JPH08148375A - 導電性ペースト - Google Patents
導電性ペーストInfo
- Publication number
- JPH08148375A JPH08148375A JP30841294A JP30841294A JPH08148375A JP H08148375 A JPH08148375 A JP H08148375A JP 30841294 A JP30841294 A JP 30841294A JP 30841294 A JP30841294 A JP 30841294A JP H08148375 A JPH08148375 A JP H08148375A
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- JP
- Japan
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- conductive paste
- powder
- ceramic capacitor
- printed ceramic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 印刷セラミックコンデンサの電極材料として
用いて該印刷セラミックコンデンサの製造時の特性の安
定性、高性能化、等を改善する導電性ペーストを提供す
ることである。 【構成】 本発明の導電性ペーストは、ＡｇおよびＰｄ
の金属粉末、ガラスフリット、酸化ビスマスおよび／若
しくは酸化鉛、および有機ビヒクルより成る。
用いて該印刷セラミックコンデンサの製造時の特性の安
定性、高性能化、等を改善する導電性ペーストを提供す
ることである。 【構成】 本発明の導電性ペーストは、ＡｇおよびＰｄ
の金属粉末、ガラスフリット、酸化ビスマスおよび／若
しくは酸化鉛、および有機ビヒクルより成る。
Description
【産業上の利用分野】本発明は、印刷セラミックコンデ
ンサに使用される導電性ペーストに関するものである。
ンサに使用される導電性ペーストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器の小型化、高性能化、高
信頼性、等によりセラミックコンデンサにも小型化、高
性能化、高信頼性、等が求められ、印刷セラミックコン
デンサにおいても小型化、高性能化、高信頼性、などが
求められている。このような要求に対して多くの印刷セ
ラミックコンデンサ・厚膜コンデンサ・等が提供されて
いる。
信頼性、等によりセラミックコンデンサにも小型化、高
性能化、高信頼性、等が求められ、印刷セラミックコン
デンサにおいても小型化、高性能化、高信頼性、などが
求められている。このような要求に対して多くの印刷セ
ラミックコンデンサ・厚膜コンデンサ・等が提供されて
いる。
【０００３】従来、印刷セラミックコンデンサは、基板
上に導電性ペーストによる端子電極と誘電体による誘電
体層が、サンドイッチ状に印刷し形成されている。該導
電性ペーストは、一般的にＡｇ．Ａｕ．Ｐｄ．Ｐｔ．Ｃ
ｕ．Ｎｉ．等の粉末をガラスフリットと有機ビヒクルに
よりペースト状にして使用される。Ａｇ系の導電性ペー
ストは、該印刷セラミックコンデンサ製品の端子電極の
半田付け時の半田食われを少なくし、また防ぐためにＰ
ｄを付加している。このように従来の導電性ペースト
は、製品の組立使用時、経時変化、等に対する対策がな
されていた。
上に導電性ペーストによる端子電極と誘電体による誘電
体層が、サンドイッチ状に印刷し形成されている。該導
電性ペーストは、一般的にＡｇ．Ａｕ．Ｐｄ．Ｐｔ．Ｃ
ｕ．Ｎｉ．等の粉末をガラスフリットと有機ビヒクルに
よりペースト状にして使用される。Ａｇ系の導電性ペー
ストは、該印刷セラミックコンデンサ製品の端子電極の
半田付け時の半田食われを少なくし、また防ぐためにＰ
ｄを付加している。このように従来の導電性ペースト
は、製品の組立使用時、経時変化、等に対する対策がな
されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＡｇ−
Ｐｄ系の導電性ペーストにおいては、印刷セラミックコ
ンデンサの製造時において、焼成時の誘電体と電極材料
の反応による組成の変化、焼成時の誘電体層部に発生す
る亀裂、等による誘電率、誘電損失、絶縁抵抗、絶縁耐
圧、等の特性の安定性、性能、製法、等に問題があり、
本発明は該印刷セラミックコンデンサの製造時の安定
性、性能、製法、等の問題を解決するＡｇ−Ｐｄ系の導
電性ペーストを提供することである。
Ｐｄ系の導電性ペーストにおいては、印刷セラミックコ
ンデンサの製造時において、焼成時の誘電体と電極材料
の反応による組成の変化、焼成時の誘電体層部に発生す
る亀裂、等による誘電率、誘電損失、絶縁抵抗、絶縁耐
圧、等の特性の安定性、性能、製法、等に問題があり、
