WO2018100863A1 - 複合電子部品、及び該複合電子部品の製造方法 - Google Patents

複合電子部品、及び該複合電子部品の製造方法 Download PDF

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WO2018100863A1
WO2018100863A1 PCT/JP2017/035231 JP2017035231W WO2018100863A1 WO 2018100863 A1 WO2018100863 A1 WO 2018100863A1 JP 2017035231 W JP2017035231 W JP 2017035231W WO 2018100863 A1 WO2018100863 A1 WO 2018100863A1
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WO
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component
dielectric glass
composite electronic
electronic component
glass
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PCT/JP2017/035231
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English (en)
French (fr)
Inventor
大樹 足立
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 

Definitions

  • the present invention relates to a composite electronic component and a method for manufacturing the composite electronic component. More specifically, the present invention relates to a composite electronic component such as a laminated common mode choke coil in which a magnetic layer and a dielectric glass layer are formed by co-firing and a method for manufacturing the composite electronic component. About.
  • a common mode choke coil has been widely used to remove common mode noise generated between signal lines and power lines of various electronic devices and GND (ground).
  • the noise component is transmitted in the common mode and the signal component is transmitted in the normal mode. Therefore, the noise is separated into the signal and the noise by utilizing the difference between these transmission modes. ing.
  • Patent Document 1 includes a dielectric glass layer in which a pair of spiral conductive wires are embedded, and a magnetic material layer disposed above and below the dielectric glass layer, and the dielectric glass layer includes a quartz ( 5 to 40 wt% of a filler component made of quartz) and 60 to 95 wt% of a frit component.
  • the frit component is 60.0 to 89.0 wt% of Si in terms of oxide, and Mg is 0.02 in terms of oxide.
  • a multilayer common mode choke coil containing 1 to 3.5 wt%, B containing 10.0 to 32.0 wt% in terms of oxide, and K containing 0.3 to 4.0 wt% in terms of oxide has been proposed. ing.
  • This Patent Document 1 has a laminated structure in which a dielectric glass layer in which a spiral inner conductor is embedded is sandwiched between a pair of magnetic layers.
  • JP 2013-135088 A (Claims 1, 2, paragraph [0006] etc.)
  • Patent Document 1 Although the dielectric glass layer and the magnetic layer are formed by co-firing, a large amount of bubbles are easily formed inside the fired dielectric glass layer. There is a risk of lowering reliability.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the main part of the laminated common mode choke coil disclosed in Patent Document 1, in which a dielectric glass layer 102 is interposed between a pair of magnetic layers 101a and 101b. A large amount of bubbles 103 may be formed inside the dielectric glass layer 102 for the following reason.
  • the dielectric sheet before firing contains an organic binder.
  • a dielectric glass sheet containing a filler component and a glass component made of quartz and a magnetic sheet made of a ferrite material are used together.
  • C (carbon) remaining without being burned out by the binder removal process is confined as CO 2 gas in the softened glass component, thereby forming bubbles 103.
  • a large amount of bubbles 103 are formed and these bubbles 103 come into contact with the inner conductor embedded in the dielectric glass layer 102, and moisture contained in the bubbles 103 penetrates into the inner conductor, performance such as insulation performance is obtained. There is a risk of deterioration and a decrease in reliability.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and is capable of suppressing deterioration in performance and occurrence of structural defects inside the dielectric glass layer, and having a good bondability and high reliability. It is an object of the present invention to provide a composite electronic component such as a common mode choke coil and a method for manufacturing the composite electronic component.
  • the present inventors have revealed that intensive studies using quartz forsterite in addition to (SiO 2) (2MgO ⁇ SiO 2) as a filler component in order to achieve the above object, the composition of the glass component with a predetermined range
  • the forsterite content in the dielectric glass layer is set to 2 to 10 wt% and the total content of filler components to 20 to 60 wt%
  • the dielectric glass layer and the magnetic layer are co-fired. Even if formed, it is possible to suppress the formation of structural defects such as bubbles inside the dielectric glass layer, thereby obtaining good insulation performance, and the dielectric glass layer and the magnetic layer.
  • a composite electronic component having high reliability can be obtained.
  • each of the glass components is 70 to 85 wt% of Si, 10 to 25 wt% of B, 0.5 to 5 wt% of K, and 0 to 5 wt% of Al in terms of oxides.
  • the filler component contains at least quartz and forsterite, and the dielectric glass layer has a content of the forsterite of 2 to 10 wt%, and the total content of the filler component The amount is 20 to 60 wt%.
  • the dielectric glass layer has an internal conductor embedded therein.
  • the inner conductor is preferably formed in a spiral shape or a spiral shape.
  • the inner conductor contains Ag as a main component.
  • the ferrite material contains at least Fe, Ni, Zn, and Cu.
  • the composite electronic component of the present invention is preferably a laminated common mode choke coil.
  • the method for manufacturing a composite electronic component according to the present invention includes a step of preparing a magnetic sheet made of a ferrite material, and Si, B, K, and Al are converted into oxides.
  • At least quartz and forsterite are prepared as filler components, the forsterite content in the fired dielectric glass layer is 2 to 10 wt%, and the total content of the filler components is 20 to 60 wt%.
  • the step of weighing the filler component, the step of mixing the weighed filler component and the glass component, and performing a forming process to produce a dielectric glass sheet Applying a conductive paste to the dielectric glass sheet to form a conductive film having a predetermined pattern; and the dielectric glass sheet and the magnetic layer to be the dielectric glass layer on which the conductive film is formed And a firing step of laminating and co-firing the magnetic sheet to be formed.
  • the firing step is co-fired in a state where the dielectric glass sheet provided with the conductive film is sandwiched between the magnetic sheets.
  • the glass components are each converted to oxides in the range of 70 to 85 wt% Si, 10 to 25 wt% B, 0.5 to 5 wt% K, and 0 to 5 wt Al. %
  • the filler component contains at least quartz and forsterite
  • the dielectric glass layer has a content of the forsterite of 2 to 10 wt% and a total content of the filler component. Since the amount is 20 to 60 wt%, even when the dielectric glass layer and the magnetic layer are formed by co-firing, it is possible to suppress the generation of defects such as bubbles in the dielectric glass layer.
  • a composite electronic component such as a laminated common mode choke coil having a good insulation performance, a high reliability and an improved bondability by suppressing interfacial peeling between the dielectric glass layer and the magnetic layer.
  • a step of preparing a magnetic sheet, a step of producing a powdery glass component so as to have a predetermined component composition, and after firing A step of weighing the filler component so that the filler component containing forsterite is in a predetermined range in the dielectric glass layer, a step of producing a dielectric glass sheet, a step of forming a conductive film, and a firing step. Therefore, the above-described composite electronic component can be manufactured easily and efficiently.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a laminated common mode choke coil as a composite electronic component according to the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1. It is a disassembled perspective view which shows a laminated molded object typically. It is a figure which shows the single capacitor
  • FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a laminated common mode choke coil as a composite electronic component according to the present invention
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
  • the component body 1 has a laminated structure in which a dielectric glass layer 2 containing a glass component and a filler component is sandwiched between first and second magnetic layers 3a and 3b made of a ferrite material. have.
  • First to fourth external electrodes 4 a to 4 d are formed at both ends of the component body 1.
  • the dielectric glass layer 2 has first and second inner conductors 5 and 6 formed in a coil shape (spiral shape). Specifically, the dielectric glass layer 2 is formed of a sintered body in which first to fifth dielectric glass sheets 7a to 7e are laminated.
  • the first inner conductor 5 includes a first coil portion 5c formed on the second dielectric glass sheet 7b, a first conductive via 5b penetrating the second dielectric glass sheet 7b, A first lead conductor portion 5a formed on the first dielectric glass sheet 7a, and the first coil portion 5c, the first conductive via 5b, and the first lead conductor portion 5a are electrically It is connected to the.
  • the second inner conductor 6 includes a second coil portion 6a formed on the third dielectric glass sheet 7c, a second conductive via 6b penetrating the fourth dielectric glass sheet 7d, A second lead conductor portion 6c formed on the fourth dielectric glass sheet 7d, and the second coil portion 6a, the second conductive via 6b, and the second lead conductor portion 6c are electrically It is connected to the.
  • the first inner conductor 5 and the second inner conductor 6 are embedded in the dielectric glass layer 2 via the third dielectric glass sheet 7c so that the winding directions are opposite to each other. Yes.
  • the first and second inner conductors 5 and 6 When a normal mode current flows through the first and second inner conductors 5 and 6 in the laminated common mode choke coil configured as described above, the first and second inner conductors 5 and 6 have opposite directions to each other. Since the magnetic flux is generated in the magnetic field and the magnetic flux cancels out, the function as an inductor does not occur. On the other hand, when a common mode current flows through the first and second inner conductors 5 and 6, magnetic flux is generated in the same direction as the first and second inner conductors 5 and 6 and functions as an inductor. Thus, the laminated common mode choke coil does not function as an inductor for the normal mode, but functions as an inductor only for the common mode, thereby removing noise components.
  • the conductive material for the first and second inner conductors 5 and 6 is not particularly limited, and various conductive materials such as Ag, Ag—Pd, Au, Cu, and Ni can be used. However, it is usually preferable to use a conductive material mainly composed of Ag that is relatively inexpensive and can be baked in an air atmosphere.
  • the dielectric glass layer 2 contains a borosilicate glass-based glass component and a filler component made of a ceramic filler containing at least quartz (SiO 2 ) and forsterite (2MgO ⁇ SiO 2 ) as described above. ing.
  • the glass component has a composition of SiO 2 : 70 to 85 wt%, B 2 O 3 : 10 to 25 wt%, K 2 O: 0.5 to 5 wt%, and Al 2 O 3 : 0 to 5 wt%.
  • the filler component has a forsterite content of 2 to 10 wt% in the dielectric glass layer 2 and a total filler component content of 20 to 60 wt%.
