JP2002270457A - 導電性ペーストおよびセラミック電子部品 - Google Patents
導電性ペーストおよびセラミック電子部品Info
- Publication number
- JP2002270457A JP2002270457A JP2001063593A JP2001063593A JP2002270457A JP 2002270457 A JP2002270457 A JP 2002270457A JP 2001063593 A JP2001063593 A JP 2001063593A JP 2001063593 A JP2001063593 A JP 2001063593A JP 2002270457 A JP2002270457 A JP 2002270457A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- conductive paste
- electronic component
- glass
- terminal electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、セラミック素体の内部に埋もれた
内部電極の端面をセラミック素体の端面に確実に露出せ
しめ、内部電極と端子電極との電気的かつ機械的な接合
を確保することができる導電性ペーストおよびこれを用
いて端子電極を形成したセラミック電子部品を提供する
ことにある。 【解決手段】 本発明の導電性ペーストは、セラミック
電子部品の端子電極形成に供される導電性ペーストであ
って、導電成分と、ガラスフリットと、有機ビヒクル
と、を含有し、ガラスフリットは、塩基度が０．４３以
上であり、かつガラス軟化点が６３０℃以下の非晶質ガ
ラスであることことを特徴とする。また、本発明のセラ
ミック電子部品は、セラミック素体と、セラミック素体
に接するように形成された端子電極と、を備え、端子電
極は、本発明の導電性ペーストを用いて形成されている
ことを特徴とする。
内部電極の端面をセラミック素体の端面に確実に露出せ
しめ、内部電極と端子電極との電気的かつ機械的な接合
を確保することができる導電性ペーストおよびこれを用
いて端子電極を形成したセラミック電子部品を提供する
ことにある。 【解決手段】 本発明の導電性ペーストは、セラミック
電子部品の端子電極形成に供される導電性ペーストであ
って、導電成分と、ガラスフリットと、有機ビヒクル
と、を含有し、ガラスフリットは、塩基度が０．４３以
上であり、かつガラス軟化点が６３０℃以下の非晶質ガ
ラスであることことを特徴とする。また、本発明のセラ
ミック電子部品は、セラミック素体と、セラミック素体
に接するように形成された端子電極と、を備え、端子電
極は、本発明の導電性ペーストを用いて形成されている
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性ペーストお
よびセラミック電子部品に関し、特に、セラミックコン
デンサの端子電極形成に供される導電性ペースト、およ
びこれを用いて端子電極を形成したセラミック電子部品
に関する。
よびセラミック電子部品に関し、特に、セラミックコン
デンサの端子電極形成に供される導電性ペースト、およ
びこれを用いて端子電極を形成したセラミック電子部品
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、セラミック電子部品、例えば積層
セラミックコンデンサは、セラミック素体と、内部電極
と、端子電極とからなる。セラミック素体は、例えば誘
電体材料からなる生のセラミック層が複数積層された生
の積層体が焼成されてなる。内部電極は、セラミック素
体内のセラミック層間にあって、複数の生のセラミック
層上に内部電極形成用の導電性ペーストが印刷され、生
のセラミック層とともに同時焼成されてなり、内部電極
のそれぞれの端縁は、上述のセラミック層の何れかの端
面に露出するように形成されている。端子電極は、セラ
ミック素体の端面に露出した内部電極の一端に接合され
るように、セラミック素体の端面に形成されている。
セラミックコンデンサは、セラミック素体と、内部電極
と、端子電極とからなる。セラミック素体は、例えば誘
電体材料からなる生のセラミック層が複数積層された生
の積層体が焼成されてなる。内部電極は、セラミック素
体内のセラミック層間にあって、複数の生のセラミック
層上に内部電極形成用の導電性ペーストが印刷され、生
のセラミック層とともに同時焼成されてなり、内部電極
のそれぞれの端縁は、上述のセラミック層の何れかの端
面に露出するように形成されている。端子電極は、セラ
ミック素体の端面に露出した内部電極の一端に接合され
るように、セラミック素体の端面に形成されている。
【０００３】端子電極が厚膜からなる場合、例えばＡ
ｇ，Ａｇ／Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ等からなる導電成分と、ガ
ラスフリットと、有機バインダと溶剤を混合してなる有
機ビヒクルと、を含有する導電性ペーストが好適に用い
られる。また、端子電極は、例えば導電性ペースト中に
セラミック素体の端面を浸漬して塗布し、これを乾燥さ
せた後に焼付けすることにより形成される。また、半田
濡れ性や半田耐熱性を向上させる目的で、端子電極上に
ＮｉめっきやＳｎめっき、あるいは半田めっき等の各種
電解めっきを施す場合がある。
ｇ，Ａｇ／Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ等からなる導電成分と、ガ
ラスフリットと、有機バインダと溶剤を混合してなる有
機ビヒクルと、を含有する導電性ペーストが好適に用い
られる。また、端子電極は、例えば導電性ペースト中に
セラミック素体の端面を浸漬して塗布し、これを乾燥さ
せた後に焼付けすることにより形成される。また、半田
濡れ性や半田耐熱性を向上させる目的で、端子電極上に
ＮｉめっきやＳｎめっき、あるいは半田めっき等の各種
電解めっきを施す場合がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、電子部品の小型
化・高性能化の要求に伴い、例えば積層セラミックコン
デンサにおいても薄層化・多層化がますます進んでい
る。これに伴い、内部電極に使用される導電成分の微粉
化が進み、かつ内部電極の物理厚みが減少している。こ
のため、焼成時における内部電極の収縮率がセラミック
の収縮率に比べて大きくなり、焼成後に内部電極がセラ
ミック素体の端面に露出せずにセラミック素体内部に埋
もれ、端子電極を焼付け形成しても内部電極と端子電極
との電気的な接続が確保できないという問題が生じてい
る。
化・高性能化の要求に伴い、例えば積層セラミックコン
デンサにおいても薄層化・多層化がますます進んでい
る。これに伴い、内部電極に使用される導電成分の微粉
化が進み、かつ内部電極の物理厚みが減少している。こ
のため、焼成時における内部電極の収縮率がセラミック
の収縮率に比べて大きくなり、焼成後に内部電極がセラ
ミック素体の端面に露出せずにセラミック素体内部に埋
もれ、端子電極を焼付け形成しても内部電極と端子電極
との電気的な接続が確保できないという問題が生じてい
る。
【０００５】このような問題の解決策として、例えば特
開平１１−３２９８９６号公報ならびに特開平１１−２
３４０７１号公報において、端子電極を形成する前のセ
ラミック素体に対してバレル研磨を行うことにより、内
部電極をセラミック素体の端面に露出させるという機械
的手法が開示されている。しかしながら、このような手
法によると、セラミック素体の内部に水や溶剤が残留
し、あるいは機械的な衝撃によりセラミック素体がダメ
ージを受ける問題が新たに生じ、電子部品としての特性
が劣化する恐れがある。また、バレル研磨工程が追加さ
れることにより、生産効率の低下や生産コストの上昇と
いう問題も生じる。
開平１１−３２９８９６号公報ならびに特開平１１−２
３４０７１号公報において、端子電極を形成する前のセ
ラミック素体に対してバレル研磨を行うことにより、内
部電極をセラミック素体の端面に露出させるという機械
的手法が開示されている。しかしながら、このような手
法によると、セラミック素体の内部に水や溶剤が残留
し、あるいは機械的な衝撃によりセラミック素体がダメ
ージを受ける問題が新たに生じ、電子部品としての特性
が劣化する恐れがある。また、バレル研磨工程が追加さ
れることにより、生産効率の低下や生産コストの上昇と
いう問題も生じる。
【０００６】本発明の目的は、上述の問題点を解消すべ
くなされたもので、セラミック素体の内部に埋もれた内
部電極の端面をセラミック素体の端面に確実に露出せし
め、内部電極と端子電極との電気的かつ機械的な接合を
確実に確保することができる導電性ペーストおよびこれ
を用いて端子電極を形成したセラミック電子部品を提供
することにある。
くなされたもので、セラミック素体の内部に埋もれた内
部電極の端面をセラミック素体の端面に確実に露出せし
め、内部電極と端子電極との電気的かつ機械的な接合を
確実に確保することができる導電性ペーストおよびこれ
を用いて端子電極を形成したセラミック電子部品を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の導電性ペーストおよびセラミック電子部品
は、セラミック電子部品の端子電極形成に供される導電
性ペーストであって、導電成分と、ガラスフリットと、
有機ビヒクルと、を含有し、ガラスフリットは、塩基度
が０．４３以上であり、かつガラス軟化点が６３０℃以
下の非晶質ガラスであることことを特徴とする。
に、本発明の導電性ペーストおよびセラミック電子部品
は、セラミック電子部品の端子電極形成に供される導電
性ペーストであって、導電成分と、ガラスフリットと、
有機ビヒクルと、を含有し、ガラスフリットは、塩基度
が０．４３以上であり、かつガラス軟化点が６３０℃以
下の非晶質ガラスであることことを特徴とする。
【０００８】また、本発明のセラミック電子部品は、セ
ラミック素体と、セラミック素体に接するように形成さ
れた端子電極と、を備え、端子電極は、本発明の導電性
ペーストを用いて形成されていることを特徴とする。
ラミック素体と、セラミック素体に接するように形成さ
れた端子電極と、を備え、端子電極は、本発明の導電性
ペーストを用いて形成されていることを特徴とする。
【０００９】また、本発明のセラミック電子部品は、複
数のセラミック層が積層状態にあるセラミック積層体
と、それぞれの端縁がセラミック層の何れかの端面に露
出するようにセラミック層間に形成された複数の内部電
極と、露出した内部電極に電気的に接続されるように設
けられた端子電極とを備える積層セラミック電子部品で
あって、端子電極は、本発明の導電性ペーストを用いて
形成されていることを特徴とする。
数のセラミック層が積層状態にあるセラミック積層体
と、それぞれの端縁がセラミック層の何れかの端面に露
出するようにセラミック層間に形成された複数の内部電
極と、露出した内部電極に電気的に接続されるように設
けられた端子電極とを備える積層セラミック電子部品で
あって、端子電極は、本発明の導電性ペーストを用いて
形成されていることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の導電性ペーストを、例え
ばセラミック電子部品の端面に塗布し焼付けを行なう
と、導電性ペースト中に含まれるガラスフリットが軟化
・低粘度化し流動を開始する。この時、低粘度化したガ
ラスは、ガラス自身の流動あるいは導電成分の焼結に伴
うガラスの押出し効果により、端子電極とセラミック素
体の界面へと移動する。界面に達したガラスは、セラミ
ック素体の端面近傍のセラミックを、厚みにして約０．
１〜５μｍ程度溶解し、内部に埋もれた内部電極の端面
がセラミック素体の端面に露出する。こうして、端子電
極と内部電極とが電気的かつ機械的に接合される。この
ような効果を得るために必要な条件として、導電性ペー
