JPH1025157A - 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ - Google Patents

誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ

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JPH1025157A
JPH1025157A JP8178227A JP17822796A JPH1025157A JP H1025157 A JPH1025157 A JP H1025157A JP 8178227 A JP8178227 A JP 8178227A JP 17822796 A JP17822796 A JP 17822796A JP H1025157 A JPH1025157 A JP H1025157A
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JP
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dielectric ceramic
composition
ceramic composition
dielectric
temperature
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Application number
JP8178227A
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Inventor
Yukio Hamachi
Toshihiro Okamatsu
Masamitsu Shibata
俊宏 岡松
将充 柴田
幸生 浜地
Original Assignee
Murata Mfg Co Ltd
株式会社村田製作所
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 1160℃以下で焼成でき、誘電率が100
0以上の高誘電率でありながらX8R特性を満足する。 【解決手段】 次の組成式、{100−(a+b+c+
d+e)}BaTiO3+aBi23+bTa25+c
AO+dMB2+eRe23(ただし、MAはMg、C
a、Znのうち少なくとも1種類、MBはTi、Sn、
Zrのうち少なくとも1種類、Re23はY、La、C
e、Pr、Nd、Sm、Dy、Ho、Erの酸化物のう
ち少なくとも1種類、a、b、c、d、およびeはモル
%)で表され、a、b、c、d、およびeがそれぞれ
1.0≦a≦6.0、0.5≦b≦4.5、0<c≦
4.0、1.5≦d≦15.0、0.5≦e≦5.5の
範囲内にある主成分に対し、副成分として、酸化物ガラ
スを含有した材料によって構成される誘電体セラミック
組成物であって、副成分は、誘電体セラミック組成物1
00重量%のうち0.05〜2.5重量%含有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体セラミック
組成物に関し、特に積層セラミックコンデンサ等の電子
部品の材料として用いられる誘電体セラミック組成物に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、電圧依存性が小さく、セラミ
ックの強度が高く、平坦な誘電率温度特性を持つ誘電体
セラミック組成物としては、BaTiO3 を主成分と
し、これにBi2 3 −TiO2 、Bi2 3 −SnO
2 、Bi2 3 −ZrO2 などのビスマス化合物と希土
類元素とを副成分として添加した誘電体セラミック組成
物が広く知られている。
【0003】一方、上記組成の誘電体セラミック組成物
とは別に、BaTiO3 を主成分とし、これにTa2
5 、希土類酸化物、およびCr、Mn、Fe、Co、N
iなどの遷移金属酸化物を副成分として添加した誘電体
セラミック組成物においても、誘電率が3000以上の
高誘電率でありながら、平坦な誘電率温度特性が得られ
ることが報告されている。
【0004】これらの誘電体セラミック組成物の温度特
性は、EIA規格のX7R特性、すなわち−55℃〜+
125℃の温度域で、+25℃における静電容量を基準
としたときの容量変化率が±15%以内であることを満
足するものであった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】近年、自動車のエンジ
ンルーム内に搭載するEECモジュール(エンジンの電
