JP4569000B2

JP4569000B2 - 高周波用低温焼結誘電体材料およびその焼結体

Info

Publication number: JP4569000B2
Application number: JP2000386288A
Authority: JP
Inventors: 芳夫馬屋原
Original assignee: Nippon Electric Glass Co Ltd
Current assignee: Nippon Electric Glass Co Ltd
Priority date: 2000-12-20
Filing date: 2000-12-20
Publication date: 2010-10-27
Anticipated expiration: 2020-12-20
Also published as: JP2002187768A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は配線基板や回路部品の作製に用いられ、１０００℃以下の低温で焼結できる誘電体材料とその焼結体に関するものであり、特に携帯電話、近距離無線通信、無線ＬＡＮ等の用途に用いられる高周波回路に十分対応できる低い比誘電率と誘電損失を有する誘電体材料と、その焼結体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
配線基板や回路部品として従来広く使用されてきたアルミナセラミックは比誘電率が１０と高く、信号処理の速度が遅いという欠点がある。また、導体材料に高融点金属のタングステンを使用するため、導体損失が高くなる。その欠点を補うために開発されたガラスセラミックス誘電体材料は、ガラスとアルミナフィラーの複合材料で比誘電率が６〜８とアルミナセラミックスよりも低い。また、１０００℃以下の温度で焼成できるので、導体損失の低い銀、銅を内部導体として使用できるという長所がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、信号処理の周波数がさらに高くなってきており、誘電体材料の誘電率をさらに下げたいという要求が高まってきている。
【０００４】
本発明の目的は１０００℃以下の温度で焼成でき、しかも高周波回路部品として使用可能な低比誘電率、低誘電損失を有する誘電体材料を提供することである。また、アルミナセラミックスの熱膨張係数と大差がなく、既存のオーバーコートガラスが使用できる誘電体材料を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
また本発明の焼結体は、質量百分率で、酸化物に換算してＳｉＯ₂ ７０〜８５％、Ｂ₂Ｏ₃ １０〜２５％、Ｋ₂Ｏ０．５〜５％、Ａｌ₂Ｏ₃ ０．０１〜１％の４成分からなるホウ珪酸ガラス５０〜９０％とα−石英、α−クリストバライト、β−トリジマイトの群から選ばれる１種以上のＳｉＯ₂フィラー１０〜５０％からなる原料粉末を焼結させてなり、２．４ＧＨｚでの比誘電率が３〜３．９、誘電損失が０．００３以下であることを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の高周波用低温焼結誘電体材料は、１０００℃以下の温度で銀もしくは銅の導体材料と同時焼成できる。またその焼結体は、比誘電率が３〜３．９、誘電失が０．００３以下の特性を有する。
【０００８】
本発明の誘電体材料は、ホウ珪酸ガラスとＳｉＯ₂フィラーからなるガラスセラミックス複合材料である。
【０００９】
ホウ珪酸ガラスの組成を上記のように限定した理由を以下に述べる。
【００１０】
ＳｉＯ₂はホウ珪酸ガラスの主成分である。ＳｉＯ₂が８５％より多いと焼結温度が１０００℃以上となる。また、７０％より少ないと誘電率が４以下とならない。ＳｉＯ₂の好適な範囲は７８〜８３％である。
【００１１】
Ｂ₂Ｏ₃はガラスの粘度を下げる成分である。Ｂ₂Ｏ₃が２５％より多いと耐水性が劣化する。また、１０％より少ないと焼結温度が１０００℃以上となる。Ｂ₂Ｏ₃の好適な範囲は１６〜２０％である。
【００１２】
Ｋ₂Ｏはガラスの溶融温度を下げるとともに、銀を導体材料として選択した場合は、銀の拡散を抑制する効果がある。Ｋ₂Ｏが５％を超えると高周波の誘電損失が高くなり、熱膨張係数も高くなる。また０．５％より少ないと溶融温度を下げる効果がない。Ｋ₂Ｏの好適な範囲は１〜３％である。
【００１３】
Ａｌ₂Ｏ₃はガラスの化学的耐久性を向上させるとともに、絶縁耐電圧を向上させる成分である。Ａｌ₂Ｏ₃が０．０１％より少ないと、化学的耐久性が悪くなり、粉砕やシート成型時の湿式プロセス中でアルカリ（Ｋ₂Ｏ）が溶出しやすくなる。また、そのため絶縁耐電圧も低下し、基板や部品の小型化に伴って誘電体層が薄肉化されるとショートし易くなる。Ａｌ₂Ｏ₃が１％よりも多いとガラスの溶融温度が高くなりすぎる。Ａｌ₂Ｏ₃の好適な範囲は０．０１〜０．５％である。
【００１４】
また本発明の高周波用低温焼結誘電体材料において使用するＳｉＯ₂フィラーは、α−石英、α−クリストバライト、β−トリジマイトの群から選ばれる１種以上である。これらのフィラーを選択した理由は誘電率、誘電損失が低いため、結果として複合材料の誘電率、誘電損失を低くできるためである。
【００１５】
本発明において、ガラスとフィラーの割合は、ガラス５０〜９０質量％、好ましくは６０〜８０重量％、フィラー１０〜５０重量％、好ましくは２０〜４０質量％である。このように限定した理由は、フィラーが５０％より多いと緻密化しなくなり、１０％よりも少ないと曲げ強度が低くなり過ぎるとともに、低誘電損失を達成し難くなるためである。
【００１６】
上記構成からなる本発明の材料は、例えばグリーンシートの形態で使用することができる。
【００１７】
グリーンシートとして使用する場合、上記組成を有するように調合されたガラスセラミックス原料粉末の混合物からなる誘電体材料と共に、結合剤、可塑剤及び溶剤を使用する。
【００１８】
誘電体材料のグリーンシート中の含有量は、６０〜８０質量％程度が一般的である。
【００１９】
結合剤は、乾燥後の膜強度を高め、また柔軟性を付与する成分であり、その含有量は、５〜３０質量％程度が一般的である。結合剤としてはポリビニルブチラール、ポリブチルメタアクリレート、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタアクリレート、ポリエチルメタアクリレート、エチルセルロース等が使用可能であり、これらを単独あるいは混合して使用する。
【００２０】
可塑剤は、乾燥速度をコントロールすると共に、乾燥膜に柔軟性を与える成分であり、その含有量は０．１〜１０質量％程度が一般的である。可塑剤としてはブチルベンジルフタレート、ジオクチルフタレート、ジイソオクチルフタレート、ジカプリルフタレート、ジブチルフタレート等が使用可能であり、これらを単独あるいは混合して使用する。
【００２１】
溶剤としては、例えばトルエン、メチルエチルケトン等を使用することができる。
【００２２】
グリーンシートを作製する一般的な方法としては、誘電体材料粉末、結合剤、可塑剤、及び溶剤からなるスラリーを、ドクターブレード法によってポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のフィルムの上にシート成形する。シート成形後、乾燥させることによって溶媒や溶剤を除去し、グリーンシートとすることができる。
【００２３】
次に本発明の焼結体を説明する。
【００２４】
本発明の焼結体は、上記グリーンシート等の形態で提供される誘電体材料を９００〜１０００℃の温度で２０〜１２０分間焼成して焼結させたものであり、誘電率及び誘電損失が低いという特徴を有している。
【００２５】
本発明の焼結体は、種々の用途に適用可能である。例えば多層基板の絶縁層用途の場合、乾燥させた上記グリーンシートを所定寸法に切断してから、機械的加工を施してスルーホールを形成し、導体や電極となる低抵抗金属材料をスルーホール及びグリーンシート表面に印刷する。続いてグリーンシートの複数枚を積層し、熱圧着によって一体化する。さらに積層グリーンシートを焼成することによって、ガラスセラミックスからなる絶縁層（焼結体）を有する多層基板を得ることができる。なお多層基板用途以外にも、半導体パッケージや積層チップ部品等種々の電子部品の構成材として使用することが可能である。
【００２６】
【実施例】
以下、実施例に基づいて、本発明を詳述する。
【００２７】
【表１】

