KR20140112881A - 외부 전극용 도전성 페이스트 및 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 77
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 claims abstract description 59
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 25
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 25
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 24
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 14
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 10
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
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- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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Abstract
본 발명은 외부 전극용 도전성 페이스트 및 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품에 관한 것으로, 도전성 금속; 및 a(Si, B)-b(Li, K)-c(V, Mn)을 포함하며, 여기서 a+b+c=100, 20≤a≤60, 10≤b≤40 및 2≤c≤25를 만족하는 전도성 비정질 금속;을 포함하는 외부 전극용 도전성 페이스트 및 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품 을 제공한다.
Description
본 발명은 외부전극과 세라믹 본체의 접합성 향상 및 글라스 들뜸에 따른 도금 불량을 해결한 외부전극용 도전성 페이스트 및 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품에 관한 것이다.
최근, 전자 제품들의 소형화 추세에 따라, 적층 세라믹 전자 부품 역시 소형화되고, 대용량화될 것이 요구되고 있다.
적층 세라믹 전자 부품의 소형화 및 대용량화 요구에 맞추어 적층 세라믹 전자부품의 외부전극 역시 박층화되고 있다.
외부전극 페이스트는 주재료로서 구리(Cu)와 같은 전도성 금속을 사용하여 칩 밀폐성 및 칩과의 전기적 연결성을 보장하고, 보조재료로서 글라스를 사용하여 상기 금속의 소결 수축시 빈공간을 채워줌과 동시에 외부전극과 칩의 결합력을 부여하는 역할을 한다.
상기 글라스는 산화물계 글라스 분말을 통상 사용하며, 상기 외부전극 페이스트를 칩 단부에 도포한 후 소결시킴으로써 외부전극을 형성하게 되며, 그 후 니켈(Ni)과 주석(Sn)을 순차적으로 전해 도금하여 도금층을 형성한다.
그러나, 상기 외부전극 페이스트에 산화물계 글라스를 첨가하여 제작함으로써 아래와 같은 문제가 야기될 수 있다.
첫째, 소성 과정에서 글라스가 내부전극을 덮어 버림으로써 내부전극과 외부전극간 연결성을 저해할 수 있는 문제가 있다.
둘째, 소성 과정에서 글라스가 외부전극층 밖으로 용출됨으로써 소성 후 도금 공정에서 도금 불량이 발생할 수 있는 문제가 있다.
특히, 외부전극의 박층화에 따라 원하는 수준의 치밀도 구현은 어려워지며, 글라스의 고온거동 특성상 글라스의 결핍 또는 과잉으로 인한 불량 발생 가능성은 증가하게 된다.
본 발명은 외부전극과 세라믹 본체의 접합성 향상 및 글라스 들뜸에 따른 도금 불량을 해결한 외부전극용 도전성 페이스트 및 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시형태는 도전성 금속; 및 a(Si, B)-b(Li, K)-c(V, Mn)을 포함하며, 여기서 a+b+c=100, 20≤a≤60, 10≤b≤40 및 2≤c≤25를 만족하는 전도성 비정질 금속;을 포함하는 외부 전극용 도전성 페이스트를 제공한다.
상기 비정질 금속 분말의 평균 입경은 0.5 내지 5.0 μm 일 수 있다.
상기 비정질 금속의 함량은 상기 도전성 금속 100 부피% 대비 20 내지 50 부피%일 수 있다.
상기 도전성 금속은 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag) 및 은-팔라듐(Ag-Pd)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 도전성 금속은 구형 금속과 플레이크(Flake) 금속이 혼합된 형태일 수 있다.
상기 구형 금속은 입경이 100 nm 내지 5 μm이고, 상기 플레이크(Flake) 금속은 입경이 100 nm 내지 6 μm일 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태는 유전체층을 포함하는 세라믹 본체; 상기 세라믹 본체 내에서 상기 유전체층을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 제1 및 제2 내부 전극; 및 상기 제1 내부전극과 전기적으로 연결된 제1 외부전극 및 상기 제2 내부 전극과 전기적으로 연결된 제2 외부전극;을 포함하며, 상기 제1 및 제2 외부 전극은 도전성 금속 및 a(Si, B)-b(Li, K)-c(V, Mn)을 포함하며, 여기서 a+b+c=100, 20≤a≤60, 10≤b≤40 및 2≤c≤25를 만족하는 전도성 비정질 금속을 포함하는 외부전극용 도전성 페이스트를 도포하여 형성된 적층 세라믹 전자부품을 제공한다.
