KR100226318B1 - 유전체 페이스트 및 이를 이용한 후막 커페시터 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발진자에 도입됨으로써 소형의 세라믹 발진자를 제조할 수 있도록 하는 커패시터를 제조하는데 사용되는 유전체 페이스트에 관한 것이다. 유전체 페이스트는 분말화된 글래스, 유전체 분말, 및 유기 비히클을 포함한다. 유전체 분말은 납-기본된 페로브스카이트 화합물이다. 분말화된 글래스는 xSiO2-yB2O3-zPbO(여기서, x, y, 및 z는 몰%이다)로 주어지는 성분을 포함한다. x, y 및 z 는 점 A(x=70, y = 0 및 z=30), B(x=70, y=15, 및 z=15), C(x=10, y=75, 및 z=15), 및 D(x=10, y = 0 및 z=90)를 연결함으로써 한정되는 영역내에 있다. 바람직하게는 Al2O3, CaO, TiO2, ZrO2, BaO 및 MgO로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나이상의 구성원이 첨가제로서 사용된다. 바람직하게는 글래스 프릿(glass frit)은 분말화된 글래스와 유전체 분말의 혼합물의 약 35 내지 95 중량%이고, 유전체 분말은 혼합물의 약 5내지 65중량%이다.
Description
제1도는 본 발명에 따른 글래스의 조성을 나타내는 삼원도이다.
제2도는 절연 기판상에 형성된 본 발명에 따른 후막 커패시터의 단면도이다.
제3도는 본 발명에 따른 후막 커패시터가 도입된 세라믹 발진자의 단면도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
(1), (11) : 절연기관 (2),(2a),(2b): 하층도체
(3),(3a), 및 (3b) : 유전체층 (4), (4a), 및 (4b) : 상층도체
(5a) 및 (5b) : 전도성 접착제 (6) : 발진자 요소
본 발명은 세라믹 발진자의 부하 커패시터-형성 원료로서 유용한 유전체 페이스트에 관한 것이다. 본 발명은 또한 유전체 페이스트를 사용한 후막 커패시터에 관한 것이다.
후막 커패시터는 후막 집적회로의 구성요소로서 및 그밖의 용도로 사용된다. 후막 커패시터는 일반적으로 주성분으로 티탄산바륨-기본된 세라믹, 및 임의 성분으로 글래스 성분 등을 포함한다. 예를 들어, 일본국 특허공개 제 51-48159 호에는 BaTiO3-CaSnO3-CaSiO3-기본된 세라믹으로 이루어진 유전체가 기재되어 있고, 일본국 특허공개 제 51-150097호에는 BaTiO3-(Pb, Sr) (Ti, Sn)O3및 글래스로 제조된 유전체가 기재되어 있다.
후막 커패시터는 하기된 방법으로 제조된다. 특히, 유전체 페이스트는 상기된 유전체의 분말을 유기 비히클에 분산시킴으로써 제조된다. 어떠한 경우에는 분말화된 글래스가 비히클에 첨가될 수 있다. 이어서, 페이스트를 예를 들어 스크린 인쇄 또는 그밖의 방법으로 알루미나로 제조된 절연기판에 적용시킨다. 다수의 기판을 합하여 적층을 형성시키고, 공기중에서 베이킹하여 후막 커패시터를 얻는다.
디지탈 IC 기술이 발전함에 따라, 압전 세라믹을 사용한 세라믹 발진자가 전자 기기에 기준신호를 생성시키는 장치로서 종종 사용되어 왔다. 통상적으로, 발진자는 증폭(엠프)와 발진자의 조합으로 구성되는데, 이 회로가 발진을 일으키기 위해서는 하기 수학식 1을 만족하면 된다.
θ1 + θ2 = 2πn(n은 정수값)
α1 : 증폭기의 증폭율, θ1 : 증폭기의 입출력 위상차
α2 : 발진자의 증폭율 θ2 : 발진자의 입출력 위상차
그런데, 이 중에서 증폭기의 θ1 및 α1 은 이용하는 증폭기마다 다르며, 또 발진자측도 불필요한 진동에 의하여 임피던스곡선의 날뜀이나 진동자 모드마다의 특성이 상이하기 때문에, 상기한 식을 만족하지 않는 경우가 있을 수 있다. 따라서, 보다 안정적으로 발진을 일으키기 위해 위상을 조정(調整)하는 부하 커패시터가 발진자 회로의 구성에서 세라믹 발진자에 접속되는 것이 필요하다. 그리고, 최근 전자 장치가 소형화되기 때문에, 세라믹 발진자와 같은 전자 부품의 소형화가 요구 되고 있다.
