JP3327045B2 - 誘電体ペースト及びそれを用いた厚膜コンデンサ - Google Patents

誘電体ペースト及びそれを用いた厚膜コンデンサ

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック発振子の負
荷容量形成材料として有用な誘電体ペースト、及びそれ
を用いた厚膜コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、厚膜コンデンサは、厚膜集積回路
の構成素子などとして用いられており、誘電体として、
チタン酸バリウム系磁器を主成分とし、所望によりガラ
ス成分などを添加したものが主に用いられていた。例え
ば、特開昭５１−４８１５９号公報にはＢａＴｉＯ3 −
ＣａＳｎＯ3 −ＣａＳｉＯ3 系磁器を誘電体として用い
る例が開示されており、特開昭５１−１５００９７号公
報にはＢａＴｉＯ3 −（Ｐｂ，Ｓｒ）（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ
3 とガラスとを誘電体として用いる例が開示されてい
る。
【０００３】そして、この厚膜コンデンサは、上記誘電
体粉末と所望によりガラス粉末とを有機ビヒクルに分散
させて誘電体ペーストとした後、例えばアルミナなどの
絶縁基板上にスクリーン印刷法などにより塗布し、その
後空気中で焼成して得られていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ディジタルＩＣ技術の
発展にともない、電子機器の基準信号発生用素子などと
して、圧電セラミックを用いたセラミック発振子が多く
用いられるようになってきている。そして、通常、この
セラミック発振子には発振回路構成上必要なコンデンサ
が接続されている。そして、近年、電子機器の小型化に
ともない、セラミック発振子などの電子部品も小型化の
要求が強くなってきている。
【０００５】このため、このセラミック発振子に接続す
る負荷容量として、ディスクリートタイプのコンデンサ
のかわりに厚膜コンデンサを用いてコンデンサ内蔵セラ
ミック発振子を得る試みが行なわれている。
【０００６】しかしながら、従来の誘電体ペーストを用
いた厚膜コンデンサの場合には、次のような問題点を有
していた。
【０００７】即ち、従来の誘電体ペーストにおいては、
高誘電率を得るために誘電体粉末を高率で含有させてい
るため、得られる誘電体膜の緻密性に問題があった。こ
のため、緻密性不足を補うためには、誘電体ペーストを
複数回印刷して膜厚を厚くしなければならなかった。さ
らに、緻密化させるためには、９００℃以上の高温度で
の焼成が必要であった。
【０００８】そこで、本発明の目的は、上記問題を解決
して、小型のコンデンサ内蔵型セラミック発振子を得る
ことができる誘電体ペースト及びそれを用いた厚膜コン
デンサを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の誘電体ペーストは、ｘＳｉＯ 2 ―ｙＢ 2 Ｏ 3
―ｚＰｂＯ（但し、ｘ、ｙ、ｚはモル％）としたとき、
ｘ、ｙ、ｚが各点Ａ（ｘ＝７０、ｙ＝０、ｚ＝３０）、
Ｂ（ｘ＝７０、ｙ＝１５、ｚ＝１５）、Ｃ（ｘ＝１０、
ｙ＝７５、ｚ＝１５）、Ｄ（ｘ＝１０、ｙ＝０、ｚ＝９
０）を結ぶ領域内にあるガラス粉末と、鉛系ぺロブスカ
イト化合物からなる誘電体粉末と、有機ビヒクルとを含
有する誘電体ペーストであって、前記ガラス粉末と前記
誘電体粉末との全量に対して、ガラス粉末が３５〜９５
重量％、誘電体粉末が６５〜５重量％であることを特徴
とする。
【００１０】そして、誘電体粉末のキュリー点は、１２
０〜５００℃の範囲内にあることを特徴とする。
【００１１】又、ガラス粉末は、ｘＳｉＯ2 −ｙＢ2 Ｏ
3 −ｚＰｂＯ（但し、ｘ、ｙ、ｚはモル％）としたと
き、ｘ、ｙ、ｚが各点Ａ（ｘ＝７０，ｙ＝０，ｚ＝３
０）、Ｂ（ｘ＝７０，ｙ＝１５，ｚ＝１５）、Ｃ（ｘ＝
１０，ｙ＝７５，ｚ＝１５）、Ｄ（ｘ＝１０，ｙ＝０，