상기 세라믹 본체와 상기 제1 및 제2 외부 전극 사이에 상기 세라믹 본체와 상기 전도성 비정질 금속이 반응하여 형성된 반응층을 더 포함할 수 있다.
상기 반응층의 두께는 1 내지 100 μm 일 수 있다.
상기 비정질 금속 분말의 평균 입경은 0.5 내지 5.0 μm 일 수 있다.
상기 비정질 금속의 함량은 상기 도전성 금속 100 부피% 대비 20 내지 50 부피%일 수 있다.
상기 도전성 금속은 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag) 및 은-팔라듐(Ag-Pd)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 도전성 금속은 구형 금속과 플레이크(Flake) 금속이 혼합된 형태일 수 있다.
상기 구형 금속은 입경이 100 nm 내지 5 μm이고, 상기 플레이크(Flake) 금속은 입경이 100 nm 내지 6 μm일 수 있다.
본 발명에 따르면 전도성을 띠는 비정질 금속(Amorphous metal)을 이용하여 외부전극을 형성함으로써, 전극 소성 후 야기되기 쉬운 내부전극과 외부전극 사이의 전극 연결성 저하 및 글라스 들뜸에 따른 도금 불량을 해결한 적층 세라믹 전자부품의 구현이 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 외부전극용 도전성 페이스트를 개략적으로 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 1의 A-A' 단면도이다.
본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 외부전극용 도전성 페이스트를 개략적으로 나타내는 개략도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 외부 전극용 도전성 페이스트는 도전성 금속(1); 및 a(Si, B)-b(Li, K)-c(V, Mn)을 포함하며, 여기서 a+b+c=100, 20≤a≤60, 10≤b≤40 및 2≤c≤25를 만족하는 전도성 비정질 금속(2);을 포함할 수 있다.
상기 비정질 금속(2) 분말의 평균 입경은 0.5 내지 5.0 μm 일 수 있다.
상기 비정질 금속(2)의 함량은 상기 도전성 금속(1) 100 부피% 대비 20 내지 50 부피%일 수 있다.
상기 도전성 금속(1)은 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag) 및 은-팔라듐(Ag-Pd)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 도전성 금속(1)은 구형 금속과 플레이크(Flake) 금속이 혼합된 형태일 수 있다.
상기 구형 금속은 입경이 100 nm 내지 5 μm이고, 상기 플레이크(Flake) 금속은 입경이 100 nm 내지 6 μm일 수 있다.
상기 외부 전극용 도전성 페이스트는 도전성 금속(1); 및 a(Si, B)-b(Li, K)-c(V, Mn)을 포함하며, 여기서 a+b+c=100, 20≤a≤60, 10≤b≤40 및 2≤c≤25를 만족하는 전도성 비정질 금속(2);을 포함할 수 있으며, 유기 바인더(binder) 및 유기 용제를 포함하는 유기 비이클(vehicle)을 더 포함할 수 있다.
상기 도전성 금속(1)은 정전 용량 형성을 위해 제1 및 제2 내부전극과 전기적으로 연결될 수 있는 재질이면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag) 및 은-팔라듐(Ag-Pd)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 도전성 금속(1)은 구형 금속과 플레이크(Flake) 금속이 혼합된 형태일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 구형 금속 분말은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 장축과 단축의 길이 비율(장축/단축)이 1.45 이하인 입자로 정의될 수 있다.
한편, 상기 플레이크(flake) 금속 분말은 장축과 단축의 길이 비율(장축/단축)이 1.95 이상인 입자로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 구형 및 플레이크(flake) 형태의 금속 분말의 장축과 단축의 길이를 측정하는 방법은 도 3과 같이 적층 세라믹 커패시터의 길이 방향 단면을 주사전자현미경(SEM, Scanning Eletron Microscope)로 이미지를 스캔하여 측정할 수 있다.
구체적으로, 도 3과 같이 적층 세라믹 커패시터의 폭(W) 방향의 중앙부에서 절단한 길이 및 두께 방향(L-T) 단면을 주사전자현미경(SEM, Scanning Eletron Microscope)으로 스캔한 이미지에서 추출된 외부전극 영역에 대해서, 가로 × 세로가 10μm × 10μm인 영역에서 관찰되는 구형 및 플레이크(flake) 형태의 금속 분말의 장축과 단축의 길이를 측정하여 구할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 도전성 금속(1)이 구형 금속과 플레이크(Flake) 금속이 혼합된 형태이기 때문에, 소결성을 개선하고 커버리지(Coverage) 확보 효과가 우수할 수 있다.
상기 구형 금속은 입경이 100 nm 내지 5 μm이고, 상기 플레이크(Flake) 금속은 입경이 100 nm 내지 6 μm일 수 있으나, 이에 반드시 제한되는 것은 아니다.
