JP2742623B2 - メタライズ金属層を有するアルミナ質焼結体 - Google Patents

メタライズ金属層を有するアルミナ質焼結体

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    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks

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  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はアルミナ(Al2O3)含有量が92.0重量%以上
のアルミナ質焼結体にメタライズ金属層を接合させたメ
タライズ金属層を有するアルミナ質焼結体の改良に関す
るものである。
(従来の技術) 従来、アルミナ質焼結体は電気絶縁性、化学的安定性
等の特性に優れていることから半導体素子を収容する半
導体素子収納用パッケージや回路配線を有する回路基板
等の電子部品に多用されており、アルミナ質焼結体の表
面には回路配線導体として使用されるメタライズ金属層
が被着接合されている。
かかるアルミナ質焼結体表面のメタライズ金属層は通
常、タングステン(W)、モリブデン(Mo)等の高融点
金属粉末に有機溶剤、溶媒を添加してペースト状と成し
たものを未焼成アルミナ質成形体表面にスクリーン印刷
等により被着させ、しかる後、前記未焼成アルミナ質成
形体を還元雰囲気中、約1500℃の温度で焼成し、アルミ
ナ質焼結体のアルミナ結晶間に介在するガラス成分の一
部を高融点金属の金属粒子間に移行させ、アルミナ結晶
と高融点金属とをガラス成分を介し接合させることによ
ってアルミナ質焼結体の表面に被着接合される。
(発明が解決しようとする課題) しかし乍ら、この従来のタングステン(W)、モリブ
デン(Mo)等、高融点金属を使用したメタライズ金属層
はアルミナ質焼結体のアルミナ(Al2O3)含有量が90.0
重量%以下であればアルミナ質焼結体のアルミナ結晶間
に介在するガラス成分の量が多く、該ガラス成分の高融
点金属粒子間への移行もスムーズとしてメタライズ金属
層をアルミナ質焼結体に強固に接合させることができる
ものの、アルミナ質焼結体のアルミナ(Al2O3)含有量
が92.0重量%を超えた場合、アルミナ結晶間に介在する
ガラス成分の量が少なくなり、該ガラス成分の高融点金
属粒子間への移行も悪くなってメタライズ金属層をアル
ミナ質焼結体に強固に被着接合させることができないと
いう欠点を有していた。
(発明の目的) 本発明者等は上記欠点に鑑み種々の実験の結果、アル
ミナ質焼結体に被着接合されるメタライズ金属層として
タングステン(W)、モリブデン(Mo)に酸化ニオブ
(Nb2O5)を所定量含有させたものとすると酸化ニオブ
(Nb2O5)がタングステン(W)、モリブデン(Mo)の
ガラスに対する濡れ性を改善し、タングステン(W)も
しくはモリブデン(Mo)の粒子間にアルミナ結晶間に介
在するガラス成分が良好に移行するのを可能としてメタ
ライズ金属層をアルミナ質結晶体表面に極めて強固に被
着接合させ得ることを知見した。
本発明は上記知見に基づき、アルミナ(Al2O3)の含
有量が92.0重量%以上のアルミナ質焼結体に、メタライ
ズ金属層を強固に被着接合させて成るメタライズ金属層
を有するアルミナ質焼結体を提供することをその目的と
するものである。
(課題を解決するための手段) 本発明のメタライズ金属層を有するアルミナ質焼結体
は、タングステン、モリブデンの少なくとも1種に酸化
ニオブを0.3重量%以上含有させて成るメタライズ金属
層をアルミナ含有量が92.0重量%以上のアルミナ質焼結
体に接合させたことを特徴とするものである。
本発明のメタライズ金属層において含有される酸化ニ
オブ(Nb2O5)はタングステン(W)、モリブデン(M
o)のガラスに対する濡れ性を改善し、タングステン
(W)もしくはモリブデン(Mo)の粒子間にアルミナ質
焼結体のアルミナ結晶間に介在するガラス成分を良好に
移行させるための成分であり、その含有量が0.3重量%
未満であると所望する前記性質は付与されない。そのた
め酸化ニオブ(Nb2O5)はその含有量が0.3重量%以上に
特定される。
尚、酸化ニオブ(Nb2O5)の含有量は10重量%を越え
るとアルミナ質焼結体に拡散し、該アルミナ質焼結体表
面を変色させて外観不良を発生する恐れがあることから
酸化ニオブ(Nb2O5)の含有量は0.3乃至10重量%の範囲
としておくことが好ましい。
また前記酸化ニオブ(Nb2O5)はその粒径がタングス
テン(W)、モリブデン(Mo)の粒径より大きくなると
酸化ニオブ(Nb2O5)がタングステン(W)、もしくは
モリブデン(Mo)の粒子間に均一分散しなくなり、その
結果、タングステン(W)、モリブデン(Mo)のガラス
に対する濡れ性改善も部分的となってメタライズ金属層
全体のアルミナ質焼結体に対する接合強度が低下する傾
向にあることから含有させる酸化ニオブ(Nb2O5)はそ
の粒径をタングステン(W)、モリブデン(Mo)の粒径
よりも小さいものにしておくことが好ましい。
(実施例) 次に本発明を実施例に基づいて説明する。
まず出発原料として粒径1乃至5μmのタングステン
(W)、モリブデン(Mo)及び酸化ニオブ(Nb2O5)を
下表に示す値となるように秤量し、これに有機溶剤、溶
媒を添加するとともに混練機で10時間混練し、メタライ
ズ金属層用ペースト試料を得る。
尚、試料番号1,2,19,20,37,38は本発明品と比較する
ための比較試験であり、従来一般に使用されているメタ
ライズ金属層用ペーストである。
かくして得られたメタライズ金属層用ペースト試料を
使用してアルミナ(Al2O3)の含有量が90.0重量%、92.
0重量%、95.0重量%である未焼成アルミナ質成形体の
夫々の外表面に1.5mm角、厚さ20μmのパターン20個を
スクリーン印刷法により印刷し、次ぎにこれを還元雰囲
気(窒素−水素雰囲気)中、約1550℃の温度で焼成しア
ルミナ質焼結体の表面にメタライズ金属層を被着接合さ
せる。そして次ぎに前記メタライズ金属層に1.0mm角、
長さ40.0mmの42Alloy(Fe-Ni合金)から成る金属柱の一
端を銀ロウ(Ag:72%、Cu:28%)を介してロウ付けし、
しかる後、金属柱のロウ付け部と反対の端を垂直方向に
引っ張り、メタライズ金属層がアルミナ質焼結体から剥
がれた際の引っ張り強度を調べ、その平均値をメタライ
ズ金属層の接合強度として算出した。
なお、前記メタライズ金属層に金属柱をろう付けする
際には、メタライズ金属層の外表面に厚さ1.5μmのNi
メッキ層を被着させておいた。
上記の結果を第1表に示す。
(発明の効果) 上記実験結果からも判るように、従来のメタライズ金
属層はアルミナ質焼結体のアルミナ(Al2O3)含有量が9
0.0重量%である時には接合強度が5.8Kg/mm2と大きな値
を示し、メタライズ金属層がアルミナ質焼結体に強固に
被着接合するものの、アルミナ質焼結体のアルミナ(Al
2O3)含有量が92.0重量%を超えた時には接合強度が2.9
Kg/mm2以下の値となり、メタライズ金属層の接合強度が
大きく低下してしまう。これに対し、本発明のメタライ
ズ金属層はアルミナ質焼結体のアルミナ(Al2O3)含有
量が92.0重量%以上になったとしてもメタライズ金属層
の接合強度は4.0Kg/mm2以上の値を示し、メタライズ金
属層がアルミナ質焼結体に極めて強固に被着接合してい
ることが判る。
よって本発明のメタライズ金属層を有するアルミナ質
焼結体はメタライズ金属層がアルミナ質焼結体に強固に
接合し、半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケ
ージや回路配線導体を有する回路基板等の電子部品に好
適に使用される。
フロントページの続き 審査官 雨宮 弘治 (56)参考文献 特開 昭56−96793(JP,A)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】タングステン、モリブデンの少なくとも1
    種に酸化ニオブを0.3重量%以上含有させて成るメタラ
    イズ金属層をアルミナ含有量が92.0重量%以上のアルミ
    ナ質焼結体に接合させたことを特徴とするメタライズ金
    属層を有するアルミナ質焼結体。
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