本発明は該印刷セラミックコンデンサの製造時の安定
性、性能、製法、等の問題を解決するＡｇ−Ｐｄ系の導
電性ペーストを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、組成物と
して従来のＡｇ−Ｐｄ系の導電性ペーストに特定の金属
酸化物（Ｂｉ2Ｏ3および／若しくはＰｂＯ）を付加する
ことにより、印刷セラミックコンデンサの製品の安定
性、高性能性、高信頼性、等を維持し、印刷セラミック
コンデンサの製造時において、焼成時の誘電体と電極材
料の反応による組成の変化、焼成時の誘電体層部に発生
する亀裂、等を極力減少させて誘電率、誘電損失、絶縁
抵抗、絶縁耐圧、等の特性の安定性、性能、製法、等の
問題を著しく改善することを知見した。
して従来のＡｇ−Ｐｄ系の導電性ペーストに特定の金属
酸化物（Ｂｉ2Ｏ3および／若しくはＰｂＯ）を付加する
ことにより、印刷セラミックコンデンサの製品の安定
性、高性能性、高信頼性、等を維持し、印刷セラミック
コンデンサの製造時において、焼成時の誘電体と電極材
料の反応による組成の変化、焼成時の誘電体層部に発生
する亀裂、等を極力減少させて誘電率、誘電損失、絶縁
抵抗、絶縁耐圧、等の特性の安定性、性能、製法、等の
問題を著しく改善することを知見した。
【０００６】即ち、本発明は上記知見に基ずいて目的を
達成したものであり、特定の金属酸化物（Ｂｉ2Ｏ3およ
び／若しくはＰｂＯ）を付加したＡｇ−Ｐｄ系の導電性
ペーストを提供したものである。
達成したものであり、特定の金属酸化物（Ｂｉ2Ｏ3およ
び／若しくはＰｂＯ）を付加したＡｇ−Ｐｄ系の導電性
ペーストを提供したものである。
【０００７】以下、本発明に係る導電性ペーストを用い
た印刷セラミックコンデンサについて詳述する。図１
は、本発明に係る導電性ペーストを用いた印刷セラミッ
クコンデンサの一実施態様を示す平面図である。また図
２は、図１のＪ−Ｊ’線に沿った断面図である。
た印刷セラミックコンデンサについて詳述する。図１
は、本発明に係る導電性ペーストを用いた印刷セラミッ
クコンデンサの一実施態様を示す平面図である。また図
２は、図１のＪ−Ｊ’線に沿った断面図である。
【０００８】本発明に係る導電性ペーストを用いた印刷
セラミックコンデンサは一般的に、図１に示す如くセラ
ミック基板の上に形成され、下部電極、誘電体層、上部
電極、保護層、等がスクリーン印刷等のそれ自身公知の
方法で形成される。尚、印刷セラミックコンデンサにお
いてはその印刷方法を特に限定するものではない。ま
た、本発明に係る導電性ペーストを用いた印刷セラミッ
クコンデンサは、図１および図２に示す構造を必ずしも
とる必要がなく、用途に適した構造を採ることができ
る。また、層数は単数層、多数層でもよい。
セラミックコンデンサは一般的に、図１に示す如くセラ
ミック基板の上に形成され、下部電極、誘電体層、上部
電極、保護層、等がスクリーン印刷等のそれ自身公知の
方法で形成される。尚、印刷セラミックコンデンサにお
いてはその印刷方法を特に限定するものではない。ま
た、本発明に係る導電性ペーストを用いた印刷セラミッ
クコンデンサは、図１および図２に示す構造を必ずしも
とる必要がなく、用途に適した構造を採ることができ
る。また、層数は単数層、多数層でもよい。
【０００９】本発明に係る導電性ペーストを用いた印刷
セラミックコンデンサの誘電体層は、ペロブスカイト構
造の誘電体よりなることが好ましい。更に好ましくは、
鉛系のペロブスカイト構造の誘電体である。特に好まし
くは、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ
2/3）Ｏ3、ＰｂＴｉＯ3、Ｂｉ2Ｏ3の少なくとも一種類
よりなることである。
セラミックコンデンサの誘電体層は、ペロブスカイト構
造の誘電体よりなることが好ましい。更に好ましくは、
鉛系のペロブスカイト構造の誘電体である。特に好まし
くは、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ
2/3）Ｏ3、ＰｂＴｉＯ3、Ｂｉ2Ｏ3の少なくとも一種類
よりなることである。
【００１０】上記誘電体層を構成する誘電体は粒径が揃
い、その平均粒径が２．０μｍ〜０．０１μｍが好まし
い。更に好ましくは、１．０μｍ〜０．０１μｍであ
る。特に好ましくは、０．５μｍ〜０．０５μｍであ
る。
い、その平均粒径が２．０μｍ〜０．０１μｍが好まし
い。更に好ましくは、１．０μｍ〜０．０１μｍであ
る。特に好ましくは、０．５μｍ〜０．０５μｍであ
る。
【００１１】下部電極および上部電極を形成する電極材
料の主成分は、ＡｇおよびＰｄの金属粉末、酸化鉛及び
酸化ビスマスを含まないガラスフリット、および、酸化
ビスマスおよび／若しくは酸化鉛である。印刷ができる
ように上記電極材料の主成分に有機ビヒクルを加えて導
電性ペーストとするのがよい。好ましくは、酸化ビスマ