상기 도전성 금속(1)이 입경이 100 nm 내지 5 μm인 구형 금속과 입경이 100 nm 내지 6 μm인 플레이크 금속을 포함함으로써, 소결성이 우수하며, 소결 공정에서 빈 영역을 채워 외부전극의 커버리지가 우수하다.
한편, 상기 비정질 금속 분말(2)은 a(Si, B)-b(Li, K)-c(V, Mn)을 포함하며, 여기서 a+b+c=100, 20≤a≤60, 10≤b≤40 및 2≤c≤25를 만족할 수 있다.
상기 비정질 금속 분말은 전도성을 띠는 물질로서 소성 과정 중 외부전극과 세라믹 본체 사이에서 고르게 융착 되어 금속 외부 전극층과 세라믹 본체 사이를 강하게 접합시킬 수 있다.
또한, 내부전극을 포함한 세라믹 본체 말단의 밀폐 봉착(hermetic sealing)에 매우 효과적일 수 있다.
상기 비정질 금속은 전도성을 띠므로, 산화물계 글라스와 달리 소성 과정 중 용융된 비정질 금속이 내부전극을 덮어 버릴 경우에도 내부전극과 외부전극 간에 전기적 접합이 가능할 수 있다.
또한, 산화물계 글라스와 달리,상기 비정질 금속은 전도성을 띠므로, 소성 과정 중 용융된 비정질 금속이 외부전극층 밖으로 용출될 경우에도 도금층 형성이 가능할 수 있다.
또한, 후술하는 바와 같이 상기 외부전극용 도전성 페이스트를 이용하여 제작된 적층 세라믹 커패시터의 경우, 세라믹 본체와 외부전극의 경계면에 반응층이 형성됨으로써, 외부 전극과 세라믹 본체 사이를 강하게 접합시킬 수 있다.
또한, 상기 반응층으로 인하여 내부전극을 포함한 세라믹 본체 말단의 밀폐 봉착(hermetic sealing)이 보다 우수할 수 있다.
상기 반응층에 대한 구체적인 설명은 후술하는 본 발명의 다른 실시형태인 적층 세라믹 전자부품에서 더 자세히 하도록 한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 상기 비정질 금속 분말(2)은 내부전극과 외부전극 간에 전기적 접합 및 용출시에도 도금층 형성이 가능하도록 a(Si, B)-b(Li, K)-c(V, Mn)의 식으로 표현되는 물질을 포함할 수 있다.
상기 비정질 금속을 세라믹 본체와 400 내지 1000℃의 고온에서 균일하게 접합시키기 위해서 유리 안정성 및 젖음 온도가 중요할 수 있다.
상기 유리 안정성(ΔT)은 결정화 온도(Tc)와 유리 전이 온도(Tg)의 차이, 즉 ΔT = Tc - Tg로 표현될 수 있다.
상기 유리 안정성(ΔT)은 접합시키고자 하는 온도에서 안정적인 점성 거동의 확보 측면에서 중요한 인자로서, 본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 비정질 금속의 유리 안정성이 약 50℃ 이상이어야 세라믹 본체와 외부전극 간에 충분한 접합력을 얻을 수 있다.
상기 젖음 온도(Twet)는 비정질 금속의 들뜸 현상과 밀접한 특성으로서, 외부전극 페이스트 내 도전성 금속 분말과 비정질 금속 분말간 젖음 온도가 전극 소성 온도 대비 상대적으로 높은 경우, 소성 과정에서 용융액 상태의 비정질 금속이 외부 전극층 밖으로 용출될 수 있는 문제가 있다.
또한, 도전성 금속 분말과의 젖음 온도가 전극 소성 온도 대비 지나치게 낮은 경우, 내부전극과 외부전극 간 합금 반응이 일어나기도 전에 비정질 금속이 먼저 연화 및 융착 되어 내부전극을 덮어 버림으로써 내부전극과 외부전극 간 연결성을 저해할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 식에서 a+b+c=100, 20≤a≤60, 10≤b≤40 및 2≤c≤25를 만족함으로써, 소성 과정 중 외부전극과 세라믹 본체 사이에서 고르게 융착 되어 금속 외부 전극층과 세라믹 본체 사이를 강하게 접합시킬 수 있다.
상기 비정질 금속 분말(2)의 평균 입경은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 0.5 내지 5.0 μm 일 수 있다.
상기 비정질 금속 분말(2)의 평균 입경이 0.5 μm 미만의 경우에는 상기 비정질 금속이 먼저 연화 및 융착 되어 내부전극을 덮어 버림으로써, 내부전극과 외부전극 간 연결성이 저하될 수 있다.
