JP2001345161A - チップ型サージアブソーバおよびその製造方法 - Google Patents
チップ型サージアブソーバおよびその製造方法Info
- Publication number
- JP2001345161A JP2001345161A JP2000163510A JP2000163510A JP2001345161A JP 2001345161 A JP2001345161 A JP 2001345161A JP 2000163510 A JP2000163510 A JP 2000163510A JP 2000163510 A JP2000163510 A JP 2000163510A JP 2001345161 A JP2001345161 A JP 2001345161A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge
- surge absorber
- lid
- insulating substrate
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ギャップ幅の影響を受けず放電開始電圧が安
定し、また、寿命が長く劣化しにくいチップ型サージア
ブソーバを提供する。 【解決手段】 １対以上の放電電極１２が形成された絶
縁基板１１と、前記放電電極１２と導通可能に前記絶縁
基板１１上に被せられた蓋体１４と、前記放電電極１２
と導通可能に接続された端子電極１６とを有し、前記絶
縁基板１１と前記蓋体１４との間には、放電空間１５が
形成されたチップ型サージアブソーバ１０であって、前
記蓋体１４は、導電物と絶縁物の混合物から形成されて
いる。放電は、導電物と絶縁物の混合物からなる蓋体１
４に形成された多数のギャップで開始されるので、ギャ
ップ幅を厳密に制御する必要がなく、容易に放電開始電
圧が安定なチップ型サージアブソーバ１０を得ることが
できる。
定し、また、寿命が長く劣化しにくいチップ型サージア
ブソーバを提供する。 【解決手段】 １対以上の放電電極１２が形成された絶
縁基板１１と、前記放電電極１２と導通可能に前記絶縁
基板１１上に被せられた蓋体１４と、前記放電電極１２
と導通可能に接続された端子電極１６とを有し、前記絶
縁基板１１と前記蓋体１４との間には、放電空間１５が
形成されたチップ型サージアブソーバ１０であって、前
記蓋体１４は、導電物と絶縁物の混合物から形成されて
いる。放電は、導電物と絶縁物の混合物からなる蓋体１
４に形成された多数のギャップで開始されるので、ギャ
ップ幅を厳密に制御する必要がなく、容易に放電開始電
圧が安定なチップ型サージアブソーバ１０を得ることが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、落雷等の異常電圧
より電子回路や通信機器などを保護するチップ型サージ
アブソーバに関し、詳しくは、ギャップ幅の影響を受け
ずに放電開始電圧が安定し、また、寿命が長く劣化しに
くいチップ型サージアブソーバおよびその製造方法に関
する。
より電子回路や通信機器などを保護するチップ型サージ
アブソーバに関し、詳しくは、ギャップ幅の影響を受け
ずに放電開始電圧が安定し、また、寿命が長く劣化しに
くいチップ型サージアブソーバおよびその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】落雷等の異常電圧が印加されて電子機器
等が破壊されることを防ぐためにサージアブソーバが使
用されている。サージアブソーバとしては、例えば、図
３に示すようなチップ型サージアブソーバ３０がある。
これは、サージアブソーバ素体に端子電極３１が設けら
れたものであり、サージアブソーバ素体は、アルミナ等
からなる基板３２と、この基板３２上に設けられた導電
性材料からなる１対の放電電極３３と、基板３２に被せ
られた絶縁性材料からなる蓋３４とから構成されてい
て、基板３２と蓋３４との間には放電空間３５が形成さ
れている。また、放電電極３３の間にはマイクロギャッ
プ３６が形成されていて、ここで放電が発生するように
なっている。
等が破壊されることを防ぐためにサージアブソーバが使
用されている。サージアブソーバとしては、例えば、図
３に示すようなチップ型サージアブソーバ３０がある。
これは、サージアブソーバ素体に端子電極３１が設けら
れたものであり、サージアブソーバ素体は、アルミナ等
からなる基板３２と、この基板３２上に設けられた導電
性材料からなる１対の放電電極３３と、基板３２に被せ
られた絶縁性材料からなる蓋３４とから構成されてい
て、基板３２と蓋３４との間には放電空間３５が形成さ
れている。また、放電電極３３の間にはマイクロギャッ
プ３６が形成されていて、ここで放電が発生するように
なっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなチップ型サージアブソーバにあっては、放電はマイ
クロギャップで開始されるため、放電開始電圧を安定さ
せるためにはマイクロギャップのギャップ幅のばらつき
を抑え、数十μｍオーダーのギャップ幅を厳密に制御す
る必要があり、技術的に困難であった。また、ギャップ
