JP2000277872A - 配線基板 - Google Patents
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- JP2000277872A JP2000277872A JP11080518A JP8051899A JP2000277872A JP 2000277872 A JP2000277872 A JP 2000277872A JP 11080518 A JP11080518 A JP 11080518A JP 8051899 A JP8051899 A JP 8051899A JP 2000277872 A JP2000277872 A JP 2000277872A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】回路配線層の屈曲部の電流密度が高くなり不要
な抵抗発熱が発生する。 【解決手段】絶縁基体１と、該絶縁基体１と同時焼成に
よって形成され、絶縁基体１の表面および／または内部
に形成されている屈曲部Ａを有する回路配線層２とから
なる配線基板であって、前記回路配線層２の屈曲部Ａ
に、該屈曲部Ａ内側の直交する２つの内辺を含むよう
に、厚みが前記回路配線層２の厚みの５０％以上で、幅
が前記回路配線層２の幅の３５％以上である補助導体層
３を形成した。
な抵抗発熱が発生する。 【解決手段】絶縁基体１と、該絶縁基体１と同時焼成に
よって形成され、絶縁基体１の表面および／または内部
に形成されている屈曲部Ａを有する回路配線層２とから
なる配線基板であって、前記回路配線層２の屈曲部Ａ
に、該屈曲部Ａ内側の直交する２つの内辺を含むよう
に、厚みが前記回路配線層２の厚みの５０％以上で、幅
が前記回路配線層２の幅の３５％以上である補助導体層
３を形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はインシュレーティッ
ド・ゲート・バイポーラ・トランジスタ（ＩＧＢＴ）や
サイリスタ、パワートランジスタ等の電子部品が搭載さ
れる配線基板に関するものである。
ド・ゲート・バイポーラ・トランジスタ（ＩＧＢＴ）や
サイリスタ、パワートランジスタ等の電子部品が搭載さ
れる配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、配線基板、例えば、インシュレー
ティッド・ゲート・バイポーラ・トランジスタ（ＩＧＢ
Ｔ）やサイリスタ、パワートランジスタ等の電子部品を
収容する電子部品収納用パッケージに使用される配線基
板は、一般に酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニ
ウム質焼結体、窒化珪素質焼結体、ムライト質焼結体等
の電気絶縁性のセラミックス材料から成り、その上面の
略中央に電子部品を収容するための凹部を有する絶縁基
体と、前記絶縁基体の凹部周辺から下面にかけて導出さ
れたタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金
属粉末から成る回路配線層とから構成されており、絶縁
基体の凹部底面に電子部品をガラス、樹脂、ロウ材等の
接着材を介して接着固定するとともに電子部品の各電極
を凹部周辺に位置する回路配線層にボンディングワイヤ
を介して電気的に接続し、しかる後、前記絶縁基体の上
面に金属やセラミックス等から成る蓋体をガラス、樹
脂、ロウ材等から成る封止材を介して接合させ、絶縁基
体の凹部内に電子部品を気密に収容することによって最
終製品としての電子部品装置となる。
ティッド・ゲート・バイポーラ・トランジスタ（ＩＧＢ
Ｔ）やサイリスタ、パワートランジスタ等の電子部品を
収容する電子部品収納用パッケージに使用される配線基
板は、一般に酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニ
ウム質焼結体、窒化珪素質焼結体、ムライト質焼結体等
の電気絶縁性のセラミックス材料から成り、その上面の
略中央に電子部品を収容するための凹部を有する絶縁基
体と、前記絶縁基体の凹部周辺から下面にかけて導出さ
れたタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金
属粉末から成る回路配線層とから構成されており、絶縁
基体の凹部底面に電子部品をガラス、樹脂、ロウ材等の
接着材を介して接着固定するとともに電子部品の各電極
を凹部周辺に位置する回路配線層にボンディングワイヤ
を介して電気的に接続し、しかる後、前記絶縁基体の上
面に金属やセラミックス等から成る蓋体をガラス、樹
脂、ロウ材等から成る封止材を介して接合させ、絶縁基
体の凹部内に電子部品を気密に収容することによって最
終製品としての電子部品装置となる。
【０００３】なお、前記電子部品収納用パッケージに使
用される配線基板は、通常、絶縁基体に設けた回路配線
層の一部に鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル
合金等から成る外部リード端子が銀ロウ等のロウ材を介