따라서, 세라믹 발진자에 접속하는 부하 커패시터로서 이산형 커패시터 대신에 후막 커패시터를 사용하여, 후막 커패시터가 도입된 세라믹 발진자를 제조하는 연구가 진행되어 왔다. 그러나, 종래의 유전 페이스트는 높은 유전 상수를 생성하도록 높은 비율의 유전체 분말을 함유한다. 따라서, 분말이 저밀도이기 때문에, 유전체 페이스트를 사용하여 얻은 유전체 필름의 밀도가 낮다는 문재점이 발생된다. 저밀도의 문제점을 해결하기 위해서는, 다수층의 유전 페이스트가 사용되어 막의 두께를 증가 시켜야 한다. 게다가, 필름을 보다 치밀하게 하기 위해서는, 유전 필름을 900℃ 이상의 고온에서 베이킹해야 할 필요가 있다.
따라서 본 발명의 목적은 900℃ 이하의 온도에서 베이킹 될 수 있는 유전 페이스트를 제공하여, 커패시터가 도입된 소형 세라믹 발진자를 제조하는데 적합하게 사용되는 고밀도 유전체 후막을 얻는데 있다. 본 발명의 또 다른 목적은 후막 커패시터를 제공하는데 있다.
본 발명의 유전 페이스트는 분말화된 글래스, 유전체 분말, 및 유기 비히클를 포함한다. 유전체 분말은 납-기본된 페로브스카이트(perovskite)화합물로 부터 제조된다. 분말화된 글래스의 주성분의 화학식은 xSiO2-yB2O3-zP-bO(여기서, x, y, 및 z는 몰%이다)로 주어진다. x, y 및 z 는 삼상도(three phase diagram)상에서 점 A(x=70, y=0, 및 z=30), B(x=70, y=15, 및 z=15), C(x=10, y=75, 및 z=15), 및 D(x=10, y =0, 및 z=90)를 연결함으로써 한정되는 영역내에 있다.
유전체 페이스트는 또한 유전체 분말의 퀴리점이 바람직하게는 약 120 내지 500℃의 범위내에 있는 것으로 특정화 된다.
본 발명의 후막 커패시터는 상기된 유전체 페이스트로부터 제조된 유전체층을 포함한다.
본 발명의 한가지 특징은 상기된 분말화된 글래스가 약 70몰% 이상, 바람직하게는 80몰% 이상의 주성분을 포함하고, Al2O3, CaO, TiO2, ZrO2, Bao 및 MgO로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나이상의 첨가제를 약 30몰% 이하, 바람직하게는 20몰% 이하로 함유하는 것이다. 주성분은 xSiO2-yB2O3-zPbO(여기서, x, y, 및 z는 몰 백분율이다)이고, x, y 및 z 는 상기된 점 A(x=70, y =0, 및 z=30), B(x=70, y=15, 및 z=15), C(x=10, y=75, 및 z=15), 및 D(x=10, y =0, 및 z=90)를 연결함으로써 한정되는 영역내에 있다.
본 발명의 또다른 특징은 분말화된 글래스가 분말화된 글래스 및 유전체 분말의 혼합물의 약 35 내지 95중량%라는 것이고, 더욱 바람직하게는 약 40 내지 70 중량%라는 것이다. 따라서 유전체 분말은 혼합물의 5 내지 65 중량%이고, 바람직하게는 혼합물의 30 내지 60중량%이다.
본 발명의 또다른 특징은 후막 커패시터가 세라믹 발진자의 부하 커패시터로서 사용된다는 것이다.
본 발명에 따른 유전체 페이스트는 단지 스크린 인쇄하고 870℃이하에서 베이킹함으로써 정전 용량이 양온도 계수인 콤팩트 유전체 후막을 형성시킬 수 있다. 따라서, 유전체 페이스트를 사용하면 신뢰할 수 있는 내수성을 지니는 후막 커패시터를 제조할 수 있다. 또한, 신규한 후막 커패시터는 높이가 낮으며 커패시터를 지니는 소형의 세라믹 발진자를 제조하는데 사용될 수 있다.
그밖의 본 발명의 목적 및 특징을 이하 설명하고자 한다.