또한, 상기 비정질 금속 분말(2)의 평균 입경이 5.0 μm 를 초과하는 경우에는 소성 과정에서 상기 비정질 금속 분말이 외부전극층 밖으로 용출될 수 있어 문제가 될 수 있다.
상기 비정질 금속(2)의 함량은 상기 도전성 금속(1) 100 부피% 대비 20 내지 50 부피%일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 외부전극용 도전성 페이스트가 전도성 비정질 금속(2)을 포함하기 때문에, 글라스와 같은 무기 재료를 포함할 경우 생길 수 있는 문제가 발생하지 않으므로 상기 비정질 금속(2)은 상기 도전성 금속(1) 100 부피% 대비 20 내지 50 부피%의 함량을 가질 수 있다.
구체적으로, 글라스를 과량으로 포함하는 경우 소성 과정에서 글라스가 내부전극을 덮어 버림으로써 내부전극과 외부전극간 연결성을 저해할 수 있는 문제 및 소성 과정에서 글라스가 외부전극층 밖으로 용출됨으로써 소성 후 도금 공정에서 도금 불량이 발생할 수 있는 문제가 본 발명의 일 실시형태에 따르면 발생하지 않을 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 비정질 금속(2)은 상기 도전성 금속(1) 100 부피% 대비 20 내지 50 부피%의 함량을 가질 수 있는 것이다.
상기 비정질 금속(2)이 상기 도전성 금속(1) 100 부피% 대비 20 부피% 미만의 함량을 포함할 경우, 상기 비정질 금속의 함량이 줄어들어, 칩 밀폐성 저하의 문제가 발생할 수 있다. 비정질 금속의 함량이 과량으로 첨가됨으로 인해 내부전극과 외부전극간 연결성이 저해될 수 있다.
또한, 상기 비정질 금속(2)이 상기 도전성 금속(1) 100 부피% 대비 50 부피% 를 초과하여 포함할 경우, 비정질 금속의 함량이 과량으로 첨가됨으로 인해 내부전극과 외부전극간 연결성이 저해될 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 적층 세라믹 전자부품은 유전체층(3)을 포함하는 세라믹 본체(10); 상기 세라믹 본체(10) 내에서 상기 유전체층(3)을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 제1 및 제2 내부 전극(21, 22); 및 상기 제1 내부전극(21)과 전기적으로 연결된 제1 외부전극(31) 및 상기 제2 내부 전극(22)과 전기적으로 연결된 제2 외부전극(32);을 포함하며, 상기 제1 및 제2 외부전극(31, 32)은 도전성 금속 및 a(Si, B)-b(Li, K)-c(V, Mn)을 포함하며, 여기서 a+b+c=100, 20≤a≤60, 10≤b≤40 및 2≤c≤25를 만족하는 전도성 비정질 금속을 포함하는 외부전극용 도전성 페이스트를 도포하여 형성될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 적층 세라믹 전자부품을 설명하되, 특히 적층 세라믹 커패시터로 설명하지만 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 다른 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터에 있어서, '길이 방향'은 도 1의 'L' 방향, '폭 방향'은 'W' 방향, '두께 방향'은 'T' 방향으로 정의하기로 한다. 여기서 '두께 방향'은 유전체층를 쌓아 올리는 방향 즉 '적층 방향'과 동일한 개념으로 사용할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 상기 유전체 층(3)을 형성하는 원료는 충분한 정전 용량을 얻을 수 있는 한 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 티탄산바륨(BaTiO3) 분말일 수 있다.
상기 유전체 층(3)을 형성하는 재료는 티탄산바륨(BaTiO3) 등의 파우더에 본 발명의 목적에 따라 다양한 세라믹 첨가제, 유기용제, 가소제, 결합제, 분산제 등이 첨가될 수 있다.
상기 제1 및 제2 내부 전극(21, 22)을 형성하는 재료는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 은(Ag), 납(Pb), 백금(Pt), 니켈(Ni) 및 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 이루어진 도전성 페이스트를 사용하여 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터는 상기 제1 내부전극(21)과 전기적으로 연결된 제1 외부전극(31) 및 상기 제2 내부 전극(22)과 전기적으로 연결된 제2 외부전극(32)을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 외부전극(31, 32)은 정전 용량 형성을 위해 상기 제1 및 제2 내부전극(21, 22)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 상기 제2 외부전극(32)은 상기 제1 외부전극(31)과 다른 전위에 연결될 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 상기 제1 및 제2 외부 전극(31, 32)은 도전성 금속 및 a(Si, B)-b(Li, K)-c(V, Mn)을 포함하며, 여기서 a+b+c=100, 20≤a≤60, 10≤b≤40 및 2≤c≤25를 만족하는 전도성 비정질 금속을 포함하는 외부전극용 도전성 페이스트를 도포하여 형성될 수 있다.