スト中に含まれるガラスフリットのセラミック溶解性
と、高温時のガラス粘性が挙げられる。
ばセラミック電子部品の端面に塗布し焼付けを行なう
と、導電性ペースト中に含まれるガラスフリットが軟化
・低粘度化し流動を開始する。この時、低粘度化したガ
ラスは、ガラス自身の流動あるいは導電成分の焼結に伴
うガラスの押出し効果により、端子電極とセラミック素
体の界面へと移動する。界面に達したガラスは、セラミ
ック素体の端面近傍のセラミックを、厚みにして約０．
１〜５μｍ程度溶解し、内部に埋もれた内部電極の端面
がセラミック素体の端面に露出する。こうして、端子電
極と内部電極とが電気的かつ機械的に接合される。この
ような効果を得るために必要な条件として、導電性ペー
スト中に含まれるガラスフリットのセラミック溶解性
と、高温時のガラス粘性が挙げられる。
【００１１】そこで、本発明の導電性ペーストは、導電
成分と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、を含有
し、ガラスフリットは、塩基度が０．４３以上であり、
かつガラス軟化点が６３０℃以下の非晶質ガラスである
ことことを要する。このようなガラスフリットの組成系
は、特に限定されるものではないが、例えば珪酸塩ガラ
ス，硼酸塩ガラス，アルミン酸塩ガラス，燐酸塩ガラス
等が挙げられ、このうち特にアルカリ金属酸化物やアル
カリ土類金属酸化物の含有量が多く、かつ高温で結晶化
しない組成であることが好ましい。
成分と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、を含有
し、ガラスフリットは、塩基度が０．４３以上であり、
かつガラス軟化点が６３０℃以下の非晶質ガラスである
ことことを要する。このようなガラスフリットの組成系
は、特に限定されるものではないが、例えば珪酸塩ガラ
ス，硼酸塩ガラス，アルミン酸塩ガラス，燐酸塩ガラス
等が挙げられ、このうち特にアルカリ金属酸化物やアル
カリ土類金属酸化物の含有量が多く、かつ高温で結晶化
しない組成であることが好ましい。
【００１２】ガラスフリットの塩基度が０．４３以上で
あれば、セラミックを十分に溶解して、セラミック素体
の内部に埋もれた内部電極の端面を確実に露出させるこ
とができ、端子電極と内部電極の電気的かつ機械的な接
合が確実に確保される。なお、塩基度の上限は特に限定
はしないが、１．００を上回るとガラス化が困難である
ため、１．００以下であることが望ましい。
あれば、セラミックを十分に溶解して、セラミック素体
の内部に埋もれた内部電極の端面を確実に露出させるこ
とができ、端子電極と内部電極の電気的かつ機械的な接
合が確実に確保される。なお、塩基度の上限は特に限定
はしないが、１．００を上回るとガラス化が困難である
ため、１．００以下であることが望ましい。
【００１３】また、ガラスフリットのガラス軟化点が６
３０℃以下であれば、焼付け時に端子電極とセラミック
素体の界面へ充分な量のガラスが流動し、セラミックの
溶解が十分に進む。また、端子電極とセラミック素体の
界面に過剰なガラスが残存して絶縁層を形成することが
なく、端子電極と内部電極の電気的かつ機械的な接合が
確実に確保される。なお、ガラス軟化点の下限は特に限
定はしないが、セラミック電子部品の端子電極形成に供
される導電性ペーストの場合、ガラス軟化点は５００℃
以上であることが望ましい。
３０℃以下であれば、焼付け時に端子電極とセラミック
素体の界面へ充分な量のガラスが流動し、セラミックの
溶解が十分に進む。また、端子電極とセラミック素体の
界面に過剰なガラスが残存して絶縁層を形成することが
なく、端子電極と内部電極の電気的かつ機械的な接合が
確実に確保される。なお、ガラス軟化点の下限は特に限
定はしないが、セラミック電子部品の端子電極形成に供
される導電性ペーストの場合、ガラス軟化点は５００℃
以上であることが望ましい。
【００１４】なお、ガラスの塩基度について補足的に説
明しておく。本発明におけるガラスフリットの塩基度
は、森永健次らにより提案されたものであり、例えば彼
の著書「Ｋ．Ｍｏｒｉｎａｇａ， Ｈ．Ｙｏｓｈｉｄａ
Ａｎｄ Ｈ．Ｔａｋｅｂｅ：Ｊ．Ａｍ Ｃｅｒｍ．Ｓ
ｏｃ．，７７，３１１３（１９９４）」の中で規定され
ている。該文献によれば、以下に示すような式を用いて
ガラスフリットの塩基度を規定している。
明しておく。本発明におけるガラスフリットの塩基度
は、森永健次らにより提案されたものであり、例えば彼
の著書「Ｋ．Ｍｏｒｉｎａｇａ， Ｈ．Ｙｏｓｈｉｄａ
Ａｎｄ Ｈ．Ｔａｋｅｂｅ：Ｊ．Ａｍ Ｃｅｒｍ．Ｓ
ｏｃ．，７７，３１１３（１９９４）」の中で規定され
ている。該文献によれば、以下に示すような式を用いて
ガラスフリットの塩基度を規定している。
【００１５】「酸化物ＭiＯのＭi−Ｏ間の結合力は陽イ
オン−酸素イオン間引力Ａiとして次式で与えられる。 Ａi＝Ｚi・Ｚ02-／（ｒi＋ｒ02-）2＝Ｚi・２／（ｒi＋
１．４０）2 Ｚi：陽イオンの価数，酸素イオンは２ Ｒi：陽イオンのイオン半径（Å），酸素イオンは１．
４０Å このＡiの逆数Ｂi（１／Ａi）を単成分酸化物ＭiＯの酸
素供与能力とする。 Ｂi≡１／Ａi このＢiをＢCaO＝１、ＢSiO2＝０と規格化すると、各単
成分酸化物のＢi−指標が与えられる。この各成分のＢi
−指標を陽イオン分率により多成分系へ拡張すると、任
意の組成のガラス酸化物の融体のＢ−指標（＝塩基度）
が算出できる。Ｂ＝Σｎi・Ｂi ｎi：陽イオン分率 このようにして規定された塩基度は上記のように酸素供
与能力をあらわし、値が大きいほど酸素を供与し易く、
他の金属酸化物との酸素の授受が起こり易い。つまり、
ガラス融体中へのセラミックの溶解が進むと考えられ
る。」 本発明のセラミック電子部品の一つの実施形態につい
て、図１に基づいて詳細に説明する。すなわち、セラミ
ック電子部品１は、セラミック素体２と、内部電極３，
３と、端子電極４，４と、めっき膜５，５とから構成さ
れる。