幅が小さいため、マイクロギャップに微細な金属片など
が接触することによって絶縁抵抗が劣化してしまう恐れ
があった。そして、このマイクロギャップにおいては、
放電が開始されるとともに、その後の主放電も形成され
るため、マイクロギャップの劣化が激しく寿命が短いと
いう問題もあった。
うなチップ型サージアブソーバにあっては、放電はマイ
クロギャップで開始されるため、放電開始電圧を安定さ
せるためにはマイクロギャップのギャップ幅のばらつき
を抑え、数十μｍオーダーのギャップ幅を厳密に制御す
る必要があり、技術的に困難であった。また、ギャップ
幅が小さいため、マイクロギャップに微細な金属片など
が接触することによって絶縁抵抗が劣化してしまう恐れ
があった。そして、このマイクロギャップにおいては、
放電が開始されるとともに、その後の主放電も形成され
るため、マイクロギャップの劣化が激しく寿命が短いと
いう問題もあった。
【０００４】本発明は上記事情を鑑みてなされたもの
で、ギャップ幅の影響を受けずに放電開始電圧が安定
し、また、寿命が長く劣化しにくいチップ型サージアブ
ソーバを提供することを課題とする。
で、ギャップ幅の影響を受けずに放電開始電圧が安定
し、また、寿命が長く劣化しにくいチップ型サージアブ
ソーバを提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のチップ型サージ
アブソーバは、１対以上の放電電極が形成された絶縁基
板と、前記放電電極と導通可能に前記絶縁基板上に被せ
られた蓋体と、前記放電電極と導通可能に接続された端
子電極とを有し、前記絶縁基板と前記蓋体との間には、
放電空間が形成されたチップ型サージアブソーバであっ
て、前記蓋体は、導電物と絶縁物の混合物から形成され
ていることを特徴とする。上記蓋体を形成している混合
物中の導電物の割合は、１〜９９体積％であることが好
ましい。上記導電物および絶縁物は、粒径１〜１０００
μｍの粒子であることが好ましい。本発明のチップ型サ
ージアブソーバの製造方法は、絶縁基板上に１対以上の
放電電極を形成し、ついで、導電物と絶縁物を混合して
得られた混合物から蓋体を形成してこの蓋体を前記放電
電極と導通可能に前記絶縁基板上に被せて放電空間を形
成し、前記放電電極と導通可能に端子電極を設けること
を特徴とする。
アブソーバは、１対以上の放電電極が形成された絶縁基
板と、前記放電電極と導通可能に前記絶縁基板上に被せ
られた蓋体と、前記放電電極と導通可能に接続された端
子電極とを有し、前記絶縁基板と前記蓋体との間には、
放電空間が形成されたチップ型サージアブソーバであっ
て、前記蓋体は、導電物と絶縁物の混合物から形成され
ていることを特徴とする。上記蓋体を形成している混合
物中の導電物の割合は、１〜９９体積％であることが好
ましい。上記導電物および絶縁物は、粒径１〜１０００
μｍの粒子であることが好ましい。本発明のチップ型サ
ージアブソーバの製造方法は、絶縁基板上に１対以上の
放電電極を形成し、ついで、導電物と絶縁物を混合して
得られた混合物から蓋体を形成してこの蓋体を前記放電
電極と導通可能に前記絶縁基板上に被せて放電空間を形
成し、前記放電電極と導通可能に端子電極を設けること
を特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を用いて詳し
く説明する。図１は本発明のチップ型サージアブソーバ
１０の斜視図である。符号１１は絶縁基板であり、この
基板１１上には導電性膜からなる１対の放電電極１２
が、放電間隔、すなわちギャップ幅１３をあけて形成さ
れている。また、この絶縁基板１１には導電性粒子と絶
縁性粒子の混合粉体からなる蓋体１４が被せられてい
る。そして、この蓋体１４と絶縁基板１１上に形成され
た放電電極１２とは導通が保てるように、蓋体１４と絶
縁基板１１とが絶縁性を有する樹脂１７でコーティング
され一体化されている。そして、絶縁基板１１と蓋体１
４との間には、封入ガスが密封された放電空間１５が形
成されている。また、絶縁基板１１の両端部には、導電
性の材料からなる端子電極１６が形成されていて、放電
電極１２と導通できるようになっている。
く説明する。図１は本発明のチップ型サージアブソーバ
１０の斜視図である。符号１１は絶縁基板であり、この
基板１１上には導電性膜からなる１対の放電電極１２
が、放電間隔、すなわちギャップ幅１３をあけて形成さ
れている。また、この絶縁基板１１には導電性粒子と絶
縁性粒子の混合粉体からなる蓋体１４が被せられてい
る。そして、この蓋体１４と絶縁基板１１上に形成され
た放電電極１２とは導通が保てるように、蓋体１４と絶
縁基板１１とが絶縁性を有する樹脂１７でコーティング
され一体化されている。そして、絶縁基板１１と蓋体１
４との間には、封入ガスが密封された放電空間１５が形
成されている。また、絶縁基板１１の両端部には、導電
性の材料からなる端子電極１６が形成されていて、放電
電極１２と導通できるようになっている。
【０００７】図１に示すチップ型サージアブソーバ１０
においては、蓋体１４が、図２に示すような導電性粒子
１４ａと絶縁性粒子１４ｂの混合粉体から形成されてい
る。そのため、個々の導電性粒子１４ａの間に多数の放
