JP2002211971A - ガラスセラミックス誘電体材料、焼結体及びマイクロ波用回路部材 - Google Patents
ガラスセラミックス誘電体材料、焼結体及びマイクロ波用回路部材Info
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- JP2002211971A JP2002211971A JP2001320943A JP2001320943A JP2002211971A JP 2002211971 A JP2002211971 A JP 2002211971A JP 2001320943 A JP2001320943 A JP 2001320943A JP 2001320943 A JP2001320943 A JP 2001320943A JP 2002211971 A JP2002211971 A JP 2002211971A
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 １０００℃以下の温度で焼成でき、しかも、
０．１ＧＨｚ以上の高周波領域における誘電損失が低
く、かつ銀導体と同時焼成を行っても多層基板が変形し
ないガラスセラミックス誘電体材料、焼結体及びマイク
ロ波用回路部材を提供することである。 【構成】 本発明のガラスセラミックス誘電体材料は、
質量百分率で、結晶性ガラス粉末４０〜１００％、セラ
ミックス粉末０〜６０％からなり、該結晶性ガラス粉末
がＳｉＯ2 ３５〜６５％、ＣａＯ １０〜３０％、Ｍ
ｇＯ １０〜２０％、ＺｎＯ ０．５〜３５％の組成を
有するとともに、主結晶としてディオプサイド（ＣａＭ
ｇＳｉ2Ｏ6）が析出し、かつハーディストナイト（Ｃａ
2ＺｎＳｉＯ7）及びウイレマイト（Ｚｎ2ＳｉＯ4）から
選ばれる一種または二種の結晶を析出する性質を有する
ことを特徴とする。
０．１ＧＨｚ以上の高周波領域における誘電損失が低
く、かつ銀導体と同時焼成を行っても多層基板が変形し
ないガラスセラミックス誘電体材料、焼結体及びマイク
ロ波用回路部材を提供することである。 【構成】 本発明のガラスセラミックス誘電体材料は、
質量百分率で、結晶性ガラス粉末４０〜１００％、セラ
ミックス粉末０〜６０％からなり、該結晶性ガラス粉末
がＳｉＯ2 ３５〜６５％、ＣａＯ １０〜３０％、Ｍ
ｇＯ １０〜２０％、ＺｎＯ ０．５〜３５％の組成を
有するとともに、主結晶としてディオプサイド（ＣａＭ
ｇＳｉ2Ｏ6）が析出し、かつハーディストナイト（Ｃａ
2ＺｎＳｉＯ7）及びウイレマイト（Ｚｎ2ＳｉＯ4）から
選ばれる一種または二種の結晶を析出する性質を有する
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、０．１ＧＨｚ以上の高
周波領域において低い誘電損失を有するガラスセラミッ
クス誘電体材料、焼結体及びマイクロ波用回路部材に関
するものである。
周波領域において低い誘電損失を有するガラスセラミッ
クス誘電体材料、焼結体及びマイクロ波用回路部材に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等が高密度実装されるセラ
ミックス多層基板等の誘電体材料として、アルミナセラ
ミックスや、ガラス粉末とセラミックス粉末からなるガ
ラスセラミックスが知られている。特にガラスセラミッ
クスは、１０００℃以下の温度で焼成することができる
ため、導体抵抗の低いＡｇ、Ｃｕ等の低融点の金属材料
との同時焼成が可能であり、これらを内層導体として使
用することができるという長所がある。
ミックス多層基板等の誘電体材料として、アルミナセラ
ミックスや、ガラス粉末とセラミックス粉末からなるガ
ラスセラミックスが知られている。特にガラスセラミッ
クスは、１０００℃以下の温度で焼成することができる
