CN105829263B - 玻璃陶瓷材料和层叠陶瓷电子部件 - Google Patents

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Abstract

如果使将由玻璃陶瓷材料构成的第1陶瓷层和由陶瓷磁性材料构成的第2陶瓷层层叠而成的复合层叠体共烧结，则发生玻璃成分从第1陶瓷层向第2陶瓷层扩散，其结果，第2陶瓷层的烧结性降低、绝缘电阻降低。共模扼流圈(1)所具备的复合层叠体(4)中的第1陶瓷层(2)由玻璃陶瓷材料的烧结体构成，所述玻璃陶瓷材料包含40～90重量％的玻璃和10～60重量％的填料，所述玻璃含有0.5～5重量％的K2O、0～5重量％的Al2O3、10～25重量％的B2O3、以及70～85重量％的SiO2，所述填料含有氧化铝和石英，填料中含有的氧化铝相对于玻璃和填料的合计量为1～10重量％。推测在煅烧途中氧化铝的一部分与玻璃反应，使玻璃粘度变高。

Description

玻璃陶瓷材料和层叠陶瓷电子部件
技术领域
本发明涉及玻璃陶瓷材料和使用该玻璃陶瓷材料构成的层叠陶瓷电子部件。
背景技术
作为对本发明有意义的技术，例如有在日本特开2013-56784号公报 (专利文献1)中记载的技术。在专利文献1中记载了在半导体的布线基板和电路基板等中使用的玻璃陶瓷电介质用材料。更详细而言，该玻璃陶瓷电介质用材料含有49.9～89.9质量％的硼硅酸玻璃粉末、10～50 质量％的氧化铝粉末和/或石英粉末、以及0.1～4质量％的硼酸铝粉末和/或硼酸硅系化合物粉末。
上述玻璃陶瓷电介质用材料具有如下优点，即，可以在例如1000℃以下这种较低温度下进行烧结，因此能够与要成为电极层的材料的银、铜这样的低熔点且低导体损耗的导体材料同时进行烧结(共烧结)。
另一方面，存在复合电子部件这样的层叠陶瓷电子部件，其具备复合层叠体，所述复合层叠体层叠使用彼此不同的组成的陶瓷材料而分别构成的多种陶瓷层而成。在这样的层叠陶瓷电子部件的制造中，为了制造工序的短时间化，不仅期望能够将陶瓷材料与导体材料共烧结，还期望能够将彼此不同组成的多种陶瓷材料共烧结，并且满足所希望的特性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-56784号公报
发明内容
但是，使用专利文献1中记载的玻璃陶瓷电介质用材料构成复合层叠体的情况下，更具体而言，在复合层叠体中含有的第1和第2陶瓷层中，由专利文献1中记载的玻璃陶瓷电介质用材料构成第1陶瓷层，例如由铁氧体构成第2陶瓷层，从而形成磁性体层的情况下，在共烧结时，很难控制在第1陶瓷层与第2陶瓷层之间的相互扩散。
因此，无法避免地产生玻璃成分从由玻璃陶瓷电介质用材料构成的第1陶瓷层向作为第2陶瓷层的磁性体层的扩散。在此，已知玻璃成分特别是Si向磁性体层的扩散使铁氧体的烧结性降低。其结果，磁性体层变得烧结不足，有时导致这样的具备复合层叠体的层叠陶瓷电子部件的绝缘电阻特性劣化。
因此，本发明的目的在于提供一种能够解决上述问题的玻璃陶瓷材料以及使用该玻璃陶瓷材料构成的层叠陶瓷电子部件。
本发明首先涉及可适用于构成层叠陶瓷电子部件所具备的复合层叠体的一部分的玻璃陶瓷材料。本发明的玻璃陶瓷材料包含：
40～90重量％的玻璃，所述玻璃含有0.5～5重量％的K2O、0～5 重量％的Al2O3、10～25重量％的B2O3、以及70～85重量％的SiO2，
10～60重量％的填料，所述填料含有氧化铝和石英。
而且，在本发明中，主要特征在于，上述填料中含有的上述氧化铝是相对于玻璃和填料的合计量为1～10重量％。