電間隔が形成された状態、すなわち、多数のギャップが
形成された状態になっている。したがって、このような
チップ型サージアブソーバ１０では、放電は放電電極１
２間のギャップにおいて開始せずに、蓋体１４に形成さ
れたこれらの多数のギャップにおいて開始する。
においては、蓋体１４が、図２に示すような導電性粒子
１４ａと絶縁性粒子１４ｂの混合粉体から形成されてい
る。そのため、個々の導電性粒子１４ａの間に多数の放
電間隔が形成された状態、すなわち、多数のギャップが
形成された状態になっている。したがって、このような
チップ型サージアブソーバ１０では、放電は放電電極１
２間のギャップにおいて開始せずに、蓋体１４に形成さ
れたこれらの多数のギャップにおいて開始する。
【０００８】そして、この例のチップ型サージアブソー
バ１０の放電開始電圧は、蓋体１４を形成している混合
物中における導電性粒子１４ａの含有量や導電性粒子１
４ａおよび絶縁性粒子１４ｂの粒子径によって決定さ
れ、放電電極１２間のギャップ幅１３の大きさの影響を
受けない。具体的には、導電性粒子１４ａの含有量を大
きくすると放電開始電圧を小さくでき、または、導電性
粒子１４ａの粒子径を小さくすると放電開始電圧を小さ
くできる。このように、蓋体１４が導電性粒子１４ａと
絶縁性粒子１４ｂの混合粉体から形成されると、放電開
始電圧はギャップ幅１３の大きさに依存しないため、ギ
ャップ幅１３を厳密に制御する必要がなく、容易に、放
電開始電圧が安定なチップ型サージアブソーバ１０とす
ることができる。
バ１０の放電開始電圧は、蓋体１４を形成している混合
物中における導電性粒子１４ａの含有量や導電性粒子１
４ａおよび絶縁性粒子１４ｂの粒子径によって決定さ
れ、放電電極１２間のギャップ幅１３の大きさの影響を
受けない。具体的には、導電性粒子１４ａの含有量を大
きくすると放電開始電圧を小さくでき、または、導電性
粒子１４ａの粒子径を小さくすると放電開始電圧を小さ
くできる。このように、蓋体１４が導電性粒子１４ａと
絶縁性粒子１４ｂの混合粉体から形成されると、放電開
始電圧はギャップ幅１３の大きさに依存しないため、ギ
ャップ幅１３を厳密に制御する必要がなく、容易に、放
電開始電圧が安定なチップ型サージアブソーバ１０とす
ることができる。
【０００９】また、放電は、導電性粒子１４ａと絶縁性
粒子１４ｂの混合粉体からなる蓋体１４に形成された多
数のギャップにおいて開始するが、主放電は絶縁基板１
１上に設けられた放電電極１２間に発生する。したがっ
て、サージを主に吸収する電極と、放電を開始する電極
が異なるため、放電電極１２の寿命が長く、劣化しにく
い。さらに、放電間隔がマイクロギャップである必要が
ないため、ギャップに微細な金属片などの汚染物質が接
触しても、絶縁抵抗の劣化等の悪影響を受けにくい。
粒子１４ｂの混合粉体からなる蓋体１４に形成された多
数のギャップにおいて開始するが、主放電は絶縁基板１
１上に設けられた放電電極１２間に発生する。したがっ
て、サージを主に吸収する電極と、放電を開始する電極
が異なるため、放電電極１２の寿命が長く、劣化しにく
い。さらに、放電間隔がマイクロギャップである必要が
ないため、ギャップに微細な金属片などの汚染物質が接
触しても、絶縁抵抗の劣化等の悪影響を受けにくい。
【００１０】このようなチップ型サージアブソーバ１０
を製造する場合には、まず、絶縁基板１１上に１対以上
の放電電極１２を形成する。ここで使用する絶縁基板１
１としては、アルミナ、コランダム、ムライト、コラン
ダムムライト、アクリル、ベークライト等の基板が挙げ
られ、通常、厚さが０．３〜１．０ｍｍのものである。
放電電極１２は、チタン、窒化チタン、タンタル、タン
グステン、炭化ケイ素、二酸化スズ、バリウム化アルミ
ニウム、アルミニウム、ニオブ、ケイ素、炭素、金、
銀、白金、パラジウム、ランタン、ニッケル等の１種ま
たは２種以上を用いて、スパッタ法、蒸着法、イオンプ
レーディング法、印刷法、焼き付け法等によって、厚さ
０．１〜５０μｍ程度に形成する。また、形成される放
電電極１２は１対に限らず、２対以上であってもよい。
放電電極１２間のギャップ幅１３にも特に制限はなく、
０．１〜３ｍｍ程度に設定される。
を製造する場合には、まず、絶縁基板１１上に１対以上
の放電電極１２を形成する。ここで使用する絶縁基板１
１としては、アルミナ、コランダム、ムライト、コラン
ダムムライト、アクリル、ベークライト等の基板が挙げ
られ、通常、厚さが０．３〜１．０ｍｍのものである。
放電電極１２は、チタン、窒化チタン、タンタル、タン
グステン、炭化ケイ素、二酸化スズ、バリウム化アルミ
ニウム、アルミニウム、ニオブ、ケイ素、炭素、金、
銀、白金、パラジウム、ランタン、ニッケル等の１種ま
たは２種以上を用いて、スパッタ法、蒸着法、イオンプ
レーディング法、印刷法、焼き付け法等によって、厚さ
０．１〜５０μｍ程度に形成する。また、形成される放
電電極１２は１対に限らず、２対以上であってもよい。
放電電極１２間のギャップ幅１３にも特に制限はなく、
０．１〜３ｍｍ程度に設定される。
【００１１】ついで、導電性粒子１４ａと絶縁性粒子１
４ｂを混合して混合粉体を得て、この混合粉体にバイン
ダーを加えてペースト化し、シート成形する。その後、
型抜きし、焼成して蓋体１４を形成する。蓋体１４に使
用される導電性粒子１４ａとしては、ニッケル、タング
ステン、酸化スズ、金、銀、パラジウム、白金、酸化亜
鉛、チタン酸ストロンチウム等の粒子が挙げられ、通
常、粒径が１〜１０００μｍ程度のものが使用される。
また、絶縁性粒子１４ｂとしては、アルミナ、コランダ
ムムライト、ジルコニア、誘電体、ガラス、磁性体等の
粒子が挙げられ、通常、粒径が１〜１０００μｍ程度の
ものが使用される。蓋体１４を形成する混合物中の導電
性粒子１４ａおよび絶縁性粒子１４ｂの割合は、所望の
放電開始電圧に応じて適宜設定できるが、通常導電性粒
子１４ａが１〜９９体積％で、絶縁性粒子１４ｂが９９
〜１体積％である。例えば、絶縁性粒子１４ｂとして鉛
ガラス等を使用する場合には、鉛ガラスを４０〜９９体
積％とすることが好ましい。ただしこの場合、鉛ガラス
を４０〜６０体積％とした場合と、６０〜９９体積％と
した場合とでは、全体の抵抗値の挙動が異なる。すなわ
ち、鉛ガラスを４０〜６０体積％とした場合には、鉛ガ
ラスの量に対して全体の抵抗が急激に変動するが、６０
〜９９体積％とした場合には、ほとんど絶縁状態となり
抵抗があまり変動しない。よって、所望の放電開始電圧
に応じて割合を適宜設定する。
４ｂを混合して混合粉体を得て、この混合粉体にバイン
ダーを加えてペースト化し、シート成形する。その後、
型抜きし、焼成して蓋体１４を形成する。蓋体１４に使
用される導電性粒子１４ａとしては、ニッケル、タング
ステン、酸化スズ、金、銀、パラジウム、白金、酸化亜
鉛、チタン酸ストロンチウム等の粒子が挙げられ、通
常、粒径が１〜１０００μｍ程度のものが使用される。
また、絶縁性粒子１４ｂとしては、アルミナ、コランダ
ムムライト、ジルコニア、誘電体、ガラス、磁性体等の
粒子が挙げられ、通常、粒径が１〜１０００μｍ程度の
ものが使用される。蓋体１４を形成する混合物中の導電
性粒子１４ａおよび絶縁性粒子１４ｂの割合は、所望の
放電開始電圧に応じて適宜設定できるが、通常導電性粒
子１４ａが１〜９９体積％で、絶縁性粒子１４ｂが９９
〜１体積％である。例えば、絶縁性粒子１４ｂとして鉛
ガラス等を使用する場合には、鉛ガラスを４０〜９９体
積％とすることが好ましい。ただしこの場合、鉛ガラス
を４０〜６０体積％とした場合と、６０〜９９体積％と
した場合とでは、全体の抵抗値の挙動が異なる。すなわ
ち、鉛ガラスを４０〜６０体積％とした場合には、鉛ガ
ラスの量に対して全体の抵抗が急激に変動するが、６０
〜９９体積％とした場合には、ほとんど絶縁状態となり
抵抗があまり変動しない。よって、所望の放電開始電圧
に応じて割合を適宜設定する。
【００１２】ついで、この蓋体１４を前記放電電極１２
と導通するように前記絶縁基板１１上に被せて放電空間
１５を形成する。蓋体１４と絶縁基板１１を接合する場
合には、絶縁性を有する樹脂等で蓋体１４と絶縁基板１
１とをコーティングする方法の他、蓋体１４と絶縁基板
１１上の放電電極１２とを導電性のある接着剤で接着
し、蓋体１４と絶縁基板１１とを絶縁性の接着剤で接着
する方法でもよい。また、蓋体１４と絶縁基板１１の接
合は、放電空間１５に封入する封入ガスの雰囲気中で行
う。封入ガスとしては空気でもよいが、好ましくは、Ｈ
ｅ、Ｎ2、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ、ＳＦ6、ＣＯ2、Ｈ2等を使
用する。これらの圧力は、通常、１００〜２０００Ｔｏ
ｒｒ程度とする。
と導通するように前記絶縁基板１１上に被せて放電空間
１５を形成する。蓋体１４と絶縁基板１１を接合する場
合には、絶縁性を有する樹脂等で蓋体１４と絶縁基板１
１とをコーティングする方法の他、蓋体１４と絶縁基板
１１上の放電電極１２とを導電性のある接着剤で接着
し、蓋体１４と絶縁基板１１とを絶縁性の接着剤で接着
する方法でもよい。また、蓋体１４と絶縁基板１１の接
合は、放電空間１５に封入する封入ガスの雰囲気中で行
う。封入ガスとしては空気でもよいが、好ましくは、Ｈ
ｅ、Ｎ2、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ、ＳＦ6、ＣＯ2、Ｈ2等を使
用する。これらの圧力は、通常、１００〜２０００Ｔｏ
ｒｒ程度とする。
【００１３】そして、蓋体１４を前記絶縁基板１１上に
被せた後、前記放電電極１２と導通可能に端子電極１６
を設ける。端子電極１６には、銀、白金、金、パラジウ
ム、スズ、ニッケル等の１種または２種以上の合金を好
ましく使用できる。これらの金属ペースト等を絶縁基板
１１の端面に放電電極１２と導通するように塗布した
後、焼成して固着させ端子電極１６を形成して、チップ
型サージアブソーバ１０を製造することができる。
被せた後、前記放電電極１２と導通可能に端子電極１６
を設ける。端子電極１６には、銀、白金、金、パラジウ
ム、スズ、ニッケル等の１種または２種以上の合金を好
ましく使用できる。これらの金属ペースト等を絶縁基板
１１の端面に放電電極１２と導通するように塗布した
後、焼成して固着させ端子電極１６を形成して、チップ
型サージアブソーバ１０を製造することができる。
