KR100443497B1 - 도전성 페이스트 및 이를 사용한 세라믹 전자부품 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유리 프릿(glass frit)의 함유량과 베이킹 온도가 다소 변동하더라도, 단자전극의 밀착강도를 안정되게 확보할 수 있으며, 또한 세라믹 소체의 발열을 억제할 수 있는 도전성 페이스트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 구성에 따르면, 도전성분과, 유기 비이클(organic vehicle)과, 적어도 결정화 유리를 포함하는 유리 프릿을 함유한 도전성 페이스트로서, 결정 용융 온도가 도전성 페이스트의 베이킹 온도 n(℃)에 대하여 n－100∼n＋40(℃)의 범위 내에 있는 결정화 유리를 선택한다.

Description

도전성 페이스트 및 이를 사용한 세라믹 전자부품{Conductive paste and an electronic parts using the same}
본 발명은 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 단자전극을 형성한 세라믹 전자부품에 관한 것으로서, 특히 내전압(耐電壓)이 수백V∼수kV인 세라믹 커패시터의 단자전극 형성에 적합한 도전성 페이스트 및 이러한 세라믹 커패시터에 관한 것이다.
종래의 세라믹 전자부품, 특히 내전압이 수백V∼수kV인 중ㆍ고압용도의 세라믹 커패시터에서, 그 단자전극 형성에 사용되는 도전성 페이스트는 주로, 도전성분, 유기 비이클(organic vehicle) 및 유리 프릿(glass frit)으로 이루어진다. 단자전극은 이러한 도전성 페이스트를 세라믹 소체의 단면에 도포하고, 이를 베이킹함으로써 형성된다.
특히, 도전성 페이스트 중에 유리 프릿이 함유되어 있으면, 그 베이킹시에 유리 프릿이 연화, 유동하여 도전성분의 소결을 촉진시킴과 동시에, 단자전극의 세라믹 소체에 대한 밀착강도를 향상시킬 수 있다.
그러나, 이러한 용도에서, 도전성 페이스트 중의 유리 프릿의 함유량이 미리 설정된 설계값에 대하여 수 체적% 증가하거나, 또는 그 베이킹 온도가 수℃ 상승하면, 도전성 페이스트의 베이킹시에 용융된 유리가 세라믹 소체의 내부까지 침투해 버린다. 그리고, 유리가 침투한 세라믹 전자부품에 고전압 및 고주파 신호가 부하되면, 세라믹 자체가 열화되거나 유전정접(誘電正接)(tanδ)이 상승하는 경우가 있다. 그 결과, 세라믹 전자부품의 손실계수가 증대하고, 세라믹 소체가 발열한다는 문제가 있었다.
한편, 유리 프릿의 함유량이 설계값에 대하여 수 체적% 감소하거나, 또는 그 베이킹 온도가 수℃ 저하하면, 단자전극의 밀착강도가 저하되어 단자전극과 세라믹 소체 사이에서 박리가 생긴다는 문제가 있었다.
본 발명은 상술한 문제를 해소하기 위하여 이루어진 것으로서, 설계값에 대하여 유리 프릿의 함유량과 베이킹 온도가 변동하더라도, 형성되는 단자전극의 밀착강도가 안정되게 확보되며, 또한 세라믹 소체의 발열을 억제할 수 있는 도전성 페이스트 및 이러한 도전성 페이스트를 사용하여 단자전극을 형성한 세라믹 전자부품을 제공하는 것에 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시형태에 따른 세라믹 전자부품의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 세라믹 전자부품의 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
1, 11 세라믹 전자부품 2, 12 세라믹 소체
3, 14 단자전극
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 도전성 페이스트는 도전성분과, 유기 비이클과, 적어도 결정화 유리를 포함하는 유리 프릿을 함유한, n℃에서 베이킹하는 도전성 페이스트로서, 결정화 유리의 결정 용융 온도(Tm)는 도전성 페이스트의 베이킹 온도에 대하여 n－100≤Tm≤n＋40을 만족시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 도전성 페이스트에 있어서 결정화 유리의 함유량은 도전성 페이스트 100체적% 중 1∼25체적%인 것이 바람직하다.