ため、導体抵抗の低いＡｇ、Ｃｕ等の低融点の金属材料
との同時焼成が可能であり、これらを内層導体として使
用することができるという長所がある。
【０００３】近年、自動車電話やパーソナル無線に代表
される移動体通信機器、衛星放送、衛星通信、ＣＡＴＶ
等の通信機器の分野においては、利用される周波数帯域
が０．１ＧＨｚ以上の高周波となりつつある。このよう
な高周波帯域を利用する多層基板には、０．１ＧＨｚ以
上の高周波領域における誘電損失が低いことが要求さ
れ、主結晶としてディオプサイドが析出するガラスセラ
ミックス誘電体材料が開発されている。
される移動体通信機器、衛星放送、衛星通信、ＣＡＴＶ
等の通信機器の分野においては、利用される周波数帯域
が０．１ＧＨｚ以上の高周波となりつつある。このよう
な高周波帯域を利用する多層基板には、０．１ＧＨｚ以
上の高周波領域における誘電損失が低いことが要求さ
れ、主結晶としてディオプサイドが析出するガラスセラ
ミックス誘電体材料が開発されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、主結晶
としてディオプサイドが析出するガラスセラミックス
は、高周波領域での誘電損失が１０×１０-4以下と低
く、１０００℃以下の温度で焼成することができるが、
焼成する際、収縮開始温度が高く、銀導体と同時焼成す
ると収縮に差が生じるため多層基板が変形しやすいとい
う欠点があった。
としてディオプサイドが析出するガラスセラミックス
は、高周波領域での誘電損失が１０×１０-4以下と低
く、１０００℃以下の温度で焼成することができるが、
焼成する際、収縮開始温度が高く、銀導体と同時焼成す
ると収縮に差が生じるため多層基板が変形しやすいとい
う欠点があった。
【０００５】本発明の目的は、１０００℃以下の温度で
焼成でき、しかも、０．１ＧＨｚ以上の高周波領域にお
ける誘電損失が低く、かつ銀導体と同時焼成を行っても
多層基板が変形しないガラスセラミックス誘電体材料、
焼結体及びマイクロ波用回路部材を提供することであ
る。
焼成でき、しかも、０．１ＧＨｚ以上の高周波領域にお
ける誘電損失が低く、かつ銀導体と同時焼成を行っても
多層基板が変形しないガラスセラミックス誘電体材料、
焼結体及びマイクロ波用回路部材を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は種々の実験
を重ねた結果、ＳｉＯ2、ＣａＯ、ＭｇＯ及び、ＺｎＯ
を主成分として所定量含有する結晶性のガラス粉末を使
用することによって上記目的が達成できることを見いだ
し、本発明として提案するものである。
を重ねた結果、ＳｉＯ2、ＣａＯ、ＭｇＯ及び、ＺｎＯ
を主成分として所定量含有する結晶性のガラス粉末を使
用することによって上記目的が達成できることを見いだ
し、本発明として提案するものである。
【０００７】即ち、本発明のガラスセラミックス誘電体
材料は、質量百分率で、結晶性ガラス粉末４０〜１００
％、セラミックス粉末０〜６０％からなり、該結晶性ガ
ラス粉末がＳｉＯ2 ３５〜６５％、ＣａＯ １０〜３
０％、ＭｇＯ １０〜２０％、ＺｎＯ ０．５〜３５％
の組成を有するとともに、主結晶としてディオプサイド
（ＣａＭｇＳｉ2Ｏ6）が析出し、かつハーディストナイ
ト（Ｃａ2ＺｎＳｉＯ7）及びウイレマイト（Ｚｎ2Ｓｉ
Ｏ4）から選ばれる一種または二種の結晶を析出する性
質を有することを特徴とする。
材料は、質量百分率で、結晶性ガラス粉末４０〜１００
％、セラミックス粉末０〜６０％からなり、該結晶性ガ
ラス粉末がＳｉＯ2 ３５〜６５％、ＣａＯ １０〜３
０％、ＭｇＯ １０〜２０％、ＺｎＯ ０．５〜３５％
の組成を有するとともに、主結晶としてディオプサイド
（ＣａＭｇＳｉ2Ｏ6）が析出し、かつハーディストナイ
ト（Ｃａ2ＺｎＳｉＯ7）及びウイレマイト（Ｚｎ2Ｓｉ