オン−酸素イオン間引力Ａiとして次式で与えられる。 Ａi＝Ｚi・Ｚ02-／（ｒi＋ｒ02-）2＝Ｚi・２／（ｒi＋
１．４０）2 Ｚi：陽イオンの価数，酸素イオンは２ Ｒi：陽イオンのイオン半径（Å），酸素イオンは１．
４０Å このＡiの逆数Ｂi（１／Ａi）を単成分酸化物ＭiＯの酸
素供与能力とする。 Ｂi≡１／Ａi このＢiをＢCaO＝１、ＢSiO2＝０と規格化すると、各単
成分酸化物のＢi−指標が与えられる。この各成分のＢi
−指標を陽イオン分率により多成分系へ拡張すると、任
意の組成のガラス酸化物の融体のＢ−指標（＝塩基度）
が算出できる。Ｂ＝Σｎi・Ｂi ｎi：陽イオン分率 このようにして規定された塩基度は上記のように酸素供
与能力をあらわし、値が大きいほど酸素を供与し易く、
他の金属酸化物との酸素の授受が起こり易い。つまり、
ガラス融体中へのセラミックの溶解が進むと考えられ
る。」 本発明のセラミック電子部品の一つの実施形態につい
て、図１に基づいて詳細に説明する。すなわち、セラミ
ック電子部品１は、セラミック素体２と、内部電極３，
３と、端子電極４，４と、めっき膜５，５とから構成さ
れる。
【００１６】セラミック素体２は、ＢａＴｉＯ3を主成
分とする誘電体材料からなるセラミック層２ａが複数積
層された生のセラミック素体が焼成されてなる。
分とする誘電体材料からなるセラミック層２ａが複数積
層された生のセラミック素体が焼成されてなる。
【００１７】内部電極３，３は、セラミック素体２内の
セラミック層２ａ間にあって、複数の生のセラミック層
２ａ上に内部電極形成用の導電性ペーストが印刷され、
生のセラミック素体と同時焼成されてなり、内部電極
３，３のそれぞれの端縁は、セラミック素体２の何れか
の端面に露出するように形成されている。
セラミック層２ａ間にあって、複数の生のセラミック層
２ａ上に内部電極形成用の導電性ペーストが印刷され、
生のセラミック素体と同時焼成されてなり、内部電極
３，３のそれぞれの端縁は、セラミック素体２の何れか
の端面に露出するように形成されている。
【００１８】端子電極４，４は、セラミック素体２の端
面に露出した内部電極３，３の一端と電気的かつ機械的
に接合されるように、本発明の導電性ペーストがセラミ
ック素体２の端面に塗布され焼付けられてなる。
面に露出した内部電極３，３の一端と電気的かつ機械的
に接合されるように、本発明の導電性ペーストがセラミ
ック素体２の端面に塗布され焼付けられてなる。
【００１９】めっき膜５，５は、例えば、ＳｎやＮｉ等
の無電解めっきや、はんだめっき等からなり、端子電極
４，４上に少なくとも１層形成されてなる。
の無電解めっきや、はんだめっき等からなり、端子電極
４，４上に少なくとも１層形成されてなる。
【００２０】なお、本発明のセラミック電子部品のセラ
ミック素体２の材料は、上述の実施形態に限定されるこ
となく、例えばＰｂＺｒＯ3等，その他の誘電体材料，
絶縁体，磁性体，圧電体ならびに半導体材料からなって
も構わない。また、本発明のセラミック電子部品の内部
電極３の枚数は、上述の実施形態に限定されることな
く、また何層形成されていても構わない。また、めっき
膜５，５は、必ずしも備えている必要はなく、また何層
形成されていても構わない。
ミック素体２の材料は、上述の実施形態に限定されるこ
となく、例えばＰｂＺｒＯ3等，その他の誘電体材料，
絶縁体，磁性体，圧電体ならびに半導体材料からなって
も構わない。また、本発明のセラミック電子部品の内部
電極３の枚数は、上述の実施形態に限定されることな
く、また何層形成されていても構わない。また、めっき
膜５，５は、必ずしも備えている必要はなく、また何層
形成されていても構わない。
【００２１】
【実施例】実施例では、導電性ペーストを作製し、これ
を用いて端子電極を形成したセラミック電子部品とし
て、積層セラミックコンデンサを作製する。
を用いて端子電極を形成したセラミック電子部品とし
て、積層セラミックコンデンサを作製する。
【００２２】まず、表１に示した組成比率となるように
各酸化物等の出発原料を調合し、これを１０００〜１２
００℃で溶融させた後、急冷してガラス化させ、これを
粗粉砕した後に微粉砕して、平均粒径が５μｍである試
料１〜７のガラスフリットを得た。
各酸化物等の出発原料を調合し、これを１０００〜１２
００℃で溶融させた後、急冷してガラス化させ、これを
粗粉砕した後に微粉砕して、平均粒径が５μｍである試
料１〜７のガラスフリットを得た。
【００２３】次に、アクリル樹脂からなる有機バインダ
ー２５重量％と、ターピネオール，３−メトキシ−３−
メチル−１−ブタノール，テレピン油からなる有機溶剤
７５重量％とを混合した有機ビヒクルを得た。
ー２５重量％と、ターピネオール，３−メトキシ−３−
メチル−１−ブタノール，テレピン油からなる有機溶剤
７５重量％とを混合した有機ビヒクルを得た。
【００２４】次に、導電性粉末として平均粒径１μｍの
Ｃｕ粉末を６９重量％と、試料１〜７のガラスフリット
を６重量％を、有機ビヒクル２５重量％に混合させて、
三本ロールで混練・分散して、試料１〜７の導電性ペー
ストを得た。
Ｃｕ粉末を６９重量％と、試料１〜７のガラスフリット
を６重量％を、有機ビヒクル２５重量％に混合させて、
三本ロールで混練・分散して、試料１〜７の導電性ペー
ストを得た。
【００２５】次に、ＢａＴｉＯ3を主成分とする生のセ
ラミック層を準備し、所定枚数の生のセラミック層の表
面上に一方の端縁が生のセラミック層の何れかの端面側
に露出するように、内部電極となるべき電極膜を印刷
し、これら複数の生のセラミック層を所定枚数積層し圧
着して、複数の生のセラミック素体を準備し、これを１
３００℃の還元雰囲気で焼成して、複数のセラミック素
体を得た。
ラミック層を準備し、所定枚数の生のセラミック層の表
面上に一方の端縁が生のセラミック層の何れかの端面側
に露出するように、内部電極となるべき電極膜を印刷
し、これら複数の生のセラミック層を所定枚数積層し圧
着して、複数の生のセラミック素体を準備し、これを１
３００℃の還元雰囲気で焼成して、複数のセラミック素