ｚ＝９０）を結ぶ領域内にある主成分を７０モル％以上
と、Ａｌ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＢａＯ
及びＭｇＯより選ばれた少なくとも１種類の添加成分を
全量で３０モル％以下含有することを特徴とする。
【００１２】
【００１３】又、上記目的を達成するため、本発明の厚
膜コンデンサは、ｘＳｉＯ 2 ―ｙＢ 2 Ｏ 3 ―ｚＰｂＯ（但
し、ｘ、ｙ、ｚはモル％）としたとき、ｘ、ｙ、ｚが各
点Ａ（ｘ＝７０、ｙ＝０、ｚ＝３０）、Ｂ（ｘ＝７０、
ｙ＝１５、ｚ＝１５）、Ｃ（ｘ＝１０、ｙ＝７５、ｚ＝
１５）、Ｄ（ｘ＝１０、ｙ＝０、ｚ＝９０）を結ぶ領域
内にあるガラスと、鉛系ぺロブスカイト化合物からなる
誘電体とを含有する層を誘電体層とする厚膜コンデンサ
であって、前記ガラスと前記誘電体との全量に対して、
ガラスが３５〜９５重量％、誘電体が６５〜５重量％で
あることを特徴とする。
【００１４】そして、誘電体のキュリー点は、１２０〜
５００℃の範囲内にあることを特徴とする。
【００１５】又、ガラスは、ｘＳｉＯ2 −ｙＢ2 Ｏ3 −
ｚＰｂＯ（但し、ｘ、ｙ、ｚはモル％）としたとき、
ｘ、ｙ、ｚが各点Ａ（ｘ＝７０，ｙ＝０，ｚ＝３０）、
Ｂ（ｘ＝７０，ｙ＝１５，ｚ＝１５）、Ｃ（ｘ＝１０，
ｙ＝７５，ｚ＝１５）、Ｄ（ｘ＝１０，ｙ＝０，ｚ＝９
０）を結ぶ領域内にある主成分を７０モル％以上と、Ａ
ｌ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＢａＯ及びＭ
ｇＯより選ばれた少なくとも１種類の添加成分を全量で
３０モル％以下含有することを特徴とする。
【００１６】
【００１７】さらに、厚膜コンデンサは、セラミック発
振子の負荷容量として用いられていることを特徴とす
る。
【００１８】ここで、ガラス粉末及びガラスの組成範囲
の限定理由について説明する。まず、ｘＳｉＯ2 −ｙＢ
2 Ｏ3 −ｚＰｂＯ（但し、ｘ、ｙ、ｚはモル％）組成の
ガラスについて、三元組成図である図１を参照して説明
する。図１において各点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを結ぶ領域内が
本発明の組成範囲内である。
【００１９】ＳｉＯ2 量が多い領域では、得られるガ
ラスの軟化点が高くなり過ぎて、９００℃以下の低温焼
成では誘電体膜が得られず好ましくない。一方、ＳｉＯ
2 が少ない領域では、ガラスの溶融時の粘性が低下
し、誘電体ペースト焼成時にガラス成分が流れて広がっ
て所定寸法の均質な誘電体膜が得られず、短絡不良が発
生して好ましくない。又、Ｂ2 Ｏ3 の多い領域及びＰ
ｂＯの少ない領域では、ガラスが水溶性となり、得ら
れる誘電体膜の耐湿性が劣化するため好ましくない。
【００２０】次に、添加成分であるＡｌ2 Ｏ3 、Ｃａ
Ｏ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＢａＯ及びＭｇＯについて
は、その全量が３０モル％を超える場合には、得られる
ガラスの軟化点が高くなって、９００℃以下の焼成では
均質な誘電体膜が得られなくなり好ましくない。
【００２１】
【作用】本発明で限定する組成範囲のガラス粉末と、鉛
系ペロブスカイト化合物からなる誘電体粉末と、有機ビ
ヒクルとを含有する誘電体ペーストを用いることによ
り、１回のスクリーン印刷による塗膜の形成と８７０℃
以下の低温焼成で、緻密な誘電体膜が得られる。
【００２２】又、誘電体ペースト中の誘電体粉末とし
て、キュリー点が１２０〜５００℃の範囲にある鉛系ペ
ロブスカイト化合物を用いることにより、静電容量の温
度係数が正の特性を示す厚膜コンデンサが得られる。
【００２３】又、誘電体ペーストにおいて、ガラス粉末
と誘電体粉末との全量に対して、ガラス粉末を３５〜９
５重量％、誘電体粉末を６５〜５重量％とすることによ
って、より緻密な誘電体膜が得られる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の誘電体ペースト及びそれを用