Ｏ4）から選ばれる一種または二種の結晶を析出する性
質を有することを特徴とする。
【０００８】また、本発明のガラスセラミックス焼結体
は、主結晶としてディオプサイド（ＣａＭｇＳｉ2Ｏ6）
が存在し、かつハーディストナイト（Ｃａ2ＺｎＳｉ
Ｏ7）及びウイレマイト（Ｚｎ2ＳｉＯ4）から選ばれる
一種または二種の結晶が存在することを特徴とする。
は、主結晶としてディオプサイド（ＣａＭｇＳｉ2Ｏ6）
が存在し、かつハーディストナイト（Ｃａ2ＺｎＳｉ
Ｏ7）及びウイレマイト（Ｚｎ2ＳｉＯ4）から選ばれる
一種または二種の結晶が存在することを特徴とする。
【０００９】また、本発明のマイクロ波回路部材は、主
結晶としてディオプサイド（ＣａＭｇＳｉ2Ｏ6）が存在
し、かつハーディストナイト（Ｃａ2ＺｎＳｉＯ7）及び
ウイレマイト（Ｚｎ2ＳｉＯ4）から選ばれる一種または
二種の結晶が存在するガラスセラミックス焼結体からな
ることを特徴とする。
結晶としてディオプサイド（ＣａＭｇＳｉ2Ｏ6）が存在
し、かつハーディストナイト（Ｃａ2ＺｎＳｉＯ7）及び
ウイレマイト（Ｚｎ2ＳｉＯ4）から選ばれる一種または
二種の結晶が存在するガラスセラミックス焼結体からな
ることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明において、結晶性ガラス粉末の組成範囲
を上記のように限定した理由を以下に述べる。
を上記のように限定した理由を以下に述べる。
【００１１】ＳｉＯ2はガラスのネットワークフォーマ
ーであるとともに、ディオプサイド、ハーディストナイ
ト、ウイレマイト結晶の構成成分となり、その含有量は
３５〜６５％である。好ましい範囲は３７〜６０％であ
り、より好ましくは３７〜５８％であり、更に好ましく
は４０〜５５％である。ＳｉＯ2が３５％より少ないと
ガラス化せず、６５％より多いと１０００℃以下で焼成
することができず、導体や電極としてＡｇやＣｕを用い
ることができない。
ーであるとともに、ディオプサイド、ハーディストナイ
ト、ウイレマイト結晶の構成成分となり、その含有量は
３５〜６５％である。好ましい範囲は３７〜６０％であ
り、より好ましくは３７〜５８％であり、更に好ましく
は４０〜５５％である。ＳｉＯ2が３５％より少ないと
ガラス化せず、６５％より多いと１０００℃以下で焼成
することができず、導体や電極としてＡｇやＣｕを用い
ることができない。
【００１２】ＣａＯはディオプサイド、ハーディストナ
イト結晶の構成成分となり、その含有量は１０〜３０％
である。好ましい範囲は１３〜２８％であり、より好ま
しくは１５〜２８％であり、更に好ましくは１８〜２５
％である。ＣａＯが１０％より少ないとこれらの結晶が
析出し難くなって誘電損失が高くなり、３０％より多い
とガラス化しなくなる。
イト結晶の構成成分となり、その含有量は１０〜３０％
である。好ましい範囲は１３〜２８％であり、より好ま
しくは１５〜２８％であり、更に好ましくは１８〜２５
％である。ＣａＯが１０％より少ないとこれらの結晶が
析出し難くなって誘電損失が高くなり、３０％より多い
とガラス化しなくなる。
【００１３】ＭｇＯはディオプサイド結晶の構成成分と
なり、その含有量は１０〜２０％である。好ましい範囲
は１１〜１９％であり、より好ましくは１１〜１８％で
あり、更に好ましくは１２〜１７％である。ＭｇＯが１
０％より少ないと結晶が析出し難くなり、２０％より多
いとガラス化しなくなる。
なり、その含有量は１０〜２０％である。好ましい範囲
は１１〜１９％であり、より好ましくは１１〜１８％で
あり、更に好ましくは１２〜１７％である。ＭｇＯが１
０％より少ないと結晶が析出し難くなり、２０％より多
いとガラス化しなくなる。
【００１４】ＺｎＯは収縮開始温度を低下させる成分で
あるとともにハーディストナイト、ウイレマイトの構成