  • first to fifth dielectric glass sheets 7a to 7e to be the dielectric glass layer 2 and the magnetic sheets to be the first and second magnetic layers 3a and 3b are co-fired, Formation of structural defects such as bubbles in the dielectric glass layer 2 after firing can be suppressed.
  • the dielectric glass layer 2 and the first and second magnetic layers 3a and 3b are co-located.
  • the remaining C in the dielectric glass layer 2 without being burned out by the binder removal process is confined in the glass component as CO 2 gas, and a large amount of bubbles are formed. There is a risk of performance degradation and reliability degradation.
  • the glass component has a wettability difference between quartz and forsterite. Even if it reaches, the wettability of the glass component to the filler component is hindered, and as a result, the glass component is difficult to wet and spread to the filler component. For this reason, even if bubbles are generated inside the dielectric glass layer 2, they are released outside through a path communicating with the outside without being confined in the softened glass component, thereby suppressing the generation of bubbles. be able to.
  • forsterite exceeds the softening point of the glass component and reaches a high firing temperature range, it reacts with the glass component, and the Mg component in the forsterite dissolves in the glass component. That is, in the firing temperature range, the Mg component that acts as a modified oxide of the glass increases to lower the softening point of the glass component, and as a result, the ferrite material that forms the first and second magnetic layers 3a and 3b. The diffusion of the glass component to the surface is promoted, and thereby, it is possible to suppress the occurrence of interface peeling between the dielectric glass layer 2 and the first and second magnetic layers 3a and 3b. Will improve.
  • the present embodiment by containing a predetermined amount of quartz and forsterite having different wettability as filler components in the dielectric glass layer 2, the formation of internal defects such as bubbles is suppressed.
  • it is possible to improve the bondability by suppressing the occurrence of interfacial separation between the dielectric glass layer 2 and the first and second magnetic layers 3a and 3b, thereby reducing performance degradation such as a decrease in insulation resistance.
  • a multilayer common mode choke coil having high reliability is realized without incurring.
  • the ferrite material for forming the first and second magnetic layers 3a and 3b is not particularly limited.
  • a Zn—Cu—Ni based ferrite material having a spinel crystal structure Zn—Ni Ferrite-based ferrite materials, Ni-based ferrite materials, and the like can be used, but usually Zn-Cu-Ni-based ferrite materials can be preferably used.
  • the composition range of the ferrite material is not particularly limited.
  • Fe 2 O 3 40 to 49.5 mol%
  • ZnO 5 to 35 mol %
  • CuO 4 to 12 mol%
  • balance NiO and a small amount of additives (including inevitable impurities) can be preferably used.
  • Glass component (i) SiO 2 Glass is composed of a network oxide that becomes amorphous to form a network network structure, a modified oxide that modifies the network oxide to make it amorphous, and an intermediate oxide between the two. Composed. Of these, SiO 2 acts as a network oxide and is an important constituent.
  • the content of SiO 2 is less than 70 wt%, the content of SiO 2 in the glass component is relatively decreased, so that the first and second magnetic layers 3a of the glass component during firing, Diffusion to the 3b side is promoted excessively. For this reason, generation
  • the content of SiO 2 in the glass component is regulated to 70 to 85 wt%.
  • B 2 O 3 also acts as a network oxide and has an effect of lowering the softening point, so that it is an important component for adjusting the fluidity of the glass component.
  • the content of B 2 O 3 in the glass component is regulated to 10 to 25 wt%.
  • the content of K 2 O in the glass component is regulated to 0.5 to 5 wt%.
  • Al 2 O 3 Al 2 O 3 acts as an intermediate oxide, by incorporating an appropriate amount, stable amorphous glass is obtained by suppressing the crystallization of the glass, it is possible to improve the chemical durability of the glass component .
  • the content of Al 2 O 3 in the glass component is defined as 0 to 5 wt%.
  • filler component (i) Total content of filler component
  • two types of ceramic fillers that do not soften at the softening point of the glass component namely, quartz (SiO 2 ) and forsterite (2MgO ⁇ SiO 2 ) are used. It is contained as a filler component. Since the filler component is not softened at the softening point of the glass component as described above, the filler component and the glass component are mixed, and when rapidly cooled after firing, the glass component forms a glass substrate, and the filler is contained in the glass substrate. The components are dispersed, whereby the dielectric glass layer 2 is formed.
  • the total content of the filler component in the dielectric glass layer 2 is reduced to less than 20 wt%, the content of the glass component is relatively increased, so that the first and second magnetic layers 3a after firing, Interfacial delamination with 3b may occur, leading to a decrease in bondability.
  • the glass component content is relatively reduced, which leads to a decrease in sinterability, which is not preferable.
  • the total content of filler components is set to 20 to 60 wt%.
  • (Ii) Content of forsterite By containing forsterite in the dielectric glass layer 2 together with quartz as a filler component, the occurrence of structural defects such as bubbles in the dielectric glass layer 2 as described above is suppressed. In addition, the bondability between the dielectric glass layer 2 and the first and second magnetic layers 3a and 3b can be improved. For this purpose, the content of forsterite in the dielectric glass layer 2 needs to be at least 2 wt%.
  • the content of forsterite is 2 to 10 wt%.
  • the composition of the glass component, the total content of the filler component, and the content of forsterite within a predetermined range, the generation of defects such as bubbles in the dielectric glass layer 2 can be suppressed. It is intended to improve the bonding property between the dielectric glass layer 2 and the first and second magnetic layers 3a and 3b.
  • FIG. 3 is an exploded perspective view schematically showing a laminated molded body which is an intermediate product of the laminated common mode choke coil.
  • Magnetic Sheets 8a and 8b Predetermined amounts of ferrite raw materials such as Fe 2 O 3 , ZnO, CuO, NiO are weighed, and these weighed materials are put into a pot mill together with pure water and cobblestones such as PSZ (partially stabilized zirconia) balls, and are thoroughly mixed by wet After being pulverized and evaporated to dryness, calcined at a temperature of 700 to 800 ° C. for a predetermined time to prepare a calcined powder.
  • ferrite raw materials such as Fe 2 O 3 , ZnO, CuO, NiO are weighed, and these weighed materials are put into a pot mill together with pure water and cobblestones such as PSZ (partially stabilized zirconia) balls, and are thoroughly mixed by wet After being pulverized and evaporated to dryness, calcined at a temperature of 700 to 800 ° C. for a predetermined time to prepare a calcined powder.
  • an organic binder such as polyvinyl butyral or the like, and an organic solvent such as ethanol and toluene are put into the pot mill again with the calcined powder, and sufficiently mixed and pulverized to prepare a magnetic slurry.
  • the magnetic slurry is formed into a sheet, thereby obtaining a plurality of magnetic sheets 8a and 8b having a film thickness of 30 to 40 ⁇ m.
  • the composition of the glass component after firing is SiO 2 : 70 to 85 wt%, B 2 O 3 : 10 to 25 wt%, K 2 O: 0.5 to 5 wt%, and Al 2 O 3 : 0 to 5 wt%.
  • the Si compound, the B compound, the K compound, and the Al compound are weighed, and the weighed material is put into a platinum crucible and melted at a temperature of 1500 to 1600 ° C. for a predetermined time to prepare a glass melt.
  • the glass melt is quenched and then pulverized to obtain a glass powder.
  • the compound form of the Si compound, the B compound, the K compound, and the Al compound described above is not particularly limited, and for example, an oxide, a carbonate, or the like can be used.
  • quartz and forsterite having an average particle size of 0.5 to 1.5 ⁇ m are prepared as filler components. Then, these filler components are weighed so that the forsterite content in the fired dielectric glass layer 2 is 2 to 10 wt% and the total content of filler components is 20 to 60 wt%. Next, this weighed filler component and the above glass powder are mixed, and an organic binder such as polyvinyl butyral, an organic solvent such as ethanol and toluene, and a plasticizer are put into a pot mill together with PSZ balls, and sufficiently mixed and pulverized. Then, a dielectric glass slurry is produced.
  • an organic binder such as polyvinyl butyral, an organic solvent such as ethanol and toluene, and a plasticizer
  • the dielectric glass slurry is formed into a sheet using a forming method such as a doctor blade method, whereby the first to fifth dielectric glass sheets 7a to 7e having a film thickness of 10 to 20 ⁇ m are formed. Make it.
  • a conductive paste mainly composed of Ag or the like is prepared. Then, using a coating method such as a screen printing method, a conductive paste is applied onto the first dielectric glass sheet 7a to produce a first lead conductor pattern 9a having a predetermined shape. Next, a via hole is formed at a predetermined position of the second dielectric glass sheet 7b by laser irradiation or the like, and the via hole is filled with a conductive paste to form a first via conductor 9b.
  • a spiral first coil pattern 9c is formed on the dielectric glass sheet 7b, and the first lead conductor pattern 9a, the first via conductor 9b, and the first A first conductive film 9 made of the coil pattern 9c is prepared.
  • a conductive paste is applied on the third dielectric glass sheet 7c by using a coating method such as a screen printing method to produce a second coil pattern 10a having a predetermined shape.
  • a via hole is formed at a predetermined location of the fourth dielectric glass sheet 7d by laser irradiation or the like, and the via hole is filled with a conductive paste to form a second via conductor 10b.
  • a second lead conductor pattern 10c is formed on the fourth dielectric glass sheet 7d using a coating method such as screen printing, and the second coil pattern 10a, the second via conductor 10b, and the second A second conductive film 10 having a lead conductor pattern 10c is formed.
  • the first to fifth dielectric glass sheets 7a to 7e on which the first and second conductive films 9, 10 are formed are sequentially laminated on a predetermined number of magnetic sheets 8b, and further the fifth dielectric glass sheet 7e.
  • a predetermined number of magnetic sheets 8a are laminated, and the first to fifth dielectric glass sheets 7a to 7e are sandwiched between the magnetic sheets 8a and 8b, and are heated and pressure-bonded. Is made.
