JP5796602B2 - セラミック電子部品およびその製造方法 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 145
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 41
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 claims description 16
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910004762 CaSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0036—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/10—Metal-oxide dielectrics
- H01G4/105—Glass dielectric
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/129—Ceramic dielectrics containing a glassy phase, e.g. glass ceramic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
- H01F2017/0026—Multilayer LC-filter
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
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Description
上記セラミック誘電体層は、
35〜50重量%のCaO、0〜20重量%のAl2O3、5〜20重量%のB2O3、および30〜50重量%のSiO2を含む、ガラスを40〜80重量%と、
アルミナ、フォルステライト(Mg2SiO4)および石英の群から選ばれる少なくとも1種のセラミックを20〜60重量%と、
を含み、さらに、
結晶として、少なくともウォラストナイト(CaSiO3)を含む、
ことを特徴としている。
以下に、この発明に係るセラミック電子部品に関して、実験例に基づき、より具体的に説明する。
表1に示すガラス組成となるように、出発原料となる酸化物または炭酸塩を調合し、これをPtるつぼに入れ、ガラス組成により1300〜1500℃の温度で1時間溶融させた。次に、このガラス融液を急冷した後、粉砕し、ガラス粉末を得た。
Ni−Cu−Zn系フェライトの仮焼粉に溶剤、バインダおよび可塑剤を加え、十分に混合し、ドクターブレード法を適用することによって、磁性体セラミックグリーンシートを得た。
絶縁抵抗測定のため、図2および図3にそれぞれ示すようなコンデンサ11および21を作製した。
コンデンサ11および21は、それぞれ、基板12および22を備える。コンデンサ11および21について、共通する要素には同様の参照符号を付して説明すると、基板12および22の各々の内部には、互いに対向する内部電極13および14が配置される。基板12および22の各々の互いに対向する各端面上には、内部電極13および14にそれぞれ電気的に接続された外部電極15および16が形成される。
図2に示すコンデンサ11では、基板12は、10mm×10mm×約1.0mm(厚み)の寸法を有し、誘電体セラミックグリーンシートを積層してなる積層体を焼成して得られたものである。基板12の厚み方向での中央に内部電極13および14を配置した。
図3に示すコンデンサ21では、基板22は、10mm×10mm×約1.0mm(厚み)の寸法を有し、誘電体セラミックグリーンシートと磁性体セラミックグリーンシートとを積層してなる積層体を焼成して得られた複合基板である。より詳細には、複合基板22は、図3に示すように、厚み90μmのセラミック誘電体層23を、各厚みが0.5mmの2つのセラミック磁性体層24および25で挟んだ積層構造を有しており、セラミック誘電体層23の厚み方向での中央に内部電極13および14を配置した。
コンデンサ11および21について、絶縁抵抗測定器により絶縁抵抗値[Ω]を測定した。その結果が、logIRとして、表2の「誘電体単体」における「logIR」および「共焼結体」における「logIR」の各欄に示されている。表2において、「誘電体単体」はコンデンサ11に相当し、「共焼結体」はコンデンサ21に相当する。
誘電体セラミックグリーンシートのみを所定枚数積層した後、圧着、焼成し、20mm×20mm×1.0mm(厚み)の基板を作製した。そして、この焼成基板を乳鉢で粉砕し得られた粉末についてX線回折分析を実施し、それによって、結晶相の同定を行なった。その結果が表2の「誘電体単体」における「結晶相」の欄に示されている。
2 セラミック誘電体層
3 セラミック磁性体層
4 複合基板
Claims (3)
- セラミック誘電体層とセラミック磁性体層とを積層した構造を有する複合基板を備え、
前記セラミック誘電体層は、
35〜50重量%のCaO、0〜20重量%のAl2O3、5〜20重量%のB2O3、および30〜50重量%のSiO2を含む、ガラスを40〜80重量%と、
アルミナ、フォルステライトおよび石英の群から選ばれる少なくとも1種のセラミックを20〜60重量%と、
を含み、さらに、
結晶として、少なくともウォラストナイトを含む、
セラミック電子部品。 - 前記セラミック磁性体層は、Ni−Cu−Zn系フェライトを含む、請求項1に記載のセラミック電子部品。
- 誘電体セラミックグリーンシートと磁性体セラミックグリーンシートとをそれぞれ準備する工程と、
前記誘電体セラミックグリーンシートと前記磁性体セラミックグリーンシートとを積層して複合積層体を作製する工程と、
前記複合積層体を焼成して複合基板を得る工程と、
を備え、
前記誘電体セラミックグリーンシートを準備する工程は、固形成分として、35〜50重量%のCaO、0〜20重量%のAl2O3、5〜20重量%のB2O3、および30〜50重量%のSiO2を含む、ガラスを40〜80重量%と、アルミナ、フォルステライトおよび石英の群から選ばれる少なくとも1種のセラミックを20〜60重量%と、を含む、誘電体セラミックグリーンシートを準備する工程を含み、
前記複合積層体を焼成して複合基板を得る工程において、前記ガラスの一部が結晶化して少なくともウォラストナイトが析出する、
セラミック電子部品の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013118434A JP5796602B2 (ja) | 2013-06-05 | 2013-06-05 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
US14/282,057 US20140362491A1 (en) | 2013-06-05 | 2014-05-20 | Ceramic electronic component and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013118434A JP5796602B2 (ja) | 2013-06-05 | 2013-06-05 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014236170A JP2014236170A (ja) | 2014-12-15 |
JP5796602B2 true JP5796602B2 (ja) | 2015-10-21 |
Family
ID=52005288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013118434A Active JP5796602B2 (ja) | 2013-06-05 | 2013-06-05 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140362491A1 (ja) |
JP (1) | JP5796602B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101792277B1 (ko) * | 2012-08-29 | 2017-11-20 | 삼성전기주식회사 | 박막형 공통 모드 필터 |
WO2015093098A1 (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | 株式会社村田製作所 | ガラスセラミック材料および積層セラミック電子部品 |
US9767958B2 (en) * | 2014-12-01 | 2017-09-19 | Coherent Lasersystems Gmbh & Co., Lg | Capacitor assembly |
JP2017108011A (ja) * | 2015-12-10 | 2017-06-15 | 株式会社村田製作所 | セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
JP6414566B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2018-10-31 | 株式会社村田製作所 | ガラス−セラミック−フェライト組成物および電子部品 |
WO2018100863A1 (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-07 | 株式会社村田製作所 | 複合電子部品、及び該複合電子部品の製造方法 |
JP6740994B2 (ja) * | 2017-11-29 | 2020-08-19 | 株式会社村田製作所 | ガラス−セラミック−フェライト組成物および電子部品 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0297565B1 (en) * | 1987-07-01 | 1994-03-23 | TDK Corporation | Sintered ferrite body, chip inductor, and composite LC part |
JPH11335162A (ja) * | 1998-05-25 | 1999-12-07 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品 |
JP3358589B2 (ja) * | 1999-06-08 | 2002-12-24 | 株式会社村田製作所 | セラミック基板用組成物、グリーンシートおよびセラミック回路部品 |
JP2004096388A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波積層デバイス |
JP2004343084A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-12-02 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
-
2013
- 2013-06-05 JP JP2013118434A patent/JP5796602B2/ja active Active
-
2014
- 2014-05-20 US US14/282,057 patent/US20140362491A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014236170A (ja) | 2014-12-15 |
US20140362491A1 (en) | 2014-12-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141208 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150416 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150627 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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