いた厚膜コンデンサについて、図面を参照して説明す
る。
【００２５】（実施例１）図２は、絶縁基板上に形成し
た厚膜コンデンサの断面図である。同図において、１は
絶縁基板、２は下層導体、３は本発明の誘電体ペースト
を塗布し焼成した誘電体層、４は上層導体である。
【００２６】まず、誘電体ペーストを作製した。即ち、
ガラス成分の出発原料として、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｐ
ｂＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｂａ
Ｏ及びＭｇＯをそれぞれ準備し、これらを表１に示すガ
ラス組成となるように混合した後、得られた混合物を１
１００〜１５００℃の温度下で溶融させて溶融ガラスを
作製した。その後、この溶融ガラスを純水中に投入して
急冷した後、粉砕してガラス粉末を得た。
【００２７】
【表１】
【００２８】一方、２８０℃のキュリー点を有する（Ｐ
ｂ0.97Ｓｒ0.03）｛（Ｓｂ0.5 Ｓｎ0.5 ）0.05Ｚｒ0.46
Ｔｉ0.49｝Ｏ3 で表される鉛系ペロブスカイト化合物の
磁器を粉砕して誘電体粉末を得た。
【００２９】次に、これらガラス粉末と誘電体粉末とを
有機ビヒクルとともに、ガラス粉末／誘電体粉末／有機
ビヒクル＝３５／３５／３０（重量比）となるように調
合し、混練して誘電体ペーストを作製した。なお、有機
ビヒクルはアクリル樹脂をα−テルピネオールに溶解し
たものを用いた。
【００３０】次に、以上得られた誘電体ペースト用い
て、図１に示す厚膜コンデンサを作製した。
【００３１】まず、絶縁基板１としてアルミナ基板を準
備し、その上にＡｇ／Ｐｄペーストをスクリーン印刷
し、８５０℃で焼成して直径８ｍｍの下層導体２を形成
し、コンデンサの一方の電極とした。その後、先に作製
した誘電体ペーストをスクリーン印刷し、表２に示す温
度で焼成して、下層導体２の上に直径６ｍｍの円板状の
誘電体層３を形成した。次に、熱硬化性のＡｇペースト
をスクリーン印刷し加熱して、誘電体層３の上に直径４
ｍｍの上層導体４をコンデンサの他方の電極として形成
した。以上のようにして、厚膜コンデンサを完成させ
た。
【００３２】次に、下層導体２と上層導体４とを対向電
極としたコンデンサの特性を測定して、誘電体層３の特
性を評価した。即ち、周波数１ＭＨｚ、電圧１Ｖｒｍ
ｓ、温度２５℃の条件で静電容量及び誘電損失を測定
し、得られた静電容量とコンデンサの寸法より比誘電率
（εｒ）を算出した。又、１００ＶＤＣを１分間印加し
て絶縁抵抗（ＩＲ）を測定した。又、−２０〜８０℃間
での静電容量の温度係数（ＴＣＣ）を周波数１ＭＨｚ、
電圧１Ｖｒｍｓで測定した。以上の結果を表２に示す。
【００３３】
【表２】
【００３４】表２に示す通り、本発明の誘電体ペースト
を用いることにより、比誘電率が１９〜３５、誘電損失
が１．０％以下、絶縁抵抗（ＩＲ）がｌｏｇＩＲに換算
して９Ωを超え、静電容量の温度係数が０．０４〜０．
０７％／℃の正の傾きを有する厚膜コンデンサを得るこ
とができる。又、この厚膜コンデンサは、８７０℃以下
の焼成で得ることができる。
【００３５】（実施例２）実施例１の試料番号１−１２
に示すガラス粉末と、同じく実施例１で用いたＰｂ系ペ
ロブスカイト化合物の誘電体粉末とを表３に示す比率と
なるように混合し、それに有機ビヒクルを（ガラス粉末
＋誘電体粉末）／有機ビヒクル＝７０／３０（重量比）
となるように添加し、混練して誘電体ペーストを作製し
た。なお、有機ビヒクルは、実施例１と同様に、アクリ
ル樹脂をα−テルピネオールに溶解したものを用いた。
【００３６】
【表３】
【００３７】次に、以上得られた誘電体ペーストを用い
て、実施例１と同様にして、厚膜コンデンサを作製し
た。その後、実施例１と同様にして、得られた厚膜コン
デンサの特性、即ち、静電容量、誘電損失、比誘電率、