スおよび／若しくは酸化鉛の量は、Ｂｉ2Ｏ3および／若
しくはＰｂＯに換算してＡｇ粉末量に対し０．０１〜
５．０重量％である。より好ましくは、０．０１〜２．
０重量％である。更に、より好ましくは、０．０５〜
１．５重量％である。特に好ましくは、０．０５〜１．
０重量％である。
料の主成分は、ＡｇおよびＰｄの金属粉末、酸化鉛及び
酸化ビスマスを含まないガラスフリット、および、酸化
ビスマスおよび／若しくは酸化鉛である。印刷ができる
ように上記電極材料の主成分に有機ビヒクルを加えて導
電性ペーストとするのがよい。好ましくは、酸化ビスマ
スおよび／若しくは酸化鉛の量は、Ｂｉ2Ｏ3および／若
しくはＰｂＯに換算してＡｇ粉末量に対し０．０１〜
５．０重量％である。より好ましくは、０．０１〜２．
０重量％である。更に、より好ましくは、０．０５〜
１．５重量％である。特に好ましくは、０．０５〜１．
０重量％である。
【００１２】また、上記の導電性ペーストの製造方法
は、特に限定するものではなく従来より行われている公
知の方法でよい。また、上記の酸化ビスマスおよび／若
しくは酸化鉛は、粒径が揃い、その平均粒径が３．０〜
０．０１μｍが好ましい。更に好ましくは、１．０〜
０．０１μｍである。特に好ましくは、０．５〜０．０
１μｍである。
は、特に限定するものではなく従来より行われている公
知の方法でよい。また、上記の酸化ビスマスおよび／若
しくは酸化鉛は、粒径が揃い、その平均粒径が３．０〜
０．０１μｍが好ましい。更に好ましくは、１．０〜
０．０１μｍである。特に好ましくは、０．５〜０．０
１μｍである。
【００１３】保護層は、印刷セラミックコンデンサの信
頼性を向上させるためのものであり、樹脂、結晶化ガラ
ス、非晶質ガラス、等である。
頼性を向上させるためのものであり、樹脂、結晶化ガラ
ス、非晶質ガラス、等である。
【００１４】上述の本発明に関する導電性ペーストを用
いて製造された印刷セラミックコンデンサは、焼成時の
誘電体と電極材料の反応が少ないため誘電体の組成変化
・結晶構造の破壊が極力少なく、誘電体層部の亀裂の発
生がなく、また誘電体層と電極の密着力がよく、誘電体
層の焼結密度が高くなり、製造時における特性の安定
性、性能、等が改善されて安定性、高性能性、高信頼性
である。
いて製造された印刷セラミックコンデンサは、焼成時の
誘電体と電極材料の反応が少ないため誘電体の組成変化
・結晶構造の破壊が極力少なく、誘電体層部の亀裂の発
生がなく、また誘電体層と電極の密着力がよく、誘電体
層の焼結密度が高くなり、製造時における特性の安定
性、性能、等が改善されて安定性、高性能性、高信頼性
である。
【００１５】記述した印刷セラミックコンデンサの応用
例として、厚膜ハイブリッドＩＣ、複合電子部品（ＬＣ
複合部品、ＲＣ複合部品、コンデンサアレー）、等が例
示できる。
例として、厚膜ハイブリッドＩＣ、複合電子部品（ＬＣ
複合部品、ＲＣ複合部品、コンデンサアレー）、等が例
示できる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明に係る導電性ペーストを用いた
印刷セラミックコンデンサの実施例を説明する。尚、本
発明に係る導電性ペーストを用いた印刷セラミックコン
デンサは、以下の実施例に限られるものでない。
印刷セラミックコンデンサの実施例を説明する。尚、本
発明に係る導電性ペーストを用いた印刷セラミックコン
デンサは、以下の実施例に限られるものでない。
【００１７】（実施例１）先ず、ＡｇおよびＰｄの金属
粉末（平均粒径としてＡｇ＝０．５μｍ、Ｐｄ＝０．５
μｍ）をＡｇ：Ｐｄ＝９２：８（重量％比）に秤量し、
Ａｇ・Ｐｄに対して１０重量％のガラスフリット（酸化
鉛及び酸化ビスマスを含まない）と、Ａｇ粉末量に対し
て０．８重量％のＢｉ2Ｏ3粉末（平均粒径０．３μｍ）
を各々秤量した。また、エチルセルロースをテルビネオ
ールに混合し有機ビヒクルを調合した。続いて秤量した
上記金属粉末、上記ガラスフリット及び上記Ｂｉ2Ｏ3粉
末を十分に混合し混合粉末を調合した。、該混合粉末と
上記有機ビヒクルを３本ロールにてペースト状に混練し
て導電性ペーストを作製した。
粉末（平均粒径としてＡｇ＝０．５μｍ、Ｐｄ＝０．５
μｍ）をＡｇ：Ｐｄ＝９２：８（重量％比）に秤量し、
Ａｇ・Ｐｄに対して１０重量％のガラスフリット（酸化
鉛及び酸化ビスマスを含まない）と、Ａｇ粉末量に対し
て０．８重量％のＢｉ2Ｏ3粉末（平均粒径０．３μｍ）
を各々秤量した。また、エチルセルロースをテルビネオ
ールに混合し有機ビヒクルを調合した。続いて秤量した
上記金属粉末、上記ガラスフリット及び上記Ｂｉ2Ｏ3粉
末を十分に混合し混合粉末を調合した。、該混合粉末と
上記有機ビヒクルを３本ロールにてペースト状に混練し
て導電性ペーストを作製した。
【００１８】次に、誘電体ペーストとして、平均粒径が
