JP2003151847A - セラミックコンデンサ - Google Patents
セラミックコンデンサInfo
- Publication number
- JP2003151847A JP2003151847A JP2001347987A JP2001347987A JP2003151847A JP 2003151847 A JP2003151847 A JP 2003151847A JP 2001347987 A JP2001347987 A JP 2001347987A JP 2001347987 A JP2001347987 A JP 2001347987A JP 2003151847 A JP2003151847 A JP 2003151847A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- ceramic
- content
- dielectric substrate
- ceramic capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 34
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 16
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 3
- ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N zinc;boric acid;dihydroxy(dioxido)silane Chemical compound [Zn+2].OB(O)O.O[Si](O)([O-])[O-] ZFZQOKHLXAVJIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910007472 ZnO—B2O3—SiO2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 27
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 27
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 abstract description 2
- 229910016264 Bi2 O3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 28
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 17
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 4
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000002611 lead compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
クコンデンサであって、セラミック誘電体基体に対する
容量電極の接着強度低下を回避し得、かつ、容量低下及
び誘電損失増大を回避し得るセラミックコンデンサを提
供する。 【解決手段】 容量電極21、22は、セラミック誘電
体基体1の外面11、12に付着され、金属と、ガラス
と、Bi2O3とを含み、PbまたはPb化合物の何れも
含まず、上記金属はCuまたはAgの少なくとも一種を
含む。
Description
ンサに関する。
ては、BaTiO3系材料等でなるセラミック誘電体基
体の面上に導電ペーストを塗布し、焼き付けて容量電極
を形成する。
は鉛ガラスまたは鉛化合物等の鉛成分が含まれており、
鉛成分による環境への悪影響が指摘されていた。このた
め、導電ペーストから鉛成分を除くことが要求されてい
た。
と、導電ペーストに含まれているガラスの軟化点が上昇
する。このガラスはセラミック誘電体基体に容量電極を
接着させる機能を担っており、ガラスの軟化点が上昇す
ると、容量電極とセラミック誘電体基体との間の密着性
が低下する。この結果、セラミック誘電体基体に対する
容量電極の接着強度が低下し、セラミックコンデンサの
信頼性低下を招く。
する手段として、導電ペーストに含まれるガラスの組成
を変更してガラスの軟化点を低下させた場合、セラミッ
ク誘電体基体と容量電極との間にガラス成分がたまる。
このため、セラミックコンデンサの静電容量低下、また
は誘電損失増大等の問題が生じる。
電ペーストに鉛成分が含まれていない場合、接着強度等
の信頼性と、静電容量または誘電損失等のコンデンサ特
性を両立させることは難しい。
電極に鉛成分が含まれていないセラミックコンデンサ、
及びそれに用いられる導電性組成物を提供することであ
る。
電体基体に対する容量電極の接着強度低下を回避し得る
セラミックコンデンサ、及びそれに用いられる導電性組
成物を提供することである。
及び誘電損失増大を回避し得るセラミックコンデンサ、
及びそれに用いられる導電性組成物を提供することであ
る。
ため、本発明に係るセラミックコンデンサは、セラミッ
ク誘電体基体と、容量電極とを含む。
体の外面に付着され、金属と、ガラスと、Bi2O3とを
含み、PbまたはPb化合物の何れも含まず、前記金属
はCuまたはAgの少なくとも一種を含む。