成分となる。その含有量は０．５〜３５％である。好ま
しい範囲は１〜３５％であり、より好ましくは５〜３０
％であり、更に好ましくは１５〜３０％である。ＺｎＯ
が０．５％より少ないと収縮開始温度を低下させる効果
がなく、３５％より多くなると焼結体の緻密性が損なわ
れる。
あるとともにハーディストナイト、ウイレマイトの構成
成分となる。その含有量は０．５〜３５％である。好ま
しい範囲は１〜３５％であり、より好ましくは５〜３０
％であり、更に好ましくは１５〜３０％である。ＺｎＯ
が０．５％より少ないと収縮開始温度を低下させる効果
がなく、３５％より多くなると焼結体の緻密性が損なわ
れる。
【００１５】また、上記成分以外にも、誘電損失等の特
性を損なわない範囲でＳｒＯ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2等の他
成分をそれぞれ５％まで添加してもよい。
性を損なわない範囲でＳｒＯ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2等の他
成分をそれぞれ５％まで添加してもよい。
【００１６】本発明のガラスセラミックス誘電体材料
は、上記組成を有する結晶性ガラス粉末のみで構成され
てもよいが、曲げ強度、靭性等の特性を改善する目的で
セラミックス粉末と混合してもよい。この場合、セラミ
ックス粉末の混合量は６０質量％以下（好ましくは５０
質量％以下）である。セラミックス粉末の割合をこのよ
うに限定した理由は、セラミックス粉末が６０％より多
いと緻密化しなくなるためである。
は、上記組成を有する結晶性ガラス粉末のみで構成され
てもよいが、曲げ強度、靭性等の特性を改善する目的で
セラミックス粉末と混合してもよい。この場合、セラミ
ックス粉末の混合量は６０質量％以下（好ましくは５０
質量％以下）である。セラミックス粉末の割合をこのよ
うに限定した理由は、セラミックス粉末が６０％より多
いと緻密化しなくなるためである。
【００１７】セラミックス粉末としては、０．１〜１０
ＧＨｚでの誘電損失が１０×１０-4以下であるセラミッ
クス粉末、例えばアルミナ、ムライト、クリストバライ
ト、フォルステライト、エンスタタイト、ガーナイト等
を使用することができる。なお０．１〜１０ＧＨｚでの
誘電損失が１０×１０-4を越えるセラミックス粉末を使
用するとガラスセラミックスの誘電損失が高くなり易く
好ましくない。
ＧＨｚでの誘電損失が１０×１０-4以下であるセラミッ
クス粉末、例えばアルミナ、ムライト、クリストバライ
ト、フォルステライト、エンスタタイト、ガーナイト等
を使用することができる。なお０．１〜１０ＧＨｚでの
誘電損失が１０×１０-4を越えるセラミックス粉末を使
用するとガラスセラミックスの誘電損失が高くなり易く
好ましくない。
【００１８】上記組成を有する本発明のガラスセラミッ
クス誘電体材料は、焼成すると、０．１ＧＨｚ以上の高
周波領域において誘電率が６〜９、誘電損失が１０×１
０-4以下の焼結体となる。
クス誘電体材料は、焼成すると、０．１ＧＨｚ以上の高
周波領域において誘電率が６〜９、誘電損失が１０×１
０-4以下の焼結体となる。
【００１９】次に上記した本発明の焼結体の製造方法を
以下に述べる。
以下に述べる。
【００２０】まず結晶性ガラス粉末、或いは結晶性ガラ
ス粉末とセラミックス粉末の混合粉末に、所定量の結合
剤、可塑剤及び溶剤を添加してスラリーを調製する。結
合剤としては例えばポリビニルブチラール樹脂、メタア
クリル酸樹脂等、可塑剤としては例えばフタル酸ジブチ
ル等、溶剤としては例えばトルエン、メチルエチルケト
ン等を使用することができる。
ス粉末とセラミックス粉末の混合粉末に、所定量の結合
剤、可塑剤及び溶剤を添加してスラリーを調製する。結
合剤としては例えばポリビニルブチラール樹脂、メタア
クリル酸樹脂等、可塑剤としては例えばフタル酸ジブチ
ル等、溶剤としては例えばトルエン、メチルエチルケト
ン等を使用することができる。
【００２１】次いで上記のスラリーを、ドクターブレー
ド法によってグリーンシートに成形する。その後、この
グリーンシートを乾燥させ、所定寸法に切断してから、
機械的加工を施してスルーホールを形成し、例えば、銀
導体や電極となる低抵抗金属材料をスルーホール及びグ
リーンシート表面に印刷する。次いでこのようなグリー
ンシートの複数枚を積層し、熱圧着によって一体化す
る。
ド法によってグリーンシートに成形する。その後、この
グリーンシートを乾燥させ、所定寸法に切断してから、
機械的加工を施してスルーホールを形成し、例えば、銀
導体や電極となる低抵抗金属材料をスルーホール及びグ
リーンシート表面に印刷する。次いでこのようなグリー
ンシートの複数枚を積層し、熱圧着によって一体化す
る。
【００２２】さらに積層グリーンシートを、焼成するこ
とによって焼結体を得る。
とによって焼結体を得る。
【００２３】なお焼結体の製造方法として、グリーンシ
ートを用いる例を挙げたが、本発明はこれに限定される
ものではなく、一般にセラミックスの製造に用いられる
各種の方法を適用することが可能である。
ートを用いる例を挙げたが、本発明はこれに限定される
ものではなく、一般にセラミックスの製造に用いられる
各種の方法を適用することが可能である。
【００２４】また、本発明のマイクロ波用回路部材は、
上記の焼結体表面上にＳｉ系やＧａＡｓ系の半導体素子
のチップを接続することで得ることができる。
上記の焼結体表面上にＳｉ系やＧａＡｓ系の半導体素子
のチップを接続することで得ることができる。
【００２５】本発明のガラスセラミックス誘電体材料
は、ガラス中にＺｎＯを含有しているために収縮開始温
度が低くなり、銀導体と同時焼成しても基板が変形しな
い。また、焼成することによりガラス中からディオプサ
イド（ＣａＭｇＳｉ2Ｏ6）結晶の他に、ハーディストナ
イト（Ｃａ2ＺｎＳｉＯ7）、ウイレマイト（Ｚｎ2Ｓｉ
Ｏ4）のうち少なくとも１種類が析出する。これらの結
晶は低誘電損失であるため、得られるガラスセラミック
ス焼成体も０．１ＧＨｚ以上の高周波領域で誘電損失が
低いという特性を示す。
は、ガラス中にＺｎＯを含有しているために収縮開始温
度が低くなり、銀導体と同時焼成しても基板が変形しな
い。また、焼成することによりガラス中からディオプサ
イド（ＣａＭｇＳｉ2Ｏ6）結晶の他に、ハーディストナ
イト（Ｃａ2ＺｎＳｉＯ7）、ウイレマイト（Ｚｎ2Ｓｉ
Ｏ4）のうち少なくとも１種類が析出する。これらの結
晶は低誘電損失であるため、得られるガラスセラミック
ス焼成体も０．１ＧＨｚ以上の高周波領域で誘電損失が
低いという特性を示す。
【００２６】
【実施例】以下、本発明のガラスセラミックス誘電体材
料を実施例に基づいて説明する。
料を実施例に基づいて説明する。
【００２７】表１、２は本発明の実施例（試料Ｎｏ．１
〜５）及び比較例（試料Ｎｏ．６）を示すものである。
〜５）及び比較例（試料Ｎｏ．６）を示すものである。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】各試料は以下のように調製した。
【００３１】まず表に示す組成となるようにガラス原料
を調合した後、白金坩堝に入れて１４００〜１５００℃
で３〜６時間溶融してから、水冷ローラーによって薄板
状に成形した。次いでこの成形体を粗砕した後、アルコ
ールを加えてボールミルにより湿式粉砕し、平均粒径が
１．５〜３μｍの結晶性ガラス粉末とした。さらに試料
Ｎｏ．２〜６については、表に示したセラミックス粉末
（平均粒径２μｍ）を添加し、混合粉末とした。
を調合した後、白金坩堝に入れて１４００〜１５００℃
で３〜６時間溶融してから、水冷ローラーによって薄板