根据上述玻璃陶瓷材料，推测在煅烧途中作为填料成分的氧化铝的一部分与玻璃反应，通过成为玻璃组成的一部分，从而可提高玻璃粘度。
本发明还涉及一种层叠陶瓷电子部件，其具备复合层叠体，所述复合层叠体具有层叠第1陶瓷层和第2陶瓷层而成的结构且共烧结而得，所述第2陶瓷层具有与第1陶瓷层不同的组成。本发明中，以上述第1 陶瓷层由本发明的玻璃陶瓷材料的烧结体构成为特征。
如上述所述，在煅烧途中，由于构成第1陶瓷层的玻璃陶瓷材料的玻璃粘度变高，由此不易引起玻璃成分从第1陶瓷层向第2陶瓷层扩散。另外，伴随与此，也不易引起成分从第2陶瓷层向第1陶瓷层扩散。
本发明尤其适用于第2陶瓷层由含有Ni-Cu-Zn系铁氧体的陶瓷磁性材料构成的情况。铁氧体由于Si向其中扩散而有烧结性降低的趋势，所以如上所述，抑制玻璃成分向第2陶瓷层扩散的意义重大。
本发明可适用于如下这样的层叠陶瓷电子部件，即，进一步具备形成于复合层叠体的外表面的至少1对端电极，在成对的端电极间流动的电流的路径上，存在第1陶瓷层与第2陶瓷层的界面。
不希望的相互扩散对第1陶瓷层与第2陶瓷层的界面及其附近的电特性、更具体而言，对绝缘电阻有很大影响。因此，如上所述，如果在成对端电极间流动的电流路径上存在第1陶瓷层与第2陶瓷层的界面，则相互扩散所带来的影响导致绝缘电阻的电特性在成对端电极间显现，这会导致层叠陶瓷电子部件本身的特性劣化。由此，基于本发明的玻璃成分向第2陶瓷层扩散的抑制的效果尤其对在成对端电极间流动的电流的路径上存在第1陶瓷层与第2陶瓷层的界面的层叠陶瓷电子部件有更深远的意义。
在本发明的层叠陶瓷电子部件中，优选在第1陶瓷层的内部设置线圈导体。该情况下，在复合层叠体中，第2陶瓷层夹持第1陶瓷层地被层叠，则例如可有利地构成共模扼流圈。
另外，在本发明的层叠陶瓷电子部件中，在第1陶瓷层的内部设置至少1对电容器电极、并且在第2陶瓷层的内部设置线圈导体，则例如可有利构成LC滤波器。
根据本发明的玻璃陶瓷材料，由于具有该玻璃陶瓷材料而构成的第 1陶瓷层，很难引起玻璃成分在煅烧途中向与该第1陶瓷层邻接的第2 陶瓷层扩散。
因此，对于具备复合层叠体的层叠陶瓷电子部件，所述复合层叠体具有层叠第1陶瓷层和第2陶瓷层而成的结构且共烧结而得，所述第2 陶瓷层具有与第1陶瓷层不同的组成，如果在其中，由上述玻璃陶瓷材料的烧结体构成第1陶瓷层，则在用于得到复合层叠体煅烧工序的途中，能够不易引起玻璃成分从第1陶瓷层向第2陶瓷层扩散。另外，相反地，也不易引起从第2陶瓷层向第1陶瓷层扩散。
其结果，能够不易产生第1陶瓷层和第2陶瓷层的各电特性的不希望的变动，并能够抑制层叠陶瓷电子部件的特性劣化和可靠性降低的发生。
特别是第2陶瓷层由含有Ni-Cu-Zn系铁氧体的陶瓷磁性材料构成的情况下，由于玻璃成分向第2陶瓷层的扩散则会阻碍第2陶瓷层的烧结性，因此，容易使第1陶瓷层与第2陶瓷层的界面及其附近的绝缘电阻降低。因此，第2陶瓷层由含有Ni-Cu-Zn系铁氧体的陶瓷磁性材料构成的情况下，上述玻璃成分的扩散抑制效果变得更有意义。
附图说明
图1是表示基于本发明的第1实施方式的作为层叠陶瓷电子部件的共模扼流圈1的截面图。
图2是图1中示出的共模扼流圈1的等效电路图。
图3是表示基于本发明的第2实施方式的作为层叠陶瓷电子部件的 LC滤波器21的截面图。
图4是图3中示出的LC滤波器21的等效电路图。
图5是表示在实验例中制成的具备仅层叠使用玻璃陶瓷材料而成的陶瓷层的层叠体42的电容器41的图，(A)是在层叠体42的厚度方向切断示出的截面图，(B)是沿着第1电容器电极43通过的面的截面图， (C)是表示沿第2电容器电极44通过的面的截面图。