体を得た。
【００２６】次に、セラミック素体の両端面に試料１〜
７の導電性ペーストを浸漬塗布し、１２０℃で１０分間
乾燥させた後、Ｎ2−Ｏ2雰囲気（Ｐ02２００ｐｐｍ以
下）で８００℃１０分ピークの条件で焼付けして、内部
電極に電気的かつ機械的に接合された一対の端子電極を
形成した。次に、この一対の端子電極上にＮｉめっき膜
を電解めっき処理により形成し、さらにＮｉめっき膜上
にＳｎめっき膜を電解めっき処理により形成した。この
ようにして、静電容量が１０μＦとなるように設計した
試料１〜７の積層セラミックコンデンサをそれぞれ２０
個ずつ得た。
７の導電性ペーストを浸漬塗布し、１２０℃で１０分間
乾燥させた後、Ｎ2−Ｏ2雰囲気（Ｐ02２００ｐｐｍ以
下）で８００℃１０分ピークの条件で焼付けして、内部
電極に電気的かつ機械的に接合された一対の端子電極を
形成した。次に、この一対の端子電極上にＮｉめっき膜
を電解めっき処理により形成し、さらにＮｉめっき膜上
にＳｎめっき膜を電解めっき処理により形成した。この
ようにして、静電容量が１０μＦとなるように設計した
試料１〜７の積層セラミックコンデンサをそれぞれ２０
個ずつ得た。
【００２７】そこで、得られた試料１〜７の積層セラミ
ックコンデンサについて、静電容量を測定し、これに評
価を付して表1にまとめた。なお、静電容量は、ＬＣＲ
メータにより測定を行ない、ｎ＝２０の平均値を求め
た。静電容量が小さいものほど端子電極と内部電極との
電気的接合が確保されていないことを示す。また、評価
は、本発明の範囲内の試料について○を、本発明の範囲
外の試料について×を付した。
ックコンデンサについて、静電容量を測定し、これに評
価を付して表1にまとめた。なお、静電容量は、ＬＣＲ
メータにより測定を行ない、ｎ＝２０の平均値を求め
た。静電容量が小さいものほど端子電極と内部電極との
電気的接合が確保されていないことを示す。また、評価
は、本発明の範囲内の試料について○を、本発明の範囲
外の試料について×を付した。
【００２８】
【表１】
【００２９】表1から明らかであるように、導電性ペー
スト中に含有するガラスフリットとして、塩基度が０．
４３以上であり、かつガラス軟化点が６３０℃以下の非
晶質ガラスを用いた試料１〜４の積層セラミックコンデ
ンサは、静電容量値が１０．０〜１０．３μＦで、設計
静電容量値（１０μＦ）を確保することができ、本発明
の範囲内となった。
スト中に含有するガラスフリットとして、塩基度が０．
４３以上であり、かつガラス軟化点が６３０℃以下の非
晶質ガラスを用いた試料１〜４の積層セラミックコンデ
ンサは、静電容量値が１０．０〜１０．３μＦで、設計
静電容量値（１０μＦ）を確保することができ、本発明
の範囲内となった。
【００３０】これに対して、導電性ペースト中に含有す
るガラスフリットとして、塩基度が０．４３未満である
非晶質ガラスを用いた試料５の積層セラミックコンデン
サは、静電容量が９．３μＦであり、設計静電容量を大
きく下回ったため、本発明の範囲外となった。これは、
ガラスの塩基度が低いため、セラミックを溶解する効果
が低く、セラミック素体の内部に埋もれた内部電極と端
子電極との電気的かつ機械的な接合が十分に確保されな
かったためと考えられる。
るガラスフリットとして、塩基度が０．４３未満である
非晶質ガラスを用いた試料５の積層セラミックコンデン
サは、静電容量が９．３μＦであり、設計静電容量を大
きく下回ったため、本発明の範囲外となった。これは、
ガラスの塩基度が低いため、セラミックを溶解する効果
が低く、セラミック素体の内部に埋もれた内部電極と端
子電極との電気的かつ機械的な接合が十分に確保されな
かったためと考えられる。
【００３１】また、導電性ペースト中に含有するガラス
フリットとして、ガラス軟化点が６３０℃以上の非晶質
ガラスを用いた試料６の積層セラミックコンデンサは、
静電容量が９．１μＦであり、設計静電容量を大きく下
回ったため、本発明の範囲外となった。これは、ガラス
軟化点が高いため、端子電極の焼付け形成時におけるガ
ラスの粘性が高く、端子電極とセラミック素体との界面
に十分にガラスが流動しなかったために、セラミックを
溶解する効果が低く、セラミック素体の内部に埋もれた
内部電極と端子電極との電気的かつ機械的な接合が十分
に確保されなかったためと考えられる。
フリットとして、ガラス軟化点が６３０℃以上の非晶質
ガラスを用いた試料６の積層セラミックコンデンサは、
静電容量が９．１μＦであり、設計静電容量を大きく下
回ったため、本発明の範囲外となった。これは、ガラス
軟化点が高いため、端子電極の焼付け形成時におけるガ
ラスの粘性が高く、端子電極とセラミック素体との界面
に十分にガラスが流動しなかったために、セラミックを
溶解する効果が低く、セラミック素体の内部に埋もれた
内部電極と端子電極との電気的かつ機械的な接合が十分
に確保されなかったためと考えられる。
【００３２】また、導電性ペースト中に含有するガラス
フリットとして、塩基度は０．８０である結晶化ガラス
を用いた試料７の積層セラミックコンデンサは、静電容
量が５．８μＦであり、設計静電容量を大幅に下回った
ため、本発明の範囲外となった。これは、端子電極の焼
付け形成時にガラスが結晶化し、端子電極とセラミック
素体との界面に十分にガラスが流動しなかったために、
セラミックを溶解する効果が低く、セラミック素体の内
部に埋もれた内部電極と端子電極との電気的かつ機械的
な接合が十分に確保されなかったためと考えられる。
フリットとして、塩基度は０．８０である結晶化ガラス
を用いた試料７の積層セラミックコンデンサは、静電容
量が５．８μＦであり、設計静電容量を大幅に下回った
ため、本発明の範囲外となった。これは、端子電極の焼
付け形成時にガラスが結晶化し、端子電極とセラミック
素体との界面に十分にガラスが流動しなかったために、
セラミックを溶解する効果が低く、セラミック素体の内
部に埋もれた内部電極と端子電極との電気的かつ機械的
な接合が十分に確保されなかったためと考えられる。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明の導電性ペースト
は、セラミック電子部品の端子電極形成に供される導電
性ペーストであって、導電成分と、ガラスフリットと、
有機ビヒクルと、を含有し、ガラスフリットは、塩基度
が０．４３以上であり、かつガラス軟化点が６３０℃以
下の非晶質ガラスであることことを特徴とすることで、
これを用いてセラミック電子部品の端子電極を形成した
場合に、セラミック素体の内部に埋もれた内部電極の端
面をセラミック素体の端面に確実に露出せしめ、内部電
極と端子電極との電気的かつ機械的な接合を確保するこ
とができる。
は、セラミック電子部品の端子電極形成に供される導電
性ペーストであって、導電成分と、ガラスフリットと、
有機ビヒクルと、を含有し、ガラスフリットは、塩基度
が０．４３以上であり、かつガラス軟化点が６３０℃以
下の非晶質ガラスであることことを特徴とすることで、
これを用いてセラミック電子部品の端子電極を形成した
場合に、セラミック素体の内部に埋もれた内部電極の端
面をセラミック素体の端面に確実に露出せしめ、内部電
極と端子電極との電気的かつ機械的な接合を確保するこ
とができる。
【００３４】また、本発明のセラミック電子部品は、複
数のセラミック層が積層状態にあるセラミック積層体
と、それぞれの端縁がセラミック層の何れかの端面に露
出するようにセラミック層間に形成された複数の内部電
極と、露出した内部電極に電気的に接続されるように設
けられた端子電極とを備える積層セラミック電子部品で
あって、端子電極は、本発明の導電性ペーストを用いて
形成されていることで、端子電極の焼き付け形成前の時
点でセラミック素体の内部に埋もれた内部電極を、端子
電極の形成時にセラミック素体の端面に露出させること
により、内部電極と端子電極との電気的かつ機械的な接
合が確保されており、設計通りの電気的特性が確保され
るという特有の効果を奏する。
数のセラミック層が積層状態にあるセラミック積層体
と、それぞれの端縁がセラミック層の何れかの端面に露
出するようにセラミック層間に形成された複数の内部電
極と、露出した内部電極に電気的に接続されるように設
けられた端子電極とを備える積層セラミック電子部品で
あって、端子電極は、本発明の導電性ペーストを用いて
形成されていることで、端子電極の焼き付け形成前の時
点でセラミック素体の内部に埋もれた内部電極を、端子
電極の形成時にセラミック素体の端面に露出させること
により、内部電極と端子電極との電気的かつ機械的な接
合が確保されており、設計通りの電気的特性が確保され
るという特有の効果を奏する。
【図１】本発明に係る一つの実施形態のセラミック電子
部品の断面図である。
部品の断面図である。
１ セラミック電子部品 ２ セラミック素体 ２ａ セラミック層 ３ 内部電極 ４ 端子電極
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミック電子部品の端子電極形成に供
される導電性ペーストであって、 導電成分と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、を含
有し、 前記ガラスフリットは、塩基度が０．４３以上であり、
かつガラス軟化点が６３０℃以下の非晶質ガラスである
ことことを特徴とする、導電性ペースト。 - 【請求項２】 セラミック素体と、セラミック素体に形
成された端子電極と、を備えるセラミック電子部品であ
って、 前記端子電極は、請求項１に記載の導電性ペーストを用
いて形成されていることを特徴とする、セラミック電子
部品。 - 【請求項３】 複数のセラミック層が積層状態にあるセ
ラミック積層体と、それぞれの端縁が前記セラミック層
の何れかの端面に露出するように前記セラミック層間に
形成された複数の内部電極と、露出した前記内部電極に
電気的に接続されるように設けられた端子電極とを備え
る積層セラミック電子部品であって、 前記端子電極は、請求項１に記載の導電性ペーストを用
いて形成されていることを特徴とする、セラミック電子
部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001063593A JP2002270457A (ja) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | 導電性ペーストおよびセラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001063593A JP2002270457A (ja) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | 導電性ペーストおよびセラミック電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002270457A true JP2002270457A (ja) | 2002-09-20 |
Family
ID=18922557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001063593A Pending JP2002270457A (ja) | 2001-03-07 | 2001-03-07 | 導電性ペーストおよびセラミック電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002270457A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004228075A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | E I Du Pont De Nemours & Co | 多層セラミックキャパシタ用端子電極組成物 |
| JP2005322751A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品の製造方法および導電ペースト |
| US7206187B2 (en) | 2004-08-23 | 2007-04-17 | Kyocera Corporation | Ceramic electronic component and its manufacturing method |
| JP2007103594A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Shoei Chem Ind Co | 抵抗体組成物並びに厚膜抵抗体 |
| JP2008283170A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-11-20 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| JP2010238958A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池 |
| JP2012074269A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Murata Mfg Co Ltd | Ｅｓｄ保護デバイスおよびその製造方法 |
| US8675343B2 (en) | 2011-09-08 | 2014-03-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Conductive paste for external electrode, multilayered ceramic electronic component using the same and fabrication method thereof |
| JP2014060163A (ja) * | 2013-10-28 | 2014-04-03 | Murata Mfg Co Ltd | Ｅｓｄ保護デバイスの製造方法 |
| KR20140112881A (ko) | 2013-03-14 | 2014-09-24 | 삼성전기주식회사 | 외부 전극용 도전성 페이스트 및 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000232031A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Murata Mfg Co Ltd | 導電ペーストおよびこれを用いた積層セラミックコンデンサ |
-
2001
- 2001-03-07 JP JP2001063593A patent/JP2002270457A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000232031A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Murata Mfg Co Ltd | 導電ペーストおよびこれを用いた積層セラミックコンデンサ |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4503298B2 (ja) * | 2003-01-24 | 2010-07-14 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 多層セラミックキャパシタ用端子電極組成物 |
| JP2004228075A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | E I Du Pont De Nemours & Co | 多層セラミックキャパシタ用端子電極組成物 |
| JP2005322751A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品の製造方法および導電ペースト |
| JP4561171B2 (ja) * | 2004-05-07 | 2010-10-13 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品の製造方法および導電ペースト |
| US7206187B2 (en) | 2004-08-23 | 2007-04-17 | Kyocera Corporation | Ceramic electronic component and its manufacturing method |
| JP2007103594A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Shoei Chem Ind Co | 抵抗体組成物並びに厚膜抵抗体 |
| US8631549B2 (en) | 2007-03-28 | 2014-01-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing multilayer electronic component |
| JP2008283170A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-11-20 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| JP2010238958A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池 |
| JP2012074269A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Murata Mfg Co Ltd | Ｅｓｄ保護デバイスおよびその製造方法 |
| US8773824B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-07-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ESD protection device and manufacturing method therefor |
| TWI487226B (zh) * | 2010-09-29 | 2015-06-01 | Murata Manufacturing Co | 靜電放電保護裝置及其製造方法 |
| US8675343B2 (en) | 2011-09-08 | 2014-03-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Conductive paste for external electrode, multilayered ceramic electronic component using the same and fabrication method thereof |
| KR20140112881A (ko) | 2013-03-14 | 2014-09-24 | 삼성전기주식회사 | 외부 전극용 도전성 페이스트 및 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품 |
| US9251925B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-02-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Conductive paste for external electrodes and multilayer ceramic electronic component using the same |
| JP2014060163A (ja) * | 2013-10-28 | 2014-04-03 | Murata Mfg Co Ltd | Ｅｓｄ保護デバイスの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5971236B2 (ja) | セラミック電子部品及びガラスペースト | |
| JP5904305B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP5794222B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| CN1965381A (zh) | 用于电容器的含有无铅无镉玻璃的铜端电极油墨 | |
| JPH08180731A (ja) | 導電性厚膜組成物、厚膜電極、セラミック電子部品、および積層セラミックコンデンサ | |
| JP2013179269A (ja) | セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JP5796568B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
| KR100433950B1 (ko) | 도전성 페이스트 및 세라믹 전자 부품 | |
| KR102107032B1 (ko) | 글래스 조성물, 이를 포함하는 외부전극용 페이스트 및 적층 세라믹 전자부품 | |
| JP2002270457A (ja) | 導電性ペーストおよびセラミック電子部品 | |
| US11682526B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component and board for mounting of the same | |
| US11031185B2 (en) | Electronic component | |
| JP3855792B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JPH08315634A (ja) | 導電ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品 | |
| JP2002313664A (ja) | 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 | |
| JP4416346B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP2002134351A (ja) | 導電性ペースト及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JP4254136B2 (ja) | 導電性ペーストおよびセラミック電子部品 | |
| US20230343514A1 (en) | Conductive paste and multilayer electronic component | |
| JP3724021B2 (ja) | 導電性組成物およびそれを用いたセラミックコンデンサ | |
| JP2003263922A (ja) | 導電性ペースト及びそれを用いたチップ型電子部品 | |
| JP2001028207A (ja) | 導電性ペーストおよびセラミック電子部品 | |
| JP2003151847A (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JPH04157713A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2002198252A (ja) | 導電性ペーストならびに導電性ペーストの製造方法、および積層セラミック電子部品。 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071017 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100622 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101102 |