  • the laminated molded body is put in a bag and subjected to a binder removal treatment at a heating temperature of 350 to 500 ° C. in an air atmosphere, and then a baking treatment is performed at a temperature of 850 to 920 ° C. for 2 hours, thereby a magnetic sheet.
  • the first to fifth dielectric glass sheets 7a to 7e, the first and second conductive films 9.10 are co-fired, and the first and second inner conductors 5 and 6 are embedded in a spiral shape.
  • a component main body 1 including a dielectric glass layer 2 and a pair of magnetic layers 3a and 3b sandwiching the dielectric glass layer 2 is obtained.
  • a conductive paste for external electrodes mainly composed of Ag or the like is applied to predetermined portions on both ends of the component main body 1, and a baking process is performed at a temperature of about 900 ° C. to form first to fourth external electrodes 4a.
  • the first lead conductor portion 5a is electrically connected to the first external electrode 4a
  • the first coil portion 5c is electrically connected to the third external electrode 4c
  • the second lead The conductor portion 6c is electrically connected to the second external electrode 4b and the second coil portion 6a is electrically connected to the fourth external electrode 4d, whereby the laminated common as shown in FIGS. A mode choke coil is produced.
  • the step of preparing the magnetic sheets 8a and 8b, the step of preparing a powdery glass component so as to have a predetermined component composition, and the forsterite in the dielectric glass layer after firing A step of weighing the filler component so that the filler component containing is within a predetermined range, a step of producing the dielectric glass sheets 7a to 7e, a step of forming the conductive films 9, 10, and a baking step.
  • the laminated common mode choke coil can be efficiently manufactured.
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the main part of the inner conductor is formed in a two-dimensional spiral shape, but the problem of the present invention is to suppress the generation of bubbles in the dielectric glass layer and the separation of the interface.
  • the shape is not particularly limited, and for example, the main part of the inner conductor may be a three-dimensional spiral.
  • the laminated common mode choke coil has been described as an example.
  • the dielectric glass layer and the magnetic layer are formed by co-firing, the present invention can be applied to other composite electronic components. Needless to say.
  • a dielectric capacitor (hereinafter referred to as a “single capacitor”) that uses the glass component and filler component described above and does not have a magnetic layer, and a dielectric glass layer in which an internal electrode is embedded and the magnetic layer are used together. Each co-sintered capacitor formed by firing was prepared, and the insulation performance was evaluated.
  • the characteristics of the coil component such as the laminated common mode choke coil were not evaluated.
  • the insulating performance of the co-sintered capacitor was good, and the dielectric glass layer was used in the laminated composite. It is needless to say that the same characteristics can be obtained in the coil component as long as the generation of bubbles therein is suppressed and the bondability is good.
  • FIG. 4A and 4B are diagrams schematically showing a single capacitor manufactured in this example, where FIG. 4A is a longitudinal sectional view, and FIG. 4B is a sectional view taken along the line BB in FIG. 4A.
  • FIG. 4 (c) is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 4 (a).
  • this single capacitor is formed in a rectangular parallelepiped shape having outer dimensions of a length L of 10 mm, a width W of 10 mm, and a height H of 1.020 mm.
  • the component main body 51 has a height having a pair of dielectric glass layers 52a and 52b having a height H1 of 0.5 mm and internal electrodes 53a and 53b sandwiched between the pair of dielectric glass layers 52a and 52b.
  • H2 is composed of a dielectric glass layer 54 having a thickness of 20 ⁇ m, and a pair of external electrodes 55a and 55b are formed on both end faces of the component body 51.
  • the internal electrodes 53a and 53b are each formed with a length L1 of 7 mm and a width W1 of 4 mm.
  • This single capacitor was produced as follows.
  • SiO 2 , B 2 O 3 , K 2 O, and Al 2 O 3 are weighed so that the glass composition after firing is as shown in Table 1, and these weighed products are put into a platinum crucible, and according to the composition components
  • the glass melt was obtained by melting at a temperature of 1500 to 1600 ° C. for 2 hours.
  • the glass melt was quenched and then pulverized to obtain glass powders of sample numbers 1 to 24 having an average particle size of 1.0 ⁇ m.
  • quartz and forsterite having an average particle diameter of 0.5 to 1.5 ⁇ m were prepared as filler components. Then, each filler component was weighed so that the content of each filler component in the dielectric glass layers 52a, 52b, and 54 and the total content of the filler components were as shown in Table 1.
  • this weighed filler component and the above glass powder are mixed, and an organic binder such as polyvinyl butyral, an organic solvent such as ethanol and toluene, and a plasticizer are put into a pot mill together with PSZ balls, and sufficiently mixed and pulverized.
  • an organic binder such as polyvinyl butyral, an organic solvent such as ethanol and toluene, and a plasticizer are put into a pot mill together with PSZ balls, and sufficiently mixed and pulverized.
  • a dielectric glass slurry was prepared.
  • the dielectric glass slurry was formed into a sheet shape, thereby producing a dielectric glass sheet having a thickness of 20 to 30 ⁇ m.
  • an Ag-based conductive paste was prepared, and the Ag-based conductive paste was applied to the dielectric glass sheet using a screen printing method to form a conductive film having a predetermined pattern at a predetermined location.
  • FIG. 5A and 5B are diagrams schematically showing the co-sintered capacitor produced in this example.
  • FIG. 5A is a longitudinal sectional view
  • FIG. 5B is a DD of FIG. 5A.
  • FIG. 5C is a cross-sectional view taken along the arrow
  • FIG. 5C is a cross-sectional view taken along the line EE of FIG.
  • this co-sintered body capacitor is formed in a rectangular parallelepiped shape having outer dimensions of a length L of 10 mm, a width W of 10 mm, and a height H of 1.020 mm, as in the case of a single capacitor.
  • the component body 56 has a height H2 including a pair of magnetic layers 57a and 57b having a height H1 of 0.5 mm and internal electrodes 58a and 58b sandwiched between the pair of magnetic layers 57a and 57b. It consists of a dielectric glass layer 59 of 20 ⁇ m, and a pair of external electrodes 60 a and 60 b are formed on both end faces of the component body 56.
  • the internal electrodes 58a and 58b are each formed to have a length L1 of 7 mm and a width W1 of 4 mm, as in the case of a single capacitor.
  • This co-sintered capacitor was produced as follows.
  • Fe 2 O 3 , ZnO, CuO, and NiO were prepared as ferrite raw materials. Then, the content after firing, Fe 2 O 3: 48.0mol% , ZnO: 30.0mol%, CuO: 8.0mol%, the balance: As will be NiO, these Fe 2 O 3, ZnO, CuO And NiO were weighed. Next, these weighed materials are put into a pot mill together with pure water and cobblestones such as PSZ (partially stabilized zirconia) balls, sufficiently mixed and pulverized wet, evaporated and dried, and calcined at a temperature of 750 ° C. for a predetermined time. A calcined powder was obtained.
  • PSZ partially stabilized zirconia
  • an organic binder such as polyvinyl butyral or the like and an organic solvent such as ethanol or toluene were again put into a pot mill together with this calcined powder together with PSZ balls, and sufficiently mixed and pulverized to prepare a magnetic slurry.
  • the magnetic material slurry was formed into a sheet, thereby producing a magnetic material sheet having a thickness of 30 ⁇ m.
  • a dielectric glass sheet is manufactured by the same method and procedure as the above-described single capacitor, and then screen printing is used to apply an Ag-based conductive paste to the surface of the dielectric glass sheet, and a predetermined location is predetermined. A conductive film having a shape was formed.
  • a dielectric glass sheet is laminated on the magnetic sheets so that the internal electrodes face each other, and a predetermined number of magnetic sheets are further laminated thereon, Thereby, a laminated molded body was produced.
  • the laminated molded body is put in a bag and subjected to a binder removal treatment at 500 ° C. in an air atmosphere, and then fired at a firing temperature of 900 ° C. for 2 hours, whereby the first and second magnetic layers 57a, A component main body 56 in which 57b, dielectric glass layer 59, and internal electrodes 58a and 58b were co-fired was obtained.
  • an Ag-based conductive paste is applied to both end faces of the component main body 56, and is baked at a temperature of 900 ° C. to form the external electrodes 60a and 60b. A capacitor was obtained.
  • FIG. 6 is a perspective view of the laminated composite produced in this example.
  • this composite is formed in a rectangular parallelepiped shape having outer dimensions of a length L of 5 mm, a width W of 5 mm, and a height H of 1.2 mm, and a height H2 of 0.4 mm. 61 is sandwiched between a pair of magnetic layers 62a and 62b having a height H1 of 0.4 mm.
  • This laminated composite was prepared as follows using the above-described magnetic material sheet and dielectric glass sheet.
  • the magnetic material sheet and the dielectric glass sheet produced as described above were cut into dimensions having a length L of 5 mm and a width W of 5 mm. And a magnetic material sheet and a dielectric material sheet were laminated
  • the laminated molded body is put in a bag and subjected to a binder removal treatment at 500 ° C. in an air atmosphere. Thereafter, the laminated molded body is fired at a firing temperature of 900 ° C. for 2 hours. 50 pieces were produced.
  • the insulation resistance logIR is measured using a general-purpose insulation resistance measuring instrument, and the insulation resistance logIR is less than 10 as a defective product and 10 or more as a good product. It was judged.
  • Table 1 shows the composition of the glass component, the content of the glass component, and the content of the filler component of each sample Nos. 1 to 24.
  • Table 2 shows the insulation resistance logIR, the number of bubbles, and the bondability evaluation of each sample Nos. 1 to 24.
  • Sample No. 1 had a K 2 O content in the glass component as low as 0.2 wt%, and could not be sintered due to poor sintering.
  • Sample No. 4 many content of K 2 O in the glass component and 5.5 wt%, but by itself capacitor is good insulation resistance logIR 10.6 in the case of co-sintering bodies capacitor, dielectric glass layer
  • the glass component in 59 diffused toward the first and second magnetic layers 57a and 57b, so that the insulation resistance logIR decreased to 8.2 and the number of bubbles increased to 17.