图6是表示在实验例中制成的具备层叠第1陶瓷层53和陶瓷层54 而成的复合层叠体52的电容器51的图，所述第1陶瓷层53使用玻璃陶瓷材料而成，所述陶瓷层54由含有Ni-Cu-Zn系铁氧体的陶瓷磁性材料构成，(A)是在复合层叠体52的厚度方向切断示出的截面图，(B) 是沿第1电容器电极43通过的面的截面图，(C)是沿第2电容器电极 44通过的面的截面图。
具体实施方式
参照图1，对基于本发明的第1实施方式的作为层叠陶瓷电子部件的共模扼流圈1进行说明。
共模扼流圈1具备复合层叠体4，所述复合层叠体4具有层叠第1 陶瓷层2和第2陶瓷层3而成的结构，所述第1陶瓷层2由本发明的玻璃陶瓷材料的烧结体构成，所述第2陶瓷层3由陶瓷磁性材料构成。在该实施方式中，2个第2陶瓷层3以夹持第1陶瓷层2的方式进行层叠。复合层叠体4以使第1陶瓷层2和第2陶瓷层3共烧结而得。
应予说明，在图1中，将第1陶瓷层2和第2陶瓷层3分别以各自形成为一体地进行了图示，但实际上，各自具有由多个层构成的层叠结构。
图1中示出的共模扼流圈1的等效电路在图2示出。共模扼流圈1 具备2组螺旋状地延展的线圈导体5和6。这些线圈导体5和6在第1 陶瓷层2的内部以相互对置的状态设置。第1线圈导体5的各端部分别与端电极7和8进行电连接，在第2线圈导体6的各端部分别与端电极 9和10进行电连接。
端电极7～10在图1中省略图示，但其设置于复合层叠体4的外表面上。在这些端电极7～10中，在成对的端电极之间流动的电流的路径上存在第1陶瓷层2与第2陶瓷层3的界面11。
在复合层叠体4中，第1陶瓷层2的介电常数低于第2陶瓷层3的介电常数。在图示的共模扼流圈1中，在复合层叠体4中的介电常数较低的第1陶瓷层2的内部配置有线圈导体5和6。这样的构成有助于共模扼流圈1的特性的提高。
如上所述，第1陶瓷层2由本发明的玻璃陶瓷材料的烧结体构成。该玻璃陶瓷材料包含：
40～90重量％的玻璃，所述玻璃含有0.5～5重量％的K2O、0～5 重量％的Al2O3、10～25重量％的B2O3、以及70～85重量％的SiO2，
10～60重量％的填料，所述填料含有氧化铝和石英。
而且，以上述填料中含有的上述氧化铝相对于玻璃和填料的合计量含有1～10重量％为特征。
第2陶瓷层3优选由含有Ni-Cu-Zn系铁氧体的陶瓷磁性材料构成。
接下来，对共模扼流圈1的优选制造方法进行说明。
首先，分别准备要成为第1陶瓷层2的含玻璃陶瓷材料的玻璃陶瓷生片和要成为第2陶瓷层3的含磁性材料的磁性体陶瓷生片。
接下来，在玻璃陶瓷生片上，例如可通过导电性糊料的印刷形成要成为线圈导体5的导体膜和根据需要的通路导体。
接下来，为了得到第2陶瓷层3夹持第1陶瓷层2地层叠的复合层叠体4，可将玻璃陶瓷生片和磁性体陶瓷生片分别按需要数量、规定的顺序进行层叠。由此，能够得到要成为复合层叠体4的原始的层叠体。
接下来，对原始的层叠体进行煅烧，由此可得到复合层叠体4。在该煅烧工序中，可推测发生如下现象。在玻璃陶瓷生片中含有的玻璃陶瓷材料中的作为填料成分的氧化铝在煅烧途中，其一部分与玻璃陶瓷材料中的玻璃反应，成为玻璃组成的一部分。由此，玻璃粘度变高。因此，玻璃成分变得难以向磁性体陶瓷生片或第2陶瓷层3扩散，另外，伴随与此，成分也变得难以从磁性体陶瓷生片或第2陶瓷层3向玻璃陶瓷生片或第1陶瓷层2扩散。
其结果，在煅烧后的复合层叠体4中，能够抑制在第1陶瓷层2和第2陶瓷层3之间的界面11及其附近的绝缘电阻降低。特别是第2陶瓷层3由含有Ni-Cu-Zn系铁氧体的陶瓷磁性材料构成时，由于玻璃特别是Si向第2陶瓷层3的扩散而有烧结性降低的趋势，因此，对上述玻璃成分的扩散抑制的意义很大。