상기 외부전극용 도전성 페이스트에 관한 특징은 상술한 본 발명의 일 실시형태에 따른 설명과 중복되므로 여기서는 생략하도록 한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 세라믹 본체(10)와 상기 제1 및 제2 외부 전극(31, 32) 사이에 상기 세라믹 본체(10)와 상기 전도성 비정질 금속이 반응하여 형성된 반응층(23)을 더 포함할 수 있다.
상기 외부전극용 도전성 페이스트를 이용하여 제작된 적층 세라믹 커패시터의 경우, 세라믹 본체(10)와 제1 및 제2 외부전극(31, 32)의 경계면에 상기 반응층(23)이 형성됨으로써, 제1 및 제2 외부 전극(31, 32)과 세라믹 본체(10) 사이를 강하게 접합시킬 수 있다.
또한, 상기 반응층(23)으로 인하여 내부전극을 포함한 세라믹 본체(10) 말단의 밀폐 봉착(hermetic sealing)이 보다 우수할 수 있다.
또한, 일반적인 산화물계 글라스와 달리, 상기 반응층(23)을 형성하는 전도성 비정질 금속으로 인하여 상기 세라믹 본체(10)와 제1 및 제2 외부전극(31, 32) 간의 활발한 물질 이동이 가능하므로, 계면에 포어(pore) 형성을 억제하여 도금 공정 중 발생할 수 있는 도금액 침투에 의한 신뢰성 저하를 막을 수 있다.
또한, 일반적인 산화물계 글라스와 달리, 상기 반응층(23)을 형성하는 전도성 비정질 금속은 계면 사이에 액상의 상태로 잔존하지 않고 유전체층(3)으로 확산하기 때문에 소성 온도가 높아짐에 따라 발생할 수 있는 내부전극과 외부전극 간의 연결성 저하에 따른 용량 저하 문제를 방지할 수 있다.
상기 반응층(23)의 두께는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 1 내지 100 μm 일 수 있다.
상기 반응층(23)의 두께가 1 μm 미만의 경우에는, 제1 및 제2 외부 전극(31, 32)과 세라믹 본체(10) 사이의 접합력이 약하거나, 밀폐 봉착(hermetic sealing) 효과가 저하될 수 있다.
상기 반응층(23)의 두께가 100 μm를 초과하는 경우에는, 반응층의 두께가 너무 두꺼워, 목표로 하는 용량 구현이 어려울 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 제1 및 제2 외부전극(31, 32) 내부의 용존 산소 함량이 100 ppm 이하일 수 있다.
상기 제1 및 제2 외부전극(31, 32)은 산화물계 글라스 대신 도전성을 띠는 비정질 금속을 포함하여 형성되므로, 용존 산소 함량은 매우 극소량만이 존재할 수 있다.
구체적으로, 본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 외부 전극 형성시 페이스트 내에 산화물계 글라스를 포함하지 않으므로, 상기 산화물계 글라스로 인한 산소가 상기 외부 전극 내에는 존재하지 않을 수 있다.
다만, 외부 전극 형성과정에서 필연적 반응에 의한 산소가 발생할 수 있으나, 이는 매우 극소량으로서 본 발명의 일 실시형태에서는 상기 제1 및 제2 외부전극(31, 32) 내부의 용존 산소 함량이 100 ppm 이하일 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 적층 세라믹 전자부품의 제조방법은 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 제1 및 제2 내부 전극을 포함하는 세라믹 본체를 마련하는 단계; 도전성 금속 및 a(Si, B)-b(Li, K)-c(V, Mn)을 포함하며, 여기서 a+b+c=100, 20≤a≤60, 10≤b≤40 및 2≤c≤25를 만족하는 전도성 비정질 금속을 포함하는 외부전극용 도전성 페이스트를 마련하는 단계; 상기 제1 및 제2 내부전극과 전기적으로 연결되도록 외부전극 페이스트를 상기 세라믹 본체 상에 도포하는 단계; 및 상기 세라믹 본체를 소성하여 제1 및 제2 외부전극을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기의 실시형태에 따른 적층 세라믹 전자부품의 제조방법에 있어 상술한 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 전자부품과 중복되는 설명은 생략하도록 한다.