  • Sample No. 8 has a high SiO 2 content of 85 wt% in the glass component and a low B 2 O 3 content of 8 wt%, so that the softening point becomes excessively high, resulting in poor sintering. It could not be sintered.
  • Sample No. 11 has a B 2 O 3 content as high as 28 wt% in the glass component, and the insulation resistance logIR is as good as 10.2 for a single capacitor, but in the case of a co-sintered capacitor, the dielectric glass layer 59 The glass component in the glass diffused toward the first and second magnetic layers 57a and 57b, so that the insulation resistance logIR decreased to 8.6 and the number of bubbles increased to 13.
  • the SiO 2 content in the glass component is as low as 68 wt%, and therefore the insulation resistance logIR is good at 10.3 for a single capacitor, but in the case of a co-sintered capacitor, the dielectric glass layer 59 The glass component in the glass diffused toward the first and second magnetic layers 57a and 57b, so that the insulation resistance logIR decreased to 8.9 and the number of bubbles increased to 11.
  • Sample No. 15 had a SiO 2 content as high as 88 wt% in the glass component, had an excessively high softening point, and could not be sintered due to poor sintering.
  • Sample No. 16 has a forsterite content as high as 12 wt%, so that the formation of bubbles can be suppressed, but the Mg component in the forsterite is excessively diffused into the first and second magnetic layers 57a and 57b.
  • the insulation resistance logIR was reduced to 8.9.
  • Sample No. 19 contained no forsterite in the dielectric glass layer 59, so the number of bubbles increased to 8, and interface peeling was observed, resulting in poor bonding.
  • Sample No. 20 had a total filler component content of as high as 60 wt%, and the glass component content was relatively small.
  • sample numbers 2, 3, 5, 6, 9, 10, 13, 14, 17, 18, 21, 22, and 24 are SiO 2 : 70 to 85 wt%, B 2 O 3 : 10 to 25 wt%.
  • Al 2 O 3 0 to 5 wt%
  • the forsterite content in the dielectric glass layer 2 is 2 to 10 wt%
  • the filler component Since the total content is 20 to 60 wt% and both are within the scope of the present invention, the insulation resistance logIR can be obtained as good as 10 or more even if co-fired. It was found that the number of bubbles was less than 5 and it was possible to suppress the generation of defects in the internal structure, and to obtain a composite electronic component with good bondability without causing interface peeling.
  • a composite electronic component such as a laminated common mode choke coil having a good bondability at the interface with the layer and high reliability is realized.

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Abstract

フェライト材料からなる第１及び第２の磁性体層３ａ、３ｂとガラス成分及びフィラー成分を含有した誘電体ガラス層２とが積層されている。ガラス成分は、それぞれ酸化物に換算してＳｉを７０～８５ｗｔ％、Ｂを１０～２５ｗｔ％、Ｋを０．５～５ｗｔ％、及びＡｌを０～５ｗｔ％の範囲で含有すると共に、フィラー成分が、少なくとも石英とフォルステライトとを含み、誘電体ガラス層２は、フォルステライトの含有量が、２～１０ｗｔ％であって、かつフィラー成分の総含有量が、２０～６０ｗｔ％である。この複合電子部品はシート工法で容易かつ効率好く製造することができる。これにより性能劣化や誘電体ガラス層の内部に構造欠陥が生じるのを抑制することができ、しかも接合性が良好で高信頼性を有する積層コモンモードチョークコイル等の複合電子部品を実現する。

Description

複合電子部品、及び該複合電子部品の製造方法
　本発明は複合電子部品、及び該複合電子部品の製造方法に関し、より詳しくは磁性体層と誘電体ガラス層とが共焼成により形成された積層コモンモードチョークコイル等の複合電子部品とその製造方法に関する。
　従来より、各種電子機器の信号ラインや電源ラインとＧＮＤ（グランド）間で発生するコモンモードのノイズ除去にはコモンモードチョークコイルが広く使用されている。
　このコモンモードチョークコイルでは、ノイズ成分はコモンモードで伝送され、信号成分はノーマルモードで伝送されることから、これらの伝送モードの相違を利用し、信号とノイズとに分離してノイズ除去を行っている。
　そして、この種のコモンモードチョークコイルのうち、小型で低背な積層タイプのコモンモードチョークコイルも開発されている。
　例えば、特許文献１では、一対のスパイラル状の導線を埋設した誘電体ガラス層と、前記誘電体ガラス層の上下に配された磁性体層とを有し、前記誘電体ガラス層が、クォーツ（石英）からなるフィラー成分５～４０ｗｔ％と、フリット成分６０～９５ｗｔ％とを含み、フリット成分が、Ｓｉを酸化物換算で６０．０～８９．０ｗｔ％と、Ｍｇを酸化物換算で０．１～３．５ｗｔ％と、Ｂを酸化物換算で１０．０～３２．０ｗｔ％と、Ｋを酸化物換算で０．３～４．０ｗｔ％とを含有した積層コモンモードチョークコイルが提案されている。
　この特許文献１は、スパイラル状の内部導体が埋設された誘電体ガラス層が一対の磁性体層で狭持された積層構造を有している。
　そして、特許文献１では、誘電体ガラス層が、上述した組成成分を有する誘電体ガラス組成物で形成することにより、焼結性が良好で絶縁劣化しにくい積層コモンモードチョークコイルを得ようとしている。
特開２０１３－１３５０８８号公報（請求項１、２、段落[０００６]等）
　しかしながら、特許文献１では、誘電体ガラス層と磁性体層とを共焼成により形成しているものの、焼成後の誘電体ガラス層の内部には大量の気泡が形成され易く、このため性能劣化や信頼性低下を招くおそれがある。
　図７は、特許文献１の積層コモンモードチョークコイルの要部断面図であって、一対の磁性体層１０１ａ、１０１ｂの間に誘電体ガラス層１０２が介在されている。この誘電体ガラス層１０２の内部には、下記の理由により大量の気泡１０３が形成されるおそれがある。
　すなわち、焼成前の誘電体シートには有機バインダが含有されており、特許文献１のようにクォーツからなるフィラー成分及びガラス成分を含有した誘電体ガラスシートとフェライト材料からなる磁性体シートとを共焼成した場合、ガラス成分が軟化点に達すると脱バインダ処理で焼失せずに残存したＣ（炭素）が、軟化したガラス成分内にＣＯ２ガスとなって閉じ込められ、これが原因で気泡１０３が形成されるおそれがある。そして、大量の気泡１０３が形成され、これらの気泡１０３が誘電体ガラス層１０２に埋設された内部導体と接触し、前記気泡１０３の有する湿分が内部導体に浸透すると、絶縁性能等の性能が劣化し、信頼性の低下を招くおそれがある。
　しかも、特許文献１では、誘電体ガラス層１０２と磁性体層１０１ａ、１０１ｂとの間で界面剥離が生じ易く、接合性に劣っていた。