另外，为了得到复合层叠体4，如上述那样，即使使第1陶瓷层2 和第2陶瓷层3共烧结，也不会产生裂缝、剥离等缺陷。
接下来，例如通过导电性糊料的涂布和烧焊在复合层叠体4的外表面上形成端电极7～10，完成共模扼流圈1。应予说明，端电极7～10 可以在原始的层叠体的外表面上涂布导电性糊料，将该导电性糊料在用于得到复合层叠体4的煅烧工序中同时进行烧焊而得。
接下来，参照图3，对本发明的基于第2实施方式的作为层叠陶瓷电子部件的LC滤波器21进行说明。
LC滤波器21具备复合层叠体24，所述复合层叠体24具有将第1 陶瓷层22和第2陶瓷层23在相互邻接的状态下层叠而成的结构，所述第1陶瓷层22由本发明的玻璃陶瓷材料的烧结体构成，第2陶瓷层23 由例如含有Ni-Cu-Zn系铁氧体的陶瓷磁性材料构成。复合层叠体24使第1陶瓷层22和第2陶瓷层23共烧结而得。
在该实施方式中，关于第1陶瓷层22和第2陶瓷层23，虽省略了图示但实际上各自具有由多个层构成的层叠结构。
在图4中示出图3中示出的LC滤波器21的等效电路的一个例子。如图3所示，在第1陶瓷层22的内部使多个电容器电极25以相互对置的状态设置，由此，形成图4所示的电容器26。另一方面，在第2陶瓷层23的内部设置线圈状地延展的线圈导体27，由此，形成了图4所示的感应器28。
如图4所示，LC滤波器21进一步具备：连接电容器26和感应器 28的连接导体29和30、成为输入输出端子的端电极31和32、以及成为接地端子的端电极33。图3中，虽然省略连接导体29和30以及端电极31～33的图示，但端电极31～33设置于复合层叠体4的外表面上。第1陶瓷层22与第2陶瓷层23的界面34存在于这些端电极31～33中成对的端电极之间流动的电流路径上。
在制造LC滤波器21时，可实施与上述共模扼流圈1实质上相同的工序。因此，在原始的层叠体的煅烧工序中，要成为第1陶瓷层22的玻璃陶瓷生片中含有的玻璃陶瓷材料中的作为填料成分的氧化铝的一部分与玻璃反应而成为玻璃组成的一部分，提高玻璃粘度，因此，玻璃成分变得不易向成为第2陶瓷层23的磁性体生片扩散。其结果，在煅烧后的复合层叠体24中，能够抑制在第1陶瓷层22和第2陶瓷层23 之间的界面34及其附近的绝缘电阻的降低。
以上，结合图示的共模扼流圈1和LC滤波器21说明了本发明，但本发明的层叠陶瓷电子部件只要是具备复合层叠体，所述复合层叠体具有将第1陶瓷层和具有与第1陶瓷层不同的组成的第2陶瓷层层叠而成的结构且共烧结而得，则可适用于具有任何结构或功能的层叠陶瓷电子部件。因此，第1陶瓷层只要满足由本发明的玻璃陶瓷材料的烧结体构成，第2陶瓷层并不限于由陶瓷磁性材料构成，本发明也可适用于由其他陶瓷材料构成的情况。
[实验例]
以下，为了求得本发明的范围而实施的实验例进行说明。
(1)玻璃陶瓷生片的制作：
以成为表1所示的玻璃组成的方式调配成为初始原料的氧化物或碳酸盐，将其放入Pt坩埚中，使其熔融2小时。熔融温度在1500～1600℃的范围内，根据玻璃组成选择最佳温度。接下来，将该玻璃融液快速冷却后，进行粉碎，得到玻璃粉末。
另外，如表1所示，准备氧化铝粉末和石英粉末作为成为填料的陶瓷粉末，以使它们成为表1中示出的重量比进行称量。
接着，通过以表1的“玻璃量”和“填料量”中示出的比例混合上述玻璃粉末和上述陶瓷粉末，从而制作各试样的玻璃陶瓷材料。而且，在各玻璃陶瓷材料中加入溶剂、粘合剂及增塑剂，充分混合，使用刮刀法，由此得到玻璃陶瓷生片。
应予说明，在表1中，作为填料的氧化铝和石英的各自的重量比以相对于玻璃和填料的合计量的重量比表示。
表1
在表1和下文的表2中，试样编号中标记为*的试样是本发明的范围外的比较例。
(2)磁性体陶瓷生片的制作：