して取着されており、外部リード端子を外部電気回路に
接続させることによって電子部品の各電極は回路配線
層、ボンディングワイヤ及び外部リード端子を介して外
部電気回路に電気的に接続されることとなる。
用される配線基板は、通常、絶縁基体に設けた回路配線
層の一部に鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル
合金等から成る外部リード端子が銀ロウ等のロウ材を介
して取着されており、外部リード端子を外部電気回路に
接続させることによって電子部品の各電極は回路配線
層、ボンディングワイヤ及び外部リード端子を介して外
部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【０００４】また、前記回路配線層を有する絶縁基体
は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、
酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化
カルシウム等の原料粉末にに適当な有機バインダー、可
塑剤、溶剤等を添加混合して泥漿状と成すとともにこれ
を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法
等のテープ成形技術を採用して複数のセラミックグリー
ンシートを得、次に前記グリーンシートにタングステン
等の高融点金属粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、
溶剤を添加混合して得た金属ペーストを所定パターンに
印刷塗布し、最後に前記セラミックグリーンシートを必
要に応じて上下に複数枚積層するとともに還元雰囲気
中、約１６００℃の温度で焼成することによって製作さ
れる。
は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、
酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化
カルシウム等の原料粉末にに適当な有機バインダー、可
塑剤、溶剤等を添加混合して泥漿状と成すとともにこれ
を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法
等のテープ成形技術を採用して複数のセラミックグリー
ンシートを得、次に前記グリーンシートにタングステン
等の高融点金属粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、
溶剤を添加混合して得た金属ペーストを所定パターンに
印刷塗布し、最後に前記セラミックグリーンシートを必
要に応じて上下に複数枚積層するとともに還元雰囲気
中、約１６００℃の温度で焼成することによって製作さ
れる。
【０００５】更に、前記配線基板においては回路配線層
を形成するタングステンやモリブデン等の高融点金属粉
末がロウ材との濡れ性が悪く、回路配線層に外部リード
端子やボンディングワイヤを強固に接合させることがで
きないことから、一般に回路配線層の露出面にはニッケ
ル、金等のロウ材との濡れ性の良い金属がめっき法等の
技術により被着されている。
を形成するタングステンやモリブデン等の高融点金属粉
末がロウ材との濡れ性が悪く、回路配線層に外部リード
端子やボンディングワイヤを強固に接合させることがで
きないことから、一般に回路配線層の露出面にはニッケ
ル、金等のロウ材との濡れ性の良い金属がめっき法等の
技術により被着されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の配線基板においては、回路配線層に屈曲部があり、
かつ回路配線層に大きな電流が流れた場合、電気は配線
導体の最短距離を流れるという性質を有するため、回路
配線層の屈曲部内側を大きな電流が集中して流れるとと
もに、回路配線層の屈曲部内側の電流密度を非常に高い
ものとして抵抗発熱が起こってしまい、その結果、前記
抵抗発熱の熱によってインシュレーティッド・ゲート・
バイポーラ・トランジスタ（ＩＧＢＴ）やサイリスタ、
パワートランジスタ等の電子部品が熱破壊したり、特性
に熱劣化が招来したり、或いは回路配線層の一部が溶断
し、回路配線層の電気抵抗値が異常に上昇したり、断線
したりするという欠点を有していた。
来の配線基板においては、回路配線層に屈曲部があり、
かつ回路配線層に大きな電流が流れた場合、電気は配線
導体の最短距離を流れるという性質を有するため、回路
配線層の屈曲部内側を大きな電流が集中して流れるとと
もに、回路配線層の屈曲部内側の電流密度を非常に高い
ものとして抵抗発熱が起こってしまい、その結果、前記
抵抗発熱の熱によってインシュレーティッド・ゲート・
バイポーラ・トランジスタ（ＩＧＢＴ）やサイリスタ、
パワートランジスタ等の電子部品が熱破壊したり、特性
に熱劣化が招来したり、或いは回路配線層の一部が溶断
し、回路配線層の電気抵抗値が異常に上昇したり、断線
したりするという欠点を有していた。
【０００７】そこで上記欠点を解消するために回路配線
層の配線幅を広げたり、銅、銀、金等の電気抵抗が低い
金属で回路配線層を形成することが考えられるが、回路
配線層の配線幅を広げた場合、回路配線層を形成する絶
縁基板の面積が広く、配線基板の外形寸法が大きくなっ
て近時の小型化が進む電子機器等への搭載が不可となる
欠点が誘発され、また、銅、銀、金等の電気抵抗が低い
金属で回路配線層を形成した場合には酸化アルミニウム
質焼結体等のセラミックスの焼結温度にくらべ銅、銀、
金等の金属の融点が低いことから絶縁基体と回路配線層
とを同時焼成によって形成することができないという欠
点があった。
層の配線幅を広げたり、銅、銀、金等の電気抵抗が低い
金属で回路配線層を形成することが考えられるが、回路
配線層の配線幅を広げた場合、回路配線層を形成する絶
縁基板の面積が広く、配線基板の外形寸法が大きくなっ
て近時の小型化が進む電子機器等への搭載が不可となる
欠点が誘発され、また、銅、銀、金等の電気抵抗が低い
金属で回路配線層を形成した場合には酸化アルミニウム
質焼結体等のセラミックスの焼結温度にくらべ銅、銀、
金等の金属の融点が低いことから絶縁基体と回路配線層
とを同時焼成によって形成することができないという欠
点があった。
【０００８】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は回路配線層に大きな電流が印加されたと
しても回路配線層の抵抗発熱が少なく、回路配線層の接
続信頼性が高い配線基板を提供することにある。
で、その目的は回路配線層に大きな電流が印加されたと
しても回路配線層の抵抗発熱が少なく、回路配線層の接
続信頼性が高い配線基板を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基体と、
該絶縁基体と同時焼成によって形成され、絶縁基体の表
面および／または内部に形成されている屈曲部を有する
回路配線層とからなる配線基板であって、前記回路配線
層の屈曲部に、該屈曲部内側の直交する２つの内辺を含
むように、厚みが前記回路配線層の厚みの５０％以上
で、幅が前記回路配線層の幅の３５％以上である補助導
体層を形成したことを特徴とするものである。
該絶縁基体と同時焼成によって形成され、絶縁基体の表
面および／または内部に形成されている屈曲部を有する
回路配線層とからなる配線基板であって、前記回路配線
層の屈曲部に、該屈曲部内側の直交する２つの内辺を含
むように、厚みが前記回路配線層の厚みの５０％以上
で、幅が前記回路配線層の幅の３５％以上である補助導
体層を形成したことを特徴とするものである。
【００１０】本発明の配線基板によれば、絶縁基体の表
面および／または内部に形成されている回路配線層の屈
曲部に、該屈曲部内側の直交する２つの内辺を含むよう
に、かつ厚みが前記回路配線層の厚みの５０％以上、幅
が前記回路配線層の幅の３５％以上に補助導体層を形成
したことから、回路配線層に大きな電流が印加され、回
路配線層の屈曲部内側に大きな電流が集中して流れたと
しても回路配線層の屈曲部内側には補助導体層が形成さ
れており、該補助導体層に電流の一部が流れて回路配線
層の屈曲部内側の電流密度が高くなることはなく、その
結果、回路配線層に抵抗発熱が発生するのが有効に防止
されて、配線基板に搭載される電子部品に誤動作を招来
させたり、回路配線層が溶断したりすることはない。
面および／または内部に形成されている回路配線層の屈
曲部に、該屈曲部内側の直交する２つの内辺を含むよう
に、かつ厚みが前記回路配線層の厚みの５０％以上、幅
が前記回路配線層の幅の３５％以上に補助導体層を形成
したことから、回路配線層に大きな電流が印加され、回
路配線層の屈曲部内側に大きな電流が集中して流れたと
しても回路配線層の屈曲部内側には補助導体層が形成さ
れており、該補助導体層に電流の一部が流れて回路配線
層の屈曲部内側の電流密度が高くなることはなく、その
結果、回路配線層に抵抗発熱が発生するのが有効に防止
されて、配線基板に搭載される電子部品に誤動作を招来
させたり、回路配線層が溶断したりすることはない。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１及び図２は、本発明の配線基板を
半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに使
用した場合の一実施例を示し、１は絶縁基体、２は回路
配線層、３は補助導体層である。
詳細に説明する。図１及び図２は、本発明の配線基板を
半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに使
用した場合の一実施例を示し、１は絶縁基体、２は回路
配線層、３は補助導体層である。
【００１２】前記絶縁基体１はその上面に半導体素子４
を収容するための空所を形成する凹部１ａが設けてあ
り、該凹部１ａ底面には半導体素子４がガラス、樹脂、
ロウ材等の接着材を介して接着固定される。
を収容するための空所を形成する凹部１ａが設けてあ
り、該凹部１ａ底面には半導体素子４がガラス、樹脂、
ロウ材等の接着材を介して接着固定される。
【００１３】前記絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼
結体や窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体等
の電気絶縁材料から形成され、例えば酸化アルミニウム
質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸
化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉
末に適当な有機バインダー、溶剤等を添加混合して泥漿
物を作るとともに該泥漿物をドクターブレード法やカレ
ンダーロール法等によりシート状に成形してセラミック
グリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる
後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工および穴あけ加工を施すとともにこれを複数枚積層
し、約１６００℃の高温で焼成することによって製作さ
れる。
結体や窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体等
の電気絶縁材料から形成され、例えば酸化アルミニウム
質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸
化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉
末に適当な有機バインダー、溶剤等を添加混合して泥漿
物を作るとともに該泥漿物をドクターブレード法やカレ
ンダーロール法等によりシート状に成形してセラミック
グリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる
後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工および穴あけ加工を施すとともにこれを複数枚積層
し、約１６００℃の高温で焼成することによって製作さ
れる。
【００１４】また前記絶縁基体１には凹部１ａの周辺か
ら外側面にかけて複数個の回路配線層２が被着形成され
ており、該回路配線層２のうち凹部１ａの周辺領域には
半導体素子４の各電極がボンディングワイヤ５を介して
電気的に接続され、また絶縁基体１の外側面に導出する
領域には外部電気回路と接続される外部リード端子６が
銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着されている。
ら外側面にかけて複数個の回路配線層２が被着形成され
ており、該回路配線層２のうち凹部１ａの周辺領域には
半導体素子４の各電極がボンディングワイヤ５を介して
電気的に接続され、また絶縁基体１の外側面に導出する
領域には外部電気回路と接続される外部リード端子６が
銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着されている。
【００１５】前記回路配線層２は半導体素子４の各電極
を外部電気回路に接続する際の導電路として作用し、タ
ングステンやモリブデン、マンガン等の金属材料によっ
て形成されている。
を外部電気回路に接続する際の導電路として作用し、タ
ングステンやモリブデン、マンガン等の金属材料によっ
て形成されている。
【００１６】前記回路配線層２は、例えば、タングステ
ン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に適当な
有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを絶縁
基体１となるセラミックグリーンシートの表面に従来周
知のスクリーン印刷法等により予め所定パターンに印刷
塗布しておき、セラミックグリーンシートを焼成して絶
縁基体１とする際に同時に絶縁基体１の凹部１ａ周辺か
ら外側面にかけて所定パターンに被着形成される。
ン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に適当な
有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを絶縁
基体１となるセラミックグリーンシートの表面に従来周
知のスクリーン印刷法等により予め所定パターンに印刷
塗布しておき、セラミックグリーンシートを焼成して絶
縁基体１とする際に同時に絶縁基体１の凹部１ａ周辺か
ら外側面にかけて所定パターンに被着形成される。
【００１７】なお、前記回路配線層２はその露出表面に
ニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材等と濡れ性
が良い金属をめっき法により１μｍ〜２０μｍの厚みに
被着させておくと、回路配線層２の酸化腐蝕を有効に防
止することができるとともに回路配線層２へのボンディ
ングワイヤ５の接続及び外部リード端子６のロウ付けを
強固となすことができる。従って、前記回路配線層２は
その露出表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロ
ウ材等と濡れ性が良い金属をめっき法により１μｍ〜２
０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。
ニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材等と濡れ性
が良い金属をめっき法により１μｍ〜２０μｍの厚みに
被着させておくと、回路配線層２の酸化腐蝕を有効に防
止することができるとともに回路配線層２へのボンディ
ングワイヤ５の接続及び外部リード端子６のロウ付けを
強固となすことができる。従って、前記回路配線層２は
その露出表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロ
ウ材等と濡れ性が良い金属をめっき法により１μｍ〜２
０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。
【００１８】また前記回路配線層２には外部リード端子
６がロウ付けされており、該外部リード端子６は外部電
気回路に半田等を介して接続され、これによって半導体
素子４はその各電極がボンディングワイヤ５及び回路配
線層２を介して外部電気回路に接続されることとなる。
６がロウ付けされており、該外部リード端子６は外部電
気回路に半田等を介して接続され、これによって半導体
素子４はその各電極がボンディングワイヤ５及び回路配
線層２を介して外部電気回路に接続されることとなる。
【００１９】前記外部リード端子６は、例えば、鉄ーニ
ッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等からなり、
鉄ーニッケルーコバルト合金等のインゴット（塊）に圧
延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を
施すことによって所定の形状に形成される。
ッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等からなり、
鉄ーニッケルーコバルト合金等のインゴット（塊）に圧
延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を
施すことによって所定の形状に形成される。
【００２０】前記外部リード端子６はまたその露出外表
面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材と濡れ
性がよい金属をめっき法により１μｍ〜２０μｍの厚み
に被着させておくと、外部リード端子６の酸化腐蝕を有
効に防止することができるとともに外部リード端子６を
外部電気回路に確実、強固に電気的接続することができ
る。従って、前記外部リード端子６はその露出表面にニ
ッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材等と濡れ性が
良い金属をめっき法により１μｍ〜２０μｍの厚みに被
着させておくことが好ましい。
面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材と濡れ
性がよい金属をめっき法により１μｍ〜２０μｍの厚み
に被着させておくと、外部リード端子６の酸化腐蝕を有
効に防止することができるとともに外部リード端子６を
外部電気回路に確実、強固に電気的接続することができ
る。従って、前記外部リード端子６はその露出表面にニ
ッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材等と濡れ性が
良い金属をめっき法により１μｍ〜２０μｍの厚みに被
着させておくことが好ましい。
【００２１】更に、前記外部リード端子６が取着されて
いる回路配線層２は凹部１ａ外周から絶縁基体１の外側
面に導出する間に屈曲部Ａが形成されており、該屈曲部
Ａには屈曲部Ａ内側の直交する２つの内辺を含むように
図３乃至図５に示すごとく、厚みが前記回路配線層２の
厚みの５０％以上、幅が前記回路配線層２の幅の３５％
以上である断面形状がＬ字型、四角形状、円形状の補助
導体層３が形成されている。
いる回路配線層２は凹部１ａ外周から絶縁基体１の外側
面に導出する間に屈曲部Ａが形成されており、該屈曲部
Ａには屈曲部Ａ内側の直交する２つの内辺を含むように
図３乃至図５に示すごとく、厚みが前記回路配線層２の
厚みの５０％以上、幅が前記回路配線層２の幅の３５％
以上である断面形状がＬ字型、四角形状、円形状の補助
導体層３が形成されている。
【００２２】前記補助導体層３は回路配線層２の屈曲部
Ａ内側の電流密度が高くなるのを防止する作用をなし、
回路配線層２に大きな電流が印加され、回路配線層２の
屈曲部Ａ内側に大きな電流が集中して流れたとしても回
路配線層２の屈曲部Ａ内側には補助導体層３が形成され
ており、該補助導体層３に電流の一部が流れることから
回路配線層２の屈曲部Ａ内側の電流密度が高くなること
はなく、その結果、回路配線層２に抵抗発熱が発生する
のが有効に防止されて、配線基板に搭載される電子部品
に誤動作を招来させたり、回路配線層２が溶断したりす
ることはない。
Ａ内側の電流密度が高くなるのを防止する作用をなし、
回路配線層２に大きな電流が印加され、回路配線層２の
屈曲部Ａ内側に大きな電流が集中して流れたとしても回
路配線層２の屈曲部Ａ内側には補助導体層３が形成され
ており、該補助導体層３に電流の一部が流れることから
回路配線層２の屈曲部Ａ内側の電流密度が高くなること
はなく、その結果、回路配線層２に抵抗発熱が発生する
のが有効に防止されて、配線基板に搭載される電子部品
に誤動作を招来させたり、回路配線層２が溶断したりす
ることはない。
【００２３】また、前記補助導体層３はその厚みが回路
配線層２の厚みの５０％未満、幅が回路配線層２の幅の
３５％未満であると回路配線層２に大きな電流が印加さ
れ、回路配線層２の屈曲部Ａ内側に大きな電流が集中し
て流れた際、回路配線層２の屈曲部Ａ内側の電流密度が
高くなって不要な抵抗発熱が起こってしまうことから前
記補助導電層３はのその厚みが回路配線層２の厚みの５
０％以上、幅が回路配線層２の幅の３５％以上に特定さ
れる。前記補助導体層３は、タングステン、モリブデン
等の高融点金属材料より成り、例えば、タングステン粉
末に適当な有機バインダー、可塑材、溶剤を添加混合し
て得た金属ペーストを回路配線層２の屈曲部Ａで該屈曲
部Ａ内側の直交する２つの内辺を含むように従来周知の
スクリーン印刷法により所定パターン、所定厚みに印刷
塗布しておくことによって、或いは、回路配線層２の屈
曲部Ａが対応する絶縁基板１の所定位置に屈曲部Ａ内側
の直交する２つの内辺を含むように予め凹部を形成して
おき、該凹部内に前記金属記ペーストを充填しておくこ
とによって形成される。
配線層２の厚みの５０％未満、幅が回路配線層２の幅の
３５％未満であると回路配線層２に大きな電流が印加さ
れ、回路配線層２の屈曲部Ａ内側に大きな電流が集中し
て流れた際、回路配線層２の屈曲部Ａ内側の電流密度が
高くなって不要な抵抗発熱が起こってしまうことから前
記補助導電層３はのその厚みが回路配線層２の厚みの５
０％以上、幅が回路配線層２の幅の３５％以上に特定さ
れる。前記補助導体層３は、タングステン、モリブデン
等の高融点金属材料より成り、例えば、タングステン粉
末に適当な有機バインダー、可塑材、溶剤を添加混合し
て得た金属ペーストを回路配線層２の屈曲部Ａで該屈曲
部Ａ内側の直交する２つの内辺を含むように従来周知の
スクリーン印刷法により所定パターン、所定厚みに印刷
塗布しておくことによって、或いは、回路配線層２の屈
曲部Ａが対応する絶縁基板１の所定位置に屈曲部Ａ内側
の直交する２つの内辺を含むように予め凹部を形成して
おき、該凹部内に前記金属記ペーストを充填しておくこ
とによって形成される。
【００２４】また一方、前記外部リード端子６が取着さ
れている絶縁基体１はその上面に蓋体７が樹脂、ガラ
ス、ロウ材等からなる封止材を介して接合され、蓋体７
によって絶縁基体１の凹部１ａを塞ぎ、凹部１ａ内に配
されている半導体素子４を気密に封止するようになって
いる。
れている絶縁基体１はその上面に蓋体７が樹脂、ガラ
ス、ロウ材等からなる封止材を介して接合され、蓋体７
によって絶縁基体１の凹部１ａを塞ぎ、凹部１ａ内に配
されている半導体素子４を気密に封止するようになって
いる。
【００２５】前記蓋体７は酸化アルミニウム質焼結体や
ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体等のセラ
ミックス材料、あるいは鉄−ニッケル−コバルト合金や
鉄−ニッケル合金等の金属材料から成り、例えば、酸化
アルミニウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミニ
ウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等
の原料粉末を従来周知のプレス成型法を採用することに
よって板状に成形するとともにこれを約１５００℃の温
度で焼成することによって形成される。
ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体等のセラ
ミックス材料、あるいは鉄−ニッケル−コバルト合金や
鉄−ニッケル合金等の金属材料から成り、例えば、酸化
アルミニウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミニ
ウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等
の原料粉末を従来周知のプレス成型法を採用することに
よって板状に成形するとともにこれを約１５００℃の温
度で焼成することによって形成される。
【００２６】かくして上述の半導体素子収納用パッケー
ジによれば、絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子４
をガラス、樹脂、ロウ材等の接着材を介し接着固定する
とともに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ
５により外部リード端子６が取着されている回路配線層
２に電気的に接続させ、しかる後、絶縁基体１の上面に
蓋体７を樹脂やガラス、ロウ材等から成る封止材を介し
て接合させ、絶縁基体１と蓋体７とから成る容器内部に
半導体素子４を気密に収容することによって最終製品と
しての半導体装置となる。
ジによれば、絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子４
をガラス、樹脂、ロウ材等の接着材を介し接着固定する
とともに該半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ
５により外部リード端子６が取着されている回路配線層
２に電気的に接続させ、しかる後、絶縁基体１の上面に
蓋体７を樹脂やガラス、ロウ材等から成る封止材を介し
て接合させ、絶縁基体１と蓋体７とから成る容器内部に
半導体素子４を気密に収容することによって最終製品と
しての半導体装置となる。
【００２７】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例では絶
縁基体１が酸化アルミニウム質焼結体からなる例を示し
たが、配線基板の熱放散性が求められるものに対しては
熱伝導率の高い窒化アルミニウム質焼結体や窒化珪素質
焼結体で絶縁基体１を形成し、また電気信号の高速伝搬
を求められるものには誘電率の低いムライト質焼結体を
絶縁基体１に使用したらよい。
ものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例では絶
縁基体１が酸化アルミニウム質焼結体からなる例を示し
たが、配線基板の熱放散性が求められるものに対しては
熱伝導率の高い窒化アルミニウム質焼結体や窒化珪素質
焼結体で絶縁基体１を形成し、また電気信号の高速伝搬
を求められるものには誘電率の低いムライト質焼結体を
絶縁基体１に使用したらよい。
【００２８】
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、絶縁基体の
表面および／または内部に形成されている回路配線層の
屈曲部に、該屈曲部内側の直交する２つの内辺を含むよ
うに、かつ厚みが前記回路配線層の厚みの５０％以上、
幅が前記回路配線層の幅の３５％以上に補助導体層を形
成したことから、回路配線層に大きな電流が印加され、
回路配線層の屈曲部内側に大きな電流が集中して流れた
としても回路配線層の屈曲部内側には補助導体層が形成
されており、該補助導体層に電流の一部が流れて回路配
線層の屈曲部内側の電流密度が高くなることはなく、そ
の結果、回路配線層に抵抗発熱が発生するのが有効に防
止されて、配線基板に搭載される電子部品に誤動作を招
来させたり、回路配線層が溶断したりすることはない。
表面および／または内部に形成されている回路配線層の
屈曲部に、該屈曲部内側の直交する２つの内辺を含むよ
うに、かつ厚みが前記回路配線層の厚みの５０％以上、
幅が前記回路配線層の幅の３５％以上に補助導体層を形
成したことから、回路配線層に大きな電流が印加され、
回路配線層の屈曲部内側に大きな電流が集中して流れた
としても回路配線層の屈曲部内側には補助導体層が形成
されており、該補助導体層に電流の一部が流れて回路配
線層の屈曲部内側の電流密度が高くなることはなく、そ
の結果、回路配線層に抵抗発熱が発生するのが有効に防
止されて、配線基板に搭載される電子部品に誤動作を招
来させたり、回路配線層が溶断したりすることはない。
【００２９】したがって、本発明の配線基板によれば、
搭載される電子部品に熱破壊や特性に熱劣化を招来する
ことはなく、電子部品を長期間にわたり正常、かつ安定
に作動させることが可能となるとともに回路配線層に不
要な溶断が発生するのを有効に防止し、電子部品を回路
配線層を介して外部電気回路に確実に電気的接続するこ
とができる。
搭載される電子部品に熱破壊や特性に熱劣化を招来する
ことはなく、電子部品を長期間にわたり正常、かつ安定
に作動させることが可能となるとともに回路配線層に不
要な溶断が発生するのを有効に防止し、電子部品を回路
配線層を介して外部電気回路に確実に電気的接続するこ
とができる。
【図１】本発明の配線基板を半導体素子収納用パッケー
ジに適用した場合の一実施例を示す平面図である。
ジに適用した場合の一実施例を示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体素子収納用パッケージの断面
図である。
図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は補助導体層を説明するための
一部拡大平面図及び断面図である。
一部拡大平面図及び断面図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は補助導体層を説明するための
一部拡大平面図及び断面図である。
一部拡大平面図及び断面図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は補助導体層を説明するための
一部拡大平面図及び断面図である。
一部拡大平面図及び断面図である。
１・・・・絶縁基体 ２・・・・回路配線層 ３・・・・補助導体層 Ａ・・・・回路配線層の屈曲部
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基体と、該絶縁基体と同時焼成によっ
て形成され、絶縁基体の表面および／または内部に形成
されている屈曲部を有する回路配線層とからなる配線基
板であって、前記回路配線層の屈曲部に、該屈曲部内側
の直交する２つの内辺を含むように、厚みが前記回路配
線層の厚みの５０％以上で、幅が前記回路配線層の幅の
３５％以上である補助導体層を形成したことを特徴とす
る配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11080518A JP2000277872A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11080518A JP2000277872A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277872A true JP2000277872A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13720543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11080518A Pending JP2000277872A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000277872A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008141213A (ja) * | 2007-12-27 | 2008-06-19 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2021002132A1 (ja) * | 2019-07-03 | 2021-01-07 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールの回路構造 |
| JP2021052185A (ja) * | 2019-09-23 | 2021-04-01 | 耕一郎 水田 | 電子部品 |
-
1999
- 1999-03-24 JP JP11080518A patent/JP2000277872A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008141213A (ja) * | 2007-12-27 | 2008-06-19 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP4656140B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2011-03-23 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2021002132A1 (ja) * | 2019-07-03 | 2021-01-07 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールの回路構造 |
| CN113228265A (zh) * | 2019-07-03 | 2021-08-06 | 富士电机株式会社 | 半导体组件的电路构造 |
| JPWO2021002132A1 (ja) * | 2019-07-03 | 2021-11-04 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールの回路構造 |
| JP7136355B2 (ja) | 2019-07-03 | 2022-09-13 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールの回路構造 |
| US11923266B2 (en) | 2019-07-03 | 2024-03-05 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module circuit structure |
| JP2021052185A (ja) * | 2019-09-23 | 2021-04-01 | 耕一郎 水田 | 電子部品 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050627 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050719 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051115 |