JP2002158134A - 導電性ペーストおよびこれを用いたセラミック電子部品 - Google Patents
導電性ペーストおよびこれを用いたセラミック電子部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、設計値に対してガラスフリットの
含有量と焼付け温度が変動しても、形成される端子電極
の密着強度が安定して確保され、かつセラミック素体の
発熱を抑制し得る導電性ペースト、ならびにこのような
導電性ペーストを用いて端子電極を形成したセラミック
電子部品を提供することにある。 【解決手段】 本発明の導電性ペーストは、導電成分
と、有機ビヒクルと、少なくとも結晶化ガラスを含むガ
ラスフリットとを含有する、ｎ℃で焼付けする導電性ペ
ーストであって、結晶化ガラスの結晶溶融温度は、導電
性ペーストの焼付け温度に対してｎ−１００〜ｎ＋４０
℃の範囲内であることを特徴とする。また、本発明のセ
ラミック電子部品は、セラミック素体と、セラミック素
体に形成された端子電極と、を備え、端子電極は、本発
明の導電性ペーストを用いて形成されていることを特徴
とする。
含有量と焼付け温度が変動しても、形成される端子電極
の密着強度が安定して確保され、かつセラミック素体の
発熱を抑制し得る導電性ペースト、ならびにこのような
導電性ペーストを用いて端子電極を形成したセラミック
電子部品を提供することにある。 【解決手段】 本発明の導電性ペーストは、導電成分
と、有機ビヒクルと、少なくとも結晶化ガラスを含むガ
ラスフリットとを含有する、ｎ℃で焼付けする導電性ペ
ーストであって、結晶化ガラスの結晶溶融温度は、導電
性ペーストの焼付け温度に対してｎ−１００〜ｎ＋４０
℃の範囲内であることを特徴とする。また、本発明のセ
ラミック電子部品は、セラミック素体と、セラミック素
体に形成された端子電極と、を備え、端子電極は、本発
明の導電性ペーストを用いて形成されていることを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性ペーストな
らびにこれを用いて端子電極を形成したセラミック電子
部品に関するものであり、特に耐電圧が数百Ｖ〜数ｋＶ
であるセラミックコンデンサの端子電極形成に好適な導
電性ペーストならびにこのようなセラミックコンデンサ
に関するものである。
らびにこれを用いて端子電極を形成したセラミック電子
部品に関するものであり、特に耐電圧が数百Ｖ〜数ｋＶ
であるセラミックコンデンサの端子電極形成に好適な導
電性ペーストならびにこのようなセラミックコンデンサ
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のセラミック電子部品、特に耐電圧
が数百Ｖ〜数ｋＶであるセラミックコンデンサの端子電
極形成に用いられる導電性ペーストは、導電成分と、有
機ビヒクルと、ガラスフリットとから主になる。端子電
極は、このような導電性ペーストがセラミック素体の端
面に塗布され焼付けられて形成される。導電性ペースト
中にガラスフリットが含有されることにより、端子電極
の焼付け時に軟化流動して導電成分の焼結を促進させる
とともに、端子電極のセラミック素体に対する密着強度
を向上させている。
が数百Ｖ〜数ｋＶであるセラミックコンデンサの端子電
極形成に用いられる導電性ペーストは、導電成分と、有
機ビヒクルと、ガラスフリットとから主になる。端子電
極は、このような導電性ペーストがセラミック素体の端
面に塗布され焼付けられて形成される。導電性ペースト
中にガラスフリットが含有されることにより、端子電極
の焼付け時に軟化流動して導電成分の焼結を促進させる
とともに、端子電極のセラミック素体に対する密着強度
を向上させている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな用途の導電性ペーストは、ガラスフリットの含有量
や焼付け温度が、設計値に対して数体積％増加あるいは
数℃上昇すると、焼付け時に溶融したガラスがセラミッ
ク素体の内部まで浸透する場合がある。このようなガラ
スが浸透したセラミック電子部品に高電圧ならびに高周
波を負荷すると、セラミックが劣化してｔａｎδが上昇
し、セラミック素体が発熱するという問題があった。
うな用途の導電性ペーストは、ガラスフリットの含有量
や焼付け温度が、設計値に対して数体積％増加あるいは
数℃上昇すると、焼付け時に溶融したガラスがセラミッ
ク素体の内部まで浸透する場合がある。このようなガラ
スが浸透したセラミック電子部品に高電圧ならびに高周
波を負荷すると、セラミックが劣化してｔａｎδが上昇
し、セラミック素体が発熱するという問題があった。
【０００４】他方で、ガラスフリットの含有量や焼付け
温度が、設計値に対して数体積％減少あるいは数℃低下
すると、焼付けて形成する端子電極の密着強度が低下
し、端子電極とセラミック素体間で剥離が生じるという
問題があった。
温度が、設計値に対して数体積％減少あるいは数℃低下