이하, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 적층 세라믹 전자부품의 제조방법을 상세히 설명하되, 특히 적층 세라믹 커패시터로 설명하지만 이에 제한되는 것은 아니다.
우선, 유전체층(3) 및 상기 유전체층(3)을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 제1 및 제2 내부 전극(21, 22)을 포함하는 세라믹 본체(10)를 마련할 수 있다.
상기 유전체층(3)은 티탄산바륨(BaTiO3) 등의 파우더를 세라믹 첨가제, 유기용제, 가소제, 결합제, 분산제와 배합하여 바스킷 밀(Basket Mill)을 이용하여 형성된 슬러리를 캐리어 필름(carrier film)상에 도포 및 건조하여 수 ㎛의 두께로 제조된 세라믹 그린시트로 형성할 수 있다.
그리고, 그린시트 상에 도전성 페이스트를 디스펜싱(dispensing)하고, 스퀴지(squeegee)를 일측 방향으로 진행시키면서 도전성 페이스트에 의한 내부전극 층을 형성할 수 있다.
이때, 도전성 페이스트는 은(Ag), 납(Pb), 백금(Pt) 등의 귀금속 재료 및 니켈(Ni), 구리(Cu) 중 하나의 물질로 형성되거나 적어도 2개의 물질을 혼합하여 형성될 수 있다.
이와 같이 내부전극 층이 형성된 후 그린시트를 캐리어 필름으로부터 분리시킨 후 복수의 그린시트 각각을 서로 겹쳐서 적층하여 적층체를 형성할 수 있다.
이어 그린시트 적층체를 고온, 고압으로 압착시킨 후, 압착된 시트 적층체를 절단공정을 통해 소정의 크기로 절단하여 세라믹 본체를 제조할 수 있다.
다음으로, 도전성 금속 및 a(Si, B)-b(Li, K)-c(V, Mn)을 포함하며, 여기서 a+b+c=100, 20≤a≤60, 10≤b≤40 및 2≤c≤25를 만족하는 전도성 비정질 금속을 포함하는 외부전극용 도전성 페이스트를 마련할 수 있다.
상기 도전성 금속은 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag) 및 은-팔라듐(Ag-Pd)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 비정질 금속 분말의 평균 입경은 0.5 내지 5.0 μm 일 수 있다.
상기 비정질 금속의 함량은 상기 도전성 금속 100 부피% 대비 20 내지 50 부피%를 가질 수 있다.
다음으로, 상기 제1 및 제2 내부전극(21, 22)과 전기적으로 연결되도록 외부전극 페이스트를 상기 세라믹 본체(10) 상에 도포할 수 있다.
끝으로, 상기 세라믹 본체(10)를 소성하여 제1 및 제2 외부전극(31, 32)을 형성할 수 있다.
이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명이 이에 의해 제한되는 것은 아니다.
본 실시예는 도전성 금속 및 a(Si, B)-b(Li, K)-c(V, Mn)을 포함하며, 여기서 a+b+c=100, 20≤a≤60, 10≤b≤40 및 2≤c≤25를 만족하는 전도성 비정질 금속을 포함하는 제1 및 제2 외부전극을 포함하는 적층 세라믹 커패시터에 대해, 정전 용량 저하 여부 및 도금 불량 여부를 시험하기 위해 수행되었다.
본 실시예에 따른 적층 세라믹 커패시터는 하기와 같은 단계로 제작되었다.
우선, 티탄산바륨(BaTiO3) 등의 파우더를 포함하여 형성된 슬러리를 캐리어 필름(carrier film)상에 도포 및 건조하여 복수 개의 세라믹 그린 시트를 마련하며, 이로써 유전체 층을 형성하였다.
상기 유전체층의 소성 후 두께는 1 μm 이하로 제작하였다.
다음으로, 니켈 입자 평균 크기가 0.05 내지 0.2 μm 인 내부전극용 도전성 페이스트를 마련하였다.
상기 그린시트 상에 상기 내부전극용 도전성 페이스트를 스크린 인쇄공법으로 도포하여 내부전극을 형성한 후 200층을 적층하여 적층체를 만들었다.
이후 압착, 절단하여 0603 규격의 사이즈(Size)의 칩을 만들며, 상기 칩을 H2 0.1%이하의 환원 분위기의 온도 1050~1200℃에서 소성하였다.
다음으로, 전도성 비정질 금속의 조성을 여러가지 다양하게 적용한 외부전극 페이스트를 이용하여 외부전극 형성하고 도금 등의 공정을 거쳐 적층 세라믹 캐패시터로 제작하였다.