　本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、性能劣化や誘電体ガラス層の内部に構造欠陥が生じるのを抑制することができ、しかも接合性が良好で高信頼性を有する積層コモンモードチョークコイル等の複合電子部品、及び該複合電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明者は、上記目的を達成するためにフィラー成分として石英（ＳｉＯ２）に加えてフォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ２）を使用し鋭意研究を行ったところ、ガラス成分の組成を所定範囲とすると共に、誘電体ガラス層中のフォルステライトの含有量を２～１０ｗｔ％とし、かつフィラー成分の総含有量を２０～６０ｗｔ％とすることにより、誘電体ガラス層と磁性体層とが共焼成により形成されても、誘電体ガラス層の内部に気泡等の構造欠陥が形成されるのを抑制することができ、これにより良好な絶縁性能を得ることができ、しかも誘電体ガラス層と磁性体層との間の接合性が向上し、高信頼性を有する複合電子部品を得ることができるという知見を得た。
　本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る複合電子部品は、フェライト材料からなる磁性体層とガラス成分及びフィラー成分を含有した誘電体ガラス層とが積層された複合電子部品であって、前記ガラス成分は、それぞれ酸化物に換算してＳｉを７０～８５ｗｔ％、Ｂを１０～２５ｗｔ％、Ｋを０．５～５ｗｔ％、及びＡｌを０～５ｗｔ％の範囲で含有すると共に、前記フィラー成分が、少なくとも石英とフォルステライトとを含み、前記誘電体ガラス層は、前記フォルステライトの含有量が、２～１０ｗｔ％であって、かつ前記フィラー成分の総含有量が、２０～６０ｗｔ％であることを特徴としている。
　また、本発明の複合電子部品では、前記誘電体ガラス層は、内部導体が埋設されている。
　この場合、前記内部導体は、渦巻き状又は螺旋状に形成されているのが好ましい。
　さらに、本発明の複合電子部品は、前記内部導体が、Ａｇを主成分とするのが好ましい。
　また、本発明の複合電子部品では、前記フェライト材料が、少なくともＦｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、及びＣｕを含有しているのが好ましい。
　さらに、本発明の複合電子部品では、積層コモンモードチョークコイルであるのが好ましい。
　また、本発明に係る複合電子部品の製造方法は、フェライト材料からなる磁性体シートを用意する工程と、Ｓｉ、Ｂ、Ｋ、及びＡｌを酸化物に換算し、焼成後においてそれぞれＳｉが７０～８５ｗｔ％、Ｂが１０～２５ｗｔ％、Ｋが０．５～５ｗｔ％、及びＡｌが０～５ｗｔ％となるように秤量し、これら秤量物を混合して粉末状のガラス成分を作製する工程と、フィラー成分として少なくとも石英及びフォルステライトを用意し、焼成後の誘電体ガラス層中の前記フォルステライトの含有量が２～１０ｗｔ％であり、かつ前記フィラー成分の総含有量が２０～６０ｗｔ％となるように、前記フィラー成分を秤量する工程と、前記秤量されたフィラー成分と前記ガラス成分とを混合し、成形処理を行って誘電体ガラスシートを作製する工程と、前記誘電体ガラスシートに導電性ペーストを塗布し、所定パターンの導電膜を形成する工程と、前記導電膜が形成された前記誘電体ガラス層となるべき前記誘電体ガラスシートと前記磁性体層となるべき前記磁性体シートとを積層し、共焼成する焼成工程とを含むことを特徴としている。
　また、本発明の複合電子部品の製造方法では、前記焼成工程は、前記導電膜が付与された前記誘電体ガラスシートが前記磁性体シートで狭持された状態で共焼成するのが好ましい。
　本発明の複合電子部品によれば、ガラス成分は、それぞれ酸化物に換算してＳｉを７０～８５ｗｔ％、Ｂを１０～２５ｗｔ％、Ｋを０．５～５ｗｔ％、及びＡｌを０～５ｗｔ％の範囲で含有すると共に、フィラー成分が、少なくとも石英とフォルステライトとを含み、誘電体ガラス層は、前記フォルステライトの含有量が、２～１０ｗｔ％であって、かつ前記フィラー成分の総含有量が、２０～６０ｗｔ％であるので、誘電体ガラス層と磁性体層とを共焼成により形成されても、気泡等の欠陥が誘電体ガラス層内に生成されるのを抑制することができ、絶縁性能が良好で、誘電体ガラス層と磁性体層との界面剥離も抑制され接合性の向上した高信頼性を有する積層コモンモードチョークコイル等の複合電子部品を得ることができる。
　また、本発明の複合電子部品の製造方法によれば、上述したように、磁性体シートを準備する工程と、所定の成分組成となるように粉末状のガラス成分を作製する工程と、焼成後の誘電体ガラス層中でフォルステライトを含むフィラー成分が所定範囲となるように前記フィラー成分を秤量する工程と、誘電体ガラスシートを作製する工程と、導電膜を形成する工程と、焼成工程とを含むので、上述した複合電子部品を容易かつ効率よく製造することができる。
本発明に係る複合電子部品としての積層コモンモードチョークコイルの一実施の形態を示す斜視図である。 図１のＡ－Ａ矢視断面図である。 積層成形体を模式的に示す分解斜視図である。 実施例で作製した単体コンデンサを示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）はＢ－Ｂ矢視断面図、（ｃ）はＣ－Ｃ矢視断面図である。 実施例で作製した共焼結体コンデンサを示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）はＤ－Ｄ矢視断面図、（ｃ）はＥ－Ｅ矢視断面図である。 実施例で作製した積層複合体を示す斜視図である。 従来技術の課題を説明するための積層コモンモードチョークコイルの要部断面図である。
　次に、本発明の実施の形態を詳説する。
　図１は、本発明に係る複合電子部品としての積層コモンモードチョークコイルの一実施の形態を示す斜視図であり、図２は、図１のＡ－Ａ矢視断面図である。
　この積層コモンモードチョークコイルでは、部品本体１は、ガラス成分及びフィラー成分を含有した誘電体ガラス層２がフェライト材料からなる第１及び第２の磁性体層３ａ、３ｂに狭持された積層構造を有している。部品本体１の両端部には第１～第４の外部電極４ａ～４ｄが形成されている。
　また、誘電体ガラス層２には、コイル状（渦巻き状）に形成された第１及び第２の内部導体５、６が埋設されている。具体的には、誘電体ガラス層２は、第１～第５の誘電体ガラスシート７ａ～７ｅが積層された焼結体で形成されている。そして、第１の内部導体５は、第２の誘電体ガラスシート７ｂ上に形成された第１のコイル部５ｃと、第２の誘電体ガラスシート７ｂを貫通する第１の導通ビア５ｂと、第１の誘電体ガラスシート７ａ上に形成された第１の引出導体部５ａとを有し、第１のコイル部５ｃ、第１の導通ビア５ｂ、及び第１の引出導体部５ａが電気的に接続されている。また、第２の内部導体６は、第３の誘電体ガラスシート７ｃ上に形成された第２のコイル部６ａと、第４の誘電体ガラスシート７ｄを貫通する第２の導通ビア６ｂと、第４の誘電体ガラスシート７ｄ上に形成された第２の引出導体部６ｃとを有し、第２のコイル部６ａ、第２の導通ビア６ｂ、及び第２の引出導体部６ｃが電気的に接続されている。そして、第１の内部導体５と第２の内部導体６とは、巻き方向が互いに反対方向となるように第３の誘電体ガラスシート７ｃを介して前記誘電体ガラス層２中に埋設されている。
　このように構成された積層コモンモードチョークコイルは、第１及び第２の内部導体５、６にノーマルモードの電流が流れると、該第１及び第２の内部導体５、６には互いに逆方向に磁束が発生し、磁束が打ち消しあうことからインダクタとしての機能は生じない。一方、第１及び第２の内部導体５、６にコモンモードの電流が流れると、該第１及び第２の内部導体５、６には同一方向に磁束が発生し、インダクタとして機能する。このように積層コモンモードチョークコイルでは、ノーマルモードに対してはインダクタとして機能せず、コモンモードに対してのみインダクタとして機能することにより、ノイズ成分を除去している。
　尚、第１及び第２の内部導体５、６の導体材料としては、特に限定されるものではなく、Ａｇ、Ａｇ－Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等の各種導電性材料を使用することが可能であるが、通常は比較的安価で大気雰囲気で焼成可能なＡｇを主成分とした導電性材料を好んで使用することができる。
　そして、前記誘電体ガラス層２は、上述したようにホウケイ酸ガラス系のガラス成分と少なくとも石英（ＳｉＯ２）とフォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ２）とを含むセラミックフィラーからなるフィラー成分とを含有している。
　さらに、前記ガラス成分は、成分組成が、ＳｉＯ２：７０～８５ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３：１０～２５ｗｔ％、Ｋ２Ｏ：０．５～５ｗｔ％、及びＡｌ２Ｏ３：０～５ｗｔ％とされ、フィラー成分は、誘電体ガラス層２中のフォルステライトの含有量が２～１０ｗｔ％とされ、かつフィラー成分の総含有量が２０～６０ｗｔ％とされている。
　これにより誘電体ガラス層２となるべき第１～第５の誘電体ガラスシート７ａ～７ｅと第１及び第２の磁性体層３ａ、３ｂとなるべき磁性体シートとを共焼成しても、焼成後の誘電体ガラス層２内に気泡等の構造欠陥が形成されるのを抑制することができる。しかも、誘電体ガラス層２と第１及び第２の磁性体層３ａ、３ｂとの接合界面で界面剥離が生じるのを抑制でき、接合性が良好で高信頼性を有する積層コモンモードチョークコイルを得ることができる。
　すなわち、［発明が解決しようとする課題］の項でも述べたように、特許文献１のような従来技術では、誘電体ガラス層２と第１及び第２の磁性体層３ａ、３ｂとを共焼成により形成した場合、誘電体ガラス層２の内部には脱バインダ処理で焼失せずに残存したＣがＣＯ２ガスとなってガラス成分内に閉じ込められ、大量の気泡が形成されることから、性能劣化や信頼性低下を招くおそれがある。
　しかるに、フィラー成分として石英に加えフォルステライトを誘電体ガラス層２中に含有させると、ガラス成分は石英とフォルステライトとでは濡れ性が相違することから、焼成処理中にガラス成分が軟化点付近に到達しても、ガラス成分のフィラー成分に対する濡れ性が阻害され、その結果、ガラス成分はフィラー成分に濡れ拡がり難くなる。このため、たとえ誘電体ガラス層２の内部に気泡が生成されても、軟化したガラス成分内に閉じ込められることなく外部に連通する経路を介して外部に放出され、これにより気泡の生成を抑制することができる。
　また、フォルステライトは、ガラス成分の軟化点を超えて高温の焼成温度領域に達するとガラス成分と反応し、フォルステライト中のＭｇ成分がガラス成分内に溶け込む。すなわち、焼成温度領域では、ガラスの修飾酸化物として作用するＭｇ成分が増加してガラス成分の軟化点を低下させ、その結果、第１及び第２の磁性体層３ａ、３ｂを形成するフェライト材料へのガラス成分の拡散が促進され、これにより誘電体ガラス層２と第１及び第２の磁性体層３ａ、３ｂとの間で界面剥離が生じるのを抑制することができ、両者の接合性が向上する。
　このように本実施の形態では、フィラー成分として互いに濡れ性の異なる所定量の石英及びフォルステライトを誘電体ガラス層２中に含有させることにより、気泡等の内部欠陥が形成されるのを抑制すると共に誘電体ガラス層２と第１及び第２の磁性体層３ａ、３ｂとで界面剥離が生じるのを抑制して接合性を向上させることができ、これにより絶縁抵抗の低下等の性能劣化を招くことなく、高信頼性を有する積層コモンモードチョークコイルを実現している。
　尚、第１及び第２の磁性体層３ａ、３ｂを形成するフェライト材料としては、特に限定されるものではなく、例えば、スピネル型結晶構造を有するＺｎ－Ｃｕ－Ｎｉ系フェライト材料、Ｚｎ－Ｎｉ系フェライト材料、Ｎｉ系フェライト材料等を使用することができるが、通常はＺｎ－Ｃｕ－Ｎｉ系フェライト材料を好んで使用することができる。また、フェライト材料の組成範囲も特に限定されるものではないが、例えば、Ｚｎ－Ｃｕ－Ｎｉ系フェライト材料の場合であれば、Ｆｅ２Ｏ３：４０～４９．５ｍｏｌ％、ＺｎＯ：５～３５ｍｏｌ％、ＣｕＯ：４～１２ｍｏｌ％、残部：ＮｉＯ及び微量添加剤（不可避不純物を含む。）となるように配合されたものを好んで使用することができる。
　次に、誘電体ガラス層２中のガラス成分及びフィラー成分の含有量を上述の範囲に規定した理由を詳述する。
（１）ガラス成分
（i）ＳｉＯ２
　ガラスは、非晶質化して網目状のネットワーク構造を形成する網目状酸化物と、網目状酸化物を修飾して非晶質化する修飾酸化物と、両者の中間的な中間酸化物とで構成される。このうちＳｉＯ２は網目状酸化物として作用し、重要な構成成分である。
　しかしながら、ＳｉＯ２の含有量が７０ｗｔ％未満になると、ガラス成分中のＳｉＯ２の含有量が相対的に低下し、その結果、焼成中にガラス成分の第１及び第２の磁性体層３ａ、３ｂ側への拡散が過度に促進される。このため、誘電体ガラス層２中で十分に気泡の生成を抑制することができず、絶縁性能の低下を招くおそれがある。
　一方、ＳｉＯ２にはガラス成分の軟化点を上昇させる作用があることから、ＳｉＯ２含有量が８５ｗｔ％を超えると、ガラス成分の軟化点が過度に高くなり、このため焼結性の低下を招くおそれがある。
　そこで、本実施の形態では、ガラス成分中のＳｉＯ２の含有量を７０～８５ｗｔ％に規定している。
（ii）Ｂ２Ｏ３
　Ｂ２Ｏ３も、網目状酸化物として作用し、また軟化点を低下させる作用があることから、ガラス成分の流動性を調整する上でも重要な構成成分である。
　しかしながら、Ｂ２Ｏ３の含有量が１０ｗｔ％未満に低下すると、ガラス成分の軟化点を十分に低下させることができず軟化点が過度に高くなって、焼結性の低下を招くおそれがある。
　一方、Ｂ２Ｏ３の含有量が２５ｗｔ％を超えると、焼成中にガラス成分の第１及び第２の磁性体層３ａ、３ｂ側への拡散が過度に促進され、このため、誘電体ガラス層２中で十分に気泡の生成を抑制することができず、絶縁性能の低下を招くおそれがある。
　そこで、本実施の形態では、ガラス成分中のＢ２Ｏ３の含有量を１０～２５ｗｔ％に規定している。
（iii）Ｋ２Ｏ
　Ｋ２Ｏは、修飾酸化物としてガラスの軟化点を調整する作用を有し、本ガラス成分では必須の構成要素である。
　すなわち、Ｋ２Ｏの含有量が０．５ｗｔ％未満になると、Ｋ２Ｏの含有量が過少となって焼結性の低下を招くおそれがある。
　一方、Ｋ２Ｏの含有量が５ｗｔ％を超えると、焼成中にガラス成分の第１及び第２の磁性体層３ａ、３ｂ側への拡散が過度に促進され、このため、誘電体ガラス層２中で十分に気泡の生成を抑制することができず、絶縁性能の低下を招くおそれがある。
　そこで、本実施の形態では、ガラス成分中のＫ２Ｏの含有量を０．５～５ｗｔ％に規定している。
（iv）Ａｌ２Ｏ３
　Ａｌ２Ｏ３は、中間酸化物として作用し、適量含有させることにより、ガラスの結晶化を抑制して安定した非晶質ガラスが得られ、ガラス成分の化学的耐久性を向上させることができる。
　しかしながら、Ａｌ２Ｏ３はガラス成分の軟化点を上昇させる作用を有することから、ガラス成分中のＡｌ２Ｏ３の含有量が５ｗｔ％を超えると、軟化点が過度に高くなり、焼結性低下を招くおそれがある。
　そこで、本実施の形態では、ガラス成分中のＡｌ２Ｏ３の含有量を０～５ｗｔ％に規定している。
（２）フィラー成分
（i）フィラー成分の総含有量
　本実施の形態では、ガラス成分の軟化点では軟化しない２種類のセラミックフィラー、すなわち石英（ＳｉＯ２）及びフォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ２）をフィラー成分として含有している。斯かるフィラー成分は、上述したようにガラス成分の軟化点では軟化しないことから、フィラー成分とガラス成分とを混合し、焼成後に急冷するとガラス成分がガラス素地を形成し、該ガラス素地中にフィラー成分が分散し、これにより誘電体ガラス層２が形成される。
　しかしながら、誘電体ガラス層２中のフィラー成分の総含有量が２０ｗｔ％未満に低下すると、ガラス成分の含有量が相対的に増加することから焼成後の第１及び第２の磁性体層３ａ、３ｂとの間で界面剥離を招き、接合性の低下を招くおそれがある。
　一方、フィラー成分の総含有量が６０ｗｔ％を超えると、ガラス成分の含有量が相対的に少なくなることから焼結性の低下を招き、好ましくない。
　そこで、本実施の形態では、フィラー成分の総含有量を２０～６０ｗｔ％としている。
（ii）フォルステライトの含有量
　フィラー成分として、石英と共にフォルステライトを誘電体ガラス層２中に含有させることにより、上述したように誘電体ガラス層２内に気泡等の構造欠陥が生じるのを抑制でき、かつ誘電体ガラス層２と第１及び第２の磁性体層３ａ、３ｂとの間の接合性を向上させることができる。そして、そのためには誘電体ガラス層２中のフォルステライトの含有量は少なくとも２ｗｔ％は必要である。
　しかしながら、フォルステライトの含有量が、１０ｗｔ％を超えると、気泡の生成は抑制できるものの、フォルステライト中のＭｇ成分の第１及び第２の磁性体層３ａ、３ｂへの拡散が過度に促進され、このため絶縁性の低下を招くおそれがある。
　そこで、本実施の形態では、フォルステライトの含有量を２～１０ｗｔ％としている。
　このように本発明では、ガラス成分の組成、フィラー成分の総含有量、及びフォルステライトの含有量を所定範囲に規定することにより、誘電体ガラス層２内での気泡等の欠陥の生成抑制と誘電体ガラス層２と第１及び第２の磁性体層３ａ、３ｂとの間の接合性向上の両立を図っている。
　次に、上記積層コモンモードチョークコイルの製造方法を詳述する。
　図３は本積層コモンモードチョークコイルの中間生成物である積層成形体を模式的に示す分解斜視図である。
［磁性体シート８ａ、８ｂの作製］
　Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＮｉＯ等のフェライト素原料を所定量秤量し、これら秤量物を純水及びＰＳＺ（部分安定化ジルコニア）ボール等の玉石と共にポットミルに投入し、湿式で十分に混合粉砕し、蒸発乾燥させた後、７００～８００℃の温度で所定時間仮焼し、仮焼粉末を作製する。
　次いで、この仮焼粉末にポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤をＰＳＺボールと共に、再びポットミルに投入し、十分に混合粉砕し、磁性体スラリーを作製する。
　次に、ドクターブレード法等の成形加工法を使用し、前記磁性体スラリーをシート状に成形加工し、これにより膜厚３０～４０μｍの複数枚の磁性体シート８ａ、８ｂを得る。
［第１～第５の誘電体ガラスシート７ａ～７ｅの作製］
　焼成後のガラス成分の組成が、ＳｉＯ２：７０～８５ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３：１０～２５ｗｔ％、Ｋ２Ｏ：０．５～５ｗｔ％、及びＡｌ２Ｏ３：０～５ｗｔ％となるようにＳｉ化合物、Ｂ化合物、Ｋ化合物、及びＡｌ化合物を秤量し、この秤量物を白金坩堝に投入し、１５００～１６００℃の温度で所定時間溶融させ、ガラス融液を作製する。次いで、このガラス融液を急冷した後、粉砕し、これによりガラス粉末を得る。
　尚、上述したＳｉ化合物、Ｂ化合物、Ｋ化合物、Ａｌ化合物の化合物形態は特に限定されるものではなく、例えば酸化物、炭酸化物等を使用することができる。
　次に、フィラー成分として平均粒径が０．５～１．５μｍの石英及びフォルステライトを準備する。そして、焼成後の誘電体ガラス層２中のフォルステライトの含有量が２～１０ｗｔ％でありかつフィラー成分の総含有量が２０～６０ｗｔ％となるように、これらフィラー成分を秤量する。次いで、この秤量されたフィラー成分と上記ガラス粉末とを混合し、ポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、及び可塑剤をＰＳＺボールと共に、ポットミルに投入し、十分に混合粉砕し、誘電体ガラススラリーを作製する。
　次に、ドクターブレード法等の成形加工法を使用し、前記誘電体ガラススラリーをシート状に成形加工し、これにより膜厚１０～２０μｍの第１～第５の誘電体ガラスシート７ａ～７ｅを作製する。
［第１及び第２の導電膜９、１０の作製］
　Ａｇ等を主成分とする導電性ペーストを用意する。そして、スクリーン印刷法等の塗布法を使用し、第１の誘電体ガラスシート７ａ上に導電性ペーストを塗布し、所定形状の第１の引出導体パターン９ａを作製する。次に、レーザ照射等により第２の誘電体ガラスシート７ｂの所定箇所にビアホールを形成し、該ビアホールに導電性ペーストを充填させて第１のビア導体９ｂを形成する。その後スクリーン印刷法等の塗布法を使用し、誘電体ガラスシート７ｂ上に渦巻き状の第１のコイルパターン９ｃを形成し、第１の引出導体パターン９ａ、第１のビア導体９ｂ、及び第１のコイルパターン９ｃからなる第１の導電膜９を作製する。
　同様に、スクリーン印刷法等の塗布法を使用して第３の誘電体ガラスシート７ｃ上に導電性ペーストを塗布し、所定形状の第２のコイルパターン１０ａを作製する。次に、レーザ照射等により第４の誘電体ガラスシート７ｄの所定箇所にビアホールを形成し、該ビアホールに導電性ペーストが充填して第２のビア導体１０ｂを形成する。その後スクリーン印刷法等の塗布法を使用して第４の誘電体ガラスシート７ｄ上に第２の引出導体パターン１０ｃを形成し、第２のコイルパターン１０ａ、第２のビア導体１０ｂ及び第２の引出導体パターン１０ｃを有する第２の導電膜１０を形成する。
［積層コモンモードチョークコイルの作製］
　所定枚数の磁性体シート８ｂに第１及び第２の導電膜９、１０が形成された第１～第５の誘電体ガラスシート７ａ～７ｅを順次積層し、さらに第５の誘電体ガラスシート７ｅ上に所定枚数の磁性体シート８ａを積層し、第１～第５の誘電体ガラスシート７ａ～７ｅを磁性体シート８ａ、８ｂで狭持した状態で、加熱・圧着させ、これにより積層成形体を作製する。
　次いで、この積層成形体を匣に入れ、大気雰囲気下、３５０～５００℃の加熱温度で脱バインダ処理を行い、その後、８５０～９２０℃の温度で２時間焼成処理を行い、これにより磁性体シート８、第１～第５の誘電体ガラスシート７ａ～７ｅ、第１及び第２の導電膜９．１０が共焼成され、第１及び第２の内部導体５、６が渦巻き状に埋設された誘電体ガラス層２と、該誘電体ガラス層２を狭持する一対の磁性体層３ａ、３ｂからなる部品本体１を得る。
　その後、この部品本体１の両端部の所定箇所にＡｇ等を主成分とした外部電極用導電性ペーストを塗布し、９００℃程度の温度で焼き付け処理を行って第１～第４の外部電極４ａ～４ｄを形成する。すなわち、第１の引出導体部５ａが第１の外部電極４ａに電気的に接続されると共に第１のコイル部５ｃが第３の外部電極４ｃに電気的に接続され、また、第２の引出導体部６ｃが第２の外部電極４ｂに電気的に接続されると共に第２のコイル部６ａが第４の外部電極４ｄに電気的に接続され、これにより図１及び図２のような積層コモンモードチョークコイルが作製される。
　このように本製造方法では、磁性体シート８ａ、８ｂを準備する工程と、所定の成分組成となるように粉末状のガラス成分を作製する工程と、焼成後の誘電体ガラス層中でフォルステライトを含むフィラー成分が所定範囲となるように前記フィラー成分を秤量する工程と、誘電体ガラスシート７ａ～７ｅを作製する工程と、導電膜９、１０を形成する工程と、焼成工程とを含むので、積層コモンモードチョークコイルを効率よく製造することができる。
　尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態では、内部導体の主要部を二次元的な渦巻き状に形成しているが、本発明の課題は誘電体ガラス層中の気泡生成と界面剥離の抑制にあることから、内部導体の形状は特に限定されるものではなく、例えば、内部導体の主要部が三次元的な螺旋状であってもよい。
　また、ガラス成分についても、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｋ２Ｏ、Ａｌ２Ｏ３が上述した組成範囲を満たすのであれば、特性に影響を与えない範囲で必要に応じ適宜添加物を含有させてもよい。また、フィラー成分についても同様であり、特性に影響を与えない範囲で必要に応じ適宜添加物を含有させてもよい。
　また、上記実施の形態では積層コモンモードチョークコイルを例示して説明したが、誘電体ガラス層と磁性体層とを共焼成により形成するのであれば、他の複合電子部品に適用可能であるのはいうまでもない。
　次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
　上述したガラス成分及びフィラー成分を使用し、磁性体層を有さない誘電体コンデンサ（以下、「単体コンデンサ」という。）、及び内部電極が埋設された誘電体ガラス層と磁性体層とを共焼成により形成した共焼結コンデンサをそれぞれ作製し、絶縁性能を評価した。
　また、誘電体ガラス層を一対の磁性体層で狭持させた積層複合体（内部電極なし）を作製し、誘電体ガラス層内の気泡生成の有無及び磁性体層と誘電体ガラス層との接合性を評価した。
　　尚、本実施例では、積層コモンモードチョークコイル等のコイル部品での特性評価は行っていないが、共焼結体コンデンサでの絶縁性能が良好であり、かつ積層複合体において、誘電体ガラス層内での気泡生成が抑制され、接合性が良好であれば、コイル部品においても同様の特性が得られるのはいうまでもない。
［試料の作製］
＜単体コンデンサの作製＞
　図４は、本実施例で作製した単体コンデンサを模式的に示す図であって、図４（ａ）は縦断面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＢ－Ｂ矢視断面図、図４（ｃ）は図４（ａ）のＣ－Ｃ矢視断面図である。
　すなわち、この単体コンデンサは、長さＬが１０ｍｍ、幅Ｗが１０ｍｍ、高さＨが１．０２０ｍｍの外形寸法を有する直方体形状に形成されている。そして、部品本体５１は、高さＨ１が０．５ｍｍの一対の誘電体ガラス層５２ａ、５２ｂと、前記一対の誘電体ガラス層５２ａ、５２ｂに狭持された内部電極５３ａ、５３ｂを有する高さＨ２が２０μｍの誘電体ガラス層５４とからなり、前記部品本体５１の両端面には一対の外部電極５５ａ、５５ｂが形成されている。内部電極５３ａ、５３ｂは、いずれも長さＬ１が７ｍｍ、幅Ｗ１が４ｍｍに形成されている。
　この単体コンデンサを以下のようにして作製した。
　まず、焼成後のガラス組成が表１となるように、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｋ２Ｏ、Ａｌ２Ｏ３を秤量し、これら秤量物を白金坩堝に投入し、組成成分に応じて１５００～１６００℃の温度で２時間溶融させ、ガラス融液を得た。次に、このガラス融液を急冷した後、粉砕し、試料番号１～２４の平均粒径１．０μｍのガラス粉末を得た。
　次に、フィラー成分として平均粒径が０．５～１．５μｍの石英及びフォルステライトを用意した。そして、誘電体ガラス層５２ａ、５２ｂ、５４中の各フィラー成分の含有量及びフィラー成分の総含有量が表１となるように、これら各フィラー成分を秤量した。
　次いで、この秤量されたフィラー成分と上記ガラス粉末とを混合し、ポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、及び可塑剤をＰＳＺボールと共に、ポットミルに投入し、十分に混合粉砕し、誘電体ガラススラリーを作製した。
　次に、ドクターブレード法を使用し、前記誘電体ガラススラリーをシート状に成形加工し、これにより膜厚２０～３０μｍの誘電体ガラスシートを作製した。
　次いで、Ａｇ系導電性ペーストを用意し、誘電体ガラスシートに対しスクリーン印刷法を使用して前記Ａｇ系導電性ペーストを塗布し、所定個所に所定パターンの導電膜を形成した。
　次いで、所定枚数の誘電体ガラスシートを所定順序で積層し、積層成形体を得た。そして、この積層成形体を匣に入れて大気雰囲気下、５００℃で脱バインダ処理を行い、その後、９００℃の焼成温度で２時間焼成し、これにより部品本体５１を得た。
　その後、この部品本体５１の両端面にＡｇ系導電性ペーストを塗布し、９００℃の温度で焼き付け処理を行って外部電極５５ａ、５５ｂを形成し、これにより試料番号１～２４の単体コンデンサを得た。
＜共焼結体コンデンサの作製＞
　図５は、本実施例で作製した共焼結体コンデンサを模式的に示す図であって、図５（ａ）は縦断面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＤ－Ｄ矢視断面図、図５（ｃ）は図５（ａ）のＥ－Ｅ矢視断面図である。
　すなわち、この共焼結体コンデンサは、単体コンデンサと同様、長さＬが１０ｍｍ、幅Ｗが１０ｍｍ、高さＨが１．０２０ｍｍの外形寸法を有する直方体形状に形成されている。そして、部品本体５６は、高さＨ１が０．５ｍｍの一対の磁性体層５７ａ、５７ｂと、前記一対の磁性体層５７ａ、５７ｂに狭持された内部電極５８ａ、５８ｂを有する高さＨ２が２０μｍの誘電体ガラス層５９からなり、前記部品本体５６の両端面には一対の外部電極６０ａ、６０ｂが形成されている。内部電極５８ａ、５８ｂは、単体コンデンサと同様、いずれも長さＬ１が７ｍｍ、幅Ｗ１が４ｍｍに形成されている。
　この共焼結体コンデンサを以下のようにして作製した。
　まず、フェライト素原料としてＦｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＮｉＯを用意した。そして、焼成後の含有量が、Ｆｅ２Ｏ３：４８．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：３０．０ｍｏｌ％、ＣｕＯ：８．０ｍｏｌ％、残部：ＮｉＯとなるように、これらＦｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、及びＮｉＯを秤量した。次いで、これら秤量物を純水及びＰＳＺ（部分安定化ジルコニア）ボール等の玉石と共にポットミルに投入し、湿式で十分に混合粉砕し、蒸発乾燥させた後、７５０℃の温度で所定時間仮焼し、仮焼粉末を得た。
　次いで、この仮焼粉末にポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤をＰＳＺボールと共に、再びポットミルに投入し、十分に混合粉砕し、磁性体スラリーを作製した。
　次に、ドクターブレード法等の成形加工法を使用し、前記磁性体スラリーをシート状に成形加工し、これにより膜厚３０μｍの磁性体シートを作製した。