在Ni-Cu-Zn系铁氧体的煅烧粉末中加入溶剂、粘合剂以及增塑剂，进行充分混合，使用刮刀法，由此得到磁性体陶瓷生片。
使用如上得到的玻璃陶瓷生片和磁性体陶瓷生片，进行以下评价。
(3)成为试样的电容器的制作：
作为试样，制作图5和图6中分别所示的电容器41和51。
〈电容器41和51中的相同的构成〉
电容器41和51各自具备层叠体42和52。关于电容器41和51，相同的要素标记相同的参照符号进行说明，则在层叠体42和52的各自的内部，设置相互对置的第1电容器电极43和第2电容器电极44。在层叠体42和52的各自的相互对置的各端面上，形成分别与第1电容器电极43和第2电容器电极44进行电连接的第1端电极45和第2端电极46。
如图5和图6所示，电容器电极43和44具有4mm×7mm的平面尺寸，在4mm×4mm的区域相互对置，将电容器电极43和44间的距离设为20μm。
应予说明，在电容器电极43和44的形成中使用Ag系糊料。另外，为了得到层叠体42和52，使用920℃以下的煅烧温度。
〈电容器41特有的构成〉
在图5所示的电容器41中，层叠体42具有10mm×10mm×约1.0mm (厚度)的尺寸，层叠玻璃陶瓷生片，接着煅烧而得。在层叠体42的厚度方向的中央配置电容器电极43和44。
〈电容器51特有的构成〉
在图6所示的电容器51中，层叠体52是具有10mm×10mm×约 1.0mm(厚度)的尺寸的、层叠玻璃陶瓷生片和磁性体陶瓷生片，接着煅烧而得的复合层叠体。更详细而言，如图6所示，复合层叠体52具有用各厚度为0.5mm的2个第2陶瓷层54夹持厚度20μm的第1陶瓷层53的层叠结构。第1陶瓷层53是将玻璃陶瓷生片烧结而得的，第2 陶瓷层54是将磁性体陶瓷生片烧结而得的。电容器电极43和44分别沿着第1陶瓷层53和第2陶瓷层54间的界面55进行配置。
应予说明，该电容器51满足如下条件，即，在成对端电极45和46 间流动电流的路径上存在第1陶瓷层53与第2陶瓷层54的界面55。
(4)绝缘电阻的测定：
在绝缘电阻的测定之前，调查图5示出的用于电容器41的层叠体 42的烧结状态，结果如表2所示，试样1、8、15以及20为“未烧结”。在这些试样中，表1所示的玻璃陶瓷材料的组成为本发明的范围外。更具体而言，试样1中，玻璃中的K2O小于0.5重量％。试样8中，玻璃中的B2O3小于10重量％。试样15中，玻璃中的SiO2超过85重量％。试样20中，填料量超过60重量％。
没有使用上述本发明的范围外的试样1、8、15以及20的玻璃陶瓷材料制成具备图6中示出的复合层叠体52的电容器51。
接下来，除了上述试样1、8、15以及20，关于各个电容器41和 51，利用绝缘电阻测定器测定绝缘电阻值[Ω]。其结果，以logIR表示，示于表2的“电容器41”和“电容器51”的各栏中。
表2
试样编号 电容器41 电容器51
*1 未烧结 -
2 11.8 11.8
3 11.1 10.9
*4 10.8 8.6
5 10.9 10.7
6 11.7 11.7
*7 11.9 9.5
*8 未烧结 -
9 11 11
10 10.7 10.5
*11 10.7 8.3
*12 10.9 8.9
13 11.1 11.1
14 11 10.9
*15 未烧结 -
*16 11.6 9.3
17 11.4 11.4
18 11.1 10.9
*19 11 8.5
*20 未烧结 -
21 10.5 10.5
22 11.8 11.5
*23 11.7 8.2
24 11.5 11.5
在本发明的范围内的试样2、3、5、6、9、10、13、14、17、18、 21、22以及24中，如表1所示，满足如下条件：
