了温度、脱バインダ
ー性、誘電正接について評価した。結果を表１に示す。 【００２９】表１から明らかなように、本発明の実施例
である試料Ｎｏ．１〜６は、焼結開始温度が８２０〜８
５０℃、焼結終了温度が９４０〜９７０℃であり、脱バ
インダー性が良好であった。また１ＧＨｚにおける誘電
正接も２０×１０-4以下の低い値を示していた。 【００３０】これに対して比較例である試料Ｎｏ．７
は、誘電正接が２０×１０-4であり、実施例と同等の値
を示したものの、ＳｉＯ2 の含有量が本発明の範囲より
も少ないガラス粉末を使用しているために、脱バインダ
ー性が不完全であった。試料Ｎｏ．８は、アルカリ金属
酸化物を多量に含むガラス粉末を使用しており、誘電正
接の値が１３０×１０-4と著しく大きくなっていた。ま
た試料Ｎｏ．９は、Ｂ2Ｏ3 の含有量が本発明の範囲よ
りも少ないガラス粉末を使用しているために、焼結終了
温度が１１００℃であり、１０００℃以下では緻密な焼
結体が得られなかった。 【００３１】なお焼結開始温度と焼結終了温度は、各試
料を直径５ｍｍ、長さ２０ｍｍの円柱状試験体にプレス
成形した後、熱機械分析装置により、焼結開始温度及び
焼結終了温度を測定した。脱バインダー性は次のように
して評価した。まず、試料１００ｇに対し、ポリビニル
ブチラール１２ｇ、フタル酸ジブチル３ｇ及びトルエン
６０ｍｌを混合調製してスラリーを得、ドクターブレー
ド法によりシート成型した。次いで得られたシートをＮ
2 中、１０００℃で１０分間焼成した後、得られた焼結
体の色を観察し、白色のものを○、カーボンの残留によ
りグレーとなったものを×とした。誘電正接の測定は、
７×７×７０ｍｍの角柱状試験体を作製し、Ｎ2 中、１
０００℃で１０分間焼成した後、空洞共振器法により１
ＧＨｚにおける値を測定した。 【００３２】 【発明の効果】以上のように、本発明のガラスセラミッ
クス組成物は、１０００℃以下の温度で焼結するととも
に、中性雰囲気で焼成しても完全にバインダーを除去で
きるために緻密な焼結体を得ることができる。しかも高
周波帯域における誘電正接が低いために、高周波帯域を
利用する通信機器等の回路基板に好適なセラミックス多
層基板を作製することが可能である。
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フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 35/00 - 35/22
C03C 1/00 - 14/00
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 重量百分率でガラス粉末 ４０〜７０
％、セラミックス粉末６０〜３０％からなり、該ガラス
粉末がＳｉＯ2 ４０〜５０％、Ａｌ2 Ｏ3 １５〜２５
％、Ｂ2 Ｏ3 ２０〜３０％、アルカリ土類金属酸化物
５〜１０％、ＺｒＯ2 １〜５％、アルカリ金属酸化物
０〜１％からなることを特徴とするガラスセラミックス
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26556893A JP3494184B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | ガラスセラミックス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26556893A JP3494184B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | ガラスセラミックス組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0797236A JPH0797236A (ja) | 1995-04-11 |
| JP3494184B2 true JP3494184B2 (ja) | 2004-02-03 |
Family
ID=17418926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26556893A Expired - Lifetime JP3494184B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | ガラスセラミックス組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3494184B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100478049B1 (ko) * | 2002-06-14 | 2005-03-23 | 삼화콘덴서공업주식회사 | 고유전율계 자기 조성물 |
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1993
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