すると、焼付けて形成する端子電極の密着強度が低下
し、端子電極とセラミック素体間で剥離が生じるという
問題があった。
【０００５】本発明は、上述の問題を解消すべくなされ
たもので、設計値に対してガラスフリットの含有量と焼
付け温度が変動しても、形成される端子電極の密着強度
が安定して確保され、かつセラミック素体の発熱を抑制
し得る導電性ペースト、ならびにこのような導電性ペー
ストを用いて端子電極を形成したセラミック電子部品を
提供することにある。
たもので、設計値に対してガラスフリットの含有量と焼
付け温度が変動しても、形成される端子電極の密着強度
が安定して確保され、かつセラミック素体の発熱を抑制
し得る導電性ペースト、ならびにこのような導電性ペー
ストを用いて端子電極を形成したセラミック電子部品を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の導電性ペーストは、導電成分と、有機ビヒ
クルと、少なくとも結晶化ガラスを含むガラスフリット
とを含有する、ｎ℃で焼付けする導電性ペーストであっ
て、結晶化ガラスの結晶溶融温度は、導電性ペーストの
焼付け温度に対してｎ−１００〜ｎ＋４０℃の範囲内で
あることを特徴とする。
に、本発明の導電性ペーストは、導電成分と、有機ビヒ
クルと、少なくとも結晶化ガラスを含むガラスフリット
とを含有する、ｎ℃で焼付けする導電性ペーストであっ
て、結晶化ガラスの結晶溶融温度は、導電性ペーストの
焼付け温度に対してｎ−１００〜ｎ＋４０℃の範囲内で
あることを特徴とする。
【０００７】また、本発明の導電性ペーストにおける結
晶化ガラスの含有量は、導電性ペースト１００体積％の
うち１〜２５体積％であることが好ましい。
晶化ガラスの含有量は、導電性ペースト１００体積％の
うち１〜２５体積％であることが好ましい。
【０００８】本発明のセラミック電子部品は、セラミッ
ク素体と、セラミック素体に形成された端子電極と、を
備えるセラミック電子部品であって、端子電極は、上述
した本発明の導電性ペーストを用いて形成されているこ
とを特徴とする。
ク素体と、セラミック素体に形成された端子電極と、を
備えるセラミック電子部品であって、端子電極は、上述
した本発明の導電性ペーストを用いて形成されているこ
とを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の導電性ペーストは、結晶
化ガラスを含み、この結晶化ガラスの結晶溶融温度が、
導電性ペーストの焼付け温度ｎ℃に対してｎ−１００〜
ｎ＋４０℃の範囲内であることに特徴がある。導電性ペ
ースト中に、上述の結晶溶融温度範囲にある結晶化ガラ
スを含有させることで、設計値に対してガラスフリット
の含有量と焼付け温度が変動しても、形成される端子電
極の密着強度が安定して確保される。導電性ペースト中
に含有する結晶化ガラスの結晶溶融温度が、導電性ペー
ストの焼付け温度に対して１００℃よりさらに下回る
と、ガラスがセラミック素体へ浸透する割合が大きくな
り過ぎるため、セラミック素体が発熱する。他方、導電
性ペーストの焼付け温度に対して４０℃よりさらに上回
ると、端子電極とセラミック素体との界面におけるガラ
スの量が少なくなり過ぎるため、端子電極の密着強度が
悪化する。
化ガラスを含み、この結晶化ガラスの結晶溶融温度が、
導電性ペーストの焼付け温度ｎ℃に対してｎ−１００〜
ｎ＋４０℃の範囲内であることに特徴がある。導電性ペ
ースト中に、上述の結晶溶融温度範囲にある結晶化ガラ
スを含有させることで、設計値に対してガラスフリット
の含有量と焼付け温度が変動しても、形成される端子電
極の密着強度が安定して確保される。導電性ペースト中
に含有する結晶化ガラスの結晶溶融温度が、導電性ペー
ストの焼付け温度に対して１００℃よりさらに下回る
と、ガラスがセラミック素体へ浸透する割合が大きくな
り過ぎるため、セラミック素体が発熱する。他方、導電
性ペーストの焼付け温度に対して４０℃よりさらに上回
ると、端子電極とセラミック素体との界面におけるガラ
スの量が少なくなり過ぎるため、端子電極の密着強度が
悪化する。
【００１０】なお、本発明における結晶化ガラスとは、
ガラス作製時は、非晶質ガラスであるが、ガラスを加熱
していくと少なくとも一部が結晶化するガラスを指す。
また、結晶溶融温度とは、ガラス加熱時に結晶化したガ
ラスが溶融を開始する温度を指す。また、焼付け温度と
は、セラミック素体に導電性ペーストを塗布した後、導
電成分を焼結させるときの温度を指し、セラミック電子
部品の端子電極形成用導電性ペーストの場合、一般に導
電成分の融点より１００〜２００℃前後低い温度で焼付
けを行なう。
ガラス作製時は、非晶質ガラスであるが、ガラスを加熱
していくと少なくとも一部が結晶化するガラスを指す。
また、結晶溶融温度とは、ガラス加熱時に結晶化したガ
ラスが溶融を開始する温度を指す。また、焼付け温度と
は、セラミック素体に導電性ペーストを塗布した後、導