(1)玻璃中，在K2O为0.5～5重量％、Al2O3为0～5重量％、B2O3为10～25重量％、以及SiO2为70～85重量％的各范围，
(2)在玻璃为40～90重量％、以及含有氧化铝和石英的填料为10～60重量％的各范围，
(3)填料中含有的氧化铝相对于玻璃和填料的合计量为1～10重量％的范围。
在这些试样2、3、5、6、9、10、13、14、17、18、21、22以及24 中，如表2所示，具备复合层叠体52的“电容器51”的“logIR”与“电容器41”的“logIR”没有明显差异。由此，在这些试样中，可抑制玻璃成分从图6中示出的第1陶瓷层53向第2陶瓷层54扩散，其结果，可推测能够抑制在第1陶瓷层53和第2陶瓷层54间的界面55及其附近的绝缘电阻降低。而且，如上述所述，能够抑制玻璃成分的扩散的原因可推测为如下，即，玻璃陶瓷生片中含有的玻璃陶瓷材料所含的作为填料成分的氧化铝的一部分在煅烧途中与玻璃反应，成为玻璃组成的一部分，能够提高玻璃粘度。
与此相对，在本发明的范围外的试样4、7、11、12、16、19以及 23中，“电容器51”的“logIR”与“电容器41”的“logIR”相比，大幅度降低。在试样4中，玻璃中的K2O超过5重量％。在试样7中，玻璃中的Al2O3超过5重量％。在试样11中，玻璃中的B2O3超过25 重量％。在试样12中，玻璃中的SiO2小于70重量％。在试样16中，填料中的氧化铝超过10重量％，在试样19中，填料中的氧化铝小于1 重量％。试样23中，填料的含量小于10重量％。
应予说明，在使用本发明的范围内的试样构成的电容器51所具备的复合层叠体52中，看不到裂缝、剥离等缺陷。
符号说明
1 共模扼流圈(层叠陶瓷电子部件)
2、22、53 第1陶瓷层
3、23、54 第2陶瓷层
4、24、52 复合层叠体
5、6、27 线圈导体
7～10、31～33、45、46 端电极
11、34、55 界面
21 LC滤波器(层叠陶瓷电子部件)
25、43、44 电容器电极
26、41、51 电容器。

Claims (3)

1.一种层叠陶瓷电子部件，其具备复合层叠体和线圈导体，所述复合层叠体具有层叠第1陶瓷层和第2陶瓷层而成的结构且是共烧结而得的，所述第2陶瓷层具有与所述第1陶瓷层不同的组成，所述线圈导体设置于所述第1陶瓷层的内部，
所述第1陶瓷层由玻璃陶瓷材料的烧结体构成，所述玻璃陶瓷材料包含：
40～90重量％的玻璃，所述玻璃含有0.5～5重量％的K2O、0～5重量％的Al2O3、10～25重量％的B2O3、以及70～85重量％的SiO2，
10～60重量％的填料，所述填料含有氧化铝和石英，
并且，所述填料中含有的所述氧化铝相对于所述玻璃和所述填料的合计量为1～10重量％，
所述第2陶瓷层由含有Ni-Cu-Zn系铁氧体的陶瓷磁性材料构成，
在所述复合层叠体中，所述第2陶瓷层夹持所述第1陶瓷层地进行层叠。
2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件，其进一步具备形成于所述复合层叠体的外表面的至少1对端电极，并且，在成对的所述端电极间流动的电流的路径上存在所述第1陶瓷层与所述第2陶瓷层的界面。
3.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电子部件，其进一步具备设置于所述第1陶瓷层的内部的至少1对电容器电极和设置于所述第2陶瓷层的内部的线圈导体。
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