子制御装置)に、積層セラミックコンデンサが用いられ
るようになった。
【0006】この装置はエンジン制御を安定して行うた
めのものであるから、回路の温度安定性という面からみ
て、使用するコンデンサの温度特性としては、平坦であ
る必要がある。
【0007】一方、自動車のエンジンルーム内は、寒冷
地の冬季には−20℃程度まで温度が下がり、またエン
ジンを始動すると、夏季では+130℃程度まで温度が
上がることが予測される。特にエンジンのオーバーヒー
トなどが起こった場合を考えると、さらに高温まで温度
が上がることは十分考えられる。
【0008】従って、従来のX7R特性の誘電体セラミ
ック組成物ではエンジンルーム内が高温になった場合に
対応しきれない。
【0009】また、基板実装時に破壊して、EECモジ
ュールを機能させることができなかったり、また実装時
でなくても自動車の走行中には常に振動や応力が加わる
ことから、これらのことで破壊しないためにも、セラミ
ック強度は十分高くなければならない。
【0010】その上、電圧依存性が大きいと誘電体の薄
層化に対応できず、小型大容量の積層セラミックコンデ
ンサを作製することができない。また、回路の安定性の
面から見ても好ましくない。
【0011】ところで、BaTiO3 を主成分とし、こ
れにTa2 5 、希土類酸化物、およびCr、Mn、F
e、Co、Niなどの遷移金属酸化物を副成分として添
加した誘電体セラミック組成物は、一般にビスマス化合
物を含有した誘電体セラミック組成物に比較してセラミ
ック強度が低い。
【0012】また、これらの大きな誘電率を有する誘電
体セラミック組成物は、電圧依存性が大きいため、最近
の誘電体薄層化に対応できず、小型大容量の積層セラミ
ックコンデンサとすることができなかった。
【0013】一方、BaTiO3 を主成分とし、これに
ビスマス化合物を添加した誘電体セラミック組成物は、
前述したように電圧依存性が小さく、セラミック強度は
高いが、誘電率を高くすると誘電率の変化が大きくな
る。
【0014】また、焼成温度を1160℃よりも高くす
ると、積層セラミックコンデンサとした場合に、内部電
極に30重量%以上のPdを含有しなければならず、内
部電極中のPdとBi2 3 との反応が起こりやすくな
る上に、内部電極にかかるコストも高くなる。
【0015】それゆえに、本発明の主たる目的は、11
60℃以下で焼成でき、誘電率が1000以上の高誘電
率でありながら、X8R特性、すなわち+25℃におけ
る静電容量を基準としたとき、−55℃〜+150℃の
広い範囲にわたって、静電容量の温度変化(以下、TC
とする)率が±15%以内と平坦であり、またセラミッ
クの機械的強度が高く、さらに、従来の同一定格電圧用
のセラミックコンデンサと比べて誘電体の薄層化を進め
ることができるように、定格電圧として50Vの直流電
圧を印加したときの静電容量の温度変化率(以下、バイ
アスTCとする)の優れた、諸条件において安定した特
性を持つ誘電体セラミック組成物および積層セラミック
コンデンサを提供することである。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明は上記のような目
的に鑑みてなされたものである。
【0017】本発明の誘電体セラミック組成物は、次の
組成式、{100−(a+b+c+d+e)}BaTi
3 +aBi2 3 +bTa2 5 +cMA O+dMB
2+eRe2 3 (ただし、MA はMg、Ca、Zn
のうち少なくとも1種類、MB はTi、Sn、Zrのう
ち少なくとも1種類、Re2 3 はY、La、Ce、P
r、Nd、Sm、Dy、Ho、Erの酸化物のうち少な
くとも1種類、a、b、c、d、およびeはモル%)で
表され、a、b、c、d、およびeがそれぞれ 1.0≦a≦6.0 0.5≦b≦4.5 0<c≦4.0 1.5≦d≦15.0 0.5≦e≦5.5 の範囲内にある主成分に対し、副成分として、酸化物ガ
ラスを含有した材料によって構成される誘電体セラミッ
ク組成物であって、前記副成分は、前記誘電体セラミッ
ク組成物100重量%のうち0.05〜2.5重量%含
有することに特徴がある。
【0018】また、本発明の誘電体セラミック組成物に
おいては、副成分として遷移金属酸化物を含有すること
が好ましい。
【0019】また、本発明の誘電体セラミック組成物に
おいては、前記遷移金属酸化物は、Cr、Mn、Fe、
Co、Niの酸化物のうち少なくとも1種類からなるこ
とが好ましい。
【0020】また、本発明の誘電体セラミック組成物に
おいては、前記遷移金属酸化物は、前記誘電体セラミッ
ク組成物100重量%のうち0.01〜0.5重量%含
有することが好ましい。
【0021】さらに、本発明の積層セラミックコンデン
サにおいては、複数の誘電体セラミック層と、それぞれ
の端縁が前記誘電体セラミック層の両端面に露出するよ
うに前記誘電体セラミック層間に形成された複数の内部
電極と、露出した前記内部電極に電気的に接続されるよ
うに設けられた外部電極を含む積層セラミックコンデン
サにおいて、前記誘電体セラミック層が、上記いずれか
に記載の誘電体セラミック組成物からなることに特徴が
ある。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。本発明の誘電体セラミック組成物は、主成
分であるBaTiO3 、Bi2 3、Ta2 5 、MA
O(MA はMg、Ca、Znのうち少なくとも1種
類)、MB2 (MB はTi、Sn、Zrのうち少なく
とも1種類)、Re2 3 (Re23 はY、La、C
e、Pr、Nd、Sm、Dy、Ho、Erの酸化物のう
ち少なくとも1種類)の組成比を上述したように調整
し、副成分である酸化物ガラスを上述した範囲内に添加
含有させた誘電体セラミック組成物である。このような
構成を有することによって、1160℃以下の低温で焼
成することができ、誘電率が1000以上の高誘電率で
ありながら、X8R特性を満足し、また、セラミックの
機械的強度が高く、さらに、誘電体の薄層化が可能であ
り、諸条件において安定した特性を持つ誘電体セラミッ
ク組成物を提供することが可能である。
【0023】なお、本発明において用いられる酸化物ガ
ラスは、低温焼結するために添加されるものであればよ
く、従って、組成については必ずしも限定されるもので
はない。好ましい具体例としては、Ba−Li−Si系
ガラス、Ba−Li−B系ガラス、およびBa−Li−
Si−B系ガラスなどが挙げられる。
【0024】また、本発明の誘電体セラミック組成物に
おいては、副成分として、遷移金属酸化物を含有するこ
とが好ましい。なぜなら遷移金属酸化物がアクセプター
として作用し、Bi2 3 、Ta2 5 、Re2 3
いったドナー成分から生じる電子を捕獲してセラミック
の絶縁抵抗の低下を防ぐからである。
【0025】なお、本発明において用いられる遷移金属
酸化物は、上記のような目的のために添加されるもので
あればよく、従って、組成については必ずしも限定され
るものではない。好ましい具体例としては、Cr、M
n、Fe、Co、Niの酸化物などが挙げられる。な
お、これらの酸化物を混合して使用しても構わない。
【0026】上述したような誘電体セラミック組成物を
用いて積層セラミックコンデンサを形成する場合の内部
電極には、Ag−Pd合金などの使用が可能である。
【0027】また、外部電極の組成も特に限定されるも
のではない。また、内部電極と同じ組成であっても構わ
ず、積層セラミックコンデンサの使用用途、使用場所な
どを考慮に入れて、適当な材料を選択すればよい。具体
的には、Ag、Ag−Pd、Cuなどの導電粉末の焼結
層が使用可能である。なお、上記導電粉末と種々のガラ
スフリットとからなる焼結層でもよい。種々のガラスフ
リットとしては、B23 −Li2 O−SiO2 −Ba
O系、B2 3 −SiO2 −BaO系、Li2O−Si
2 −BaO系などが挙げられる。
【0028】また、この焼結層の上に、Ni、Cu等か
らなるメッキ層を被覆してもよいし、さらにその上に半
田、錫等のメッキ層を有してもよい。
【0029】次に、本発明を実施例に基づき、さらに具
体的に説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定さ
れるものではない。
【0030】
【実施例】本発明の一実施例である積層セラミックコン
デンサについて説明する。図1は本実施例の積層セラミ
ックコンデンサの概略断面図、図2は本実施例の内部電
極を有する誘電体セラミック層の概略平面図、図3は本
実施例のセラミック積層体の分解斜視図を示す。
【0031】本発明に係る積層セラミックコンデンサ1
は、図1に示すように、内部電極4を介在して複数枚の
誘電体セラミック層2a、2bを積層して得られたセラ
ミック積層体3の両端面に外部電極5、およびその上面
にメッキ第1層6、さらにその上面にメッキ第2層7が
形成された直方体形状のチップタイプである。
【0032】次に、本発明に係る積層セラミックコンデ
ンサ1の製造方法について製造工程順に説明する。ま
ず、セラミック積層体3を形成する。このセラミック積
層体3は次のようにして製造される。図2に示すよう
に、上述した材料粉末をスラリー化してシート状とした
誘電体セラミック層2(グリーンシート)を用意し、そ
の一面に内部電極4を形成する。なお、内部電極4を形
成する方法は、スクリーン印刷などによる形成でも、蒸
着、メッキ法による形成でもどちらでも構わない。
【0033】内部電極4を有する誘電体セラミック層2
bは必要枚数積層され、図3に示す如く、内部電極を有
しない誘電体セラミック層2aにて挟んで圧着し、積層
体とする。その後、この積層された誘電体セラミック層
2a、2b、・・・、2b、2aを還元雰囲気中、所定
の温度にて焼成し、セラミック積層体3が形成される。
【0034】次に、セラミック積層体3の両端面に、内
部電極4と接続するように、二つの外部電極5が形成さ
れる。外部電極5は、材料となる金属粉末ペーストを、
焼成により得たセラミック積層体1に塗布して焼き付け
ることで形成されるが、焼成前に塗布して、セラミック
積層体1と同時に形成してもよい。
【0035】この後、外部電極5上にニッケル、銅など
のメッキを施し、メッキ第1層6を形成する。最後に、
このメッキ第1層6の上に半田、錫などのメッキ第2層
7を形成し、チップ型の積層セラミックコンデンサ1が
製造される。
【0036】以下では、より詳細な実施例について説明
する。 (実施例1)はじめに誘電体セラミック組成物の主成分
の調製法について述べる。出発原料として、工業用原料
であるBaTiO3 、Bi2 3 、Ta2 5 、MA
(MA はMg、Ca、Zn)、MB 2 (MB はTi、
Sn、Zr)、Re2 3 (Re2 3 は、Y、La、
Ce、Pr、Nd、Sm、Dy、Ho、Erの酸化物)
を用意した。これらの出発原料を、表1に示す組成比に
なるように秤量し、ボールミルで16時間湿式混合粉砕
をした後、蒸発乾燥して混合粉末を得た。
【0037】
【表1】
【0038】得られた混合粉末をジルコニア質の匣に入
れて、自然雰囲気中で1000℃、2時間仮焼した後、
200メッシュの篩を通過するように粗粉砕して、誘電
体セラミック組成物の主成分の原料粉末とした。
【0039】次に誘電体セラミック組成物の副成分の調
製法について述べる。本実施例では、焼成温度を116
0℃以下にする副成分として、組成が8Ba0−6Sr
O−6CaO−30Li2 O−50SiO2 (モル%)
で表される酸化物ガラスを用いた。
【0040】出発原料として、工業用原料ガラスである
BaCO3 、CaCO3 、Li2 O、およびSiO2
準備した。これらの出発原料を上記の組成になるように
秤量し、ボールミルで16時間湿式混合粉砕をした後、
蒸発乾燥して混合粉末を得た。得られた混合粉末をアル
ミナ製るつぼに入れて1300℃の温度で1時間保持し
て、その後急冷してガラス化した。これを200メッシ
ュの篩を通過するように粗粉砕して、誘電体セラミック
組成物の副成分の1つとなる酸化物ガラスの原料粉末と
した。
【0041】以上のようにして準備した酸化物ガラスの
原料粉末を、誘電体セラミック組成物の主成分の原料粉
末との合計100重量%のうち、表2に示す重量比にな
るように添加した。
【0042】
【表2】
【0043】また、副成分の1つとなる遷移金属酸化物
であるCr2 3 、MnO2 、Fe2 3 、Co
2 3 、およびNiOをそれぞれ準備した。そして、こ
れを上記主成分に加えて上記副成分の酸化物ガラス8B
aO−6SrO−6CaO−30Li2 O−50SiO
2 (モル%)を1.0重量%添加した誘電体セラミック
組成物に対して、表3に示す組成比になるように添加し
た。なお、主成分の組成は、83.5BaTiO3
4.5Bi2 3 −1.0Ta2 5 −1.0CaO−
1.0ZnO−6.0TiO2 −0.5SnO2 −0.
5ZrO2 −1.0Nd2 3 −1.0Dy2 3 (モ
ル%)のものを使用した。
【0044】
【表3】
【0045】これらにポリビニールブチラール系のバイ
ンダおよびトルエン、エチルアルコールなどの有機溶媒
に加えて、ボールミルで16時間湿式混合した後、ドク
ターブレード法によりシート成形を行った。得られたグ
リーンシートの厚みは19μmであった。これに内部電
極パターンをAg/Pd=70/30(重量%)のペー
ストを用いてスクリーン印刷した後、それらを6層積み
重ねてダミーのシートと共に熱圧着し、その圧着体から
長さ5.5mm、幅4.5mm、厚さ1.0mmの成形
体を切りだした。
【0046】その後、この成形体をそれぞれ表4、表5
に示す焼成温度で2時間焼成し、積層体を得た。焼結後
の積層体厚みは13μmであった。
【0047】得られた積層体の端面に銀電極を焼き付け
て測定試料(積層セラミックコンデンサ)として、その
室温での誘電率(ε)、誘電損失(tanδ)、TCお
よびバイアスTCを測定した。この場合、ε、tanδ
は温度25℃、1kHz、1Vrmsの条件下で測定し
た。
【0048】TCは、25℃での静電容量を基準とし
て、−55℃〜+150℃の間における容量変化率が最
大である値、すなわち最大変化率(ΔCmax )を求め
た。
【0049】また、バイアスTCについては、上記の温
度範囲で25Vの直流電圧を測定試料に重畳しながらそ
の静電容量を測定して、温度25℃、印加電圧0Vの時
の静電容量を基準としてTCと同様に最大変化率(ΔC
maxB)を求めた。
【0050】さらにセラミックの抗折強度を3点曲げ試
験により測定した。まず、表1に示したそれぞれの組成
の原料をシート成形したものを圧着成形し、この圧着体
から長さ35mm、幅7mm、厚さ1.2mmの成形体
を切りだした。その後、それらをそれぞれ表4、表5に
示す焼成温度で2時間焼成し、短冊状の誘電体セラミッ
ク組成物を得た。それぞれの組成で20本の試料につい
て抗折強度を測定し、その平均をもって各組成の抗折強
度とした。
【0051】以上の各試験について、表1および表2の
組成物における結果を表4に、表3の組成物における結
果を表5にそれぞれ併せて示す。
【0052】
【表4】
【0053】
【表5】
【0054】ここで、本発明の組成限定理由について説
明する。 {100−(a+b+c+d+e)}BaTiO3 +a
Bi2 3 +bTa2 5 +cMA O+dMB 2 +e
Re2 3 (ただし、MA はMg、Ca、Znのうち少
なくとも1種類、MB はTi、Sn、Zrのうち少なく
とも1種類、Re2 3 はY、La、Pr、Nd、S
m、Dy、Ho、Erの酸化物のうち少なくとも1種
類、a、b、c、d、およびeはモル%)において、a
を1.0≦a≦6.0の範囲に限定したのは、試料番号
9に示すように、Bi2 3 添加量aが1.0未満の場
合には、TCがΔCmax で15%を越える変化となり、
また抗折強度も1500kg/cm2 以下の低い値とな
ってしまうからである。
【0055】一方、試料番号10に示すように、Bi2
3 添加量aが6.0を超える場合には、εが1000
未満になり、またTCがΔCmax で15%を越える変化
となってしまうからである。
【0056】また、bを0.5≦b≦4.5の範囲に限
定したのは、試料番号11に示すように、Ta2 5
加量bが0.5未満の場合には、TCがΔCmax で−1
5%を越える変化となり、またバイアスTCも−40%
を越える変化となるからである。
【0057】一方、試料番号12に示すように、Ta2
5 添加量bが4.5を超える場合も、TCがΔCmax
で−15%を越える変化となり、またバイアスTCも−
40%を越える変化となるからである。
【0058】また、cを0<c≦4.0の範囲に限定し
たのは、試料番号13に示すように、MA O添加量cが
4.0を超える場合には、TCがΔCmax で−15%を
越えるからである。なお、下限については添加効果のあ
る添加量以上に添加されていればよいので、特に限定し
ていない。
【0059】また、dを1.5≦d≦15.0の範囲に
限定したのは、試料番号14に示すように、MB 2
加量dが1.5未満の場合には、TCがΔCmax で−1
5%を越えるからである。
【0060】一方、試料番号15に示すように、MB
2 添加量dが15.0を超える場合には、TCがΔC
max で−15%を越えるからである。
【0061】また、eを0.5≦e≦5.5の範囲に限
定したのは、試料番号16に示すように、Re2 3
加量eが0.5未満の場合には、TCがΔCmax で15
%を越える変化となり、またバイアスTCも−40%を
越える変化となるからである。
【0062】一方、試料番号17に示すように、Re2
3 添加量eが5.5を超える場合には、TCがΔC
max で−15%を越えるからである。
【0063】また、酸化物ガラスと遷移金属酸化物とか
らなる副成分を、誘電体セラミック組成物100重量%
のうち0.05〜2.5重量%の範囲に限定したのは、
試料番号18に示すように、副成分の添加量の合計が
0.05重量%未満の場合には、焼成温度が1160℃
を超えるからである。
【0064】一方、試料番号19に示すように、副成分
の添加量の合計が2.5重量%を超える場合には、εが
1000未満となるからである。
【0065】また、副成分中の遷移金属酸化物を、誘電
体セラミック組成物100重量%のうち0.01〜0.
5重量%の範囲に限定したのは、試料番号29に示すよ
うに、遷移金属酸化物の添加量が0.5重量%を超える
場合には、tanδが2.5%を越える大きな値になる
ため好ましくないからである。なお、下限の0.01重
量%は添加効果のある最小添加量と判断しているが、こ
の下限未満であっても添加効果があれば構わない。
【0066】なお、上記実施例においては、あらかじめ
所定の組成比に調合し、高温に熱処理して溶融した後に
粉砕してガラス化した酸化物ガラスを、誘電体セラミッ
ク組成物の主成分に添加配合した。
【0067】しかし、酸化物ガラスの添加方法として
は、この他、あらかじめ所定の割合に調合して溶融しな
い程度に加熱し、出発原料を改質したものを添加する
か、あるいは酸化物ガラスの各構成元素を、例えば金属
アルコキシドといった任意の状態で主成分に対して個々
に添加し、焼成中に溶融反応してガラス化するようにし
ても良い。
【0068】また、遷移金属酸化物においても、上記実
施例では最初から酸化物の形で添加したが、原料作製時
の出発原料としては各元素の炭酸物など、仮焼、焼成の
段階で酸化物になるものを用いても差し支えない。
【0069】
【発明の効果】本発明の誘電体セラミック組成物を用い
れば、1160℃以下の低温で焼成でき、−55℃〜+
150℃の広い範囲にわたってTCがX8R特性を満足
し、平坦な温度特性を持つ。従って、この誘電体セラミ
ック組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、温度
変化の大きい場所にある、あらゆる電装機器に使用する
ことが可能である。
【0070】また、セラミックの強度が高いため、積層
セラミックコンデンサとして用いる場合に、基板実装時
における割れ、欠けなどの破壊が起こらず、ショート不
良や発熱による焼損などの事故を防止することが可能で
ある。
【0071】さらに、バイアスTC特性が優れているた
め誘電体セラミック層の厚みを従来の同一定格電圧のも
のに比べて薄層化することが可能であり、積層セラミッ
クコンデンサの小型化かつ大容量化を進めることが可能
である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である積層セラミックコンデ
ンサの概略断面図。
【図2】本発明の一実施例である内部電極を有する誘電
体セラミック層の概略平面図。
【図3】本発明の一実施例であるセラミック積層体の分
解斜視図。
【符号の説明】
1 積層セラミックコンデンサ 2 誘電体セラミック層 2a 内部電極を有しない誘電体セラミック層 2b 内部電極を有する誘電体セラミック層 3 セラミック積層体 4 内部電極 5 外部電極 6 メッキ第1層 7 メッキ第2層

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 次の組成式、 {100−(a+b+c+d+e)}BaTiO3 +a
    Bi2 3 +bTa2 5 +cMA O+dMB 2 +e
    Re2 3 (ただし、MA はMg、Ca、Znのうち少なくとも1
    種類、MB はTi、Sn、Zrのうち少なくとも1種
    類、Re2 3 はY、La、Ce、Pr、Nd、Sm、
    Dy、Ho、Erの酸化物のうち少なくとも1種類、
    a、b、c、d、およびeはモル%)で表され、a、
    b、c、d、およびeがそれぞれ 1.0≦a≦6.0 0.5≦b≦4.5 0<c≦4.0 1.5≦d≦15.0 0.5≦e≦5.5 の範囲内にある主成分に対し、副成分として、酸化物ガ
    ラスを含有した材料によって構成される誘電体セラミッ
    ク組成物であって、 前記副成分は、前記誘電体セラミック組成物100重量
    %のうち0.05〜2.5重量%含有することを特徴と
    する誘電体セラミック組成物。
  2. 【請求項2】 副成分として、遷移金属酸化物を含有す
    ることを特徴とする請求項1に記載の誘電体セラミック
    組成物。
  3. 【請求項3】 前記遷移金属酸化物は、Cr、Mn、F
    e、Co、Niの酸化物のうち少なくとも1種類からな
    ることを特徴とする請求項2に記載の誘電体セラミック
    組成物。
  4. 【請求項4】 前記遷移金属酸化物は、前記誘電体セラ
    ミック組成物100重量%のうち0.01〜0.5重量
    %含有することを特徴とする請求項2または請求項3に
    記載の誘電体セラミック組成物。
  5. 【請求項5】 複数の誘電体セラミック層と、 それぞれの端縁が前記誘電体セラミック層の両端面に露
    出するように前記誘電体セラミック層間に形成された複
    数の内部電極と、 露出した前記内部電極に電気的に接続されるように設け
    られた外部電極を含む積層セラミックコンデンサにおい
    て、 前記誘電体セラミック層が、前記請求項1から請求項4
    のいずれかに記載の誘電体セラミック組成物からなるこ
    とを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
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