【００２８】
【表２】

【００２９】
まず表に示す組成となるようにガラス原料を調合した後、白金坩堝に入れて１５００〜１６００℃で３〜６時間溶融してから、水冷ローラーによって薄板状に成形した。次いでこの成形体をボールミルにより粗砕した後、アルコールを加えて湿式粉砕し、平均粒径が０．５〜３μｍのガラス粉末とした。さらに表に示したセラミック粉末（平均粒径２μｍ）を添加し、混合して試料を得た。
【００３０】
次に各試料に、結合剤としてポリビニルブチラールを１５質量％、可塑剤としてブチルベンジルフタレートを４質量％、及び溶剤としてトルエンを３０質量％添加してスラリーを調製した。次いで上記のスラリーを、ドクターブレード法によってグリーンシートに成形し、乾燥させ、所定寸法に切断した後、複数枚を積層し、熱圧着によって一体化した。さらに積層グリーンシートを、焼成することによって焼結体を得た。
【００３１】
焼成温度は、種々の温度で焼成した焼結体にインクを塗布した後に拭き取り、インクが残らない（＝緻密に焼結した）試料のうち最低の温度で焼成したものの焼成温度を記載した。また得られた焼結体について、誘電率、誘電損失、熱膨張係数、アルカリ（Ｋ₂Ｏ）溶出量を評価した。結果を各表に示す。
【００３２】
表から明らかなように、実施例Ｎｏ．１〜４の各試料は、１０００℃以下の温度で焼成可能であった。また２．４ＧＨｚの周波数で誘電率が３．４〜３．９、誘電損失が０．００１０〜０．００２９であった。
【００３３】
一方、比較例であるＮｏ．５の試料は、Ｋ₂Ｏの含有量が多いため、誘電損失が０．００３５、膨張係数が９．０ｐｐｍと大きくなった。Ｎｏ．６の試料はフィラーとしてアルミナを使用したため、誘電率が５．０と大きくなった。またＮｏ．７の試料は、ガラス組成中にＡｌ₂Ｏ₃を含まないため、アルカリ溶出量が多くなっていた。
【００３４】
なお誘電損失および誘電率の測定は原料粉末を７×７×７０ｍｍの大きさにプレス成形したものを９００〜１０００℃で焼成したものを試料とした。測定周波数２.４ＧＨｚで空洞共振器摂動法により測定した。
【００３５】
熱膨張係数は、熱機械分析装置にて測定した。
【００３６】
アルカリ溶出量はガラス粉末を純水に分散し、１２１℃で６０分間オートクレーブ処理したのち、水分中のアルカリ量を原子吸光分析で評価した。
【００３７】
【発明の効果】
本発明の高周波用低温焼結誘電体材料を使用すれば、焼成温度が１０００℃以下であるため、銀や銅の導体材料と同時焼成できる。しかも比誘電率が３〜４、誘電損失が０．００３以下と低比誘電率、低誘電損失の特性をもつガラスセラミックス焼結体となるため、高周波数帯域での信号処理を行う誘電体材料としての機能を十分発揮し、多層配線基板や回路部品用途に好適に使用できる。

Claims

質量百分率で、酸化物に換算してＳｉＯ₂ ７０〜８５％、Ｂ₂Ｏ₃ １０〜２５％、Ｋ₂Ｏ０．５〜５％、Ａｌ₂Ｏ₃ ０．０１〜１％の４成分からなるホウ珪酸ガラス５０〜９０％とα−石英、α−クリストバライト、β−トリジマイトの群から選ばれる１種以上のＳｉＯ₂フィラー１０〜５０％からなる原料粉末を焼結させてなる焼結体であって、２．４ＧＨｚでの比誘電率が３〜３．９、誘電損失が０．００３以下であることを特徴とする焼結体。
熱膨張係数が４〜７．５ｐｐｍ／℃であることを特徴とする請求項１の焼結体。