【００１４】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。 ［実施例１］次のようにして、図１に示すチップ型サー
ジアブソーバー１０を製造した。 アルミナ製の碍子（３．２L×１．６W×０．５Tｍ
ｍ）を絶縁基板１１とし、この表面に導電性ペースト
（Ａｇ）を用いて幅０．５ｍｍ、長さ０．７ｍｍの放電
電極１２を２本形成し、放電用の基板とした。この時、
中央にはギャップ１３を形成しておく。ギャップ１３の
間隔は０．２ｍｍとした。 導電性粒子１４ａとして直径５μｍの球状のＳｎＯ
2 粒を、絶縁性粒子１４ｂとして同じ直径の鉛ガラス粒
を用い、これらをＳｎＯ2 粒が４０体積％、鉛ガラス粒
が６０体積％となるように混合し、さらにバインダーを
混合して外径１．６ｍｍ、内径１．２ｍｍの半球状に成
形した。これを大気中、８００℃で焼成しての蓋体１４
を作成した。 で得られた放電用の基板の放電電極形成面にで
作成した蓋体１４を被せ、不活性ガス（Ａｒ）を満たし
た状態で蓋体１４と基板を接着した。この際、接着方法
は、蓋体１４内に含まれるガラスを溶かして、直接、蓋
体１４と基板を接着した。 端子部分にＡｇペーストをディップして焼成し、端
子電極１６を形成した。以上の〜のようにして、チ
ップ型サージアブソーバー１０を製造した。そして、こ
のチップ型サージアブソーバー１０の放電開始電圧、絶
縁抵抗、静電容量を測定し、さらに寿命特性を測定し
た。結果を表１に示す。
する。 ［実施例１］次のようにして、図１に示すチップ型サー
ジアブソーバー１０を製造した。 アルミナ製の碍子（３．２L×１．６W×０．５Tｍ
ｍ）を絶縁基板１１とし、この表面に導電性ペースト
（Ａｇ）を用いて幅０．５ｍｍ、長さ０．７ｍｍの放電
電極１２を２本形成し、放電用の基板とした。この時、
中央にはギャップ１３を形成しておく。ギャップ１３の
間隔は０．２ｍｍとした。 導電性粒子１４ａとして直径５μｍの球状のＳｎＯ
2 粒を、絶縁性粒子１４ｂとして同じ直径の鉛ガラス粒
を用い、これらをＳｎＯ2 粒が４０体積％、鉛ガラス粒
が６０体積％となるように混合し、さらにバインダーを
混合して外径１．６ｍｍ、内径１．２ｍｍの半球状に成
形した。これを大気中、８００℃で焼成しての蓋体１４
を作成した。 で得られた放電用の基板の放電電極形成面にで
作成した蓋体１４を被せ、不活性ガス（Ａｒ）を満たし
た状態で蓋体１４と基板を接着した。この際、接着方法
は、蓋体１４内に含まれるガラスを溶かして、直接、蓋
体１４と基板を接着した。 端子部分にＡｇペーストをディップして焼成し、端
子電極１６を形成した。以上の〜のようにして、チ
ップ型サージアブソーバー１０を製造した。そして、こ
のチップ型サージアブソーバー１０の放電開始電圧、絶
縁抵抗、静電容量を測定し、さらに寿命特性を測定し
た。結果を表１に示す。
【００１５】［実施例２］鉛ガラス粒の代わりにＢａＴ
ｉＯ3 を主成分とする誘電体を使用した以外は実施例１
と同様にしてチップ型サージアブソーバー１０を製造し
た。このチップ型サージアブソーバー１０の特性を実施
例１と同様に測定した結果を表１に示す。
ｉＯ3 を主成分とする誘電体を使用した以外は実施例１
と同様にしてチップ型サージアブソーバー１０を製造し
た。このチップ型サージアブソーバー１０の特性を実施
例１と同様に測定した結果を表１に示す。
【００１６】［実施例３］鉛ガラス粒の代わりにＦｅを
主成分とする磁性体を使用した以外は実施例１と同様に
してチップ型サージアブソーバー１０を製造した。この
チップ型サージアブソーバー１０の特性を実施例１と同
様に測定した結果を表１に示す。
主成分とする磁性体を使用した以外は実施例１と同様に
してチップ型サージアブソーバー１０を製造した。この
チップ型サージアブソーバー１０の特性を実施例１と同
様に測定した結果を表１に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のチップ型
サージアブソーバによれば、放電は放電電極間の放電間
隔において開始されるのではなく、導電性粒子と絶縁性
粒子の混合粉体からなる蓋体に形成された多数のギャッ
プで開始されるため、放電開始電圧は放電電極間のギャ
ップ幅の大きさに影響されない。よって、ギャップ幅を
厳密に制御する必要がなく、容易に放電開始電圧が安定
なチップ型サージアブソーバを得ることができる。ま
た、主放電は、絶縁基板上に設けられた放電電極間に形
成される。よって、サージを主に吸収する電極と、放電
を開始する電極が異なるため、放電電極の寿命が長く、
劣化しにくい。さらに、放電間隔がマイクロギャップで
ある必要がないため、ギャップに微細な金属片などの汚
染物質が接触しても、その影響を受けにくい。したがっ
て、本発明によれば、ギャップ幅の影響を受けずに放電
開始電圧が安定し、また、寿命が長く劣化しにくいチッ
プ型サージアブソーバを容易に提供することができる。
サージアブソーバによれば、放電は放電電極間の放電間
隔において開始されるのではなく、導電性粒子と絶縁性
粒子の混合粉体からなる蓋体に形成された多数のギャッ
プで開始されるため、放電開始電圧は放電電極間のギャ
ップ幅の大きさに影響されない。よって、ギャップ幅を
厳密に制御する必要がなく、容易に放電開始電圧が安定
なチップ型サージアブソーバを得ることができる。ま
た、主放電は、絶縁基板上に設けられた放電電極間に形
成される。よって、サージを主に吸収する電極と、放電
を開始する電極が異なるため、放電電極の寿命が長く、
劣化しにくい。さらに、放電間隔がマイクロギャップで
ある必要がないため、ギャップに微細な金属片などの汚
染物質が接触しても、その影響を受けにくい。したがっ
て、本発明によれば、ギャップ幅の影響を受けずに放電
開始電圧が安定し、また、寿命が長く劣化しにくいチッ
プ型サージアブソーバを容易に提供することができる。
【図１】本発明のチップ型サージアブソーバの一形態を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】図１のチップ型サージアブソーバの蓋体を形成
している混合粉体を示す模式図である。
している混合粉体を示す模式図である。
【図３】従来のチップ型サージアブソーバの一形態を示
す斜視図である。
す斜視図である。
１０…チップ型サージアブソーバ １１…絶縁基板 １２…放電電極 １３…ギャップ幅 １４…蓋体 １４ａ…導電性粒子 １４ｂ…絶縁性粒子 １５…放電空間 １６…端子電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 社藤 康弘 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社セラミックス工場電 子デバイス開発センター内 (72)発明者 藤原 和崇 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社セラミックス工場電 子デバイス開発センター内
Claims (4)
- 【請求項１】 １対以上の放電電極が形成された絶縁基
板と、前記放電電極と導通可能に前記絶縁基板上に被せ
られた蓋体と、前記放電電極と導通可能に接続された端
子電極とを有し、前記絶縁基板と前記蓋体との間には、
放電空間が形成されたチップ型サージアブソーバであっ
て、 前記蓋体は、導電物と絶縁物の混合物から形成されてい
ることを特徴とするチップ型サージアブソーバ。 - 【請求項２】 蓋体を形成している混合物中の導電物の
割合が１〜９９体積％であることを特徴とする請求項１
に記載のチップ型サージアブソーバ。 - 【請求項３】 導電物および絶縁物が、粒径１〜１００
０μｍの粒子であることを特徴とする請求項１または２
に記載のチップ型サージアブソーバ。 - 【請求項４】 絶縁基板上に１対以上の放電電極を形成
し、ついで、導電物と絶縁物を混合して得られた混合物
から蓋体を形成してこの蓋体を前記放電電極と導通可能
に前記絶縁基板上に被せて放電空間を形成し、前記放電
電極と導通可能に端子電極を設けることを特徴とするチ
ップ型サージアブソーバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000163510A JP4140173B2 (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | チップ型サージアブソーバおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000163510A JP4140173B2 (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | チップ型サージアブソーバおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001345161A true JP2001345161A (ja) | 2001-12-14 |
| JP4140173B2 JP4140173B2 (ja) | 2008-08-27 |
Family
ID=18667252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000163510A Expired - Fee Related JP4140173B2 (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | チップ型サージアブソーバおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4140173B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007048896A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Rikogaku Shinkokai | 避雷システム、避雷システムに用いる避雷補助塗膜、避雷補助塗膜を形成する避雷補助塗料、及び避雷補助塗膜の形成方法 |
| KR100781487B1 (ko) | 2006-07-18 | 2007-12-03 | 문학범 | 높은 써지 내량 과 빠른 반응 속도를 갖는 과전압 보호 칩 |
| WO2010061519A1 (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-03 | 株式会社 村田製作所 | Ｅｓｄ保護デバイス及びその製造方法 |