본 발명의 유전체 페이스트는 분말화된 글래스, 유전체 분말, 및 유기 비히클을 포함한다. 유전체 분말은 납-기본된 페로브스카이트 화합물로부터 제조된다. 분말화된 글래스는 화학식 xSiO2-yB2O3-zPbO(여기서, x, y, 및 z는 몰%이다)를 주성분으로 포함한다. 제 1 도에 나타낸 바와 같이, x, y 및 z 는 바람직하게는 상기된 점 A(x=70, y=0, 및 z=30), B(x=70, y=15, 및 z=15), C(x=10, y=75, 및 z=15), 및 D(x=10, y =0, 및 z=90)를 연결함으로써 한정되는 영역내에 있다.
분말화된 글래스의 조성비가 제 1 도의 삼상도중의 α영역에 있는 경우, 즉, 분말화된 글래스가 SiO2를 다량 함유하는 경우에, 글래스의 연화점(softening point)이 매우 높게 된다. 그 결과, 페이스트를 900℃ 이하의 온도에서 베이킹시켜 유전체 막을 얻는 것은 불가능하다.
반면, 분말화된 글래스의 조성비가 β영역에 있는 경우, 즉, 분말화된 글래스가 SiO2를 보다 적게 포함하는 경우에는, 글래스가 용융될 때 점도가 낮아진다. 따라서, 유전체 페이스트가 베이킹될 때 글래스 성분이 유전체 페이스트로부터 흘러나와 확산된다. 그 결과, 바람직하게 특징을 지니는 균질의 유전체을 얻기가 곤란하다. 또한 유전체 페이스트를 사용하여 제조된 커패시터의 수명이 짧아 바람직하지 못하다.
분말화된 글래스의 조성비가 각각 영역 γ 및 δ에 있는 경우, 즉, 분말화된 글래스가 B2O3를 많이 포함하고 PbO를 소량 포함하는 경우에는, 글래스가 수용성을 띠게 되어 습기에 대한 내성이 저하된다.
분말화된 글래스에 포함된 추가 성분에 대해서는, 상기 분말화된 글래스가 약 70몰% 이상의 주성분을 함유하고 Al2O3, CaO, TiO2, ZrO2, Bao 및 MgO로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나이상의 첨가제를 약 30몰% 이하로 함유하는 것이 바람직하다. 첨가된 성분의 전체량이 약 30몰%를 초과하는 경우, 글래스는 높은 연화점을 지니게 된다. 그 결과 900℃ 이하의 온도에서 베이킹하여 균일한 유전체 필름을 얻는다는 것은 불가능하다.
바람직한 양태의 유전체 페이스트에 따르면, 치밀한 유전체 막은 유전체 페이스트를 1회 스크린 인쇄조작에 적용시키고, 870℃ 이하의 온도에서 유전체 페이스트를 소성시킴으로써 얻는다.
또한, 유전체 페이스트중의 유전체 분말로서 퀴리점(Curie point)이 120 내지 500℃의 범위내에 있는 납-기본된 페로브스카이트 화합물을 사용함으로써, 정전 용량이 양온도 특성을 나타내는 후막 커패시터를 얻는다. 납-기본된 페로브스카이트 화합물은 기술분야에 공지되어 있다.
분말화된 글래스가 유전체 페이스트중의 분말화된 글래스 및 유전체의 혼합물의 약 35 내지 95중량%이고, 분말화된 유전체가 혼합물의 약 5 내지 65중량%인 경우, 보다 치밀한 유전체 막이 유도된다.
본 발명의 바람직한 양태를 이하 실시예에서 보다 상세히 예시하여 설명하고자 하며, 하기된 실시예로 본 발명을 한정하는 것이 아니라는 것을 인지해야 할 것이다.
[실시예 1]
제 2 도는 절연기판(1)상에 형성된 후막 커패시터의 단면도이다. 후막 커패시터는 하층도체(2), 유전체(3) 및 상층도체(4)를 포함한다. 유전체(3)은 상층도체(4)와 하층도체(2) 사이에 위치하고, 본 발명의 유전체 페이스트를 적용시키고 페이스트를 베이킹 함으로써 형성된다.
우선, 유전체 페이스트를 제조하였다. SiO2 ,B2O3, PbO,Al2O3, CaO, TiO2, ZrO2, Bao 및 MgO를 글래스의 출발성분으로서 제조하였다. 이들 출발물질을 표 1에 기재된 글래스 조성으로 혼합하였다. 얻은 혼합물을 1100 내지 1500℃의 온도에서 용융시켜, 용융글래스를 얻었다. 용융 글래스를 순수한 물에 부어 신속하게 냉각시켰다. 이러서, 글래스를 분쇄하여 분말화된 글래스를 얻었다.
또한, 일반식(PbSr){(SbSn)Zr
Ti}O로 나타내는 납-기본된 페로브스카이트 화합물로 이루어지고 280℃의 퀴리점을 지니는 세라믹을 분쇄하여 유전체 분말을 얻었다.
분말화된 글래스, 유전체 분말, 및 유기 비히클을 각각 35:35:30의 중량비로 함께 혼합하고, 혼합 연마하여 유전체 페이스트를 얻었다. 유기 비히클은 아크릴 수지를 α-테르피네올(α-terpineol)중에 용해시켜 얻었다.
이러한 방법으로 얻은 유전체 페이스트를 사용하여, 제 2 도에 아타낸 바와 같은 후막 커패시터를 제조하였다. 특히 알루미나 기판은 절연기판(1)로서 제조하였다. Ag/Pd페이스트층은 기판에 스크린 인쇄하여 형성시켰다. 페이스트층을 850℃에서 소성시켜 직경 8mm의 하층도체(2)를 형성시켰다. 하층도체(2)를 커패시터의 한 전극으로 사용하였다. 이어서 상기 제조된 유전체 페이스트층을 표 2 에 기재된 온도에서 스크린 인쇄하고 소성시켜 하층도체(2)에 형성시켰다. 이러한 방법에서, 직경 6mm의 디스크-유사 유전체층이 하층도체(2)에 형성되었다. 실질적으로, 열경화성 Ag 페이스트층은 스크린 인쇄하고 가열함으로써 유전체층(3)에 형성되었다. 따라서, 직경 4mm의 상층도체(4 )가 유전체층(3)에 형성되었다. 상층도체(4)를 커패시터의 다른 전극으로 사용하였다. 이러한 방법으로, 후막 커패시터의 샘플을 얻었다.
계수 전극으로서 하층도체(2) 및 상층도체(4)를 포함하는 각각의 커패시터 샘플의 특징을 측정하여 유전체층(3)의 특징을 평가하였다. 더욱 특히, 정전용량 및 유전손실을 1MHz의 주파수, 1V rms의 전압, 및 25℃의 온도에서 측정하였다. 각각의 샘플의 상대 유전율(ε)를 측정된 정전용량 및 커패시터의 크기로 부터 계산하였다. 또한, 100V의 직류전압을 1분동안 적용시켜 절연 저항(IR)을 측정하였다. 또한, -20 내지 80℃의 범위의 온도에서의 정전용량의 온도계수(TCC)를 1MHz의 주파수 및 1 V rms의 전압에서 측정하였다. 결과를 표 2에 기재하였다.
표 2 에 기재된 바와 같이 신규한 유전체 페이스트를 사용하면 19 내지 35의 상대 유전율, 1.0% 이하의 유전손실, 9Ω을 초과하는 log 절연저항, 및 0.04내지 0.07%/℃의 정전용량의 양온도계수를 지니는 후막 커패시터를 얻을 수 있다. 이러한 후막 커패시터는 870℃이하에서 베이킹함으로써 얻을 수 있다.
[실시예 2]
실시예 1 의 제 1 내지 12 샘플의 분말화된 글래스 및 실시예 1 에 사용된 Pb-기본된 페로브스카이트의 유전체 분말을 표 3 에 주어진 비율로 혼합하였다. 유기 비히클을 혼합물에 가하여 분말화된 글래스와 유전체 페이스트의 혼합물이 조성물의 70중량비가 되게 하였다. 이를 혼합 연마하여 유전체 페이스트를 제조하였다. 유기 비히클은 실시예 1 에서와 동일한 방법으로 아크릴 수지를 α-테르피네올에 용해시켜 제조하였다.
이어서, 이들 유전체 페이스트 샘플을 사용하여, 후막 커패시터를 실시예 1 에서와 동일한 방법으로 제조하였다. 얻은 후막 커패시터의 특징, 즉, 정전용량, 유전손실, 상대유전율, 절연저항, 및 TTC를 측정하였다. 그 결과를 표 4 에 기재하였다.