状に成形した。次いでこの成形体を粗砕した後、アルコ
ールを加えてボールミルにより湿式粉砕し、平均粒径が
１．５〜３μｍの結晶性ガラス粉末とした。さらに試料
Ｎｏ．２〜６については、表に示したセラミックス粉末
（平均粒径２μｍ）を添加し、混合粉末とした。
【００３２】このようにして得られた試料について、焼
成温度、収縮開始温度、析出結晶、誘電率、誘電損失及
び曲げ強度を測定した。また、銀導体と同時焼成した場
合の変形の有無を確認した。結果を表に示す。
成温度、収縮開始温度、析出結晶、誘電率、誘電損失及
び曲げ強度を測定した。また、銀導体と同時焼成した場
合の変形の有無を確認した。結果を表に示す。
【００３３】表から明らかなように、実施例の各試料
は、８５０〜９００℃の低温で焼成可能であり、焼成後
にディオプサイド結晶の他に、ハーディストナイト、ウ
イレマイトのうち少なくとも１種類以上の結晶が析出し
ていることが確認された。また２．４ＧＨｚの周波数で
誘電率が７．０〜８．５、誘電損失が３〜９×１０-4で
あり、しかも曲げ強度が２０００ｋｇｆ／ｃｍ2以上と
高かった。一方、比較例である試料Ｎｏ．６は、ＺｎＯ
が含まれておらず、収縮開始温度が高いため、銀導体と
同時焼成した際に基板が変形した。
は、８５０〜９００℃の低温で焼成可能であり、焼成後
にディオプサイド結晶の他に、ハーディストナイト、ウ
イレマイトのうち少なくとも１種類以上の結晶が析出し
ていることが確認された。また２．４ＧＨｚの周波数で
誘電率が７．０〜８．５、誘電損失が３〜９×１０-4で
あり、しかも曲げ強度が２０００ｋｇｆ／ｃｍ2以上と
高かった。一方、比較例である試料Ｎｏ．６は、ＺｎＯ
が含まれておらず、収縮開始温度が高いため、銀導体と
同時焼成した際に基板が変形した。
【００３４】尚、焼成温度は、種々の温度で焼成した焼
結体にインクを塗布した後に拭き取り、インクが残らな
い（＝緻密に焼結した）試料のうち最低の温度で焼成し
たものの焼成温度を記載した。
結体にインクを塗布した後に拭き取り、インクが残らな
い（＝緻密に焼結した）試料のうち最低の温度で焼成し
たものの焼成温度を記載した。
【００３５】収縮開始温度はグリーンシート圧着体をＴ
ＭＡ測定装置にかけ、収縮曲線を測定し、収縮を開始す
る付近で低温側より接線を引き、曲線が接線より離れる
点を収縮開始温度として求めた。
ＭＡ測定装置にかけ、収縮曲線を測定し、収縮を開始す
る付近で低温側より接線を引き、曲線が接線より離れる
点を収縮開始温度として求めた。
【００３６】析出結晶は、各試料を表に示す温度で焼成
した後、Ｘ線回折によって求めた。
した後、Ｘ線回折によって求めた。
【００３７】誘電率と誘電損失は、焼成した試料を用
い、空洞共振器（測定周波数２．４ＧＨｚ）を使用して
２５℃の温度での値を求めた。
い、空洞共振器（測定周波数２．４ＧＨｚ）を使用して
２５℃の温度での値を求めた。
【００３８】曲げ強度は、焼成した試料を１０×４０×
１ｍｍの板柱に成形し、３点荷重測定法によって測定し
た。
１ｍｍの板柱に成形し、３点荷重測定法によって測定し
た。
【００３９】基板の変形はグリーンシート圧着体上に銀
ペーストを塗布し、表に示す温度で焼成した後、基板の
変形の有無を目視で確認し、全く変形が認められなかっ
たものを◎とし、極わずかに変形が認められたものを○
とし、明らかに変形が認められたものを×とした。
ペーストを塗布し、表に示す温度で焼成した後、基板の
変形の有無を目視で確認し、全く変形が認められなかっ
たものを◎とし、極わずかに変形が認められたものを○
とし、明らかに変形が認められたものを×とした。
【００４０】
【発明の効果】以上のように本発明のガラスセラミック
ス誘電体材料は、１０００℃以下の低温で焼成すること
が可能であり、収縮開始温度が銀導体の収縮開始温度に