아래의 표 1은 적층 세라믹 커패시터의 외부전극 형성용 도전성 페이스트 내에 포함되는 전도성 비정질 금속의 조성 및 함량에 따른 접합 강도, 정전 용량 저하 및 신뢰성 여부를 비교한 표이다.
비교예1 | 비교예2 | 실시예1 | 실시예2 | 실시예3 | 실시예4 | 실시예5 | 실시예6 | 비교예3 | 비교예4 | 비교예5 | ||
비정질 금속 조성 (mol%) |
B | 40 | 10 | 20 | 40 | 0 | 45 | 50 | 25 | 35 | 30 | 15 |
Si | 30 | 60 | 30 | 18 | 45 | 0 | 0 | 30 | 5 | 30 | 25 | |
Li | 15 | 5 | 25 | 30 | 35 | 30 | 30 | 20 | 40 | 30 | 20 | |
K | 15 | 10 | 5 | 10 | 5 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | |
V | 10 | 10 | 1 | 5 | 10 | 7 | 50 | 5 | 0.5 | 15 | ||
Mn | 5 | 10 | 1 | 10 | 5 | 3 | 10 | 5 | 0.5 | 15 | ||
합계 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | |
페이스트 평가 결과 |
접합강도 | X | X | O | O | O | O | O | O | O | X | X |
신뢰성 | X | X | O | O | O | O | O | O | O | X | X | |
용량저하 | O | O | O | O | O | O | O | O | X | O | X | |
최종 판정 | X | X | O | O | O | O | O | O | X | X | X |
주1) 접합 강도 평가 기준 : X는 불량 및 O는 우수
주2) 신뢰성 평가 기준 : X는 불량 및 O는 우수
주3) 용량 저하 여부 평가 기준 : X는 불량 및 O는 우수
상기 [표 1]을 참조하면, 비교예 1은 산화물계 글라스를 함유하는 통상의 외부전극용 페이스트를 적용한 경우로서, 전극 소성에 따른 용량 저하 및 접합 강도에 문제가 발생함을 알 수 있다.
또한, 비교예 2는 a(Si, B)-b(Li, K)-c(V, Mn)의 조성 중 Si, B의 함량이 본 발명의 수치범위를 벗어나는 경우로서, 반응층 형성이 이루어지지 않아 접합 강도에 문제가 있으며, 이로 인하여 신뢰성 저하의 문제가 있음을 알 수 있다.
반면, 실시예 1 및 2는 본 발명의 수치 범위를 만족하는 경우로서, 세라믹 본체와 외부전극에 반응층이 형성되었으며, 이로 인하여 접합 강도가 우수하며, 용량 저하나 신뢰성 저하의 문제가 없어 양호한 결과를 보임을 알 수 있다.
실시예 3 내지 6의 경우 역시 본 발명의 수치 범위를 만족하는 경우로서, 세라믹 본체와 외부전극에 반응층이 형성되었으며, 이로 인하여 접합 강도가 우수하며, 용량 저하나 신뢰성 저하의 문제가 없어 양호한 결과를 보임을 알 수 있다.
한편, 비교예 3의 경우 a(Si, B)-b(Li, K)-c(V, Mn)의 조성 중 Li, K의 함량이 본 발명의 수치범위를 벗어나는 경우로서, 외부전극과 세라믹 본체의 계면에 액상 물질을 잔류시켜 용량 저하의 문제가 발생하였다.
비교예 4의 경우 a(Si, B)-b(Li, K)-c(V, Mn)의 조성 중 V, Mn의 함량이 본 발명의 수치범위를 벗어나는 경우로서, 반응층 형성이 이루어지지 않아 접합 강도에 문제가 있으며, 이로 인하여 신뢰성 저하의 문제가 있음을 알 수 있다.
비교예 5의 경우 a(Si, B)-b(Li, K)-c(V, Mn)의 조성 중 V, Mn의 함량이 본 발명의 수치범위를 벗어나는 경우로서, 반응층 형성이 과량 형성되어 용량 형성 및 접합 강도에 문제가 있으며, 이로 인하여 신뢰성 저하의 문제가 있음을 알 수 있다.