　また、上述した単体コンデンサと同様の方法・手順で誘電体ガラスシートを作製し、次いで、スクリーン印刷法を使用し、誘電体ガラスシートの表面にＡｇ系導電性ペーストを塗布し、所定個所に所定形状の導電膜を形成した。
　次いで、所定枚数の磁性体シートを積層した後、該磁性体シート上に内部電極が対向状となるように誘電体ガラスシートを積層し、さらにその上に所定枚数の磁性体シートを積層し、これにより積層成形体を作製した。
　そして、この積層成形体を匣に入れて大気雰囲気下、５００℃で脱バインダ処理を行い、その後、９００℃の焼成温度で２時間焼成し、これにより第１及び第２の磁性体層５７ａ、５７ｂ、誘電体ガラス層５９、内部電極５８ａ、５８ｂが共焼成された部品本体５６を得た。
　その後、この部品本体５６の両端面にＡｇ系導電性ペーストを塗布し、９００℃の温度で焼き付け処理を行って外部電極６０ａ、６０ｂを形成し、これにより試料番号１～２４の共焼結体コンデンサを得た。
＜積層複合体の作製＞
　図６は、本実施例で作製した積層複合体の斜視図である。
　すなわち、この複合体は、長さＬが５ｍｍ、幅Ｗが５ｍｍ、高さＨが１．２ｍｍの外形寸法を有する直方体形状に形成されており、高さＨ２が０．４ｍｍの誘電体ガラス層６１が、高さＨ１が０．４ｍｍの一対の磁性体層６２ａ、６２ｂに狭持されている。
　この積層複合体は、上述した磁性体シート及び誘電体ガラスシートを使用し、以下のようにして作製した。
　すなわち、上述のようにして作製された磁性体シート及び誘電体ガラスシートを長さＬが５ｍｍ、幅Ｗが５ｍｍの寸法に切断した。そして、磁性体シート及び誘電体シートが所定厚みとなるように積層し、加熱・圧着して積層成形体を作製した。
　そして、この積層成形体を匣に入れて大気雰囲気下、５００℃で脱バインダ処理を行い、その後、９００℃の焼成温度で２時間焼成し、これにより試料番号１～２４の積層複合体を各５０個作製した。
［試料の評価］
　試料番号１～２４の各単体コンデンサ及び各共焼結体コンデンサについて、汎用の絶縁抵抗測定器を使用して絶縁抵抗logＩＲを測定し、絶縁抵抗logＩＲが１０未満を不良品、１０以上を良品と判断した。
　また、試料番号１～２４の各積層複合体について、中央部分まで鏡面研磨を行って断面を露出させ、光学顕微鏡で内部構造を観察し、気泡の形成有無により内部構造に欠陥が生じているか否かを確認した。すなわち、光学顕微鏡で観察した結果、最長幅部分が３μｍ以上の窪み等の欠陥が認められた箇所を気泡と判断してその個数を計数し、各試料５０個について気泡数の平均値を算出した。そして、気泡数が５個未満の試料を良品、気泡数が５個以上の試料を不良品と判断した。
　また、試料番号１～２４の各積層複合体について、上述した誘電体ガラス層の内部構造の観察と同時に誘電体ガラス層６１と磁性体層６２ａ、６２ｂとの界面を観察した。そして、各試料５０個中、界面剥離が１つでも認められた試料を接合性不良（×）とし、界面剥離が全く認められなかった試料を接合性良好（○））とし、接合性を評価した。
　表１は、試料番号１～２４の各試料のガラス成分の組成、ガラス成分の含有量、フィラー成分の含有量を示している。
　また、表２は、試料番号１～２４の各試料の絶縁抵抗logＩＲ、気泡数、及び接合性評価を示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　試料番号１は、ガラス成分中のＫ２Ｏ含有量が０．２ｗｔ％と少なく、焼結不良となって焼結させることができなかった。
　試料番号４は、ガラス成分中のＫ２Ｏ含有量が５．５ｗｔ％と多く、単体コンデンサでは絶縁抵抗logＩＲは１０．６と良好であるが、共焼結体コンデンサの場合、誘電体ガラス層５９中のガラス成分が第１及び第２の磁性体層５７ａ、５７ｂ側に拡散し、このため絶縁抵抗logＩＲは８．２に低下し、気泡数も１７と多くなった。
　試料番号７は、ガラス成分中のＡｌ２Ｏ３の含有量が１０ｗｔ％と多く、軟化点が過度に高くなり、焼結不良となって焼結させることができなかった。
　試料番号８は、ガラス成分中のＳｉＯ２の含有量が８５ｗｔ％と多く、しかも、Ｂ２Ｏ３の含有量が８ｗｔ％と少ないため、軟化点が過度に高くなり、焼結不良となって焼結させることができなかった。
　試料番号１１は、ガラス成分中のＢ２Ｏ３含有量が２８ｗｔ％と多く、単体コンデンサでは絶縁抵抗logＩＲは１０．２と良好であるが、共焼結体コンデンサの場合、誘電体ガラス層５９中のガラス成分が第１及び第２の磁性体層５７ａ、５７ｂ側に拡散し、このため絶縁抵抗logＩＲが８．６に低下し、気泡数も１３と多くなった。
　試料番号１２は、ガラス成分中のＳｉＯ２含有量が６８ｗｔ％と少なく、このため単体コンデンサでは絶縁抵抗logＩＲは１０．３と良好であるが、共焼結体コンデンサの場合、誘電体ガラス層５９中のガラス成分が第１及び第２の磁性体層５７ａ、５７ｂ側に拡散し、このため絶縁抵抗logＩＲは８．９に低下し、気泡数も１１と多くなった。
　試料番号１５は、ガラス成分中のＳｉＯ２含有量が８８ｗｔ％と多く、軟化点が過度に高く、焼結不良となって焼結させることができなかった。
　試料番号１６は、フォルステライト含有量が１２ｗｔ％と多く、このため気泡の生成は抑制できるものの、フォルステライト中のＭｇ成分の第１及び第２の磁性体層５７ａ、５７ｂへの拡散が過度に促進され、絶縁抵抗logＩＲが８．９に低下した。
　試料番号１９は、誘電体ガラス層５９中にフォルステライトが含有されていないため、気泡数が８個と多くなり、また、界面剥離も認められ、接合不良を招いた。
　試料番号２０は、フィラー成分の総含有量が６０ｗｔ％と多く、ガラス成分の含有量が相対的に少なくなるため、焼結不良となって焼結させることができなかった。
　試料番号２３は、フィラー成分の総含有量が１５ｗｔ％と少なく、ガラス成分の含有量が相対的に多くなったため、気泡数も１５と多くなり、また、界面剥離も認められ、接合不良を招いた。
　これに対し試料番号２、３、５、６、９、１０、１３、１４、１７、１８、２１、２２、及び２４は、ＳｉＯ２：７０～８５ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３：１０～２５ｗｔ％、Ｋ２Ｏ：０．５～５ｗｔ％、及びＡｌ２Ｏ３：０～５ｗｔ％の範囲にあり、誘電体ガラス層２中でフォルステライトの含有量が２～１０ｗｔ％であり、かつフィラー成分の総含有量が２０～６０ｗｔ％にあり、いずれも本発明範囲内であるので、共焼成しても絶縁抵抗logＩＲは１０以上と良好な絶縁性能を得ることができ、誘電体ガラス層中の気泡数は５個未満であり、内部構造の欠陥生成を抑制でき、しかも界面剥離も生じることなく接合性の良好な複合電子部品が得られることが分かった。
　磁性体層と誘電体ガラス層とを共焼成により形成されても、絶縁性能を損なうことなく、誘電体ガラス層中で気泡等の内部構造の欠陥生成を抑制でき、磁性体層と誘電体ガラス層との界面の接合性が良好で高信頼性を有する積層コモンモードチョークコイル等の複合電子部品を実現する。
２　誘電体ガラス層
３ａ　第１の磁性体層
３ｂ　第２の磁性体層
５　第１の内部導体
６　第２の内部導体
７ａ～７ｅ　第１～第５の誘電体ガラスシート
８　磁性体シート
９　第１の導電膜
１０　第２の導電膜

Claims (8)

  1. 　フェライト材料からなる磁性体層とガラス成分及びフィラー成分を含有した誘電体ガラス層とが積層された複合電子部品であって、
    　前記ガラス成分は、それぞれ酸化物に換算してＳｉを７０～８５ｗｔ％、Ｂを１０～２５ｗｔ％、Ｋを０．５～５ｗｔ％、及びＡｌを０～５ｗｔ％の範囲で含有すると共に、
    　前記フィラー成分が、少なくとも石英とフォルステライトとを含み、
    　前記誘電体ガラス層は、前記フォルステライトの含有量が、２～１０ｗｔ％であって、かつ前記フィラー成分の総含有量が、２０～６０ｗｔ％であることを特徴とする複合電子部品。
  2. 　前記誘電体ガラス層は、内部導体が埋設されていることを特徴とする請求項１記載の複合電子部品。
  3. 　前記内部導体は、渦巻き状又は螺旋状に形成されていることを特徴とする請求項２記載の複合電子部品。
  4. 　前記内部導体は、Ａｇを主成分とすることを特徴とする請求項２又は請求項３記載の複合電子部品。
  5. 　前記フェライト材料は、少なくともＦｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、及びＣｕを含有していることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の複合電子部品。
  6. 　積層コモンモードチョークコイルであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の複合電子部品。
  7. 　フェライト材料からなる磁性体シートを準備する工程と、
    　Ｓｉ、Ｂ、Ｋ、及びＡｌを酸化物に換算し、焼成後においてそれぞれＳｉが７０～８５ｗｔ％、Ｂが１０～２５ｗｔ％、Ｋが０．５～５ｗｔ％、及びＡｌが０～５ｗｔ％となるように秤量し、これら秤量物を混合して粉末状のガラス成分を作製する工程と、
    　フィラー成分として少なくとも石英及びフォルステライトを準備し、焼成後の誘電体ガラス層中の前記フォルステライトの含有量が２～１０ｗｔ％であり、かつ前記フィラー成分の総含有量が２０～６０ｗｔ％となるように、前記フィラー成分を秤量する工程と、
    　前記秤量されたフィラー成分と前記ガラス成分とを混合し、成形処理を行って誘電体ガラスシートを作製する工程と、
    　前記誘電体ガラスシートに導電性ペーストを塗布し、所定パターンの導電膜を形成する工程と、
    　前記導電膜が形成された前記誘電体ガラス層となるべき前記誘電体ガラスシートと前記磁性体層となるべき前記磁性体シートとを積層し、共焼成する焼成工程とを含むことを特徴とする複合電子部品の製造方法。
  8. 　前記焼成工程は、前記導電膜が付与された前記誘電体ガラスシートが前記磁性体シートで狭持された状態で共焼成することを特徴とする請求項７記載の複合電子部品の製造方法。
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