| JP2010129320A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Murata Mfg Co Ltd | Ｅｓｄ保護デバイス及びその製造方法 |
| JP2010198737A (ja) * | 2009-02-21 | 2010-09-09 | Mitsubishi Materials Corp | サージアブソーバ |
| JP2011018756A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Tdk Corp | 複合電子部品 |
| CN102224649A (zh) * | 2008-11-26 | 2011-10-19 | 株式会社村田制作所 | Esd保护器件及其制造方法 |
| CN102437513A (zh) * | 2010-09-29 | 2012-05-02 | 株式会社村田制作所 | Esd保护器件及其制造方法 |
| CN102576981A (zh) * | 2009-09-30 | 2012-07-11 | 株式会社村田制作所 | Esd保护器件及其制造方法 |
| CN104541418A (zh) * | 2012-08-13 | 2015-04-22 | 株式会社村田制作所 | Esd保护装置 |
| CN101933204B (zh) * | 2008-02-05 | 2015-06-03 | 株式会社村田制作所 | Esd保护器件 |
| JP2019008946A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 三菱電機エンジニアリング株式会社 | Ｅｓｄ抑制構造 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011040437A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 株式会社村田製作所 | Ｅｓｄ保護デバイスおよびその製造方法 |
-
2000
- 2000-05-31 JP JP2000163510A patent/JP4140173B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007048896A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Rikogaku Shinkokai | 避雷システム、避雷システムに用いる避雷補助塗膜、避雷補助塗膜を形成する避雷補助塗料、及び避雷補助塗膜の形成方法 |
| KR100781487B1 (ko) | 2006-07-18 | 2007-12-03 | 문학범 | 높은 써지 내량 과 빠른 반응 속도를 갖는 과전압 보호 칩 |
| CN101933204B (zh) * | 2008-02-05 | 2015-06-03 | 株式会社村田制作所 | Esd保护器件 |
| US8455918B2 (en) | 2008-11-26 | 2013-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ESD protection device and method for manufacturing the same |
| JP2010129320A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Murata Mfg Co Ltd | Ｅｓｄ保護デバイス及びその製造方法 |
| CN102224649A (zh) * | 2008-11-26 | 2011-10-19 | 株式会社村田制作所 | Esd保护器件及其制造方法 |
| CN102224648A (zh) * | 2008-11-26 | 2011-10-19 | 株式会社村田制作所 | Esd保护器件及其制造方法 |
| JPWO2010061519A1 (ja) * | 2008-11-26 | 2012-04-19 | 株式会社村田製作所 | Ｅｓｄ保護デバイス及びその製造方法 |
| WO2010061519A1 (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-03 | 株式会社 村田製作所 | Ｅｓｄ保護デバイス及びその製造方法 |
| US8426889B2 (en) | 2008-11-26 | 2013-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ESD protection device and method for manufacturing the same |
| JP2010198737A (ja) * | 2009-02-21 | 2010-09-09 | Mitsubishi Materials Corp | サージアブソーバ |
| JP2011018756A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Tdk Corp | 複合電子部品 |