결론적으로, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 제1 및 제2 외부전극이 도전성 금속 및 a(Si, B)-b(Li, K)-c(V, Mn)을 포함하며, 여기서 a+b+c=100, 20≤a≤60, 10≤b≤40 및 2≤c≤25를 만족하는 전도성 비정질 금속을 포함함으로써, 전극 소성 후 야기되기 쉬운 세라믹 본체와 외부전극 사이의 접합 강도, 전극 연결성 저하 및 신뢰성 저하를 해결한 적층 세라믹 전자부품의 구현이 가능하다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
1: 도전성 금속 2: 비정질 금속
3: 유전체 층 10: 세라믹 본체
21: 제1 내부전극 22: 제2 내부전극
23: 반응층 31, 32: 제1 및 제2 외부 전극
3: 유전체 층 10: 세라믹 본체
21: 제1 내부전극 22: 제2 내부전극
23: 반응층 31, 32: 제1 및 제2 외부 전극
Claims (14)
- 도전성 금속; 및
a(Si, B)-b(Li, K)-c(V, Mn)을 포함하며, 여기서 a+b+c=100, 20≤a≤60, 10≤b≤40 및 2≤c≤25를 만족하는 전도성 비정질 금속;을 포함하는 외부전극용 도전성 페이스트.
- 제1항에 있어서,
상기 비정질 금속 분말의 평균 입경은 0.5 내지 5.0 μm 인 외부전극용 도전성 페이스트.
- 제1항에 있어서,
상기 비정질 금속의 함량은 상기 도전성 금속 100 부피% 대비 20 내지 50 부피%인 외부전극용 도전성 페이스트.
- 제1항에 있어서,
상기 도전성 금속은 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag) 및 은-팔라듐(Ag-Pd)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 외부전극용 도전성 페이스트.
- 제1항에 있어서,
상기 도전성 금속은 구형 금속과 플레이크(Flake) 금속이 혼합된 형태인 외부전극용 도전성 페이스트.
- 제5항에 있어서,
상기 구형 금속은 입경이 100 nm 내지 5 μm이고, 상기 플레이크(Flake) 금속은 입경이 100 nm 내지 6 μm인 외부전극용 도전성 페이스트.
- 유전체층을 포함하는 세라믹 본체;
상기 세라믹 본체 내에서 상기 유전체층을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 제1 및 제2 내부 전극; 및
상기 제1 내부전극과 전기적으로 연결된 제1 외부전극 및 상기 제2 내부 전극과 전기적으로 연결된 제2 외부전극;을 포함하며,
상기 제1 및 제2 외부 전극은 도전성 금속 및 a(Si, B)-b(Li, K)-c(V, Mn)을 포함하며, 여기서 a+b+c=100, 20≤a≤60, 10≤b≤40 및 2≤c≤25를 만족하는 전도성 비정질 금속을 포함하는 외부전극용 도전성 페이스트를 도포하여 형성된 적층 세라믹 전자부품.
- 제7항에 있어서,
상기 세라믹 본체와 상기 제1 및 제2 외부 전극 사이에 상기 세라믹 본체와 상기 전도성 비정질 금속이 반응하여 형성된 반응층을 더 포함하는 적층 세라믹 전자부품.
- 제8항에 있어서,
상기 반응층의 두께는 1 내지 100 μm 인 적층 세라믹 전자부품.
- 제7항에 있어서,
상기 비정질 금속 분말의 평균 입경은 0.5 내지 5.0 μm 인 적층 세라믹 전자부품.
- 제7항에 있어서,
상기 비정질 금속의 함량은 상기 도전성 금속 100 부피% 대비 20 내지 50 부피%인 적층 세라믹 전자부품.
- 제7항에 있어서,
상기 도전성 금속은 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag) 및 은-팔라듐(Ag-Pd)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 적층 세라믹 전자부품.
- 제7항에 있어서,
상기 도전성 금속은 구형 금속과 플레이크(Flake) 금속이 혼합된 형태인 적층 세라믹 전자부품.
- 제13항에 있어서,
상기 구형 금속은 입경이 100 nm 내지 5 μm이고, 상기 플레이크(Flake) 금속은 입경이 100 nm 내지 6 μm인 적층 세라믹 전자부품.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130027531A KR102083994B1 (ko) | 2013-03-14 | 2013-03-14 | 외부 전극용 도전성 페이스트 및 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품 |
US13/935,229 US9251925B2 (en) | 2013-03-14 | 2013-07-03 | Conductive paste for external electrodes and multilayer ceramic electronic component using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130027531A KR102083994B1 (ko) | 2013-03-14 | 2013-03-14 | 외부 전극용 도전성 페이스트 및 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140112881A true KR20140112881A (ko) | 2014-09-24 |
KR102083994B1 KR102083994B1 (ko) | 2020-03-03 |
Family
ID=51526111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130027531A KR102083994B1 (ko) | 2013-03-14 | 2013-03-14 | 외부 전극용 도전성 페이스트 및 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9251925B2 (ko) |
KR (1) | KR102083994B1 (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170099544A (ko) * | 2016-02-24 | 2017-09-01 | 삼성전기주식회사 | 전자부품 및 그의 제조방법 |
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