표 4 에 나타낸 신규한 유전체 페이스트중의 분말화된 글래스와 유전체 분말의 비는 바람직하게는 분말화된 글래스를 약 35 내지 95 중량%로 하고, 유전체 분말은 약 5 내지 65중량 %로 한다. 특히, 분말화된 글래스를 35중량% 이하로 하고 유전체 분말을 65중량% 이상으로 하는 경우, 제 2-7 및 2-8 샘플에서와 같이 유전 손실이 증가하고, 절연저항이 바람직하지 못한 결과로 저하되었다. 이러한 결과는 분말화된 글래스가 35중량% 이하이고, 유전체 페이스트를 1회 인쇄하며 베이킹 조작을 850℃에서 수행하는 경우, 고밀도 막을 얻을 수 없다는 것을 나타낸다. 이러한 경우, 내습과 같은 특성의 열화를 초래한다.
[실시예 3]
신규한 유전체 페이스트를 사용하는 후막 커패시터가 도입된 세라믹 발진자를 제 3 도에 도시하였다. 제 3 도는 본 실시예에서 얻은 세라믹 발진자의 단면도이다. 본 세라믹 발진자는 절연기판에 형성되고, 하층도체(2a)및 (2b), 유전체층(3a) 및 (3b), 상층도체(4a) 및 (4b), 도체 접착제(5a) 및 (5b). 및 압전 세라믹으로 이루어진 발진자(6)을 포함한다. 유전체층(3a) 및 (3b)는 유전체 페이스트를 적용시키고 베이킹하여 얻었다.
세라믹 발진자를 제조하는 방법을 이하 기재하였다. 우선, 유전체 페이스트를 제조하였다. SiOBO, PbO,AlO, CaO, TiO, 및rO를 글래스의 출발 물질로서 제조하였다. 이들 출발물질을 표 5 에 기재된 글래스 조성으로 혼합하였다. 이어서, 분말화된 글래스를 실시예 1 에서와 동일한 방법으로 얻었다. 얻은 분말화된 글래스 및 실시예 1 에서 사용된 Pb-기본된 페르브스카이트의 유전체 분말을 표 5 의 비율로 혼합하였다. 유기 비히클을 혼합물에 가하여 분말화된 글래스와 유전체 분말의 혼합물이 조성물의 70중량%가 되도록 하였다. 이를 함께 혼합 연마하여 유전체 페이스트를 제조하였다. 유기 비히클은 실시예 1 에서와 동일한 방법으로 아크릴 수지를 α-테르피네올에 용해시켜 제조하였다.
제 3 도에 나타낸 구성의 세라믹 발진자는 상기된 바와 같이 얻은 유전체 페이스트의 샘플을 사용하여 제조하였다.
우선, 알루미나 기판을 절연 기판(11)으로 준비하였다. Ag/Pd 페이스트층을 기판에 스크린 인쇄하여 형성시켰다. 페이스트층을 850℃에서 베이킹하여 2.5mm 평방인 하층도체층(2a) 및 (2b)를 형성시켰다. 하층도체층(2a) 및 (2b)를 각각 커패시터의 한 전극으로 사용하였다. 이어서, 상기 제조된 유전체 페이스트 층을 하층도체층(2a) 및 (2b)층에 스크린 인쇄하고 850℃에서 베이킹하여 형성시켰다. 이러한 방법으로, 2.0mm 평방인 유전체층(3a) 및 (3b)를 각각 하층도체층(2a) 및 (2b)상에 형성시켰다. 그후, 열경화성 Ag 페이스트층을 스크린 인쇄하고 가열하여 형성시켰다. 따라서, 1.5mm 평방인 상층도체층(4a) 및 (4b)를 각각 유전체층(3a) 및 (3b)상에 형성시켰다. 상층도체(4a) 및 (4b)를 각각 그밖의 전극으로 사용하였다. PZT 압전 세라믹으로 이루어진 발진자 요소(6)은 전도성 접착제(5a)및(5b)로 상층도체층(4a) 및 (4a)에 접합된다. 이러한 방법으로, 제 3 도에 나타낸 후막 커패시터가 도입된 세라믹 발진자를 완성시켰다.
얻은 세라믹 발진자 샘플의 발진 주파수의 초기 변화율, -40 내지 125℃범위에서의 발진 주파수의 온도 특성, 및 공진저항을 측정하였다. 그 결과를 표 6 에 기재하였다.
표 6 에 나타낸 바와 같이 발진 주파수가 약간 다양한 세라믹 발진자는 신규한 유전체 페이스트를 사용하는 후막 커패시터를 사용함으로써 얻을 수 있다. 또한, 후막 커패시터는 세라믹 발진자에서 부하 커패시터로서 사용될 수 있다. 따라서, 높이가 낮고 작은 커패시터가 도입된 소형의 세라믹 커패시터를 제조할 수 있다.
상기된 실시예에서 납-기본된 페로브스카이트 화합물로 이루어진 유전체는 (PbSr){(SbSn)ZrTi
}O이다. 본 발명이 이러한 조성물로 한정 되는 것이 아니라는 것을 주지해야 한다. 다양한 납-기본된 페로브스카이트 화합물이 사용될 수 있다. 이러한 예로는
PbTiO, PbTiO-Pb(MgNb)O
PbTIO,-Pb(MgW)OPbTiO-Pb(ZnNb)O, PbZrO-Pb(MgNb)O, PbZrO-Pb(MgW)OPbZrO
-Pb(NiW)O
PbZrO-Pb(MgNb)O및 Pb(ZnNb)O이 포함된다. 퀴리점을 120 내지 500℃로 설정함으로써, 양온도 특성의 정전 용량을 지니는 후막 커패시터를 얻을 수 있다.
상기 실시예에서, α-테르피네올에 용해된 아크릴 수지를 유전체 페이스트의 유기 비히클로서 사용하였다. 본 발명은 유기 비히클을 이로 한정하는 것이 아니다. 수지성 성분은 상기된 유기 비히클 뿐만아니라 에틸셀룰로오스 수지, 니트로셀룰로오스 수지 및 부티랄 수지 일 수 있다. 유용한 용매 성분에는 알콜성 용매(예, 부틸 카르비톨), 에스테르성 용매(에, 부틸 카르비톨(Carbitol)아세테이트 및 에스테르 아세테이트), 및 케로센(kerosene)이 포함된다. 또한, 본 발명에 따르면 프탈산 에스테르와 같은 가소제가 첨가될 수 있다.
또한, 신규한 유전체 페이스트는 후막 커패시터가 알루미나 기판상에 형성되는 상기된 경우로 한정되는 것이 아니다. 또한 다층 세라믹 기판과 같은 유전체 기판에 커패시터를 제조할 수 있다.
상기 실시예에서, 후막 커패시터의 하층 전극은 베이킹(baking)된 Ag/Pd로 제조하고, 상층의 전극은 열경화 Ag로 제조하였다. 또한, 하층 전극은 베이킹된 Ag, Ag/Pt, 또는 Au로 제조할 수 있고, 상층 전극은 베이킹되거나 열경화된 Ag, Ag/Pt, Au, Ag/Pd 또는 Cu로 제조 할 수 있다.
상기된 설명으로 알수 있는 바와 같이, 신규한 유전체 페이스트는 단지 스크린 인쇄되고 870℃ 이하에서 베이킹됨으로써 정전용량이 양온도 계수를 지니는 고밀도 유전체 필름을 형성시킬 수 있다. 따라서, 신규한 유전체 페이스트를 사용하여 신뢰할 수 있는 내습성을 지니는 후막 커패시터를 제조할 수 있다. 또한 신규한 후막 커패시터를 사용하여 높이가 낮으며 커패시터가 도입된 소형의 세라믹 발진자를 제조할 수 있다.
Claims (20)
- 유기 비히클 ; x, y, 및 가 몰%이고 삼원도상에서 점 A(x=70, y = 0 및 z=30), B(x=70, y=15, 및 z=15), C(x=10, y=75, 및 z=15), 및 D(x=10, y = 0 및 z=90)를 연결함으로써 한정되는 영역내에 있는 주성분 xSiO2-yB2O3-zPbO를 지니는 분말화된 글래스 ; 및 분말화된 납-기본된 페로브스카이트 유전체를 포함함을 특징으로 하는 유전체 페이스트.
- 제1항에 있어서, 분말화된 유전체가 약 120 내지 500℃ 범위의 퀴리점(Curie point)를 지님을 특징으로 하는 유전체 페이스트.
- 제1항에 있어서, 분말화된 글래스가 주성분을 70몰%이상 함유하고, Al2O3, CaO, TiO2, ZrO2, BaO 및 MgO로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나이상의 첨가제를 약 30몰% 이하로 함유함을 특징으로 하는 유전체 페이스트.
- 제3항에 있어서, 분말화된 글래스가 약 80몰% 이상의 주성분을 함유함을 특징으로 하는 유전체 페이스트.
- 제4항에 있어서, 분말화된 글래스 및 유전체 분말의 총 중량을 기준으로, 분말화된 글래스가 약 35 내지 95중량%이고, 유전체 분말이 약 5 내지 65 중량%인 유전체 페이스트.
- 제5항에 있어서 분말화된 글래스 및 유전체 분말의 총 중량을 기준으로, 분말화된 글래스가 약 40 내지 70중량%이고, 유전체 분말이 약 30 내지 60 중량%인 유전체 페이스트.
- 제1항에 있어서, 분말화된 글래스가 약 70몰% 이상 함유하고, Al2O3, CaO, TiO2, ZrO2, BaO 및 MgO로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나이상의 첨가제를 약 30몰% 이하로 함유함을 특징으로 하는 유전체 페이스트.
- 제7항에 있어서, 분말화된 글래스가 약 80몰% 이상의 주성분을 함유함을 특징으로 하는 유전체 페이스트.
- 제1항에 있어서, 분말화된 글래스 및 유전체 분말의 총 중량을 기준으로, 분말화된 글래스가 약 35 내지 95중량%이고, 유전체 분말이 약 5 내지 65 중량%임을 특징으로 하는 유전체 페이스트.
- 제9항에 있어서, 분말화된 글래스 및 유전체 분말의 총 중량을 기준으로, 분말화된 글래스가 약 40 내지 90중량%이고, 유전체 분말이 약 10 내지 60 중량%임을 특징으로 하는 유전체 페이스트.
- x, y, 및 z가 몰%이고 삼원도상에서 점 A(x=70, y =0, 및 z=30), B(x=70, y=15, 및 z=15), C(x=10, y=75, 및 z=15), 및 D(x=10, y =0, 및 z=90)를 연결함으로써 한정되는 영역내에 있는 주성분 xSiO2-yB2O3-zPbO를 지니는 글래스 ; 및 납-기본된 페로브스카이트 유전체를 포함한 유전체 층을 포함함을 특징으로 하는 후막 커패시터
- 제11항에 있어서, 유전체가 약 120 내지 500℃ 범위의 퀴리점(Curie point)를 지님을 특징으로 하는 후막 커패시터.
- 제12항에 있어서, 글래스가 주성분을 약 70몰% 이상 함유하고, Al2O3, CaO, TiO2, ZrO2, BaO 및 MgO로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나이상의 첨가제를 약 30몰% 이하로 함유함을 특징으로 하는 후막 커패시터.
- 제13항에 있어서, 분말화된 글래스가 약 80몰% 이상의 주성분을 함유함을 특징으로 하는 후막 커패시터.
- 제14항에 있어서, 글래스 및 유전체 총 중량을 기준으로, 글래스가 약 35 내지 95중량%이고, 유전체가 약 5 내지 65 중량%임을 특징으로 하는 후막 커패시터.
- 제15항에 있어서, 분말화된 글래스 및 유전체 분말의 총 중량을 기준으로, 분말화된 글래스가 약 40 내지 90중량%이고, 유전체 분말이 약 10 내지 60 중량%임을 특징으로하는 후막 커패시터.
- 제11항에 있어서, 글래스가 주성분을 약 70몰% 이상 함유하고, Al2O3, CaO, TiO2, ZrO2, BaO 및 MgO로 이루어진 그룹중에서 선택된 하나이상의 첨가제를 약 30몰% 이하로 함유함을 특징으로 하는 후막 커패시터.
- 제11항에 있어서, 글래스 및 유전체의 총 중량을 기준으로, 글래스가 약 35 내지 95중량%이고, 유전체가 약 5 내지 65 중량%임을 특징으로 하는 후막 커패시터.
- 부하 커패시터를 포함하는 세라믹 발진자에 있어서 부하 커패시터로서 제 11 항의 후막 커패시터를 사용함을 특징으로 하는 세라믹 발진자.
- 부하 커패시터를 포함하는 세라믹 발진자에 있어서 부하 커패시터로서 제 16 항의 후막 커패시터를 사용함을 특징으로 하는 세라믹 발진자.
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