近いため、同時焼成を行ったとき、基板の変形がない。
しかも０．１ＧＨｚ以上の高周波領域において低い誘電
損失を有し、また機械的強度が高いため、マイクロ波用
回路部材として好適である。
ス誘電体材料は、１０００℃以下の低温で焼成すること
が可能であり、収縮開始温度が銀導体の収縮開始温度に
近いため、同時焼成を行ったとき、基板の変形がない。
しかも０．１ＧＨｚ以上の高周波領域において低い誘電
損失を有し、また機械的強度が高いため、マイクロ波用
回路部材として好適である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｂ 3/02 Ｈ０１Ｐ 7/10 Ｈ０１Ｐ 7/10 Ｃ０４Ｂ 35/10 Ｄ Ｆターム(参考） 4G030 AA08 AA09 AA16 AA17 AA32 AA36 AA37 BA12 CA01 CA08 GA14 GA15 GA17 GA20 HA04 HA09 HA25 4G062 AA11 AA15 BB01 CC08 CC09 EB01 EC01 ED04 EE04 EF01 EG01 FA01 FB01 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM27 MM28 MM31 NN26 PP02 PP03 PP09 QQ06 QQ07 5G303 AA04 AB07 AB10 AB15 BA09 BA12 CA03 CB06 CB17 CB30 CB38 5J006 HC07
Claims (4)
- 【請求項１】 質量百分率で、結晶性ガラス粉末４０〜
１００％、セラミックス粉末０〜６０％からなり、該結
晶性ガラス粉末がＳｉＯ2 ３５〜６５％、ＣａＯ １
０〜３０％、ＭｇＯ １０〜２０％、ＺｎＯ ０．５〜
３５％の組成を有するとともに、主結晶としてディオプ
サイド（ＣａＭｇＳｉ2Ｏ6）が析出し、かつハーディス
トナイト（Ｃａ2ＺｎＳｉＯ7）及びウイレマイト（Ｚｎ
2ＳｉＯ4）から選ばれる一種または二種の結晶を析出す
る性質を有することを特徴とするガラスセラミックス誘
電体材料。 - 【請求項２】 セラミックス粉末が、０．１〜１０ＧＨ
ｚでの誘電損失が１０×１０-4以下のセラミックス粉末
であることを特徴とする請求項１のガラスセラミックス
誘電体材料。 - 【請求項３】 主結晶としてディオプサイド（ＣａＭｇ
Ｓｉ2Ｏ6）が存在し、かつハーディストナイト（Ｃａ2
ＺｎＳｉＯ7）及びウイレマイト（Ｚｎ2ＳｉＯ4）から
選ばれる一種または二種の結晶が存在することを特徴と
するガラスセラミックス焼結体。 - 【請求項４】 主結晶としてディオプサイド（ＣａＭｇ
Ｓｉ2Ｏ6）が存在し、かつハーディストナイト（Ｃａ2
ＺｎＳｉＯ7）及びウイレマイト（Ｚｎ2ＳｉＯ4）から
選ばれる一種または二種の結晶が存在するガラスセラミ
ックス焼結体からなることを特徴とするマイクロ波用回
路部材。
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|---|---|---|---|
| JP2001320943A JP2002211971A (ja) | 2000-11-17 | 2001-10-18 | ガラスセラミックス誘電体材料、焼結体及びマイクロ波用回路部材 |
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|---|---|---|---|
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2001
- 2001-10-18 JP JP2001320943A patent/JP2002211971A/ja active Pending
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