본 발명의 세라믹 전자부품은 세라믹 소체와 세라믹 소체에 형성된 단자전극을 포함하는 세라믹 전자부품으로서, 단자전극은 상술한 본 발명의 도전성 페이스트를 사용하여 형성되고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 도전성 페이스트는 결정화 유리를 포함하며, 상기 결정화 유리의 결정 용융 온도(℃)가 도전성 페이스트의 베이킹 온도 n(℃)에 대하여 n－100∼n＋40의 범위 내인 것에 특징이 있다. 이와 같이, 도전성 페이스트 중에 상술한 결정 용융 온도를 갖는 결정화 유리를 함유시킴으로써, 미리 설정된 설계값에 대하여 유리 프릿의 함유량과 베이킹 온도가 다소 변동하더라도, 세라믹 소체에 대하여 밀착강도가 높은 단자전극을 형성할 수 있으며, 또한 손실과 발열이 적은 세리믹 전자부품을 얻을 수 있다.
이에 반하여, 결정화 유리의 결정 용융 온도가 도전성 페이스트의 베이킹 온도에 대하여 100℃보다 더욱 밑돌면, 유리 성분이 세라믹 소체로 침투하는 비율이너무 커지기 때문에, 고전압과 고주파 신호를 인가했을 때에 세라믹 소체가 발열한다. 한편, 결정화 유리의 결정 용융 온도가 도전성 페이스트의 베이킹 온도에 대하여 40℃보다 더욱 웃돌면, 단자전극과 세라믹 소체의 계면(界面)에 있어서의 유리의 양이 너무 적어져서 단자전극의 밀착강도가 열화된다.
또한, 본 발명에서의 결정화 유리란, 유리 제작시는 비정질 유리이지만 유리를 가열해 가면 적어도 일부가 결정화되는 유리를 가리킨다. 또한, 결정 용융 온도란, 유리 가열시에 결정화된 유리가 용융을 개시하는 온도를 가리킨다. 또한, 베이킹 온도란, 세라믹 소체에 도전성 페이스트를 도포한 후, 도전성분을 소결시킬 때의 온도를 가리키며, 세라믹 전자부품의 단자전극 형성용 도전성 페이스트인 경우, 일반적으로 도전성분의 융점보다 100∼200℃ 전후의 낮은 온도에서 베이킹을 행한다.
또한, 결정화 유리의 함유량은 도전성 페이스트 100체적% 중 1∼25체적%인 것이 바람직하다. 1체적%를 밑돌면, 결정화 유리를 함유시킨 효과가 적어 단자전극의 밀착강도가 불충분해진다. 한편, 25체적%를 웃돌면, 세라믹 소체로 침투하는 유리의 비율이 증가하기 때문에 세라믹 소체가 발열한다.
또, 도전성분의 종류 및 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 Ag, Ag－Pd, Au, Pt 등의 귀금속성 분말 및 Ni, Cu 등의 비금속(卑金屬) 분말에서 선택된 적어도 1종을 적절히 사용할 수 있으며, 도전성 페이스트 100체적% 중 30∼50체적% 정도 함유시켜 사용할 수 있다.
또한, 유기 비이클의 종류 및 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 에틸 셀룰로우스 등의 유기 바인더(organic binder) 20중량%를 테르피네올(terpineol) 등의 용제 80중량%에 용해시킨 것을 적절히 사용할 수 있으며, 도전성 페이스트 100체적% 중 30∼60중량% 정도 함유시켜 사용할 수 있다.
또한, 결정화 유리의 종류는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 B－Bi－알칼리 토류－O계 유리에 있어서 B2O3양을 30몰% 정도로 제어한 유리 프릿 등을 적절히 사용할 수 있다. 또한, 결정 용융 온도는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 Al2O3를 첨가함으로써 적절히 조제할 수 있다. 또, Al2O3의 함유량이 많아지면 결정화 유리의 결정 용융 온도는 저온측으로 이동하고, 한편 Al2O3함유량이 적어지면 결정 용융 온도는 고온측으로 이동하는 경향이 있다.
다음으로, 본 발명의 세라믹 전자부품의 한 실시형태에 대하여 도 1에 기초하여 상세히 설명한다. 즉, 세라믹 전자부품(1)은 세라믹 소체(2)와, 단자전극(3, 3)과, 솔더(4, 4)와, 리드단자(5, 5)와, 외장수지(6)로 구성된다.
세라믹 소체(2)는 세라믹 그린시트를 소성한 원판형의 소결체로 이루어진다. 단자전극(3, 3)은 세라믹 소체(2)의 양 주면(主面)에 형성된 한 쌍의 전극막으로 이루어진다. 솔더(4, 4)는 단자전극(3, 3)과 리드단자(5, 5)를 각각 전기적 및 기계적으로 접합하도록 단자전극(3, 3) 상에 형성되어 있다. 외장수지(6)는 세라믹 소체(2)와, 단자전극(3, 3)과, 솔더(4, 4)를 덮도록 형성되어 있다.
세라믹 소체(2)는 예를 들면, 유전체, 절연체, 반도체, 압전체, 자성체로서 기능하는 재료로 이루어지는 것을 적절히 사용할 수 있다. 또한, 도 1에 나타낸 세라믹 소체(2)의 형상은 원판형이지만, 세라믹 소체(2)의 형상은 특별히 원판형에 한정되지 않으며, 단자전극(3, 3)을 형성하는데 충분한 면을 구비한다면, 예를 들면 각판형 등을 적절히 사용할 수 있다.
단자전극(3, 3)은 세라믹 소체(2)의 양 주면에 본 발명의 도전성 페이스트가 도포되어 건조된 후에 베이킹되어 이루어진다. 또, 단자전극의 형상 및 크기는 본 발명의 실시형태에 한정되지 않고, 예를 들면, 세라믹 소체(2)의 양 주면 전체에 형성, 또는 임의의 형상의 갭(gap) 폭을 두고 형성할 수 있으며, 어떠한 경우에 있어서도 본 발명의 효과를 얻을 수 있다. 또한, 단자전극의 층수는 본 발명의 실시형태에 한정되지 않고, 예를 들면, 제1층 단자전극 상에 제2층 단자전극을 더 형성해도 되며, 또한 몇 층 형성되어 있어도 상관없다.
솔더(4, 4)의 재질, 형상 및 크기는 본 발명의 실시형태에 한정되지 않고, 예를 들면 단자전극(3, 3) 전체에 형성, 또는 단자전극(3, 3) 상의 임의의 일부분이어도 되며, 어떠한 경우라도 상관없다.
리드단자(5, 5)의 재질, 형상 및 크기는 본 발명의 실시형태에 한정되지 않고, 예를 들면, Cu, Fe, Ni, Au 등으로 이루어진 금속선을 심재(芯材)로 하고, 필요에 따라 금속선의 표면에 Sn, Cu, Pd, Au, Sn－Cu, Sn－Ag, Sn－Ag－Cu도금을 한 리드단자 등을 적절히 사용할 수 있다. 또한, 단자전극(3)에 접합되는 리드단자(5)의 수는 본 발명의 실시형태에 한정되지 않으며, 1개의 단자전극(3)에 2개 이상의 리드단자(5)를 접합해도 상관없다.
외장수지(6)는 예를 들면, 에폭시 수지, 실리콘 수지 등을 들 수 있지만, 특별히 이에 한정되지 않으며, 절연성, 내습성, 내충격성, 내열성 등이 뛰어난 것이라면 대표적인 수지를 적절히 사용할 수 있다. 또, 외장수지(6)는 반드시 구비하고 있을 필요는 없으며, 또한 몇 층 형성되어 있어도 상관없다.
본 발명의 세라믹 전자부품의 다른 실시형태에 대하여 도 2에 기초하여 상세히 설명한다. 즉, 세라믹 전자부품(11)은 세라믹 소체(12)와, 내부전극(13, 3)과, 단자전극(14, 4)과, 도금막(15, 5)으로 구성된다.
세라믹 소체(12)는 BaTiO3를 주성분으로 하는 유전체 재료로 이루어진 세라믹층(12a)이 복수 적층된 그린 세라믹 소체가 소성되어 이루어진다.
내부전극(13, 3)은 세라믹 소체(12) 내의 세라믹층(12a) 사이에 있으며, 복수의 그린 세라믹층(12a) 상에 도전성 페이스트가 인쇄되어, 그린 세라믹층과 함께 동시 소성되어 이루어지며, 내부전극(13, 3)의 각각의 단부는 세라믹 소체(12)의 어느 한 단면에 노출되도록 형성되어 있다.
단자전극(14, 4)은 세라믹 소체(12)의 단면에 노출된 내부전극(13, 3)의 한 단부와 전기적 및 기계적으로 접합되도록 본 발명의 도전성 페이스트가 세라믹 소체(12)의 단면에 도포되고 베이킹되어 이루어진다.
도금막(15, 5)은 예를 들면, Sn과 Ni 등의 무전해 도금과 솔더 도금 등으로 이루어지며, 단자전극(14, 4) 상에 적어도 1층 형성되어 이루어진다.
또한, 본 발명의 세라믹 전자부품의 세라믹 소체(12)의 재료는 상술한 실시형태에 한정되지 않고, 예를 들면 PbZrO3등 그 외의 유전체 재료나, 절연체, 자성체, 반도체 재료로 이루어져도 상관없다. 또한, 세라믹 소체(12)는 1장의 세라믹층(12a)으로 구성되어 있어도 되고, 또한 몇 층 형성되어 있어도 상관없다. 또한, 본 발명의 세라믹 전자부품의 내부전극(13)의 매수는 상술한 실시형태에 한정되지 않으며, 반드시 구비하고 있을 필요는 없고, 또한 몇 층 형성되어 있어도 상관없다. 또한, 도금막(15, 5)은 반드시 구비하고 있을 필요는 없으며, 또한 몇 층 형성되어 있어도 상관없다.
<실시예>
이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 구체적으로 설명한다.
(실시예 1)
본 실시예에서는 결정화 온도와 결정 용융 온도가 각각 다른 결정화 유리 프릿을 포함하는 도전성 페이스트를 사용하여, 동일한 800℃에서 베이킹한 경우의 밀착강도와 발열온도 특성에 대하여 실험을 행하였다.
우선, 출발원료인 Bi2O3, H3BO3, Al2(OH)6, CaCO3, SrO, BaCO3를 준비하여 이를 소정의 조성비율이 되도록 조합한 후, 백금제 도가니에 투입해서 노(furnace)에서 900∼1300℃에서 60분간 유지하여 용융시킨다. 이어서, 시료가 완전히 용융된 것을 확인한 후, 노에서 꺼내 순수한 물 중에 투입하여 유리화시킨다. 이어서, 얻어진 비즈(beads) 형상의 유리 볼을 볼밀(ball mill)로 습식분쇄하여, 하기 표 1에 나타낸 시료 1∼12의 유리 프릿을 얻었다. 시료 1∼12의 유리 프릿은 제작시점에서는 비정질이라는 것이 X선 회절법에 의하여 확인되었다. 또한, 시료 1∼9의 유리 프릿은 온도가 상승해 가면 결정화된다는 것이 DTA곡선 및 고온 X선 회절법에 의하여 확인되었다. 다시 말하면, 시료 1∼9의 유리 프릿은 결정화 유리이다. 결정화 온도 및 결정 용융 온도에 대해서는 표 1에 각각 정리하였다.
이어서, 평균 입자 직경이 0.3㎛인 Ag분말 33체적%와, 시료 1∼12의 유리 프릿 6체적%와, 에틸 셀룰로우스 20중량%를 테르피네올 80중량%에 용해시킨 유기 비이클 61체적%와를 혼합해서 3개의 롤밀을 사용하여 뒤섞어, 하기 표 1에 나타낸 시료 1∼12의 도전성 페이스트를 얻었다.
이어서, 중ㆍ고압용 세라믹 커패시터로서 기능하는 세라믹 소체를 준비하여, 이 세라믹 소체의 양 단면에 3㎜ø의 전극막을 스크린 인쇄의 수법에 의하여 형성하고, 이를 건조시킨 후, 공기 중에서 800℃에서 베이킹하여 단자전극을 형성하였다. 이어서, 상술한 단자전극 상에 리드선을 솔더링하고, 또한 외장수지를 사용해서 피복하여 시료 1∼12의 세라믹 전자부품을 얻었다.
그래서, 시료 1∼12의 세라믹 전자부품에 대하여 3kVp－p를 인가(印加)하고, 열전대를 사용해서 외장수지 표면의 온도를 측정하여, 실온 25℃에 대한 발열온도 ΔT(℃)를 구하고, 아울러 평가하여 이를 표 1에 정리하였다. 또한, 평가에 대해서는 발열온도 ΔT(℃)가 30℃를 밑도는 시료를 "○", 30℃이상인 시료는 "×"를 부여하였다.
시료 조성계 (組成系) 결정화온도(℃) 결정용융온도(℃) 베이킹온도(℃) 베이킹온도－결정용융온도(℃) 밀착강도(N) 발열온도△T(℃) 평 가
1 B-Bi-Al-Ca-O계 604 682 800 118 32 43.2 ×
2 648 798 2 43 24.2 ○
3 657 843 -43 23 34.3 ×
4 B-Bi-Al-Sr-O계 551 695 105 34 38.4 ×
5 541 793 7 45 22.6 ○
6 534 845 -45 22 34.8 ×
7 B-Bi-Al-Ba-O계 507 619 181 29 40.2 ×
8 513 802 -2 41 24.1 ○
9 528 863 -63 18 35.1 ×
10 B-Bi-Al-Ca-O계 비결정 유리 프릿 - 24 39.4 ×
11 B-Bi-Al-Sr-O계 - 23 38.3 ×
12 B-Bi-Al-Ba-O계 - 23 39.7 ×
표 1에서 알 수 있듯이, 그 조성에 관계없이 결정화 유리를 사용한 시료 1∼9 중, 결정 용융 온도가 베이킹 온도인 800℃에 대하여 －100∼＋40℃의 범위 내, 즉 결정 용융 온도가 700∼840℃의 범위 내인 결정화 유리를 포함한 도전성 페이스트에 의한 시료 2, 5, 8의 세라믹 전자부품은 발열온도 ΔT(℃)가 22.6∼24.2℃로 낮았다.
이에 반하여, 결정화 유리이지만 결정 용융 온도가 750℃∼830℃의 범위 외인 시료 1, 3, 4, 6, 7, 9의 세라믹 전자부품은 발열온도 ΔT(℃)가 34.3∼43.2℃로 높아졌다.
또한, 결정화 유리를 포함하지 않은 시료 10∼12의 세라믹 전자부품은 조성에 관계없이 모두 발열온도 ΔT(℃)가 높았다.
(실시예 2)
본 실시예에서는 실시예 1에서 제작한 시료 2, 5, 8의 도전성 페이스트를 사용하여, 다른 온도에서 베이킹한 경우의 밀착강도와 발열온도 특성에 대하여 실험을 행하였다.
우선, 실시예 1에서 제작한 시료 2, 5, 8의 도전성 페이스트 및 세라믹 소체를 준비하여, 각각 780, 820℃에서 베이킹한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 제작하여, 시료 2a, 2b, 5a, 5b, 8a, 8b의 세라믹 전자부품을 얻었다.
그래서, 시료 2a, 2b, 5a, 5b, 8a, 8b의 세라믹 전자부품에 대하여 발열온도 ΔT(℃)를 구하고, 아울러 평가하여 실시예 1에서 제작한 시료 2, 5, 8과 함께 이들을 표 2에 정리하였다. 또, 발열온도 ΔT(℃)의 측정방법 및 평가에 대해서는 실시예 1과 동일한 방법으로 하였다.
시료 조성계 (組成系) 결정화온도(℃) 결정용융온도(℃) 베이킹온도(℃) 베이킹온도－결정용융온도(℃) 밀착강도 (N) 발열온도 △T(℃) 평 가
2a B-Bi-Al-Ca-O계 648 798 780 -18 41 25.1 ○
2 800 2 43 24.2 ○
2b 820 22 40 24.9 ○
5a B-Bi-Al-Sr-O계 541 793 780 -13 42 23.5 ○
5 800 7 45 22.6 ○
5b 820 27 40 24.3 ○
8a B-Bi-Al-Ba-O계 513 802 780 -22 40 25.0 ○
8 800 -2 41 24.1 ○
8b 820 18 39 25.2 ○
표 2에서 알 수 있듯이, 800℃에서 베이킹하도록 설계한 도전성 페이스트의 베이킹 온도가 다소 변동하더라도, 형성되는 단자전극의 밀착강도는 거의 안정되게 확보되며, 또한 세라믹 소체의 발열온도 ΔT(℃)도 거의 변동이 없다는 것을 알았다.
(실시예 3)
본 실시예에서는 실시예 1에서 제작한 시료 2, 5, 8의 유리 프릿의 함유량을 변화시킨 도전성 페이스트를 사용하여, 동일한 800℃에서 베이킹한 경우의 밀착강도와 발열온도 특성에 대하여 실험을 행하였다.
우선, 평균 입자 직경이 0.3㎛인 Ag분말 33체적%와, 실시예 1에서 제작한 시료 2, 5, 8의 유리 프릿을 4체적% 또는 8체적%와, 에틸 셀룰로우스 20중량%를 테르피네올 80중량%에 용해시킨 유기 비이클 61체적%를 준비하여 혼합하고, 3개의 롤밀을 사용하여 뒤섞어 시료 2c, 2d, 5c, 5d, 8c, 8d의 도전성 페이스트를 얻었다.
이어서, 시료 2c, 2d, 5c, 5d, 8c, 8d의 도전성 페이스트 및 세라믹 소체를 준비해서 실시예 1과 동일하게 제작하여, 시료 2c, 2d, 5c, 5d, 8c, 8d의 세라믹 전자부품을 얻었다.
그래서, 시료 2c, 2d, 5c, 5d, 8c, 8d의 세라믹 전자부품에 대하여 발열온도 ΔT(℃)를 구하고, 아울러 평가하여 실시예 1에서 제작한 시료 2, 5, 8과 함께 이들을 표 3에 정리하였다. 또, 발열온도 ΔT(℃)의 측정방법 및 평가에 대해서는 실시예 1과 동일한 방법으로 하였다.
시 료 조성계 (組成系) 결정화온도 (℃) 결정용융온도(℃) 유리첨가량 (체적%) 베이킹온도(℃) 밀착강도 (N) 발열온도△T(℃) 평 가
2c B-Bi-Al-Ca-O계 648 798 4 800 42 24.6 ○
2 6 43 24.2 ○
2d 8 43 24.4 ○
5c B-Bi-Al-Sr-O계 541 793 4 44 23.5 ○
5 6 45 22.6 ○
5d 8 45 22.9 ○
8c B-Bi-Al-Ba-O계 513 802 4 40 25.7 ○
8 6 41 24.1 ○
8d 8 41 25.2 ○
표 3에서 알 수 있듯이, 도전성 페이스트 중에 있어서의 함유량이 6체적%가 되도록 설계한 유리 프릿 함유량이 다소 변동하더라도, 형성되는 단자전극의 밀착강도는 거의 안정되게 확보되며, 또한 세라믹 소체의 발열온도 ΔT(℃)도 거의 변동이 없다는 것을 알았다.
이상과 같이 본 발명의 도전성 페이스트는 도전성분과; 유기 비이클과; 적어도 결정화 유리를 포함하는 유리 프릿;을 함유한 도전성 페이스트로서, 결정화 유리의 결정 용융 온도는 도전성 페이스트의 베이킹 온도 n(℃)에 대하여 n－100∼n＋40℃의 범위 내에서 선택함으로써, 설계값에 대하여 유리 프릿의 함유량과 베이킹 온도가 변동하더라도, 밀착강도가 안정되게 확보되고, 또한 세라믹 소체의 발열을 억제하며, 특히 중ㆍ고압용도에 적합한 세라믹 전자부품을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 세라믹 전자부품은 세라믹 소체와 세라믹 소체에 형성된 단자전극을 구비하며, 단자전극은 본 발명의 도전성 페이스트를 사용하여 형성되고있는 것을 특징으로 함으로써, 설계값에 대하여 유리 프릿의 함유량과 베이킹 온도가 변동하더라도, 단자전극의 밀착강도가 안정되게 확보되며, 또한 세라믹 소체의 발열이 억제되는 효과를 얻을 수 있다.

Claims (4)

  1. 도전성분; 유기 비이클(organic vehicle); 및 결정화 유리를 포함하는 유리 프릿(glass frit);을 함유하며, 온도 n(℃)에서 베이킹되는 도전성 페이스트로서,
    상기 결정화 유리는 B-Bi-Al-Ca-O계, B-Bi-Al-Sr-O계 및 B-Bi-Al-Ba-O계 중 어느 하나의 결정화 유리이고,
    상기 결정화 유리의 결정 용융 온도 Tm(℃)는 도전성 페이스트의 베이킹 온도 n에 대하여
    n－100≤Tm≤n＋40
    을 만족하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 결정화 유리는 도전성 페이스트 100체적% 중 1∼25체적%를 차지하고 있는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  3. 세라믹 소체와 세라믹 소체에 형성된 단자전극을 구비하는 세라믹 전자부품으로서,
    상기 단자전극은 제 1항 또는 제 2항에 기재된 도전성 페이스트를 사용하여 형성되고 있는 것을 특징으로 하는 세라믹 전자부품.
  4. 세라믹 소체와 세라믹 소체에 형성된 단자전극을 구비하는 중고압용 세라믹 커패시터로서,
    상기 단자 전극은 도전 성분, 유기 비이클 및 결정화 유리를 포함하는 유리 프릿을 함유하는 도전성 페이스트가 n℃에서 베이킹된 것이며,
    상기 결정화 유리의 결정 용융 온도 Tm(℃)는 도전성 페이스트의 베이킹 온도 n에 대하여
    n－100≤Tm≤n＋40
    을 만족하는 것을 특징으로 하는 중고압용 세라믹 커패시터.
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