| CN102576981A (zh) * | 2009-09-30 | 2012-07-11 | 株式会社村田制作所 | Esd保护器件及其制造方法 |
| US8514536B2 (en) | 2009-09-30 | 2013-08-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ESD protection device and manufacturing method therefor |
| CN102437513A (zh) * | 2010-09-29 | 2012-05-02 | 株式会社村田制作所 | Esd保护器件及其制造方法 |
| CN104541418A (zh) * | 2012-08-13 | 2015-04-22 | 株式会社村田制作所 | Esd保护装置 |
| JP2019008946A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 三菱電機エンジニアリング株式会社 | Ｅｓｄ抑制構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4140173B2 (ja) | 2008-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7570473B2 (en) | Surge absorber | |
| US8717730B2 (en) | ESD protection device and method for producing the same | |
| JP4140173B2 (ja) | チップ型サージアブソーバおよびその製造方法 | |
| KR100807217B1 (ko) | 세라믹 부품 및 그 제조방법 | |
| JP2000216046A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| EP1648061A1 (en) | Surge absorber | |
| JP2001189229A (ja) | コンデンサ | |
| TW478229B (en) | Chip type surge absorbing device and its manufacturing method | |
| JP3303025B2 (ja) | チップ型マイクロギャップ式サージアブソーバ | |
| JP2001267037A (ja) | サージ吸収素子及びその製造方法 | |
| JP3286855B2 (ja) | チップ型ｐｔｃサーミスタの製造方法 | |
| JP2006286251A (ja) | サージアブソーバ | |
| US6477033B2 (en) | Nonlinear dielectric element | |
| JP2000311764A (ja) | サージ吸収素子及びその製造方法 | |
| JP2005251458A (ja) | チップ型サージアブソーバ及びその製造方法 | |
| JP3508565B2 (ja) | チップ型サージアブソーバ及びその製造方法 | |
| JP2003151847A (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JP2006049064A (ja) | サージアブソーバ | |
| JP3148026B2 (ja) | サーミスタ及びその製造方法 | |
| JPH0377647B2 (ja) | ||
| KR100443497B1 (ko) | 도전성 페이스트 및 이를 사용한 세라믹 전자부품 | |
| JP2017509151A (ja) | 過電圧保護素子及び過電圧保護素子の製造方法 | |
| JP2000348846A (ja) | チップ型サージアブソーバ | |
| JP2000003775A (ja) | チップ型サージアブソーバ及びその製造方法 | |
| JP2001057282A (ja) | 表面実装型サージ吸収素子及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060331 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080515 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080520 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080602 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120620 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120620 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130620 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |