JP2742628B2 - メタライズ金属層を有する窒化アルミニウム質焼結体 - Google Patents
メタライズ金属層を有する窒化アルミニウム質焼結体Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はメタライズ金属層を有する窒化アルミニウム
質焼結体に関するものである。
質焼結体に関するものである。
（従来技術及びその課題） 従来、セラミックス、特にアルミナに代表される酸化
物系セラミックスは電気絶縁性、化学的安定性等の特性
に優れていることから半導体素子を収容する半導体素子
収納用パッケージや半導体素子、抵抗、コンデンサ等が
搭載接続される回路基板等に多用されており、該酸化物
系セラミックスを用いた半導体素子収納用パッケージや
回路基板等はセラミック体表面に回路配線導体としての
メタライズ金属層が多数、被着接合されて構成されてい
る。
物系セラミックスは電気絶縁性、化学的安定性等の特性
に優れていることから半導体素子を収容する半導体素子
収納用パッケージや半導体素子、抵抗、コンデンサ等が
搭載接続される回路基板等に多用されており、該酸化物
系セラミックスを用いた半導体素子収納用パッケージや
回路基板等はセラミック体表面に回路配線導体としての
メタライズ金属層が多数、被着接合されて構成されてい
る。
かかる酸化物系セラミックスから成るセラミック体表
面のメタライズ金属層はセラミック体がアルミナ質焼結
体から成る場合、通常、平均粒径が2.0μｍ程度のタン
グステン（Ｗ）から成る粉末に有機溶剤、溶媒を添加し
ペースト状と成したものを未焼成アルミナ質成形体表面
にスクリーン印刷法により被着させ、しかる後、前記未
焼成アルミナ質成形体を還元雰囲気中、約1600℃の温度
で焼成し、タングステン粉末の粉末粒子間にアルミナ質
焼結体のアルミナ結晶間に介在するガラス成分の一部を
移行させ、アルミナ結晶とタングステン粉末とをガラス
成分を介し接合させることによってアルミナ質焼結体の
表面に被着接合される。
面のメタライズ金属層はセラミック体がアルミナ質焼結
体から成る場合、通常、平均粒径が2.0μｍ程度のタン
グステン（Ｗ）から成る粉末に有機溶剤、溶媒を添加し
ペースト状と成したものを未焼成アルミナ質成形体表面
にスクリーン印刷法により被着させ、しかる後、前記未
焼成アルミナ質成形体を還元雰囲気中、約1600℃の温度
で焼成し、タングステン粉末の粉末粒子間にアルミナ質
焼結体のアルミナ結晶間に介在するガラス成分の一部を
移行させ、アルミナ結晶とタングステン粉末とをガラス
成分を介し接合させることによってアルミナ質焼結体の
表面に被着接合される。
しかし乍ら、近時、半導体素子の高密度化、高集積化
が急激に進んでおり、半導体素子が作動時に発生する熱
量は極めて大きなものとなってきている。そのためこの
半導体素子を上述した従来の半導体素子収納用パッケー
ジや回路基板に収容搭載した場合、パッケージや回路基
板等に使用されるアルミナセラミックスの熱伝導率が約
20W/m・Ｋと低いため、該アルミナセラミックスを介し
て半導体素子が作動時に発生する熱を大気中に良好に放
散させることができず、その結果、半導体素子が該素子
自身の発生する熱によって高温となり、半導体素子に熱
破壊を起こさせたり、特性に熱変化を与え、誤動作を生
じさせたりするという欠点を招来した。
が急激に進んでおり、半導体素子が作動時に発生する熱
量は極めて大きなものとなってきている。そのためこの
半導体素子を上述した従来の半導体素子収納用パッケー
ジや回路基板に収容搭載した場合、パッケージや回路基
板等に使用されるアルミナセラミックスの熱伝導率が約
20W/m・Ｋと低いため、該アルミナセラミックスを介し
て半導体素子が作動時に発生する熱を大気中に良好に放
散させることができず、その結果、半導体素子が該素子
自身の発生する熱によって高温となり、半導体素子に熱
破壊を起こさせたり、特性に熱変化を与え、誤動作を生
じさせたりするという欠点を招来した。
そこで上記欠点を解消するためにアルミナセラミック
ス等、酸化物系セラミックスに変えて熱伝導率が80W/m
・Ｋ以上の極めて熱を伝え易い窒化アルミニウム質焼結
体を使用することが考えられる。
ス等、酸化物系セラミックスに変えて熱伝導率が80W/m
・Ｋ以上の極めて熱を伝え易い窒化アルミニウム質焼結
体を使用することが考えられる。
しかし乍ら、窒化アルミニウム質焼結体は窒化アルミ
ニウム結晶間に介在するガラス成分が少ないこと及び窒
化アルミニウム結晶と金属との漏れ性が悪いこと等から
窒化アルミニウム質焼結体の表面にタングステン粉末か
ら成るメタライズ金属層を接合させたとしてもその接合
強度は極めて弱く、半導体素子収納用パッケージや回路
基板等には使用できないという欠点を有していた。
ニウム結晶間に介在するガラス成分が少ないこと及び窒
化アルミニウム結晶と金属との漏れ性が悪いこと等から
窒化アルミニウム質焼結体の表面にタングステン粉末か
ら成るメタライズ金属層を接合させたとしてもその接合
強度は極めて弱く、半導体素子収納用パッケージや回路
基板等には使用できないという欠点を有していた。
（発明の目的） 本発明者等は上記欠点に鑑み種々の実験を行った結
果、メタライズ金属層としてタングステン粉末にエルビ
ウムアルミネートを主成分とする結晶粉末を所定量含有
させたものを使用するとメタライズ金属層を窒化アルミ
ニウム質焼結体にシート抵抗を低く、且つ接合強度を強
くして接合し得ることを知見した。
果、メタライズ金属層としてタングステン粉末にエルビ
ウムアルミネートを主成分とする結晶粉末を所定量含有
させたものを使用するとメタライズ金属層を窒化アルミ
ニウム質焼結体にシート抵抗を低く、且つ接合強度を強
くして接合し得ることを知見した。
本発明は上記知見に基づき、メタライズ金属層のシー
ト抵抗が小さく、メタライズ金属層と窒化アルミニウム
質焼結体との接合強度が強い、半導体素子収納用パッケ
ージや回路基板等に好適に使用することができるメタラ
イズ金属層を有する窒化アルミニウム質焼結体を提供す
ることをその目的とするものである。
ト抵抗が小さく、メタライズ金属層と窒化アルミニウム
質焼結体との接合強度が強い、半導体素子収納用パッケ
ージや回路基板等に好適に使用することができるメタラ
イズ金属層を有する窒化アルミニウム質焼結体を提供す
ることをその目的とするものである。
（課題を解決するための手段） 本発明のメタライズ金属層を有する窒化アルミニウム
質焼結体はタングステン粉末100体積％にエルビウムア
ルミネートを主成分とする結晶粉末を５乃至20体積％含
有させて成るメタライズ金属層を窒化アルミニウム質焼
結体に接合させたことを特徴とするものである。
質焼結体はタングステン粉末100体積％にエルビウムア
ルミネートを主成分とする結晶粉末を５乃至20体積％含
有させて成るメタライズ金属層を窒化アルミニウム質焼
結体に接合させたことを特徴とするものである。
本発明のメタライズ金属層において含有されるエルビ
ウムアルミネートを主成分とする結晶粉末はタングステ
ンと窒化アルミニウム質焼結体との接合強度を強固とす
るための成分であり、その含有量がタングステン100体
積％に対し５体積％未満であると所望する前記性質は付
与されず、メタライズ金属層と窒化アルミニウム質焼結
体との接合強度が低いものとなってしまい、また20体積
％を越えるとメタライズ金属層のシート抵抗が高くな
り、半導体素子収納用パッケージや回路基板等の回路配
線導体としては不向きとなる。従って、エルビウムアル
ミネートを主成分とする結晶粉末の含有量はタングステ
ン100体積％に対し５乃至20体積％の範囲に特定され
る。
ウムアルミネートを主成分とする結晶粉末はタングステ
ンと窒化アルミニウム質焼結体との接合強度を強固とす
るための成分であり、その含有量がタングステン100体
積％に対し５体積％未満であると所望する前記性質は付
与されず、メタライズ金属層と窒化アルミニウム質焼結
体との接合強度が低いものとなってしまい、また20体積
％を越えるとメタライズ金属層のシート抵抗が高くな
り、半導体素子収納用パッケージや回路基板等の回路配
線導体としては不向きとなる。従って、エルビウムアル
ミネートを主成分とする結晶粉末の含有量はタングステ
ン100体積％に対し５乃至20体積％の範囲に特定され
る。
尚、前記メタライズ金属層はタングステン粉末の粒径
が1.0μｍ未満であると、タングステン粉末の表面エネ
ルギーが大きくなって凝集塊を作り易くなり、また3.0
μｍを越えるとタングステン粉末の粒径が大きくなって
隣接する粉末同士の接触領域が狭くなり、いずれの場合
もメタライズ金属層のシート抵抗が大きなものとなる傾
向にある。従って、メタライズ金属層のシート抵抗を小
さなものとするにはタングステン粉末の粒径を1.0乃至
3.0μｍの範囲としておくことが好ましい。
が1.0μｍ未満であると、タングステン粉末の表面エネ
ルギーが大きくなって凝集塊を作り易くなり、また3.0
μｍを越えるとタングステン粉末の粒径が大きくなって
隣接する粉末同士の接触領域が狭くなり、いずれの場合
もメタライズ金属層のシート抵抗が大きなものとなる傾
向にある。従って、メタライズ金属層のシート抵抗を小
さなものとするにはタングステン粉末の粒径を1.0乃至
3.0μｍの範囲としておくことが好ましい。
またエルビウムアルミネートを主成分とする結晶粉末
はその粒径が1.0μｍを越えると窒化アルミニウム質焼
結体との反応性が低下し、窒化アルミニウム質焼結体に
メタライズ金属層を強固に接合させることができなくな
る傾向にある。従って、メタライズ金属層を窒化アルミ
ニウム質焼結体に強固に接合させるためにはエルビウム
アルミネートを主成分とする結晶粉末の粒径を1.0μｍ
以下としておくことが好ましい。
はその粒径が1.0μｍを越えると窒化アルミニウム質焼
結体との反応性が低下し、窒化アルミニウム質焼結体に
メタライズ金属層を強固に接合させることができなくな
る傾向にある。従って、メタライズ金属層を窒化アルミ
ニウム質焼結体に強固に接合させるためにはエルビウム
アルミネートを主成分とする結晶粉末の粒径を1.0μｍ
以下としておくことが好ましい。
（実施例） 次に本発明を添付図面に示す実施例に基づき詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明のメタライズ金属層を有する窒化アル
ミニウム質焼結体を半導体素子収納用パッケージに適用
した場合の例を示し、１は窒化アルミニウム質焼結体か
ら成る絶縁基体、２は蓋体である。この絶縁基体１と蓋
体２とで容器３が構成される。
ミニウム質焼結体を半導体素子収納用パッケージに適用
した場合の例を示し、１は窒化アルミニウム質焼結体か
ら成る絶縁基体、２は蓋体である。この絶縁基体１と蓋
体２とで容器３が構成される。
前記絶縁基体１はその上面中央部に半導体素子４を収
容するための空所を形成する段状の凹部が設けてあり、
該凹部底面には半導体素子４が接着材を介し取着され
る。
容するための空所を形成する段状の凹部が設けてあり、
該凹部底面には半導体素子４が接着材を介し取着され
る。
また前記絶縁基体１には凹部段状上面から容器３の外
部に導出するメタライズ金属層５が被着形成されてお
り、該メタライズ金属層５の凹部段状上面部には半導体
素子４の電極がボンディングワイヤ６を介し電気的に接
続され、また容器３の外部に導出された部位には外部電
気回路と接続される外部リード端子７が銀ロウ等のロウ
材８を介し取着されている。
部に導出するメタライズ金属層５が被着形成されてお
り、該メタライズ金属層５の凹部段状上面部には半導体
素子４の電極がボンディングワイヤ６を介し電気的に接
続され、また容器３の外部に導出された部位には外部電
気回路と接続される外部リード端子７が銀ロウ等のロウ
材８を介し取着されている。
前記窒化アルミニウム質焼結体から成る絶縁基体１は
例えば、主原料である窒化アルミニウム粉末に焼結助剤
としての酸化エルビニウム、カルシア等の粉末及び適当
な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿物を作るとともに
該泥漿物をドクターブレード法を採用することによって
グリーンシート（生シート）を成し、しかる後、前記グ
リーンシートに適当な打抜き加工を施すとともにこれを
複数枚積層し、約1800℃の高温で焼成することによって
製作される。
例えば、主原料である窒化アルミニウム粉末に焼結助剤
としての酸化エルビニウム、カルシア等の粉末及び適当
な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿物を作るとともに
該泥漿物をドクターブレード法を採用することによって
グリーンシート（生シート）を成し、しかる後、前記グ
リーンシートに適当な打抜き加工を施すとともにこれを
複数枚積層し、約1800℃の高温で焼成することによって
製作される。
また前記メタライズ金属層５はタングステン粉末100
体積％に、エルビウムアルミネートを主成分とする結晶
粉末を５乃至20体積％含有させたものから成り、該タン
グステン粉末及びエルビウムアルミネートを主成分とす
る結晶粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た
金属ペーストを絶縁基体１となるグリーンシートに印刷
塗布するとともにこれを焼成し、グリーンシートと金属
ペーストとを焼結一体化させることによって絶縁基体１
の所定位置に被着形成される。
体積％に、エルビウムアルミネートを主成分とする結晶
粉末を５乃至20体積％含有させたものから成り、該タン
グステン粉末及びエルビウムアルミネートを主成分とす
る結晶粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た
金属ペーストを絶縁基体１となるグリーンシートに印刷
塗布するとともにこれを焼成し、グリーンシートと金属
ペーストとを焼結一体化させることによって絶縁基体１
の所定位置に被着形成される。
前記メタライズ金属層５に含有されるエルビウムアル
ミネートを主成分とする結晶粉末は、例えば酸化エルビ
ニウムに酸化アルミニウム、或いは酸化エルビニウムに
酸化アルミニウム及び酸化カルシウムを添加混合すると
ともにこれを大気中、約1700〜1800℃で加熱し、各々を
反応させることによって形成され、酸化エルビニウムに
酸化アルミニウム及び酸化カルシウムを添加混合し、反
応させることによって得られるエルビウムアルミネート
を主成分とする結晶粉末はその溶融温度が低く、窒化ア
ルミニウム質焼結体から成る絶縁基体１にメタライズ金
属層５を被着接合させる際、エルビウムアルミネートを
主成分とする結晶粉末が先に溶融し、タングステン粉末
と窒化アルミニウム質焼結体との接合性を良好としてメ
タライズ金属層５を絶縁基体１に強固に被着接合させる
ことが可能となる。
ミネートを主成分とする結晶粉末は、例えば酸化エルビ
ニウムに酸化アルミニウム、或いは酸化エルビニウムに
酸化アルミニウム及び酸化カルシウムを添加混合すると
ともにこれを大気中、約1700〜1800℃で加熱し、各々を
反応させることによって形成され、酸化エルビニウムに
酸化アルミニウム及び酸化カルシウムを添加混合し、反
応させることによって得られるエルビウムアルミネート
を主成分とする結晶粉末はその溶融温度が低く、窒化ア
ルミニウム質焼結体から成る絶縁基体１にメタライズ金
属層５を被着接合させる際、エルビウムアルミネートを
主成分とする結晶粉末が先に溶融し、タングステン粉末
と窒化アルミニウム質焼結体との接合性を良好としてメ
タライズ金属層５を絶縁基体１に強固に被着接合させる
ことが可能となる。
尚、前記絶縁基体１を構成する窒化アルミニウム質焼
結体は、その熱伝導率が80.0W/m・Ｋ以上と高く、熱を
伝導し易いため絶縁基体１の凹部底面に半導体素子４を
取着し、作動させた場合、絶縁基体１は半導体素子４が
発生する熱を直接伝導吸収するとともに該吸収した熱を
大気中に良好に放散することが可能となり、これによっ
て半導体素子４は常に低温として熱破壊したり、特性に
熱変化を生じ、誤動作したりすることはなくなる。
結体は、その熱伝導率が80.0W/m・Ｋ以上と高く、熱を
伝導し易いため絶縁基体１の凹部底面に半導体素子４を
取着し、作動させた場合、絶縁基体１は半導体素子４が
発生する熱を直接伝導吸収するとともに該吸収した熱を
大気中に良好に放散することが可能となり、これによっ
て半導体素子４は常に低温として熱破壊したり、特性に
熱変化を生じ、誤動作したりすることはなくなる。
また前記絶縁基体１に被着させたメタライズ金属層５
にロウ付けされる外部リード端子７は内部に収容する半
導体素子４を外部電気回路に接続する作用を為し、外部
リード端子７を外部電気回路に接続することによって内
部に収容される半導体素子４はメタライズ金属層５及び
外部リード端子７を介し外部電気回路に電気的に接続さ
れることとなる。
にロウ付けされる外部リード端子７は内部に収容する半
導体素子４を外部電気回路に接続する作用を為し、外部
リード端子７を外部電気回路に接続することによって内
部に収容される半導体素子４はメタライズ金属層５及び
外部リード端子７を介し外部電気回路に電気的に接続さ
れることとなる。
前記外部リード端子７は例えば、鉄51.0乃至64.0重量
％、ニッケル29.0乃至34.0重量％及びコバルト7.0乃至1
5.0重量％の合金より成り、その熱膨張係数が4.0乃至5.
0×10-6／℃（20〜400℃）のものとなっている。
％、ニッケル29.0乃至34.0重量％及びコバルト7.0乃至1
5.0重量％の合金より成り、その熱膨張係数が4.0乃至5.
0×10-6／℃（20〜400℃）のものとなっている。
前記外部リード端子７はその熱膨張係数が4.0乃至5.0
×10-6／℃（20〜400℃）であり、絶縁基体１を構成す
る窒化アルミニウム質焼結体の熱膨張係数（4.2〜4.7×
10-6／℃）と近似していることから絶縁基体１に被着さ
せたメタライズ金属層５に外部リード端子７をロウ付け
する際、絶縁基体１と外部リード端子７との間には両者
の熱膨張係数の相違に起因する大きな熱応力が発生する
ことはなく、両者のロウ付け部に大きな応力が内在する
こともない。従って、ロウ付け後、外部リード端子７に
外力が印加されたとしても該外力がロウ付け部に内在す
る応力と相俟って大となり、絶縁基体１より外部リード
端子７を剥がれさせることはない。
×10-6／℃（20〜400℃）であり、絶縁基体１を構成す
る窒化アルミニウム質焼結体の熱膨張係数（4.2〜4.7×
10-6／℃）と近似していることから絶縁基体１に被着さ
せたメタライズ金属層５に外部リード端子７をロウ付け
する際、絶縁基体１と外部リード端子７との間には両者
の熱膨張係数の相違に起因する大きな熱応力が発生する
ことはなく、両者のロウ付け部に大きな応力が内在する
こともない。従って、ロウ付け後、外部リード端子７に
外力が印加されたとしても該外力がロウ付け部に内在す
る応力と相俟って大となり、絶縁基体１より外部リード
端子７を剥がれさせることはない。
かくして前記絶縁基体１の凹部底面に半導体素子４を
接着材を介して取着するとともに半導体素子４の各電極
をメタライズ金属層５にボンディングワイヤ６を介して
電気的に接続し、しかる後、絶縁基体１の上面に蓋体２
をガラス、樹脂等の封止部材を介して取着し、容器３を
気密に封止することによって製品としての半導体装置と
なる。
接着材を介して取着するとともに半導体素子４の各電極
をメタライズ金属層５にボンディングワイヤ６を介して
電気的に接続し、しかる後、絶縁基体１の上面に蓋体２
をガラス、樹脂等の封止部材を介して取着し、容器３を
気密に封止することによって製品としての半導体装置と
なる。
（実験例） 次に本発明の作用効果を以下に示す実験例に基づき説
明する。
明する。
まず出発原料として粒径1.2μｍのタングステン粉末1
00体積％に対し、粒径0.8μｍのエルビウムアルミネー
トを主成分とする結晶粉末を第１表に示す値となるよう
に各々秤量し、これに有機溶剤、溶媒を添加するととも
に混練機で10時間混練し、メタライズ金属層用ペースト
試料を得る。
00体積％に対し、粒径0.8μｍのエルビウムアルミネー
トを主成分とする結晶粉末を第１表に示す値となるよう
に各々秤量し、これに有機溶剤、溶媒を添加するととも
に混練機で10時間混練し、メタライズ金属層用ペースト
試料を得る。
尚、試料番号10は本発明品と比較するための比較試料
であり、粒径1.2μｍのタングステン粉末のみから成る
従来一般に使用されているメタライズ金属層用ぺースト
である。
であり、粒径1.2μｍのタングステン粉末のみから成る
従来一般に使用されているメタライズ金属層用ぺースト
である。
かくして得られたメタライズ金属層用ぺースト試料を
使用して未焼成窒化アルミニウム質成形体の各々の外表
面に1.5mm角、厚さ20μｍのパターン20個をスクリーン
印刷法により印刷塗布し、次にこれを還元雰囲気（窒素
−水素雰囲気）中、約1800℃の温度で焼成し、窒化アル
ミニウム質焼結体の表面にメタライズ金属層を被着接合
させる。
使用して未焼成窒化アルミニウム質成形体の各々の外表
面に1.5mm角、厚さ20μｍのパターン20個をスクリーン
印刷法により印刷塗布し、次にこれを還元雰囲気（窒素
−水素雰囲気）中、約1800℃の温度で焼成し、窒化アル
ミニウム質焼結体の表面にメタライズ金属層を被着接合
させる。
そして次に前記メタライズ金属層に1.0mm角、長さ40.
0mmの鉄51.0乃至64.0重量％、ニッケル29.0乃至34.0重
量％及びコバルト7.0乃至15.0重量％から成る金属柱の
一端を銀ロウ（銀:72重量％、銅:28重量％）を介してロ
ウ付けし、しかる後、金属柱のロウ付け部と反対の端を
垂直方向に引っ張り、メタライズ金属層が窒化アルミニ
ウム質焼結体から剥がれた際の引っ張り強度を調べ、そ
の平均値をメタライズ金属層の接合強度として算出し
た。
0mmの鉄51.0乃至64.0重量％、ニッケル29.0乃至34.0重
量％及びコバルト7.0乃至15.0重量％から成る金属柱の
一端を銀ロウ（銀:72重量％、銅:28重量％）を介してロ
ウ付けし、しかる後、金属柱のロウ付け部と反対の端を
垂直方向に引っ張り、メタライズ金属層が窒化アルミニ
ウム質焼結体から剥がれた際の引っ張り強度を調べ、そ
の平均値をメタライズ金属層の接合強度として算出し
た。
尚、前記メタライズ金属層に金属柱をロウ付けする場
合には、メタライズ金属層の外表面に厚さ1.5μｍのニ
ッケルメッキ層を層着させておいた。
合には、メタライズ金属層の外表面に厚さ1.5μｍのニ
ッケルメッキ層を層着させておいた。
また上述と同様の方法により窒化アルミニウム質焼結
体表面に長さ30.0mm、幅3.0mm、厚さ20μｍのメタライ
ズ金属層を20個、被着接合させるとともに各々のシート
抵抗を測定し、その平均値から各メタライズ金属層のシ
ート抵抗値を算出した。
体表面に長さ30.0mm、幅3.0mm、厚さ20μｍのメタライ
ズ金属層を20個、被着接合させるとともに各々のシート
抵抗を測定し、その平均値から各メタライズ金属層のシ
ート抵抗値を算出した。
上記の結果を第１表に示す。
（発明の効果） 上記実験結果からも判るように、従来のメタライズ金
属層は窒化アルミニウム質焼結体との接合強度が、3.0k
g/mm2と極めて弱いものであるのに対し、本発明品は5.1
kg/mm2以上であり、メタライズ金属層が窒化アルミニウ
ム質焼結体に強固に被着接合している。
属層は窒化アルミニウム質焼結体との接合強度が、3.0k
g/mm2と極めて弱いものであるのに対し、本発明品は5.1
kg/mm2以上であり、メタライズ金属層が窒化アルミニウ
ム質焼結体に強固に被着接合している。
特に、メタライズ金属層のエルビウムアルミネートを
主成分とする結晶粉末の含有量が7.0乃至13.0体積％と
なるとメタライズ金属層の窒化アルミニウム質焼結体に
対する接合強度が5.8kg/mm2以上となり、両者は極めて
強固に接合する。
主成分とする結晶粉末の含有量が7.0乃至13.0体積％と
なるとメタライズ金属層の窒化アルミニウム質焼結体に
対する接合強度が5.8kg/mm2以上となり、両者は極めて
強固に接合する。
また本発明のメタライズ金属層はそのシート抵抗が1
4.8mΩ/SQ以下と小さく、メタライズ金属層の電気抵抗
を極めて小さなものとなすこともできる。
4.8mΩ/SQ以下と小さく、メタライズ金属層の電気抵抗
を極めて小さなものとなすこともできる。
よって本発明のメタライズ金属層を有する窒化アルミ
ニウム質焼結体は半導体素子を収容載置する半導体素子
収納用パッケージや回路基板等に極めて好適に使用する
ことが可能となる。
ニウム質焼結体は半導体素子を収容載置する半導体素子
収納用パッケージや回路基板等に極めて好適に使用する
ことが可能となる。
第１図は本発明のメタライズ金属層を有する窒化アルミ
ニウム質焼結体を半導体素子収納用パッケージに適用し
た場合の例を示す断面図である。 １……窒化アルミニウム質焼結体から成る絶縁基体 ２……蓋体 ５……メタライズ金属層 ７……外部リード端子
ニウム質焼結体を半導体素子収納用パッケージに適用し
た場合の例を示す断面図である。 １……窒化アルミニウム質焼結体から成る絶縁基体 ２……蓋体 ５……メタライズ金属層 ７……外部リード端子
Claims (1)
- 【請求項１】タングステン粉末100体積％にエルビウム
アルミネートを主成分とする結晶粉末を５乃至20体積％
含有させて成るメタライズ金属層を窒化アルミニウム質
焼結体に接合させたことを特徴とするメタライズ金属層
を有する窒化アルミニウム質焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18860590A JP2742628B2 (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | メタライズ金属層を有する窒化アルミニウム質焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18860590A JP2742628B2 (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | メタライズ金属層を有する窒化アルミニウム質焼結体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0477379A JPH0477379A (ja) | 1992-03-11 |
| JP2742628B2 true JP2742628B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=16226598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18860590A Expired - Lifetime JP2742628B2 (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | メタライズ金属層を有する窒化アルミニウム質焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2742628B2 (ja) |
-
1990
- 1990-07-16 JP JP18860590A patent/JP2742628B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0477379A (ja) | 1992-03-11 |
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