サにおいて、セラミック誘電体基体の外面に付着される
容量電極は、PbまたはPb化合物の何れも含んでいな
い。
i2O3とを含み、金属はCuまたはAgの少なくとも一
種を含む。この組成によれば、セラミック誘電体基体に
対する容量電極の接着強度低下を回避できると同時に、
セラミックコンデンサの容量低下及び誘電損失増大を回
避できることが確認された。
いセラミックコンデンサであって、セラミック誘電体基
体に対する容量電極の接着強度低下を回避でき、かつ、
容量低下及び誘電損失増大を回避できるセラミックコン
デンサが得られる。
に対するBi2O3の含有量を、0.1wt%〜10.0
wt%の範囲とする。また、金属の全量に対するガラス
の含有量を、0.1wt%〜5.0wt%の範囲とす
る。
に容量電極を形成するための導電性組成物も開示する。
この導電性組成物は、金属と、ガラスと、Bi2O3とを
含み、PbまたはPb化合物の何れも含んでおらず、前
記金属はCuまたはAgの少なくとも一種を含んでい
る。
剤とを混合することにより、導電ペーストが調製され
る。更に、この導体ペーストをセラミック誘電体基体の
外面に塗布し、焼き付けることにより、容量電極がセラ
ミック誘電体基体上に形成される。従って、上述した本
発明に係るセラミックコンデンサが得られる。
は、実施例である添付図面を参照して、更に具体的に説
明する。図は単なる例示に過ぎない。
ンデンサの一実施例を示す平面図、図2は図1の2−2
線に沿った拡大断面図である。図示のように、本発明に
係るセラミックコンデンサは、セラミック誘電体基体1
と、容量電極21、22とを含む。図示のセラミックコ
ンデンサは2つの容量電極21、22を備えているが、
容量電極の個数は任意である。
系材料を主成分として構成することができるが、他の材
料、例えば、SrTiO3系材料を主成分として構成し
てもよい。また、図示のセラミック誘電体基体1は円板
状であるが、他の形状、例えば、方形板状であってもよ
い。セラミック誘電体基体1は、厚み方向Tで見て互い
に対向する2つの外面11、12を有している。
基体1の外面11、12に付着されている。詳しくは、
1つの容量電極21がセラミック誘電体基体1の外面1
1に付着され、もう1つの容量電極22がセラミック誘
電体基体1の外面12に付着されており、これら2つの
容量電極21、22がセラミック誘電体基体1を挟んで
互いに向き合っている。
1の外面11、12に付着される容量電極21、22
が、PbまたはPb化合物の何れも含まないように構成
される。
ラスと、Bi2O3とを含むように構成される。容量電極
21、22を構成するための金属としては、Cuまたは
Agの少なくとも一種を用いる。この組成によれば、セ
ラミック誘電体基体1に対する容量電極21、22の接
着強度低下を回避できると同時に、セラミックコンデン
サの容量低下及び誘電損失増大を回避できることが確認
された。
まれていないセラミックコンデンサであって、セラミッ
ク誘電体基体1に対する容量電極21、22の接着強度
低下を回避でき、かつ、容量低下及び誘電損失増大を回
避できるセラミックコンデンサが得られる。
金属の全量に対するBi2O3の含有量を、0.1wt%
〜10.0wt%の範囲とする。また、金属の全量に対
するガラスの含有量を、0.1wt%〜5.0wt%の
範囲とする。
スとしては、例えば、ほう酸ガラス、ほうけい酸亜鉛ガ
ラス、またはこれらの組み合わせを用いることができ
る。ほう酸ガラスの具体例としては、例えば、SrO−B2O
3−Al2O3−ZnO系ガラスが挙げられる。また、ほうけい
酸亜鉛ガラスの具体例としては、ZnO−B2O3−SiO2−Al2
O3系ガラスが挙げられる。
ク誘電体基体1の外面11、12に導電ペーストを塗布
し、焼き付けることにより形成することができる。この
ための導電ペーストは、導電性組成物と、バインダと、
溶剤とを混合することにより調製することができる。
2O3とを含み、PbまたはPb化合物の何れも含まない
ように構成すればよい。上記金属はCuまたはAgの少
なくとも一種を含むように構成する。
を具体的に説明する。
トと、Bi2O3とを混合して7種類の導電性組成物を調
製した。金属粉としては何れもCu粉を用い、ガラスフ
リットとしては何れもSrO−B2O3−Al2O3−ZnO系ガラス
を用いた。金属粉の全量に対するガラスフリットの含有
量は何れも2.5wt%とし、金属粉の全量に対するB
i2O3の含有量は0.1wt%、2.0wt%、3.5
wt%、6.0wt%、10.0wt%または15.0
wt%とした。
れぞれ、バインダと、溶剤とを混合して7種類の導電ペ
ーストを調製した。バインダとしては有機ビヒクルを用
いた。
て試料1〜7のセラミックコンデンサを作製した。セラ
ミックコンデンサの作製に用いられたセラミック誘電体
基体は、BaTiO3系材料を主成分とし、厚み0.5
mmの円板形状のものである。このセラミック誘電体基
体の対向する2つの外面に導電ペーストを焼き付けて2
つの容量電極を構成した。容量電極の直径は2.5mm
となるようにした。
について、静電容量、誘電損失、及び、セラミック誘電
体基体に対する容量電極の接着強度を測定した。実験結
果を下記の表1に示す。
i2O3の含有量は0.1wt%以上とすることが好まし
い。図3はBi2O3含有量と静電容量との関係を示すグ
ラフである。図示のようにBi2O3含有量を0.1wt
%以上とすると、静電容量はおよそ一定の範囲(1.1
1nF〜1.16nF)内に収まる。これに対し、Bi
2O3含有量を0.1wt%よりも小さくすると、静電容
量は急激に減少する。即ち、Bi2O3含有量=0.1w
t%の付近に、静電容量に関する臨界点が存在するもの
と見ることができる。
を示すグラフである。図示のようにBi2O3含有量を
0.1wt%以上とすると、誘電損失はおよそ一定の範
囲(1.59%〜1.86%)内に収まる。これに対
し、Bi2O3含有量を0.1wt%よりも小さくする
と、誘電損失は急激に増大する。即ち、Bi2O3含有量
=0.1wt%の付近に、誘電損失に関する臨界点が存
在するものと見ることができる。
i2O3の含有量は10.0wt%以下とすることが好ま
しい。図5はBi2O3含有量と接着強度との関係を示す
グラフである。図示のように、セラミック誘電体基体に
対する容量電極の接着強度は、Bi2O3含有量の増大に
つれて減少する傾向にある。セラミックコンデンサにお
いて容量電極の接着強度は、最低限、1.00Kgf程
度の値が、信頼性を確保する上で要求される。Bi2O3
含有量を10.0wt%以下とすると、1.00Kgf
以上の接着強度が確実に得られる。
wt%以下とする。図5を参照すると、Bi2O3含有量
を2.0wt%以下とすると、接着強度は、およそ一定
の高い値(3.06Kgf〜3.24Kgf)を示す。
これに対し、Bi2O3含有量を2.0wt%よりも大き
くすると、接着強度は急激に減少する。即ち、Bi2O3
含有量=2.0wt%の付近に、接着強度に関する臨界
点が存在するものと見ることができる。
について、容量電極のはんだ濡れ性を評価した(表1参
照)。はんだ濡れ性の評価では、2秒間240℃の鉛錫
共晶はんだにディップし、容量電極の全面積のうち、7
0パーセント以上の面積が鉛錫共晶はんだに濡れた場
合、とした。70パーセント未満の面積しか鉛錫共晶は
んだに濡れなかった場合、×とした。
る試料2〜7のセラミックコンデンサは、何れも、容量
電極のはんだ濡れ性が良好となった。
について合否判定を行った。合否判定では、下記条件1
を満たす場合、合格とし、下記条件1を満たさない場
合、不合格とした。
る試料2〜7のうち、Bi2O3の含有量を0.1wt%
〜10.0wt%の範囲とした試料2〜6が、合格と判
定された。
トと、Bi2O3とを混合して5種類の導電性組成物を調
製した。先の実験1と同様に、金属粉としては何れもC
u粉を用い、ガラスフリットとしては何れもSrO−B2O3
−Al2O3−ZnO系ガラスを用いた。金属粉の全量に対する
ガラスフリットの含有量は0.0wt%、0.1wt
%、2.5wt%、5.0wt%または7.5wt%と
し、金属粉の全量に対するBi2O3の含有量は何れも
2.0wt%とした。
種類の導電ペーストを調製した。導電ペーストの調製方
法は、先の実験1と同様である。
て試料8〜12のセラミックコンデンサを作製した。セ
ラミックコンデンサの作製方法は、先の実験1と同様で
ある。
サについて、静電容量、誘電損失、及び、セラミック誘
電体基体に対する容量電極の接着強度を測定した。実験
結果を下記の表2に示す。
ラスフリットの含有量は5.0wt%以下とすることが
好ましい。図6はガラスフリット含有量と静電容量との
関係を示すグラフである。図示のようにガラスフリット
含有量を5.0wt%以下とすると、静電容量はおよそ
一定の範囲(1.18nF〜1.10nF)内に収ま
る。これに対し、ガラスフリット含有量を5.0wt%
よりも大きくすると、静電容量は急激に減少する。即
ち、ガラスフリット含有量=5.0wt%の付近に、静
電容量に関する臨界点が存在するものと見ることができ
る。
の関係を示すグラフである。図示のようにガラスフリッ
ト含有量を5.0wt%以下とすると、誘電損失はおよ
そ一定の範囲(1.59%〜1.72%)内に収まる。
これに対し、ガラスフリット含有量を5.0wt%より
も大きくすると、誘電損失は急激に増大する。即ち、ガ
ラスフリット含有量=5.0wt%の付近に、誘電損失
に関する臨界点が存在するものと見ることができる。
ラスフリットの含有量は0.1wt%以上とすることが
好ましい。図8はガラスフリット含有量と接着強度との
関係を示すグラフである。図示のように、接着強度は、
ガラスフリット含有量の増大につれて増大する傾向にあ
る。セラミックコンデンサにおいて、セラミック誘電体
基体に対する容量電極の接着強度は、最低限、1.00
Kgf程度の値が、信頼性を確保する上で要求される。
ガラスフリット含有量を0.1wt%以上とすると、
1.00Kgf以上の接着強度が確実に得られる。
2.5wt%以上とする。ガラスフリット含有量を2.
5wt%以上とすると、3.06Kgf以上の高い接着
強度が得られる。
サについて、容量電極のはんだ濡れ性を評価した(表2
参照)。はんだ濡れ性の評価方法は、先の実験1と同様
である。
る試料9〜12のセラミックコンデンサは、何れも、容
量電極のはんだ濡れ性が良好となった。
サについて合否判定を行った。合否判定方法も、先の実
験1と同様である。
る試料9〜12のうち、ガラスの含有量を0.1wt%
〜5.0wt%の範囲とした試料9〜11が、合格と判
定された。
トと、Bi2O3とを混合して2種類の導電性組成物を調
製した。金属粉としてはCu粉またはAg粉を用いた。
ガラスフリットとしては何れもSrO−B2O3−Al2O3−ZnO
系ガラスを用いた。金属粉の全量に対するガラスフリッ
トの含有量は何れも2.5wt%とし、金属粉の全量に
対するBi2O3の含有量は何れも2.0wt%とした。
種類の導電ペーストを調製した。導電ペーストの調製方
法は、先の実験1と同様である。
て試料13、14のセラミックコンデンサを作製した。
セラミックコンデンサの作製方法は、先の実験1と同様
である。
ンサについて、静電容量、誘電損失、セラミック誘電体
基体に対する容量電極の接着強度、及び、容量電極のは
んだ濡れ性を測定した。更に、合否判定を行った。これ
らの測定及び合否判定の方法は、先の実験1と同様であ
る。実験結果を下記の表3に示す。
Ag粉を用いた試料14とを比較してわかるように、A
g粉を用いた試料14でも、Cu粉を用いた試料13と
同様な結果が得られる。
た場合でも、Cu粉のみを用いた試料13、及びAg粉
のみを用いた試料14と同様な結果が得られると推測さ
れる。
コンデンサのはんだ付け工程を示す平面図、図10は図
9の10−10線に沿った拡大端面図である。上述のよ
うに容量電極21、22のはんだ濡れ性が良好なので、
図9、図10に示すように、容量電極21、22にリー
ド導体31、32を、容易にはんだ付けすることができ
る。詳しくは、はんだ41により容量電極21の表面に
リード導体31をはんだ付けし、はんだ42により容量
電極21の表面にリード導体32をはんだ付けする。は
んだ41、42としては、例えば鉛錫共晶はんだを用い
る。
ンダクタ、抵抗またはトランジスタ等の他の電気回路素
子と組み合わされ、構造的に一体化されてもよい。具体
例としては、コンデンサとインダクタとを組み合わせた
LCフィルタが挙げられる。
のような効果を得ることができる。 (a)容量電極に鉛成分が含まれていないセラミックコ
ンデンサ、及びそれに用いられる導電性組成物を提供す
ることができる。 (b)セラミック誘電体基体に対する容量電極の接着強
度低下を回避し得るセラミックコンデンサ、及びそれに
用いられる導電性組成物を提供することができる。 (c)容量低下及び誘電損失増大を回避し得るセラミッ
クコンデンサ、及びそれに用いられる導電性組成物を提
供することができる。
を示す平面図である。
フである。
フである。
フである。
すグラフである。
すグラフである。
すグラフである。
はんだ付け工程を示す平面図である。
る。
Claims (12)
- 【請求項1】 セラミック誘電体基体と、容量電極とを
含むセラミックコンデンサであって、 前記容量電極は、前記セラミック誘電体基体の外面に付
着され、金属と、ガラスと、Bi2O3とを含み、Pbま
たはPb化合物の何れも含まず、前記金属はCuまたは
Agの少なくとも一種を含むセラミックコンデンサ。 - 【請求項2】 請求項1に記載されたセラミックコンデ
ンサであって、 前記セラミック誘電体基体は、BaTiO3系材料を含
むセラミックコンデンサ。 - 【請求項3】 請求項1または2の何れかに記載された
セラミックコンデンサであって、 前記容量電極は、前記金属の全量に対する前記Bi2O3
の含有量が、0.1wt%〜10.0wt%の範囲にあ
るセラミックコンデンサ。 - 【請求項4】 請求項3に記載されたセラミックコンデ
ンサであって、 前記容量電極は、前記金属の全量に対する前記ガラスの
含有量が、0.1wt%〜5.0wt%の範囲にあるセ
ラミックコンデンサ。 - 【請求項5】 請求項1乃至4の何れかに記載されたセ
ラミックコンデンサであって、 前記ガラスは、ほう酸ガラス、または、ほうけい酸亜鉛
ガラスの少なくとも一種を含むセラミックコンデンサ。 - 【請求項6】 請求項1乃至4の何れかに記載されたセ
ラミックコンデンサであって、 前記ガラスは、SrO−B2O3−Al2O3−ZnO系ガラス、また
は、ZnO−B2O3−SiO2−Al2O3系ガラスの少なくとも一種
を含むセラミックコンデンサ。 - 【請求項7】 セラミック誘電体基体上に容量電極を形
成するための導電性組成物であって、金属と、ガラス
と、Bi2O3とを含み、PbまたはPb化合物の何れも
含んでおらず、 前記金属はCuまたはAgの少なくとも一種を含む導電
性組成物。 - 【請求項8】 請求項7に記載された導電性組成物であ
って、前記金属の全量に対する前記Bi2O3の含有量が
0.1wt%〜10.0wt%の範囲にある導電性組成
物。 - 【請求項9】 請求項8に記載された導電性組成物であ
って、前記金属の全量に対する前記ガラスの含有量が
0.1wt%〜5.0wt%の範囲にある導電性組成
物。 - 【請求項10】 請求項7乃至9の何れかに記載された
導電性組成物であって、前記ガラスは、ほう酸ガラス、
または、ほうけい酸亜鉛ガラスの少なくとも一種を含む
導電性組成物。 - 【請求項11】 請求項7乃至9の何れかに記載された
導電性組成物であって、前記ガラスは、SrO−B2O3−Al2
O3−ZnO系ガラス、または、ZnO−B2O3−SiO2−Al2O3系
ガラスの少なくとも一種を含む導電性組成物。 - 【請求項12】 セラミック誘電体基体上に容量電極を
形成するための導電ペーストであって、導電性組成物
と、バインダと、溶剤とを含み、 前記導電性組成物は、請求項7乃至11の何れかに記載
されたものでなり、 前記導電性組成物と、バインダと、溶剤とが互いに混合
されている導電ペースト。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001347987A JP3523633B2 (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | セラミックコンデンサ |
TW091125216A TW567511B (en) | 2001-11-13 | 2002-10-25 | Ceramic capacitor device, conductive composition and conductive paste |
KR10-2002-0069225A KR100492864B1 (ko) | 2001-11-13 | 2002-11-08 | 세라믹 콘덴서, 도전성 조성물 및 도전 페이스트 |
CNB021495270A CN1237554C (zh) | 2001-11-13 | 2002-11-13 | 陶瓷电容器、导电性组合物及导电糊 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001347987A JP3523633B2 (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | セラミックコンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003151847A true JP2003151847A (ja) | 2003-05-23 |
JP3523633B2 JP3523633B2 (ja) | 2004-04-26 |
Family
ID=19160888
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001347987A Expired - Lifetime JP3523633B2 (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | セラミックコンデンサ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3523633B2 (ja) |
KR (1) | KR100492864B1 (ja) |
CN (1) | CN1237554C (ja) |
TW (1) | TW567511B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005085937A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Kyocera Corp | 圧電アクチュエータ用導電ペースト、圧電アクチュエータ及び液体吐出装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4435710B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-03-24 | 日立粉末冶金株式会社 | 陰極線管のパネルピン用塗料 |
WO2011104859A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 株式会社日立製作所 | 電子部品、導電性ペーストおよび電子部品の製造方法 |
CN102592828A (zh) * | 2011-01-11 | 2012-07-18 | 禾伸堂企业股份有限公司 | 陶瓷电容器结构 |
CN110739152A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-01-31 | 暄泰电子(苏州)有限公司 | 一种平台式瓷片机构 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08148375A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-06-07 | Nippon Carbide Ind Co Inc | 導電性ペースト |
KR100276272B1 (ko) * | 1998-12-01 | 2000-12-15 | 이형도 | 내환원성 유전체 조성물 및 이를 이용한 적층 세라믹 콘덴서의제조방법 |
-
2001
- 2001-11-13 JP JP2001347987A patent/JP3523633B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-10-25 TW TW091125216A patent/TW567511B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-11-08 KR KR10-2002-0069225A patent/KR100492864B1/ko active IP Right Grant
- 2002-11-13 CN CNB021495270A patent/CN1237554C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005085937A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Kyocera Corp | 圧電アクチュエータ用導電ペースト、圧電アクチュエータ及び液体吐出装置 |
JP4565823B2 (ja) * | 2003-09-08 | 2010-10-20 | 京セラ株式会社 | 圧電アクチュエータ用導電ペースト、圧電アクチュエータ及び液体吐出装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20030040072A (ko) | 2003-05-22 |
JP3523633B2 (ja) | 2004-04-26 |
KR100492864B1 (ko) | 2005-05-31 |
CN1237554C (zh) | 2006-01-18 |
CN1419254A (zh) | 2003-05-21 |
TW567511B (en) | 2003-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5781402A (en) | Conducting thick film composition, thick film electrode, ceramic electronic component and laminated ceramic capacitor | |
JPH07161223A (ja) | 導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ | |
CN110620012B (zh) | 多层陶瓷电子组件以及用于多层陶瓷电子组件的安装的板 | |
US20010016252A1 (en) | Conductive paste and ceramic electronic device using the same | |
KR100366928B1 (ko) | 도전성 페이스트 및 세라믹 전자 부품 | |
CN112992535A (zh) | 多层电子组件 | |
JP3018866B2 (ja) | 積層電子部品の外部電極用卑金属組成物 | |
JP3523633B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
JP2001345161A (ja) | チップ型サージアブソーバおよびその製造方法 | |
JP3840673B2 (ja) | 導電ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品 | |
JP3152065B2 (ja) | 導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ | |
JP2002270457A (ja) | 導電性ペーストおよびセラミック電子部品 | |
JPH0896623A (ja) | 導電ペースト | |
JPH0817140B2 (ja) | セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物 | |
JPH0834168B2 (ja) | セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物 | |
JPH08138969A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JP3493665B2 (ja) | 導電性ペースト | |
JP2996016B2 (ja) | チップ型電子部品の外部電極 | |
JPS6127003A (ja) | 導電性ペ−スト組成物 | |
JP2968316B2 (ja) | 積層型セラミックコンデンサ | |
JPH0878279A (ja) | チップ型電子部品の外部電極形成方法 | |
JP2996015B2 (ja) | チップ型電子部品の外部電極 | |
JPH07211133A (ja) | 電子部品の端子電極形成用導電性ペースト | |
JPH0737420A (ja) | 導体ペースト組成物及びそれを用いた回路基板 | |
JP3760359B2 (ja) | 半導体セラミックコンデンサ用導電性組成物および半導体セラミックコンデンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040206 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3523633 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090220 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100220 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110220 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110220 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220 Year of fee payment: 10 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |