JP2742627B2 - メタライズ金属層を有するセラミック体 - Google Patents
メタライズ金属層を有するセラミック体Info
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- JP2742627B2 JP2742627B2 JP2119474A JP11947490A JP2742627B2 JP 2742627 B2 JP2742627 B2 JP 2742627B2 JP 2119474 A JP2119474 A JP 2119474A JP 11947490 A JP11947490 A JP 11947490A JP 2742627 B2 JP2742627 B2 JP 2742627B2
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- metal layer
- metallized metal
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- molybdenum
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はメタライズ金属層を有するセラミック体の改
良に関するものである。
良に関するものである。
（従来の技術） 従来、セラミック、特にアルミナ（Al2O3）に代表さ
れる酸化物系セラミックスは電気絶縁性、化学的安定性
等の特性に優れていることから半導体素子を収容する半
導体素子収納用パッケージや半導体素子、抵抗、コンデ
ンサ等が搭載接続される回路基板等に多用されており、
該セラミックスを用いた半導体素子収納用パッケージや
回路基板等はセラミック体表面に回路配線導体としての
メタライズ金属層が多数、被着接合されて構成されてい
る。
れる酸化物系セラミックスは電気絶縁性、化学的安定性
等の特性に優れていることから半導体素子を収容する半
導体素子収納用パッケージや半導体素子、抵抗、コンデ
ンサ等が搭載接続される回路基板等に多用されており、
該セラミックスを用いた半導体素子収納用パッケージや
回路基板等はセラミック体表面に回路配線導体としての
メタライズ金属層が多数、被着接合されて構成されてい
る。
かかるセラミック体表面のメタライズ金属層はセラミ
ック体がアルミナ質焼結体から成る場合、通常、平均粒
径が3.0μｍ程度のモリブデン（Mo）から成る粉末に有
機溶剤、溶媒を添加しペースト状と成したものを未焼成
アルミナ質成形体表面にスクリーン印刷法により被着さ
せ、しかる後、前記未焼成アルミナ質成形体を還元雰囲
気中、約1500℃の温度で焼成し、モリブデン（Mo）粉末
の粉末粒子間にアルミナ質焼結体のアルミナ結晶間に介
在するガラス成分の一部を移行させ、アルミナ結晶とモ
リブデン（Mo）粉末とをガラス成分を介し接合させるこ
とによってアルミナ質焼結体の表面に被着接合される。
ック体がアルミナ質焼結体から成る場合、通常、平均粒
径が3.0μｍ程度のモリブデン（Mo）から成る粉末に有
機溶剤、溶媒を添加しペースト状と成したものを未焼成
アルミナ質成形体表面にスクリーン印刷法により被着さ
せ、しかる後、前記未焼成アルミナ質成形体を還元雰囲
気中、約1500℃の温度で焼成し、モリブデン（Mo）粉末
の粉末粒子間にアルミナ質焼結体のアルミナ結晶間に介
在するガラス成分の一部を移行させ、アルミナ結晶とモ
リブデン（Mo）粉末とをガラス成分を介し接合させるこ
とによってアルミナ質焼結体の表面に被着接合される。
（発明が解決しようとする課題） しかし乍ら、この従来のメタライズ金属層を有するセ
ラミック体においてはメタライズ金属層を形成するモリ
ブデン（Mo）粉末として平均粒径が3.0μｍのものを使
用しているものの粉末の粒径分布が広い分布となってい
るため粉末の中に粒径が2.0μｍ以下のものが約40％、1
0.0μｍ以上のものが約５％も含まれている。そのため
このモリブデン（Mo）粉末を使用してメタライズ金属層
を形成した場合、該メタライズ金属層の幅が狭く、微細
なものとなると以下に述べるような欠点を誘発する。
ラミック体においてはメタライズ金属層を形成するモリ
ブデン（Mo）粉末として平均粒径が3.0μｍのものを使
用しているものの粉末の粒径分布が広い分布となってい
るため粉末の中に粒径が2.0μｍ以下のものが約40％、1
0.0μｍ以上のものが約５％も含まれている。そのため
このモリブデン（Mo）粉末を使用してメタライズ金属層
を形成した場合、該メタライズ金属層の幅が狭く、微細
なものとなると以下に述べるような欠点を誘発する。
即ち、 モリブデン（Mo）粉末の中には粒径が2.0μｍ以下の
細かな粉末が40％程度含まれており、該細かな粉末はそ
の表面エネルギーの高いことに起因して凝集し、内部に
多量の空隙を有した凝集塊を容易に作ってしまう。その
ためこれを未焼成アルミナ質成形体の表面に被着させ、
焼成してメタライズ金属層となした場合、メタライズ金
属層中に前記凝集塊内部の空隙がそのままボイド（穴）
となって残り、メタライズ金属層のシート抵抗を極めて
大きなものとなしてしまう。
細かな粉末が40％程度含まれており、該細かな粉末はそ
の表面エネルギーの高いことに起因して凝集し、内部に
多量の空隙を有した凝集塊を容易に作ってしまう。その
ためこれを未焼成アルミナ質成形体の表面に被着させ、
焼成してメタライズ金属層となした場合、メタライズ金
属層中に前記凝集塊内部の空隙がそのままボイド（穴）
となって残り、メタライズ金属層のシート抵抗を極めて
大きなものとなしてしまう。
モリブデン（Mo）粉末の中に粒径が2.0μｍ以下の細
かい粉末が40％程度含まれているためモリブデン（Mo）
粉末から成るメタライズ金属層をセラミック体に焼成に
よって被着接合させる際、モリブデン（Mo）がその融点
の低いことに起因してオーバーシンター状態となってし
まい、その結果、メタライズ金属層とセラミック体との
接合強度が大幅に低下してしまう。
かい粉末が40％程度含まれているためモリブデン（Mo）
粉末から成るメタライズ金属層をセラミック体に焼成に
よって被着接合させる際、モリブデン（Mo）がその融点
の低いことに起因してオーバーシンター状態となってし
まい、その結果、メタライズ金属層とセラミック体との
接合強度が大幅に低下してしまう。
モリブデン（Mo）粉末の中に粒径が10.0μｍ以上の粗
い粉末が５％程度含まれているためこのモリブデン（M
o）粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得たペースト
を未焼成アルミナ質成形体表面にスクリーン印刷法によ
り所定パターンに被着させた場合、被着されたパターン
は10.0μｍ以上の粗いモリブデン（Mo）粉末のかげの部
分はモリブデン（Mo）粉末の充填密度が悪くなり、その
結果、モリブデン（Mo）粉末間の電気的導通が悪くなっ
てメタライズ金属層のシート抵抗が大きなものとなって
しまう。
い粉末が５％程度含まれているためこのモリブデン（M
o）粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得たペースト
を未焼成アルミナ質成形体表面にスクリーン印刷法によ
り所定パターンに被着させた場合、被着されたパターン
は10.0μｍ以上の粗いモリブデン（Mo）粉末のかげの部
分はモリブデン（Mo）粉末の充填密度が悪くなり、その
結果、モリブデン（Mo）粉末間の電気的導通が悪くなっ
てメタライズ金属層のシート抵抗が大きなものとなって
しまう。
等の欠点を有していた。
（発明の目的） 本発明者等は上記欠点に鑑み種々の実験を行った結
果、メタライズ金属層を形成するモリブデン（Mo）粉末
の粒径及び粒径分布を所定の値に調整すると粒径の大き
なモリブデン（Mo）粉末間に粒径の小さいモリブデン
（Mo）粉末が緻密に埋まってメタライズ金属層のシート
抵抗が大幅に低下することを知見した。
果、メタライズ金属層を形成するモリブデン（Mo）粉末
の粒径及び粒径分布を所定の値に調整すると粒径の大き
なモリブデン（Mo）粉末間に粒径の小さいモリブデン
（Mo）粉末が緻密に埋まってメタライズ金属層のシート
抵抗が大幅に低下することを知見した。
本発明は上記知見に基づき、メタライズ金属層のシー
ト抵抗を低いものとなしてメタライズ金属層の幅が狭
く、微細なものになったとしてもその電気抵抗を小さな
値に抑えることを可能とし、半導体素子収納用パッケー
ジや配線基板等に好適に使用し得るメタライズ金属層を
有するセラミック体を提供することをその目的とするも
のである。
ト抵抗を低いものとなしてメタライズ金属層の幅が狭
く、微細なものになったとしてもその電気抵抗を小さな
値に抑えることを可能とし、半導体素子収納用パッケー
ジや配線基板等に好適に使用し得るメタライズ金属層を
有するセラミック体を提供することをその目的とするも
のである。
（課題を解決するための手段） 本発明はセラミック体にモリブデン粉末から成るメタ
ライズ金属層を被着接合させて成るメタライズ金属層を
有するセラミック体において、前記メタライズ金属層を
形成するモリブデン粉末は少なくとも粒径2.0μｍ以下
のものが5.0乃至20.0％、2.0乃至5.0μｍのものが60.0
乃至80.0％、10.0μｍ以上のものが1.0％以下含んでい
ることを特徴とするものである。
ライズ金属層を被着接合させて成るメタライズ金属層を
有するセラミック体において、前記メタライズ金属層を
形成するモリブデン粉末は少なくとも粒径2.0μｍ以下
のものが5.0乃至20.0％、2.0乃至5.0μｍのものが60.0
乃至80.0％、10.0μｍ以上のものが1.0％以下含んでい
ることを特徴とするものである。
本発明は粒径が異なる複数のモリブデン（Mo）粉末に
よってメタライズ金属層を形成することが重要であり、
主となるモリブデン粉末の粒径は2.0乃至5.0μｍであ
る。この主となるモリブデン粉末の粒径は2.0μｍ未満
であるとモリブデン粉末の表面エネルギーが大きく成
り、凝集塊を作り易くなってメタライズ金属層のシート
抵抗を大きくすると同時にセラミック体に焼結によって
被着接合させる際、オーバーシンター状態となってメタ
ライズ金属層のセラミック体への接合強度を弱いものと
する。また5.0μｍを越えるとモリブデン粉末の粒径が
大きくなって隣接する粉末同士の接触領域が狭くなり、
メタライズ金属層のシート抵抗を大きなものとなしてし
まう。従って、主となるモリブデン（Mo）粉末の粒径は
2.0乃至5.0μｍの範囲に限定される。
よってメタライズ金属層を形成することが重要であり、
主となるモリブデン粉末の粒径は2.0乃至5.0μｍであ
る。この主となるモリブデン粉末の粒径は2.0μｍ未満
であるとモリブデン粉末の表面エネルギーが大きく成
り、凝集塊を作り易くなってメタライズ金属層のシート
抵抗を大きくすると同時にセラミック体に焼結によって
被着接合させる際、オーバーシンター状態となってメタ
ライズ金属層のセラミック体への接合強度を弱いものと
する。また5.0μｍを越えるとモリブデン粉末の粒径が
大きくなって隣接する粉末同士の接触領域が狭くなり、
メタライズ金属層のシート抵抗を大きなものとなしてし
まう。従って、主となるモリブデン（Mo）粉末の粒径は
2.0乃至5.0μｍの範囲に限定される。
また前記主となる粒径2.0乃至5.0μｍのモリブデン
（Mo）粉末はメタライズ金属層中に占める割合が60.0％
未満となると粒径の粗い粉末や細かい粉末が多量に含ま
れてくることとなり、その結果、従来と同様、メタライ
ズ金属層のシート抵抗が大きくなるとともにセラミック
体への接合強度が小さくなる。また80.0％を越えると主
となるモリブデン（Mo）粉末の粉末粒子間を細かな粉末
で完全に埋めることができなくなり、その結果、形成さ
れるメタライズ金属層のシート抵抗が大きなものとな
る。従って、主となる粒径2.0乃至5.0μｍのモリブデン
（Mo）粉末は60.0乃至80.0％の範囲に限定される。
（Mo）粉末はメタライズ金属層中に占める割合が60.0％
未満となると粒径の粗い粉末や細かい粉末が多量に含ま
れてくることとなり、その結果、従来と同様、メタライ
ズ金属層のシート抵抗が大きくなるとともにセラミック
体への接合強度が小さくなる。また80.0％を越えると主
となるモリブデン（Mo）粉末の粉末粒子間を細かな粉末
で完全に埋めることができなくなり、その結果、形成さ
れるメタライズ金属層のシート抵抗が大きなものとな
る。従って、主となる粒径2.0乃至5.0μｍのモリブデン
（Mo）粉末は60.0乃至80.0％の範囲に限定される。
また前記主となるモリブデン粉末には粒径が2.0μｍ
以下のモリブデン粉末が5.0乃至20.0％添加される。
以下のモリブデン粉末が5.0乃至20.0％添加される。
前記粒径が2.0μｍ以下のモリブデン粉末は、主とな
るモリブデン粉末の粉末粒子間に形成される間隙に入り
込んで埋め、主モリブデン粉末粒子間の電気的導通を大
幅に改善する作用を為し、その添加量が5.0％未満であ
ると前記性質は付与されず、また20.0％を越えると該粉
末が凝集塊を作り、形成されるメタライズ金属層のシー
ト抵抗を大きなものとするとともにモリブデンがオーバ
ーシンター状態となってメタライズ金属層のセラミック
体への接合強度が低下してしまう。そのため粒径が2.0
μｍ以下のモリブデン粉末の添加は5.0乃至20.0％の範
囲に限定される。
るモリブデン粉末の粉末粒子間に形成される間隙に入り
込んで埋め、主モリブデン粉末粒子間の電気的導通を大
幅に改善する作用を為し、その添加量が5.0％未満であ
ると前記性質は付与されず、また20.0％を越えると該粉
末が凝集塊を作り、形成されるメタライズ金属層のシー
ト抵抗を大きなものとするとともにモリブデンがオーバ
ーシンター状態となってメタライズ金属層のセラミック
体への接合強度が低下してしまう。そのため粒径が2.0
μｍ以下のモリブデン粉末の添加は5.0乃至20.0％の範
囲に限定される。
また前記主となるモリブデン（Mo）粉末に粒径が10.0
μｍ以上の粉末が1.0％を越えて入るとモリブデン（M
o）粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得たペースト
を未焼成アルミナ質成形体表面にスクリーン印刷法によ
り所定パターンに被着させる際、被着させたパターンに
おけるモリブデン（Mo）粉末の印刷充填密度が低いもの
となって形成されるメタライズ金属層のシート抵抗が大
きなものとなってしまう。そのため粒径10.0μｍ以上の
モリブデン（Mo）粉末の添加は1.0％以下に限定され
る。
μｍ以上の粉末が1.0％を越えて入るとモリブデン（M
o）粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して得たペースト
を未焼成アルミナ質成形体表面にスクリーン印刷法によ
り所定パターンに被着させる際、被着させたパターンに
おけるモリブデン（Mo）粉末の印刷充填密度が低いもの
となって形成されるメタライズ金属層のシート抵抗が大
きなものとなってしまう。そのため粒径10.0μｍ以上の
モリブデン（Mo）粉末の添加は1.0％以下に限定され
る。
尚、前記メタライズ金属層を形成するモリブデン（M
o）粉末はその中にアルミナ（Al2O3）、ジルコニア（Zr
O2）を0.5乃至10.0重量％添加しておくと、セラミック
体のアルミナ結晶粒子間に介在するガラス成分がモリブ
デン粉末粒子間に移行するのが促進され、その結果、メ
タライズ金属層をセラミック体に強固に被着接合させる
ことができる。従って、メタライズ金属層を形成するモ
リブデン粉末にはアルミナ（Al2O3）、ジルコニア（ZrO
2）を0.5乃至10.0重量％添加しておくことが好ましい。
o）粉末はその中にアルミナ（Al2O3）、ジルコニア（Zr
O2）を0.5乃至10.0重量％添加しておくと、セラミック
体のアルミナ結晶粒子間に介在するガラス成分がモリブ
デン粉末粒子間に移行するのが促進され、その結果、メ
タライズ金属層をセラミック体に強固に被着接合させる
ことができる。従って、メタライズ金属層を形成するモ
リブデン粉末にはアルミナ（Al2O3）、ジルコニア（ZrO
2）を0.5乃至10.0重量％添加しておくことが好ましい。
また、前記アルミナ（Al2O3）、ジルコニア（ZrO2）
はその粒径が1.0μｍを越えるとメタライズ金属層表面
にアルミナ（Al2O3）、ジルコニア（ZrO2）が露出して
しまい、メタライズ金属層表面にニッケル（Ni）、金
（Au）等をメッキする際、そのメッキ金属層の被着が疎
らかとなり、メタライズ金属層に外部リード端子等を強
固にロウ付けすることができなくなったり、外観不良を
発生したりするためアルミナ（Al2O3）、ジルコニア（Z
rO2）はその粒径を1.0μｍ以下としておくことが好まし
い。
はその粒径が1.0μｍを越えるとメタライズ金属層表面
にアルミナ（Al2O3）、ジルコニア（ZrO2）が露出して
しまい、メタライズ金属層表面にニッケル（Ni）、金
（Au）等をメッキする際、そのメッキ金属層の被着が疎
らかとなり、メタライズ金属層に外部リード端子等を強
固にロウ付けすることができなくなったり、外観不良を
発生したりするためアルミナ（Al2O3）、ジルコニア（Z
rO2）はその粒径を1.0μｍ以下としておくことが好まし
い。
（実施例） 次に本発明を実施例に基づいて説明する。
まず出発原料として粒径が異なる複数のモリブデン
（Mo）粉末を第１表に示す粒径分布となるように各々秤
量し、これに有機溶剤、溶媒を添加するとともに混練機
で10時間混練し、メタライズ金属層用ペースト試料を得
る。
（Mo）粉末を第１表に示す粒径分布となるように各々秤
量し、これに有機溶剤、溶媒を添加するとともに混練機
で10時間混練し、メタライズ金属層用ペースト試料を得
る。
尚、試料番号17は本発明品と比較するための比較試料
であり、従来一般に使用されているメタライズ金属層用
ペーストである。
であり、従来一般に使用されているメタライズ金属層用
ペーストである。
かくして得られたメタライズ金属層用ペースト試料を
使用してアルミナ（Al2O3）の含有量が90.0重量％であ
る未焼成アルミナ質成形体の夫々の外表面に1.5mm角、
厚さ20μｍのパターン20個をスクリーン印刷法により印
刷し、次ぎにこれを還元雰囲気（窒素−水素雰囲気）
中、約1550℃の温度で焼成しアルミナ質焼結体の表面に
メタライズ金属層を被着接合させる。
使用してアルミナ（Al2O3）の含有量が90.0重量％であ
る未焼成アルミナ質成形体の夫々の外表面に1.5mm角、
厚さ20μｍのパターン20個をスクリーン印刷法により印
刷し、次ぎにこれを還元雰囲気（窒素−水素雰囲気）
中、約1550℃の温度で焼成しアルミナ質焼結体の表面に
メタライズ金属層を被着接合させる。
そして次ぎに前記メタライズ金属層に1.0mm角、長さ4
0.0mmの42Alloy（Fe−Ni合金）から成る金属柱の一端を
銀ロウ（Ag:72％、Cu:28％）を介してロウ付けし、しか
る後、金属柱のロウ付け部と反対の端を垂直方向に引っ
張り、メタライズ金属層がアルミナ質焼結体から剥がれ
た際の引っ張り強度を調べ、その平均値をメタライズ金
属層の接合強度として算出した。
0.0mmの42Alloy（Fe−Ni合金）から成る金属柱の一端を
銀ロウ（Ag:72％、Cu:28％）を介してロウ付けし、しか
る後、金属柱のロウ付け部と反対の端を垂直方向に引っ
張り、メタライズ金属層がアルミナ質焼結体から剥がれ
た際の引っ張り強度を調べ、その平均値をメタライズ金
属層の接合強度として算出した。
なお、前記メタライズ金属層に金属柱をロウ付けする
際には、メタライズ金属層の外表面に厚さ1.5μｍのNi
メッキ層を被着させておいた。
際には、メタライズ金属層の外表面に厚さ1.5μｍのNi
メッキ層を被着させておいた。
また上述と同様の方法によりアルミナ質焼結体表面に
長さ30.0mm、幅3.0mm、厚さ20μｍのメタライズ金属層
を20個、被着接合させるとともに各々のシート抵抗を測
定し、その平均値から各メタライズ金属層のシート抵抗
値を算出した。
長さ30.0mm、幅3.0mm、厚さ20μｍのメタライズ金属層
を20個、被着接合させるとともに各々のシート抵抗を測
定し、その平均値から各メタライズ金属層のシート抵抗
値を算出した。
上記の結果を第１表に示す。
（発明の効果） 上記実験結果からも判るように、従来のメタライズ金
属層はそのシート抵抗が10.6mΩ/SQと大きいものである
のに対し、本発明品のメタライズ金属層はそのシート抵
抗が6.3mΩ/SQ以下と小さい。そのため本発明のメタラ
イズ金属層を有するセラミック体はメタライズ金属層の
幅を狭く、微細なものとしてもその電気抵抗を小さなも
のとなすことができ回路配線導体の細かい高密度の半導
体素子収納用パッケージや配線基板に好適に使用できる
ばかりでなく、回路配線導体の更なる高密度配線化が可
能となる。
属層はそのシート抵抗が10.6mΩ/SQと大きいものである
のに対し、本発明品のメタライズ金属層はそのシート抵
抗が6.3mΩ/SQ以下と小さい。そのため本発明のメタラ
イズ金属層を有するセラミック体はメタライズ金属層の
幅を狭く、微細なものとしてもその電気抵抗を小さなも
のとなすことができ回路配線導体の細かい高密度の半導
体素子収納用パッケージや配線基板に好適に使用できる
ばかりでなく、回路配線導体の更なる高密度配線化が可
能となる。
また本発明においてはメタライズ金属層のセラミック
体に対する接合強度が7.8Kg/mm2以上の高い値を示し、
メタライズ金属層がセラミック体に極めて強固に被着接
合していることも判る。
体に対する接合強度が7.8Kg/mm2以上の高い値を示し、
メタライズ金属層がセラミック体に極めて強固に被着接
合していることも判る。
よって本発明のメタライズ金属層を有するセラミック
体は半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ
や回路配線導体を有する回路基板等に極めて好適に使用
される。
体は半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ
や回路配線導体を有する回路基板等に極めて好適に使用
される。
Claims (1)
- 【請求項１】セラミック体にモリブデン粉末から成るメ
タライズ金属層を被着接合させて成るメタライズ金属層
を有するセラミック体において、前記メタライズ金属層
を形成するモリブデン粉末は少なくとも粒径2.0μｍ以
下のものが5.0乃至20.0％、2.0乃至5.0μｍのものが60.
0乃至80.0％、10.0μｍ以上のものが1.0％以下含んでい
ることを特徴とするメタライズ金属層を有するセラミッ
ク体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2119474A JP2742627B2 (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | メタライズ金属層を有するセラミック体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2119474A JP2742627B2 (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | メタライズ金属層を有するセラミック体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0416578A JPH0416578A (ja) | 1992-01-21 |
| JP2742627B2 true JP2742627B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=14762205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2119474A Expired - Fee Related JP2742627B2 (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | メタライズ金属層を有するセラミック体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2742627B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6068912A (en) | 1998-05-01 | 2000-05-30 | International Business Machines Corporation | Platible non-metallic filler material for metallurgical screening paste |
-
1990
- 1990-05-09 JP JP2119474A patent/JP2742627B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0416578A (ja) | 1992-01-21 |
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