絶縁抵抗及びＴＣＣを求めた。以上の結果を表４に示
す。
【００３８】
【表４】
【００３９】表４に示す通り、本発明の誘電体ペースト
においては、ガラス粉末と誘電体粉末との比は、ガラス
粉末が３５〜９５重量％、誘電体粉末が６５〜５重量％
が好ましい。即ち、ガラス粉末が３５重量％未満、即ち
誘電体粉末が６５重量％を超える場合は、試料番号２−
７及び２−８に示すように、誘電損失が大きくなり、絶
縁抵抗（ＩＲ）が低下するため好ましくない。このこと
は、ガラス粉末の含有量が３５重量％未満の場合には、
誘電体ペーストの印刷回数１回、８５０℃焼成では緻密
な膜が得られないことを示しており、耐湿信頼性などの
特性劣化を引き起こす。
【００４０】（実施例３）本発明の誘電体ペーストを用
いた厚膜コンデンサを組み込んだセラミック発振子につ
いて説明する。図３は、本実施例で得たセラミック発振
子の断面図である。同図において、１１は絶縁基板、２
ａ及び２ｂは下層導体、３ａ及び３ｂは誘電体ペースト
を塗布し焼成した誘電体層、４ａ及び４ｂは上層導体、
５ａ及び５ｂは導電接着剤、６は圧電セラミックからな
る共振子エレメントである。
【００４１】次に、セラミック発振子の製造方法につい
て説明する。まず、誘電体ペーストを準備した。即ち、
ガラス成分の出発原料として、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｐ
ｂＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＴｉＯ2 及びＺｒＯ2 をそ
れぞれ準備し、これらを表５に示すガラス組成となるよ
うに混合した後、実施例１と同様にしてガラス粉末を得
た。その後、得られたガラス粉末と、実施例１で用いた
Ｐｂ系ペロブスカイト化合物の誘電体粉末とを表５に示
す比率となるように混合し、それに有機ビヒクルを（ガ
ラス粉末＋誘電体粉末）／有機ビヒクル＝７０／３０
（重量比）となるように添加し、混練して誘電体ペース
トを作製した。なお、有機ビヒクルは、実施例１と同様
に、アクリル樹脂をα−テルピネオールに溶解したもの
を用いた。
【００４２】
【表５】
【００４３】次に、以上得られた誘電体ペーストを用い
て、図３に示すセラミック発振子を作製した。
【００４４】まず、絶縁基板１１としてアルミナ基板を
準備し、その上にＡｇ／Ｐｄペーストをスクリーン印刷
し、８５０℃で焼成して２．５ｍｍ角の下層導体２ａ、
２ｂを形成し、コンデンサの一方の電極とした。その
後、先に作製した誘電体ペーストをスクリーン印刷し８
５０℃で焼成して、下層導体２ａ、２ｂの上に２．０ｍ
ｍ角の誘電体層３ａ、３ｂを形成した。次に、熱硬化性
のＡｇペーストをスクリーン印刷し加熱して、誘電体層
３ａ、３ｂの上に１．５ｍｍ角の上層導体４ａ、４ｂを
コンデンサの他方の電極として形成した。その後、さら
に、上層導体４ａ、４ｂの上に、導電接着剤５ａ、５ｂ
を用いてＰＺＴ圧電セラミックからなる共振子エレメン
ト６を固着させた。以上のようにして、図３に示す厚膜
コンデンサを組み込んだセラミック発振子を完成させ
た。
【００４５】次に、得られたセラミック発振子につい
て、発振周波数の初期ばらつき、発振周波数の温度特性
（−４０〜１２５℃間）及び共振抵抗を求めた。以上の
結果を表６に示す。
【００４６】
【表６】
【００４７】表６に示す通り、本発明の誘電体ペースト
を用いた厚膜コンデンサを用いることにより、発振周波
数の変動の少ないセラミック発振子を得ることができ
る。
【００４８】又、セラミック発振子の負荷容量として、
厚膜コンデンサを用いることができるため、低背であっ
て小型のコンデンサ内蔵型のセラミック発振子を得るこ
とができる。
【００４９】なお、上記実施例においては、鉛系ペロブ
スカイト化合物からなる誘電体が（Ｐｂ0.97Ｓｒ0.03）
｛（Ｓｂ0.5 Ｓｎ0.5 ）0.05Ｚｒ0.46Ｔｉ0.49｝Ｏ3 の
場合について説明したが、本発明はこれのみに限定され
るものではない。即ち、ＰｂＴｉＯ3 系、ＰｂＴｉＯ3
−Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 系、ＰｂＴｉＯ3 −Ｐ
ｂ（Ｍｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 系、ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚ
ｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3系、ＰｂＺｒＯ3 系、ＰｂＺｒＯ
3 −Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 系、ＰｂＺｒＯ3 −
Ｐｂ（Ｍｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 系、ＰｂＺｒＯ3 −Ｐｂ
（Ｎｉ1/2 Ｗ1/2）Ｏ3 系、ＰｂＺｒＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ
1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 系、Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3
系などの種々の鉛系ペロブスカイト化合物を用いること
ができる。そして、キュリー点を１２０〜５００℃の範
囲内とすることにより、静電容量の温度係数が正の特性
を示す厚膜コンデンサを得ることができる。
【００５０】又、上記実施例において、誘電体ペースト
用の有機ビヒクルとして、アクリル樹脂をα−テルピネ
オールに溶解したものを用いたが、これのみに限定され
るものではない。即ち、上記有機ビヒクル以外に、樹脂
成分としては、エチルセルロース系樹脂、ニトロセルロ
ース系樹脂、ブチラール系樹脂などを、又、溶剤成分と
してはブチルカルビトールなどのアルコール系溶剤、ブ
チルカルビトールアセテートや酢酸エステルなどのエス
テル系溶剤、あるいはケロシンなどを、適宜用いること
ができる。さらに、用途に応じてフタル酸エステルなど
の可塑剤を添加することも可能である。
【００５１】又、本発明の誘電体ペーストは、上記実施
例のように、アルミナ基板上に厚膜コンデンサを得る場
合のみでなく、多層セラミック基板等の誘電体基板上に
コンデンサを形成する場合に用いることも可能である。
【００５２】又、上記実施例においては、厚膜コンデン
サの下層電極が焼き付け型のＡｇ／Ｐｄ、上層電極が熱
硬化型のＡｇ電極の場合を示したが、下層電極としては
Ａｇ、Ａｇ／Ｐｔ、Ａｕなどの焼き付け型の電極を、
又、上層電極としてはＡｇ、Ａｇ／Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ／
Ｐｄ、Ｃｕなどの焼き付け型あるいは熱硬化型の電極を
用いることができる。
【００５３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
誘電体ペーストによれば、スクリーン印刷回数１回、焼
成温度８７０℃以下で、静電容量の温度係数が正であっ
て緻密な誘電体膜を得ることができる。
【００５４】したがって、本発明の誘電体ペーストを用
いることにより、耐湿性などの信頼性に優れた厚膜コン
デンサを得ることができる。
【００５５】そして、本発明の厚膜コンデンサを用いる
ことにより、低背、小型のコンデンサ内蔵型セラミック
発振子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ガラスの組成範囲を示す三元組成図である。
【図２】絶縁基板上に形成した本発明の厚膜コンデンサ
の断面図である。
【図３】本発明の厚膜コンデンサを組み込んだセラミッ
ク発振子の断面図である。
【符号の説明】
１、１１ 絶縁基板 ２、２ａ、２ｂ 下層導体 ３、３ａ、３ｂ 誘電体層 ４、４ａ、４ｂ 上層導体 ５ａ、５ｂ 導電接着剤 ６ 共振子エレメント
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｇ 4/33 Ｈ０１Ｇ 4/06 １０１ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01B 3/02 C03C 3/108 C03C 8/16 C04B 35/495 H01G 4/08 H01G 4/33

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ｘＳｉＯ 2 ―ｙＢ 2 Ｏ 3 ―ｚＰｂＯ（但し、
    ｘ、ｙ、ｚはモル％）としたとき、ｘ、ｙ、ｚが各点Ａ
    （ｘ＝７０、ｙ＝０、ｚ＝３０）、Ｂ（ｘ＝７０、ｙ＝
    １５、ｚ＝１５）、Ｃ（ｘ＝１０、ｙ＝７５、ｚ＝１
    ５）、Ｄ（ｘ＝１０、ｙ＝０、ｚ＝９０）を結ぶ領域内
    にあるガラス粉末と、鉛系ぺロブスカイト化合物からな
    る誘電体粉末と、有機ビヒクルとを含有する誘電体ペー
    ストであって、前記ガラス粉末と前記誘電体粉末との全
    量に対して、ガラス粉末が３５〜９５重量％、誘電体粉
    末が６５〜５重量％であることを特徴とする誘電体ペー
    スト。
  2. 【請求項２】誘電体粉末のキュリー点は、１２０〜５０
    ０℃の範囲内にあることを特徴とする請求項１記載の誘
    電体ペースト。
  3. 【請求項３】ガラス粉末は、ｘＳｉＯ2―ｙＢ2Ｏ3―ｚ
    ＰｂＯ（但し、ｘ、ｙ、ｚはモル％）としたとき、ｘ、
    ｙ、ｚが各点Ａ（ｘ＝７０、ｙ＝０、ｚ＝３０）、Ｂ
    （ｘ＝７０、ｙ＝１５、ｚ＝１５）、Ｃ（ｘ＝１０、ｙ
    ＝７５、ｚ＝１５）、Ｄ（ｘ＝１０、ｙ＝０、ｚ＝９
    ０）を結ぶ領域内にある主成分を７０モル％以上と、Ａ
    ｌ2Ｏ3、ＣａＯ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＢａＯ及びＭｇＯ
    より選ばれた少なくとも１種類の添加成分を全量で３０
    モル％以下含有することを特徴とする請求項1又は請求
    項２記載の誘電体ペースト。
  4. 【請求項４】ｘＳｉＯ 2 ―ｙＢ 2 Ｏ 3 ―ｚＰｂＯ（但し、
    ｘ、ｙ、ｚはモル％）としたとき、ｘ、ｙ、ｚが各点Ａ
    （ｘ＝７０、ｙ＝０、ｚ＝３０）、Ｂ（ｘ＝７０、ｙ＝
    １５、ｚ＝１５）、Ｃ（ｘ＝１０、ｙ＝７５、ｚ＝１
    ５）、Ｄ（ｘ＝１０、ｙ＝０、ｚ＝９０）を結ぶ領域内
    にあるガラスと、鉛系ぺロブスカイト化合物からなる誘
    電体とを含有する層を誘電体層とする厚膜コンデンサで
    あって、前記ガラスと前記誘電体との全量に対して、ガ
    ラスが３５〜９５重量％、誘電体が６５〜５重量％であ
    ることを特徴とする厚膜コンデンサ。
  5. 【請求項５】誘電体のキュリー点は、１２０〜５００℃
    の範囲内にあることを特徴とする請求項４記載の厚膜コ
    ンデンサ。
  6. 【請求項６】ガラスは、ｘＳｉＯ 2 ―ｙＢ 2 Ｏ 3 ―ｚＰｂ
    Ｏ（但し、ｘ、ｙ、ｚはモル％）としたとき、ｘ、ｙ、
    ｚが各点Ａ（ｘ＝７０、ｙ＝０、ｚ＝３０）、Ｂ（ｘ＝
    ７０、ｙ＝１５、ｚ＝１５）、Ｃ（ｘ＝１０、ｙ＝７
    ５、ｚ＝１５）、Ｄ （ｘ＝１０、ｙ＝０、ｚ＝９０）を
    結ぶ領域内にある主成分を７０モル％以上と、Ａｌ
    2 Ｏ 3 、ＣａＯ、ＴｉＯ 2 、ＺｒＯ 2 、ＢａＯ及びＭｇＯよ
    り選ばれた少なくとも１種類の添加成分を全量で３０モ
    ル％以下含有することを特徴とする請求項４又は請求項
    ５記載の厚膜コンデンサ。
  7. 【請求項７】セラミック発振子の負荷容量として用いら
    れていることを特徴とする請求項４〜６記載の厚膜コン
    デンサ。
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