電成分を焼結させるときの温度を指し、セラミック電子
部品の端子電極形成用導電性ペーストの場合、一般に導
電成分の融点より１００〜２００℃前後低い温度で焼付
けを行なう。
【００１１】また、結晶化ガラスの含有量は、導電性ペ
ースト１００体積％のうち１〜２５体積％であることが
好ましい。１体積％を下回ると、結晶化ガラスを含有さ
せた効果が少なく端子電極の密着強度が不十分となる。
他方、２５体積％を上回ると、セラミック素体へ浸透す
るガラスの割合が増加するため、セラミック素体が発熱
する。
ースト１００体積％のうち１〜２５体積％であることが
好ましい。１体積％を下回ると、結晶化ガラスを含有さ
せた効果が少なく端子電極の密着強度が不十分となる。
他方、２５体積％を上回ると、セラミック素体へ浸透す
るガラスの割合が増加するため、セラミック素体が発熱
する。
【００１２】なお、導電成分の種類ならびに含有量は、
特に限定はしないが、例えばＡｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｕ，
Ｐｔ等の貴金属性粉末ならびにＮｉ，Ｃｕ等の卑金属粉
末から選ばれる少なくとも１種を適宜用いることがで
き、導電性ペースト１００体積％のうち３０〜５０体積
％程度含有させて使用することができる。
特に限定はしないが、例えばＡｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｕ，
Ｐｔ等の貴金属性粉末ならびにＮｉ，Ｃｕ等の卑金属粉
末から選ばれる少なくとも１種を適宜用いることがで
き、導電性ペースト１００体積％のうち３０〜５０体積
％程度含有させて使用することができる。
【００１３】また、有機ビヒクルの種類ならびに含有量
は、特に限定はしないが、例えばエチルセルロース等の
有機バインダ２０重量％をターピネオール等の溶剤８０
重量％に溶解させたものを適宜用いることができ、導電
性ペースト１００体積％のうち３０〜６０重量％程度含
有させて使用することができる。
は、特に限定はしないが、例えばエチルセルロース等の
有機バインダ２０重量％をターピネオール等の溶剤８０
重量％に溶解させたものを適宜用いることができ、導電
性ペースト１００体積％のうち３０〜６０重量％程度含
有させて使用することができる。
【００１４】また、結晶化ガラスの種類は、特に限定は
しないが、例えばＢ−Ｂｉ−アルカリ土類−Ｏ系ガラス
においてＢ2Ｏ3量を３０モル％程度に制御したガラスフ
リット等を適宜用いることができる。また、結晶溶融温
度は、特に限定はしないが、例えばＡｌ2Ｏ3を添加する
ことで適宜調製できる。なお、Ａｌ2Ｏ3の含有量が多く
なると、結晶化ガラスの結晶溶融温度は低温側にシフト
し、他方Ａｌ2Ｏ3含有量が少なくなると、結晶溶融温度
は高温側にシフトする。
しないが、例えばＢ−Ｂｉ−アルカリ土類−Ｏ系ガラス
においてＢ2Ｏ3量を３０モル％程度に制御したガラスフ
リット等を適宜用いることができる。また、結晶溶融温
度は、特に限定はしないが、例えばＡｌ2Ｏ3を添加する
ことで適宜調製できる。なお、Ａｌ2Ｏ3の含有量が多く
なると、結晶化ガラスの結晶溶融温度は低温側にシフト
し、他方Ａｌ2Ｏ3含有量が少なくなると、結晶溶融温度
は高温側にシフトする。
【００１５】本発明のセラミック電子部品の一つの実施
形態について、図１に基づいて詳細に説明する。すなわ
ち、セラミック電子部品１は、セラミック素体２と、端
子電極３，３と、はんだ４，４と、リード端子５，５
と、外装樹脂６とから構成される。
形態について、図１に基づいて詳細に説明する。すなわ
ち、セラミック電子部品１は、セラミック素体２と、端
子電極３，３と、はんだ４，４と、リード端子５，５
と、外装樹脂６とから構成される。
【００１６】セラミック素体２は、セラミックグリーン
シートを焼成した円板型の焼結体からなる。端子電極
３、３は、セラミック素体２の両主面に形成された一対
の電極膜からなる。はんだ４，４は、端子電極３，３と
リード端子５，５をそれぞれ電気的かつ機械的に接合す
るように端子電極３，３上に形成されている。外装樹脂
６は、セラミック素体２と端子電極３，３とはんだ４，
４を覆うように形成されている。
シートを焼成した円板型の焼結体からなる。端子電極
３、３は、セラミック素体２の両主面に形成された一対
の電極膜からなる。はんだ４，４は、端子電極３，３と
リード端子５，５をそれぞれ電気的かつ機械的に接合す
るように端子電極３，３上に形成されている。外装樹脂
６は、セラミック素体２と端子電極３，３とはんだ４，
４を覆うように形成されている。
【００１７】セラミック素体２は、例えば誘電体、絶縁
体、半導体、圧電体、磁性体として機能する材料からな
るものを適宜用いることができる。なお、図１に示した
セラミック素体２の形状は円板型であるが、セラミック
素体２の形状は特に円板型に限定されることなく、端子
電極３，３を形成するのに十分な面を備えるのであれ
ば、例えば角板型等を適宜用いることができる。
体、半導体、圧電体、磁性体として機能する材料からな
るものを適宜用いることができる。なお、図１に示した
セラミック素体２の形状は円板型であるが、セラミック
素体２の形状は特に円板型に限定されることなく、端子
電極３，３を形成するのに十分な面を備えるのであれ
ば、例えば角板型等を適宜用いることができる。
【００１８】端子電極３，３は、セラミック素体２の両
主面に本発明の導電性ペーストが塗布され乾燥された後
に焼付けされてなる。なお、端子電極の形状ならびに大
きさは、本発明の実施形態に限定されることなく、例え
ば、セラミック素体２の両主面の全体に形成、あるいは
任意の形状のギャップ幅を取って形成することができ、
何れの場合においても本発明の効果が得られる。また、
端子電極の層数は、本発明の実施形態に限定されること
なく、例えば、第１層の端子電極上にさらに第２層の端
子電極を形成してもよく、また何層形成されていても構
わない。
主面に本発明の導電性ペーストが塗布され乾燥された後
に焼付けされてなる。なお、端子電極の形状ならびに大
きさは、本発明の実施形態に限定されることなく、例え
ば、セラミック素体２の両主面の全体に形成、あるいは
任意の形状のギャップ幅を取って形成することができ、
何れの場合においても本発明の効果が得られる。また、
端子電極の層数は、本発明の実施形態に限定されること
なく、例えば、第１層の端子電極上にさらに第２層の端
子電極を形成してもよく、また何層形成されていても構
わない。
【００１９】はんだ４，４の材質、形状ならびに大きさ
は、本発明の実施形態に限定されることなく、例えば、
端子電極３，３の全体に形成、あるいは端子電極３，３
上の任意の一部分であってもよく、何れの場合であって
も構わない。
は、本発明の実施形態に限定されることなく、例えば、
端子電極３，３の全体に形成、あるいは端子電極３，３
上の任意の一部分であってもよく、何れの場合であって
も構わない。
【００２０】リード端子５，５の材質、形状ならびに大
きさは、本発明の実施形態に限定されることなく、例え
ば、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ａｕ等からなる金属線を芯材と
して、必要に応じて金属線の表面にＳｎ、Ｃｕ、Ｐｄ、
Ａｕ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕメッ
キを施したリード端子等を適宜用いることができる。ま
た、端子電極３に接合されるリード端子５の数は、本発
明の実施形態に限定されることなく、１つの端子電極３
に２本以上のリード端子５を接合しても構わない。
きさは、本発明の実施形態に限定されることなく、例え
ば、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ａｕ等からなる金属線を芯材と
して、必要に応じて金属線の表面にＳｎ、Ｃｕ、Ｐｄ、
Ａｕ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕメッ
キを施したリード端子等を適宜用いることができる。ま
た、端子電極３に接合されるリード端子５の数は、本発
明の実施形態に限定されることなく、１つの端子電極３
に２本以上のリード端子５を接合しても構わない。
【００２１】外装樹脂６は、例えば、エポキシ樹脂、シ
リコン樹脂等が挙げられるが、特にこれらに限定される
ことなく、絶縁性、耐湿性、耐衝撃性、耐熱性等に優れ
るものであれば代表的な樹脂を適宜用いることができ
る。なお、外装樹脂６は必ずしも備えている必要はな
く、また何層形成されていても構わない。
リコン樹脂等が挙げられるが、特にこれらに限定される
ことなく、絶縁性、耐湿性、耐衝撃性、耐熱性等に優れ
るものであれば代表的な樹脂を適宜用いることができ
る。なお、外装樹脂６は必ずしも備えている必要はな
く、また何層形成されていても構わない。
【００２２】本発明のセラミック電子部品の他の実施形
態について、図２に基づいて詳細に説明する。すなわ
ち、セラミック電子部品１１は、セラミック素体１２
と、内部電極１３，３と、端子電極１４，４と、めっき
膜１５，５とから構成される。
態について、図２に基づいて詳細に説明する。すなわ
ち、セラミック電子部品１１は、セラミック素体１２
と、内部電極１３，３と、端子電極１４，４と、めっき
膜１５，５とから構成される。
【００２３】セラミック素体１２は、ＢａＴｉＯ3を主
成分とする誘電体材料からなるセラミック層１２ａが複
数積層された生のセラミック素体が焼成されてなる。
成分とする誘電体材料からなるセラミック層１２ａが複
数積層された生のセラミック素体が焼成されてなる。
【００２４】内部電極１３，３は、セラミック素体１２
内のセラミック層１２ａ間にあって、複数の生のセラミ
ック層１２ａ上に導電性ペーストが印刷され、生のセラ
ミック層とともに同時焼成されてなり、内部電極１３，
３のそれぞれの端縁は、セラミック素体１２の何れかの
端面に露出するように形成されている。
内のセラミック層１２ａ間にあって、複数の生のセラミ
ック層１２ａ上に導電性ペーストが印刷され、生のセラ
ミック層とともに同時焼成されてなり、内部電極１３，
３のそれぞれの端縁は、セラミック素体１２の何れかの
端面に露出するように形成されている。
【００２５】端子電極１４，４は、セラミック素体１２
の端面に露出した内部電極１３，３の一端と電気的かつ
機械的に接合されるように、本発明の導電性ペーストが
セラミック素体１２の端面に塗布され焼付けられてな
る。
の端面に露出した内部電極１３，３の一端と電気的かつ
機械的に接合されるように、本発明の導電性ペーストが
セラミック素体１２の端面に塗布され焼付けられてな
る。
【００２６】めっき膜１５，５は、例えば、ＳｎやＮｉ
等の無電解めっきや、はんだめっき等からなり、端子電
極１４，４上に少なくとも１層形成されてなる。
等の無電解めっきや、はんだめっき等からなり、端子電
極１４，４上に少なくとも１層形成されてなる。
【００２７】なお、本発明のセラミック電子部品のセラ
ミック素体１２の材料は、上述の実施形態に限定される
ことなく、例えばＰｂＺｒＯ3等その他の誘電体材料
や、絶縁体、磁性体、半導体材料からなっても構わな
い。また、セラミック素体１２は、１枚のセラミック層
１２ａから構成されていてもよく、また何層形成されて
いても構わない。また、本発明のセラミック電子部品の
内部電極１３の枚数は、上述の実施形態に限定されるこ
となく、必ずしも備えている必要はなく、また何層形成
されていても構わない。また、めっき膜１５，５は、必
ずしも備えている必要はなく、また何層形成されていて
も構わない。
ミック素体１２の材料は、上述の実施形態に限定される
ことなく、例えばＰｂＺｒＯ3等その他の誘電体材料
や、絶縁体、磁性体、半導体材料からなっても構わな
い。また、セラミック素体１２は、１枚のセラミック層
１２ａから構成されていてもよく、また何層形成されて
いても構わない。また、本発明のセラミック電子部品の
内部電極１３の枚数は、上述の実施形態に限定されるこ
となく、必ずしも備えている必要はなく、また何層形成
されていても構わない。また、めっき膜１５，５は、必
ずしも備えている必要はなく、また何層形成されていて
も構わない。
【００２８】
【実施例】（実施例１）実施例１では、結晶化温度と結
晶溶融温度が各々異なる結晶化ガラスフリットを含む導
電性ペーストを用いて、同じ８００℃で焼き付けした場
合の密着強度と発熱温度特性について実験を行なった。
晶溶融温度が各々異なる結晶化ガラスフリットを含む導
電性ペーストを用いて、同じ８００℃で焼き付けした場
合の密着強度と発熱温度特性について実験を行なった。
【００２９】まず、出発原料であるＢｉ2Ｏ3，Ｈ3Ｂ
Ｏ3，Ａｌ2（ＯＨ）6，ＣａＣＯ3，ＳｒＯ，ＢａＣＯ3
を準備し、これらを所定の組成比率となるように調合し
た後、白金製の坩堝に投入し、炉にて９００〜１３００
℃で６０分間保持して溶融させた。次いで、試料が完全
に溶融したことを確認した後、炉から取出し純水中に投
入してガラス化させた。次いで、得られたビーズ状のガ
ラスボールをボールミルで湿式粉砕して試料１〜１２の
ガラスフリットを得た。なお、試料１〜１２のガラスフ
リットは、作製時点では非晶質であることがＸ線回折法
により確認された。また、試料１〜９のガラスフリット
は、昇温していくと結晶化することがＤＴＡ曲線ならび
に高温Ｘ線回折法により確認された。結晶化温度ならび
に結晶溶融温度については、表１にそれぞれまとめた。
Ｏ3，Ａｌ2（ＯＨ）6，ＣａＣＯ3，ＳｒＯ，ＢａＣＯ3
を準備し、これらを所定の組成比率となるように調合し
た後、白金製の坩堝に投入し、炉にて９００〜１３００
℃で６０分間保持して溶融させた。次いで、試料が完全
に溶融したことを確認した後、炉から取出し純水中に投
入してガラス化させた。次いで、得られたビーズ状のガ
ラスボールをボールミルで湿式粉砕して試料１〜１２の
ガラスフリットを得た。なお、試料１〜１２のガラスフ
リットは、作製時点では非晶質であることがＸ線回折法
により確認された。また、試料１〜９のガラスフリット
は、昇温していくと結晶化することがＤＴＡ曲線ならび
に高温Ｘ線回折法により確認された。結晶化温度ならび
に結晶溶融温度については、表１にそれぞれまとめた。
【００３０】次いで、平均粒径が０．３μｍのＡｇ粉末
３３体積％と、試料１〜１２のガラスフリット６体積％
と、エチルセルロース２０重量％をターピネオール８０
重量％に溶解させた有機ビヒクル６１体積％を準備して
混合し、３本ロールミルを用いて混練して、試料１〜１
２の導電性ペーストを得た。
３３体積％と、試料１〜１２のガラスフリット６体積％
と、エチルセルロース２０重量％をターピネオール８０
重量％に溶解させた有機ビヒクル６１体積％を準備して
混合し、３本ロールミルを用いて混練して、試料１〜１
２の導電性ペーストを得た。
【００３１】次いで、中高圧用セラミックコンデンサと
して機能するセラミック素体を準備し、このセラミック
素体の両端面に３ｍｍφの電極膜をスクリーン印刷の手
法により形成し、これを乾燥させた後、空気中で８００
℃で焼付けを行ない、端子電極を形成した。次いで、上
述の端子電極上にリード線をはんだ付けし、外装樹脂を
用いて被覆して、試料１〜１２のセラミック電子部品を
得た。
して機能するセラミック素体を準備し、このセラミック
素体の両端面に３ｍｍφの電極膜をスクリーン印刷の手
法により形成し、これを乾燥させた後、空気中で８００
℃で焼付けを行ない、端子電極を形成した。次いで、上
述の端子電極上にリード線をはんだ付けし、外装樹脂を
用いて被覆して、試料１〜１２のセラミック電子部品を
得た。
【００３２】そこで、試料１〜１２のセラミック電子部
品に対して３ｋＶｐ−ｐを印加し、熱電対を用いて外装
樹脂表面の温度を測定し、室温２５℃に対する発熱温度
ΔＴ（℃）を求め、併せて評価を与えて、これらを表１
にまとめた。また、評価については、発熱温度ΔＴが３
０℃を下回る試料を本発明の範囲内として○、３０℃以
上である試料は本発明の範囲外として×を与えた。
品に対して３ｋＶｐ−ｐを印加し、熱電対を用いて外装
樹脂表面の温度を測定し、室温２５℃に対する発熱温度
ΔＴ（℃）を求め、併せて評価を与えて、これらを表１
にまとめた。また、評価については、発熱温度ΔＴが３
０℃を下回る試料を本発明の範囲内として○、３０℃以
上である試料は本発明の範囲外として×を与えた。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１から明らかであるように、組成に関わ
らず結晶化ガラスを用いた試料１〜９のうち、結晶溶融
温度が焼付け温度である８００℃に対して−１００〜＋
４０℃の範囲内、すなわち７００〜８４０℃の範囲内で
ある試料２，５，８のセラミック電子部品は、発熱温度
ΔＴが２２．６〜２４．２℃で低く優れ、何れも本発明
の範囲内となった。
らず結晶化ガラスを用いた試料１〜９のうち、結晶溶融
温度が焼付け温度である８００℃に対して−１００〜＋
４０℃の範囲内、すなわち７００〜８４０℃の範囲内で
ある試料２，５，８のセラミック電子部品は、発熱温度
ΔＴが２２．６〜２４．２℃で低く優れ、何れも本発明
の範囲内となった。
【００３５】これに対して、結晶化ガラスであるが、結
晶溶融温度が７５０〜８３０℃の範囲外である試料１，
３，４，６，７，９のセラミック電子部品は、発熱温度
ΔＴが３４．３〜４３．２℃で高く劣り、何れも本発明
の範囲外となった。
晶溶融温度が７５０〜８３０℃の範囲外である試料１，
３，４，６，７，９のセラミック電子部品は、発熱温度
ΔＴが３４．３〜４３．２℃で高く劣り、何れも本発明
の範囲外となった。
【００３６】また、結晶化ガラスを含まない試料１０〜
１２のセラミック電子部品は、組成に関わらず何れも発
熱温度ΔＴが高く劣った。
１２のセラミック電子部品は、組成に関わらず何れも発
熱温度ΔＴが高く劣った。
【００３７】（実施例２）実施例２では、実施例１で作
製した試料２，５，８の導電性ペーストを用いて、異な
る温度で焼き付けした場合の密着強度と発熱温度特性に
ついて実験を行なった。
製した試料２，５，８の導電性ペーストを用いて、異な
る温度で焼き付けした場合の密着強度と発熱温度特性に
ついて実験を行なった。
【００３８】まず、実施例１で作製した試料２，５，８
の導電性ペーストならびにセラミック素体を準備し、各
々７８０，８２０℃で焼き付けしたことを除いて実施例
１と同様に作製して、試料２ａ，２ｂ，５ａ，５ｂ，８
ａ，８ｂのセラミック電子部品を得た。
の導電性ペーストならびにセラミック素体を準備し、各
々７８０，８２０℃で焼き付けしたことを除いて実施例
１と同様に作製して、試料２ａ，２ｂ，５ａ，５ｂ，８
ａ，８ｂのセラミック電子部品を得た。
【００３９】そこで、試料２ａ，２ｂ，５ａ，５ｂ，８
ａ，８ｂのセラミック電子部品について発熱温度ΔＴ
（℃）を求め、併せて評価を与えて、実施例１で作製し
た試料２，５，８とともにこれらを表２にまとめた。な
お、発熱温度△Ｔ（℃）の測定方法ならびに評価につい
ては、実施例１と同様の方法とした。
ａ，８ｂのセラミック電子部品について発熱温度ΔＴ
（℃）を求め、併せて評価を与えて、実施例１で作製し
た試料２，５，８とともにこれらを表２にまとめた。な
お、発熱温度△Ｔ（℃）の測定方法ならびに評価につい
ては、実施例１と同様の方法とした。
【００４０】
【表２】
【００４１】表２から明らかであるように、８００℃で
焼き付けるように設計した導電性ペーストの焼き付け温
度が多少変動しても、形成される端子電極の密着強度は
略安定して確保され、かつセラミック素体の発熱温度△
Ｔ（℃）も略変動がないことが分かる。
焼き付けるように設計した導電性ペーストの焼き付け温
度が多少変動しても、形成される端子電極の密着強度は
略安定して確保され、かつセラミック素体の発熱温度△
Ｔ（℃）も略変動がないことが分かる。
【００４２】（実施例３）実施例３では、実施例１で作
製した試料２，５，８のガラスフリットの含有量を変え
た導電性ペーストを用いて、同じ８００℃で焼き付けし
た場合の密着強度と発熱温度特性について実験を行なっ
た。
製した試料２，５，８のガラスフリットの含有量を変え
た導電性ペーストを用いて、同じ８００℃で焼き付けし
た場合の密着強度と発熱温度特性について実験を行なっ
た。
【００４３】まず、平均粒径が０．３μｍのＡｇ粉末３
３体積％と、実施例１で作製した試料２，５，８のガラ
スフリットを４体積％または８体積％と、エチルセルロ
ース２０重量％をターピネオール８０重量％に溶解させ
た有機ビヒクル６１体積％を準備して混合し、３本ロー
ルミルを用いて混練して、試料２ｃ，２ｄ，５ｃ，５
ｄ，８ｃ，８ｄの導電性ペーストを得た。
３体積％と、実施例１で作製した試料２，５，８のガラ
スフリットを４体積％または８体積％と、エチルセルロ
ース２０重量％をターピネオール８０重量％に溶解させ
た有機ビヒクル６１体積％を準備して混合し、３本ロー
ルミルを用いて混練して、試料２ｃ，２ｄ，５ｃ，５
ｄ，８ｃ，８ｄの導電性ペーストを得た。
【００４４】次いで、試料２ｃ，２ｄ，５ｃ，５ｄ，８
ｃ，８ｄの導電性ペーストならびにセラミック素体を準
備し、実施例１と同様に作製して、試料２ｃ，２ｄ，５
ｃ，５ｄ，８ｃ，８ｄのセラミック電子部品を得た。
ｃ，８ｄの導電性ペーストならびにセラミック素体を準
備し、実施例１と同様に作製して、試料２ｃ，２ｄ，５
ｃ，５ｄ，８ｃ，８ｄのセラミック電子部品を得た。
【００４５】そこで、試料２ｃ，２ｄ，５ｃ，５ｄ，８
ｃ，８ｄのセラミック電子部品について発熱温度ΔＴ
（℃）を求め、併せて評価を与えて、実施例１で作製し
た試料２，５，８とともにこれらを表３にまとめた。な
お、発熱温度△Ｔ（℃）の測定方法ならびに評価につい
ては、実施例１と同様の方法とした。
ｃ，８ｄのセラミック電子部品について発熱温度ΔＴ
（℃）を求め、併せて評価を与えて、実施例１で作製し
た試料２，５，８とともにこれらを表３にまとめた。な
お、発熱温度△Ｔ（℃）の測定方法ならびに評価につい
ては、実施例１と同様の方法とした。
【００４６】
【表３】
【００４７】表３から明らかであるように、導電性ペー
スト中における含有量が６体積％となるように設計した
ガラスフリット含有量が多少変動しても、形成される端
子電極の密着強度は略安定して確保され、かつセラミッ
ク素体の発熱温度△Ｔ（℃）も略変動がないことが分か
る。
スト中における含有量が６体積％となるように設計した
ガラスフリット含有量が多少変動しても、形成される端
子電極の密着強度は略安定して確保され、かつセラミッ
ク素体の発熱温度△Ｔ（℃）も略変動がないことが分か
る。
【００４８】
【発明の効果】以上のように本発明の導電性ペースト
は、導電成分と、有機ビヒクルと、少なくとも結晶化ガ
ラスを含むガラスフリットとを含有する、ｎ℃で焼付け
する導電性ペーストであって、結晶化ガラスの結晶溶融
温度は、導電性ペーストの焼付け温度に対してｎ−１０
０〜ｎ＋４０℃の範囲内であることを特徴とすること
で、設計値に対してガラスフリットの含有量と焼付け温
度が変動しても、密着強度が安定して確保され、かつセ
ラミック素体の発熱を抑制した端子電極を形成し得る。
は、導電成分と、有機ビヒクルと、少なくとも結晶化ガ
ラスを含むガラスフリットとを含有する、ｎ℃で焼付け
する導電性ペーストであって、結晶化ガラスの結晶溶融
温度は、導電性ペーストの焼付け温度に対してｎ−１０
０〜ｎ＋４０℃の範囲内であることを特徴とすること
で、設計値に対してガラスフリットの含有量と焼付け温
度が変動しても、密着強度が安定して確保され、かつセ
ラミック素体の発熱を抑制した端子電極を形成し得る。
【００４９】また、本発明のセラミック電子部品は、セ
ラミック素体と、セラミック素体に形成された端子電極
と、を備え、端子電極は、本発明の導電性ペーストを用
いて形成されていることを特徴とすることで、設計値に
対してガラスフリットの含有量と焼付け温度が変動して
も、端子電極の密着強度が安定して確保され、かつセラ
ミック素体の発熱が抑制される効果が得られる。
ラミック素体と、セラミック素体に形成された端子電極
と、を備え、端子電極は、本発明の導電性ペーストを用
いて形成されていることを特徴とすることで、設計値に
対してガラスフリットの含有量と焼付け温度が変動して
も、端子電極の密着強度が安定して確保され、かつセラ
ミック素体の発熱が抑制される効果が得られる。
【図１】本発明に係る一つの実施の形態のセラミック電
子部品の断面図である。
子部品の断面図である。
【図２】本発明に係る他の実施の形態のセラミック電子
部品の断面図である。
部品の断面図である。
１，１１ セラミック電子部品 ２，１２ セラミック素体 ３，１４ 端子電極
Claims (3)
- 【請求項１】 導電成分と、有機ビヒクルと、少なくと
も結晶化ガラスを含むガラスフリットとを含有する、ｎ
℃で焼付けする導電性ペーストであって、 前記結晶化ガラスの結晶溶融温度は、導電性ペーストの
焼付け温度に対してｎ−１００〜ｎ＋４０℃の範囲内で
あることを特徴とする、導電性ペースト。 - 【請求項２】 前記結晶化ガラスの含有量は、導電性ペ
ースト１００体積％のうち１〜２５体積％であることを
特徴とする、請求項１に記載の導電性ペースト。 - 【請求項３】 セラミック素体と、セラミック素体に形
成された端子電極と、を備えるセラミック電子部品であ
って、 前記端子電極は、請求項１または２に記載の導電性ペー
ストを用いて形成されていることを特徴とする、セラミ
ック電子部品。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000356121A JP2002158134A (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | 導電性ペーストおよびこれを用いたセラミック電子部品 |
| KR10-2001-0064662A KR100443497B1 (ko) | 2000-11-22 | 2001-10-19 | 도전성 페이스트 및 이를 사용한 세라믹 전자부품 |
| CNB011394439A CN1178229C (zh) | 2000-11-22 | 2001-11-21 | 导电胶以及使用它的陶瓷电子部件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000356121A JP2002158134A (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | 導電性ペーストおよびこれを用いたセラミック電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002158134A true JP2002158134A (ja) | 2002-05-31 |
Family
ID=18828425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000356121A Pending JP2002158134A (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | 導電性ペーストおよびこれを用いたセラミック電子部品 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002158134A (ja) |
| KR (1) | KR100443497B1 (ja) |
| CN (1) | CN1178229C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011139021A (ja) * | 2009-12-30 | 2011-07-14 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミックキャパシタ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06203626A (ja) * | 1993-01-06 | 1994-07-22 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 低温焼成可能な導電性ペースト |
-
2000
- 2000-11-22 JP JP2000356121A patent/JP2002158134A/ja active Pending
-
2001
- 2001-10-19 KR KR10-2001-0064662A patent/KR100443497B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-21 CN CNB011394439A patent/CN1178229C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011139021A (ja) * | 2009-12-30 | 2011-07-14 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミックキャパシタ |
| US8248752B2 (en) | 2009-12-30 | 2012-08-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1354481A (zh) | 2002-06-19 |
| KR100443497B1 (ko) | 2004-08-09 |
| CN1178229C (zh) | 2004-12-01 |
| KR20020040548A (ko) | 2002-05-30 |
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