約０．４μｍである粉末をＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）
Ｏ3：ＰｂＴｉＯ3＝４０モル：１モルに秤量し混合し、
混合物１００重量部に３重量部のエチルセルロースと適
宜量のテルビネオールを加え、３本ロールにて混練して
誘電体ペーストを作製した。
約０．４μｍである粉末をＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）
Ｏ3：ＰｂＴｉＯ3＝４０モル：１モルに秤量し混合し、
混合物１００重量部に３重量部のエチルセルロースと適
宜量のテルビネオールを加え、３本ロールにて混練して
誘電体ペーストを作製した。
【００１９】更に、９６％のアルミナセラミック基板の
表面に、作製した導電性ペーストをスクリーン印刷・乾
燥・焼成して下部電極を形成した。更に該下部電極の上
に作製した誘電体ペーストをスクリーン印刷・乾燥・焼
成して誘電体層を形成した。更に該誘電体層の上に作製
した導電性ペーストをスクリーン印刷・乾燥・焼成して
上部電極を形成した。更に誘電体層及び電極を覆うよう
に、保護ガラスペーストをスクリーン印刷・乾燥・焼成
して保護層を形成し、印刷セラミックコンデンサを作製
した。
表面に、作製した導電性ペーストをスクリーン印刷・乾
燥・焼成して下部電極を形成した。更に該下部電極の上
に作製した誘電体ペーストをスクリーン印刷・乾燥・焼
成して誘電体層を形成した。更に該誘電体層の上に作製
した導電性ペーストをスクリーン印刷・乾燥・焼成して
上部電極を形成した。更に誘電体層及び電極を覆うよう
に、保護ガラスペーストをスクリーン印刷・乾燥・焼成
して保護層を形成し、印刷セラミックコンデンサを作製
した。
【００２０】導電性ペーストを用いて作製された印刷セ
ラミックコンデンサの誘電率、損失係数及び絶縁抵抗を
測定して表１に示した。該導電性ペーストを用いて印刷
セラミックコンデンサを作製したところ、誘電体層の組
成の変化が少なく、亀裂もなく、ロット間の特性が非常
に安定していた。
ラミックコンデンサの誘電率、損失係数及び絶縁抵抗を
測定して表１に示した。該導電性ペーストを用いて印刷
セラミックコンデンサを作製したところ、誘電体層の組
成の変化が少なく、亀裂もなく、ロット間の特性が非常
に安定していた。
【００２１】（実施例２）誘電体ペーストとして、平均
粒径が約０．４μｍである粉体をＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎ
ｂ2/3）Ｏ3：Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3＝３モル：１
モルに秤量し混合し使用する以外は、実施例１と略同様
にして導電性ペーストを用いた印刷セラミックコンデン
サを作製した。特性が非常に安定していた。また、測定
結果を表１に示した。
粒径が約０．４μｍである粉体をＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎ
ｂ2/3）Ｏ3：Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3＝３モル：１
モルに秤量し混合し使用する以外は、実施例１と略同様
にして導電性ペーストを用いた印刷セラミックコンデン
サを作製した。特性が非常に安定していた。また、測定
結果を表１に示した。
【００２２】（実施例３〜１２）表１に示すＢｉ2Ｏ3お
よび／若しくはＰｂＯのｗｔ％により、実施例１と略同
様に導電性ペースト及び印刷セラミックコンデンサを作
製した。特性が非常に安定していた。また、測定結果を
表１に示した。
よび／若しくはＰｂＯのｗｔ％により、実施例１と略同
様に導電性ペースト及び印刷セラミックコンデンサを作
製した。特性が非常に安定していた。また、測定結果を
表１に示した。
【００２３】（実施例１３〜１６）表１に示すＢｉ2Ｏ3
および／若しくはＰｂＯのｗｔ％により、実施例２と略
同様に導電性ペースト及び印刷セラミックコンデンサを
作製した。特性が非常に安定していた。また、測定結果
を表１に示した。
および／若しくはＰｂＯのｗｔ％により、実施例２と略
同様に導電性ペースト及び印刷セラミックコンデンサを
作製した。特性が非常に安定していた。また、測定結果
を表１に示した。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【発明の効果】本発明に係る導電性ペーストは、印刷セ
ラミックコンデンサの電極材料として用いた場合、該印
刷セラミックコンデンサの製造時において、焼成時の誘
電体と電極材料の反応による組成の変化が少なく、焼成
時の誘電体層の亀裂の発生も少なく、特性の安定性、高
性能性、高信頼性、等を著しく改善し、歩留まりが向上
した。
ラミックコンデンサの電極材料として用いた場合、該印
刷セラミックコンデンサの製造時において、焼成時の誘
電体と電極材料の反応による組成の変化が少なく、焼成
時の誘電体層の亀裂の発生も少なく、特性の安定性、高
性能性、高信頼性、等を著しく改善し、歩留まりが向上
した。
【００２６】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る導電性ペーストを用いた印刷セラ
ミックコンデンサの一実施態様を示す平面図である。
ミックコンデンサの一実施態様を示す平面図である。
【図２】図１のＪ−Ｊ’線に沿った断面図である。
【００２７】
１ セラミック基板 ２ 下部電極 ３ 誘電体層 ４ 上部電極 ５ 保護層
Claims (2)
- 【請求項１】 ＡｇおよびＰｄを導電性主成分とする印
刷セラミックコンデンサ用の電極材料において、酸化ビ
スマスおよび／若しくは酸化鉛を含有することを特徴と
する導電性ペースト。 - 【請求項２】 酸化ビスマスおよび／若しくは酸化鉛
が、Ｂｉ2Ｏ3および／若しくはＰｂＯに換算してＡｇに
対して０．０１〜５．０重量％であることを特徴とする
請求項１記載の導電性ペースト。 【０００１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30841294A JPH08148375A (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 導電性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30841294A JPH08148375A (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 導電性ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148375A true JPH08148375A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17980754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30841294A Pending JPH08148375A (ja) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | 導電性ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08148375A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000069220A1 (fr) * | 1999-05-07 | 2000-11-16 | Ibiden Co., Ltd. | Plaque chauffante et pate conductrice |
| KR100492864B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2005-05-31 | 티디케이가부시기가이샤 | 세라믹 콘덴서, 도전성 조성물 및 도전 페이스트 |
| US8535971B2 (en) | 2010-02-12 | 2013-09-17 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Method for applying full back surface field and silver busbar to solar cell |
-
1994
- 1994-11-18 JP JP30841294A patent/JPH08148375A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000069220A1 (fr) * | 1999-05-07 | 2000-11-16 | Ibiden Co., Ltd. | Plaque chauffante et pate conductrice |
| KR100492864B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2005-05-31 | 티디케이가부시기가이샤 | 세라믹 콘덴서, 도전성 조성물 및 도전 페이스트 |
| US8535971B2 (en) | 2010-02-12 | 2013-09-17 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Method for applying full back surface field and silver busbar to solar cell |
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