JPS6385077A - メタライズ用組成物 - Google Patents
メタライズ用組成物Info
- Publication number
- JPS6385077A JPS6385077A JP22775286A JP22775286A JPS6385077A JP S6385077 A JPS6385077 A JP S6385077A JP 22775286 A JP22775286 A JP 22775286A JP 22775286 A JP22775286 A JP 22775286A JP S6385077 A JPS6385077 A JP S6385077A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- metal layer
- lithium niobate
- weight
- metallized metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 19
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002482 Cu–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCEXQRKSUSSDFT-UHFFFAOYSA-N [Mn].[Mo] Chemical compound [Mn].[Mo] PCEXQRKSUSSDFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はセラミック体にメタライズ金属層を形成するた
めのメタライズ用組成物に関し、より詳細にはニオブ酸
リチウム（ＬｉＮｂＯｓ）単結晶表面にメタライズ金属
層を形成するためのメタライズ用組成物に関するもので
ある。
めのメタライズ用組成物に関し、より詳細にはニオブ酸
リチウム（ＬｉＮｂＯｓ）単結晶表面にメタライズ金属
層を形成するためのメタライズ用組成物に関するもので
ある。
従来、セラミック体と金属の接合は生もしくは焼結セラ
ミック体表面に、モリブデン−マンガン（Ｍｏ−Ｍｎ）
、タングステン（Ｗ）等の高融点金属粉末に有機バイ
ンダー及び溶削を添加し、ペースト状となしたものをス
クリーン印刷により塗布し、これを還元雰囲気中、約１
５００℃で焼成して高融点金属とセラミック体とを焼結
一体化させメタライズ金属層を被着させる（Ｍｏ−Ｍｎ
法）とともに該メタライズ金属層上に金属をロウ材を介
しロウ付けすることによって行われている。
ミック体表面に、モリブデン−マンガン（Ｍｏ−Ｍｎ）
、タングステン（Ｗ）等の高融点金属粉末に有機バイ
ンダー及び溶削を添加し、ペースト状となしたものをス
クリーン印刷により塗布し、これを還元雰囲気中、約１
５００℃で焼成して高融点金属とセラミック体とを焼結
一体化させメタライズ金属層を被着させる（Ｍｏ−Ｍｎ
法）とともに該メタライズ金属層上に金属をロウ材を介
しロウ付けすることによって行われている。
しかし乍ら、電気エネルギーを機械エネルギーに変換さ
せる振動子に使用されるセラミックとして、ニオブ酸リ
チウム（ＬｉＮｂＯｉ）単結晶があり、該ニオブ酸リチ
ウム（ＬｉＮｂＯｚ）単結晶表面にリード端子等をロウ
付けするためのメタライズ金属層を従来周知のＭｏ−Ｍ
ｎ法を採用して被着形成させた場合、メタライズ金属層
の焼付は温度が約１５００℃であり、ニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＱ：＋）単結晶のキューり点温度（銀５０℃
）よりも高いことから、その熱によってニオブ酸リチウ
ム（ＬｉＮｂＯｚ）単結晶が圧電性を欠ない振動子等と
しての使用に供しなくなるという欠点を有していた。
せる振動子に使用されるセラミックとして、ニオブ酸リ
チウム（ＬｉＮｂＯｉ）単結晶があり、該ニオブ酸リチ
ウム（ＬｉＮｂＯｚ）単結晶表面にリード端子等をロウ
付けするためのメタライズ金属層を従来周知のＭｏ−Ｍ
ｎ法を採用して被着形成させた場合、メタライズ金属層
の焼付は温度が約１５００℃であり、ニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＱ：＋）単結晶のキューり点温度（銀５０℃
）よりも高いことから、その熱によってニオブ酸リチウ
ム（ＬｉＮｂＯｚ）単結晶が圧電性を欠ない振動子等と
しての使用に供しなくなるという欠点を有していた。
またメタライズ金属層を焼付ける際の雰囲気が還元性で
あることから該雰囲気によってニオブ酸リチウム（Ｌｉ
ＮｂＯ：＋）単結晶が還元され脆（なり、小さな外力印
加によっても粉々になるという欠点を有していた。
あることから該雰囲気によってニオブ酸リチウム（Ｌｉ
ＮｂＯ：＋）単結晶が還元され脆（なり、小さな外力印
加によっても粉々になるという欠点を有していた。
本発明者等は上記欠点に鑑み種々の実験の結果、銀（Ａ
ｇ）と銅（Ｃｕ）にチタンもしくはその水素化物を所定
量添加するとメタライズ金属層の焼付は温度及び雰囲気
をニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ：＋）単結晶のキュー
り点温度（銀５０℃）よりも低い温度で、かつ中性もし
くは不活性の雰囲気を使用することを可能とし、しかも
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ：＋）単結晶に強固に接
合し得ることを知見した。
ｇ）と銅（Ｃｕ）にチタンもしくはその水素化物を所定
量添加するとメタライズ金属層の焼付は温度及び雰囲気
をニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ：＋）単結晶のキュー
り点温度（銀５０℃）よりも低い温度で、かつ中性もし
くは不活性の雰囲気を使用することを可能とし、しかも
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ：＋）単結晶に強固に接
合し得ることを知見した。
本発明は上記知見に基づき、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮ
ｂＯ＋）単結晶表面に該ニオブ酸リチウム単結晶の圧電
性を損なうことなくメタライズ金属層を強固に被着形成
させることができるメタライズ用組成物を提供すること
をその目的とするものである。
ｂＯ＋）単結晶表面に該ニオブ酸リチウム単結晶の圧電
性を損なうことなくメタライズ金属層を強固に被着形成
させることができるメタライズ用組成物を提供すること
をその目的とするものである。
ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明のメタライズ用組成物は銀（Ａｇ） ２８．０乃
至９０．０重世％と銅４．０乃至５７．０重量％とチタ
ンもしくはその水素化物５．０乃至３０．０重量％とか
ら成ることを特徴とするものである。
至９０．０重世％と銅４．０乃至５７．０重量％とチタ
ンもしくはその水素化物５．０乃至３０．０重量％とか
ら成ることを特徴とするものである。
本発明のメタライズ用組成物においては銀（Ａｇ）の量
が２８．０重量％未満あるいは９０．０重量％以上、１
ｉｉＪ（Ｃｕ）の量が４．０重量％未満あるいは５７．
０重量％以上であるとメタライズ金属層の熱膨張係数と
ニオブ酸リチウム単結晶の熱膨張係数とが大きく相違し
、メタライズ金属層を焼付ける際に前記熱膨張係数の相
違に起因してメタライズ金属層に応力が発生し、メタラ
イズ金属層の接合強度が低下する。
が２８．０重量％未満あるいは９０．０重量％以上、１
ｉｉＪ（Ｃｕ）の量が４．０重量％未満あるいは５７．
０重量％以上であるとメタライズ金属層の熱膨張係数と
ニオブ酸リチウム単結晶の熱膨張係数とが大きく相違し
、メタライズ金属層を焼付ける際に前記熱膨張係数の相
違に起因してメタライズ金属層に応力が発生し、メタラ
イズ金属層の接合強度が低下する。
またチタン（Ｔｉ）もしくはその水素化物（Ｔｉ）ｌｚ
）は銀（Ａｇ）と銅（Ｃｕ）の合金をセラミックに強固
に接合させるための成分であり、その量が５．０重量％
未満であると前記性質は付与されず、また３０．０重量
％以上であるとチタン（Ｔｉ）がニオブ酸リチウム単結
晶の表面と反応し詭弱な化合物を生成してメタライズ金
属層の接合強度が低下する。
）は銀（Ａｇ）と銅（Ｃｕ）の合金をセラミックに強固
に接合させるための成分であり、その量が５．０重量％
未満であると前記性質は付与されず、また３０．０重量
％以上であるとチタン（Ｔｉ）がニオブ酸リチウム単結
晶の表面と反応し詭弱な化合物を生成してメタライズ金
属層の接合強度が低下する。
よって、本発明のメタライズ用組成物においては銀（Ａ
ｇ）は２８．０乃至９０．０重量％の範囲に、銅（Ｃｕ
）は４．０乃至５７．０重量％の範囲に、またチタン（
Ｔｉ）もしくはその水素化物（Ｔｉ）１ｚ）は５．０乃
至３０．０重量％の範囲にそれぞれ特定される。
ｇ）は２８．０乃至９０．０重量％の範囲に、銅（Ｃｕ
）は４．０乃至５７．０重量％の範囲に、またチタン（
Ｔｉ）もしくはその水素化物（Ｔｉ）１ｚ）は５．０乃
至３０．０重量％の範囲にそれぞれ特定される。
次に本発明を実施例に基づき説明する。
まず、出発原料として粒径１．０μｍの恨（Ａｇ）、銅
（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）もしくはその水素化物（Ｔｉ
Ｈｚ）を下表に示すように秤量し、これに有機バインダ
ー、溶剤を添加するとともに混練機で１０時間混練し、
メタライズ用ペーストの試料を得た。
（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）もしくはその水素化物（Ｔｉ
Ｈｚ）を下表に示すように秤量し、これに有機バインダ
ー、溶剤を添加するとともに混練機で１０時間混練し、
メタライズ用ペーストの試料を得た。
なお試料番号２２及び２３は本発明品と比較するための
比較試料であり、従来一般に使用されているメタライズ
用ペーストである。
比較試料であり、従来一般に使用されているメタライズ
用ペーストである。
かくして得られたメタライズ用ペーストを使用してニオ
ブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ＋）の表面に直径５ｍｍの円
形状のパターン５０個を印刷し、次にこれを下表に示す
焼付は条件で焼成し、ニオブ酸リチウム単結晶表面にメ
タライズ金属層を被着させる。
ブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ＋）の表面に直径５ｍｍの円
形状のパターン５０個を印刷し、次にこれを下表に示す
焼付は条件で焼成し、ニオブ酸リチウム単結晶表面にメ
タライズ金属層を被着させる。
そして、次に前記各メタライズ金属層に直径５ｍｍ、長
さ２０ｍｍのキュプロニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ合金）から
成る円柱体を銀ロウを介してロウ付けし、しかる後、キ
ュプロニッケル円柱体を垂直方向に引張り、単位面積当
たりの接合強度を調べその平均値を求めた。
さ２０ｍｍのキュプロニッケル（Ｃｕ−Ｎｉ合金）から
成る円柱体を銀ロウを介してロウ付けし、しかる後、キ
ュプロニッケル円柱体を垂直方向に引張り、単位面積当
たりの接合強度を調べその平均値を求めた。
上記の結果を下表に示す。
上記実験結果からも判るように従来のメタライズ用組成
物（Ｍｏ−Ｍｎ＋Ｗ）を使用したメタライズ金属層は還
元雰囲気中、１５００℃というニオブ酸リチウム単結晶
のキュリー点温度より高い温度で焼付けられることから
ニオブ酸リチウム単結晶の有する圧電性が完全に失われ
て振動子等の使用に供しなくなるのに対し、本発明品の
メタライズ用組成物を使用したメタライズ金属層はニオ
ブ酸リチウム単結晶のキュリー点温度よりも低い温度で
焼付けられニオブ酸すウチム単結晶に圧電性を損なわせ
ることなく、かつ３．０Ｋｇ／ｍｍ２以上の接合強度で
被着させることができる。
物（Ｍｏ−Ｍｎ＋Ｗ）を使用したメタライズ金属層は還
元雰囲気中、１５００℃というニオブ酸リチウム単結晶
のキュリー点温度より高い温度で焼付けられることから
ニオブ酸リチウム単結晶の有する圧電性が完全に失われ
て振動子等の使用に供しなくなるのに対し、本発明品の
メタライズ用組成物を使用したメタライズ金属層はニオ
ブ酸リチウム単結晶のキュリー点温度よりも低い温度で
焼付けられニオブ酸すウチム単結晶に圧電性を損なわせ
ることなく、かつ３．０Ｋｇ／ｍｍ２以上の接合強度で
被着させることができる。
特に、銀（Ａｇ）５０．０乃至７２．０重量％、ｐ （
Ｃｕ） １７．０乃至３６．０重量％、チタン（Ｔｉ）
もしくはその水素化物（ＴｉＨｚ）１０．０乃至１５．
０重量％から成るメタライズ用組成物を使用したメタラ
イズ金属層はその接合強度が５．０Ｋｇ／ｍｍ”以上と
極めて強く、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯｚ）単結晶
表面にメタライズ金属層を形成するメタライズ用組成物
として好適である。
Ｃｕ） １７．０乃至３６．０重量％、チタン（Ｔｉ）
もしくはその水素化物（ＴｉＨｚ）１０．０乃至１５．
０重量％から成るメタライズ用組成物を使用したメタラ
イズ金属層はその接合強度が５．０Ｋｇ／ｍｍ”以上と
極めて強く、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯｚ）単結晶
表面にメタライズ金属層を形成するメタライズ用組成物
として好適である。
従って、本発明のメタライズ用組成物は電気エネルギー
を機械エネルギーに変換する振動子等として使用される
ニオブ酸リチウム単結晶表面にリード端子等をロウ付け
するためのメタライズ金属層の形成に極めて有用である
。
を機械エネルギーに変換する振動子等として使用される
ニオブ酸リチウム単結晶表面にリード端子等をロウ付け
するためのメタライズ金属層の形成に極めて有用である
。
Claims (1)
- 銀２８．０乃至９０．０重量％と、銅４．０乃至５７．
０重量％とチタンもしくはその水素化物５．０乃至３０
．０重量％とから成るメタライズ用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61227752A JPH0747515B2 (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | メタライズ用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61227752A JPH0747515B2 (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | メタライズ用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6385077A true JPS6385077A (ja) | 1988-04-15 |
| JPH0747515B2 JPH0747515B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=16865817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61227752A Expired - Fee Related JPH0747515B2 (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | メタライズ用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0747515B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008142804A1 (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | マグネトロン用セラミックス部品およびそれを用いたマグネトロン並びにマグネトロン用セラミックス部品の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5051511A (ja) * | 1973-09-10 | 1975-05-08 | ||
| JPS5727985A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-15 | Desaki Tomoya | Surface metallization of metal oxide |
| JPS6163503A (ja) * | 1984-09-04 | 1986-04-01 | Osamu Kimura | 微粉チタン合金を用いた金属酸化物の表面金属化方法 |
-
1986
- 1986-09-25 JP JP61227752A patent/JPH0747515B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5051511A (ja) * | 1973-09-10 | 1975-05-08 | ||
| JPS5727985A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-15 | Desaki Tomoya | Surface metallization of metal oxide |
| JPS6163503A (ja) * | 1984-09-04 | 1986-04-01 | Osamu Kimura | 微粉チタン合金を用いた金属酸化物の表面金属化方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008142804A1 (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | マグネトロン用セラミックス部品およびそれを用いたマグネトロン並びにマグネトロン用セラミックス部品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0747515B2 (ja) | 1995-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62192295A (ja) | セラミツク部品を相互にまたは金属からなる部品と結合するための軟質はんだ合金 | |
| JPS6077186A (ja) | 金属化表面を有するセラミツクス焼結体 | |
| JPS59137373A (ja) | セラミツクの接合方法 | |
| JPH0679988B2 (ja) | 窒化物セラミツク体へのメタライズ方法 | |
| JP2598872B2 (ja) | ガラスセラミックス多層基板 | |
| JPS6385077A (ja) | メタライズ用組成物 | |
| JPH0323512B2 (ja) | ||
| JP2742623B2 (ja) | メタライズ金属層を有するアルミナ質焼結体 | |
| JPH0292872A (ja) | セラミック体と銅材の接合方法 | |
| JP3366479B2 (ja) | メタライズ組成物及び配線基板の製造方法 | |
| JP2670627B2 (ja) | メタライズドアルミナセラミックス | |
| JP2678512B2 (ja) | メタライズ用組成物 | |
| JP2001339155A (ja) | セラミック回路基板 | |
| JP2826840B2 (ja) | セラミック体と金属部材の接合方法 | |
| JPS6272585A (ja) | メタライズ用組成物 | |
| JP2525870B2 (ja) | 配線基板 | |
| JPS59164679A (ja) | セラミツクと金属との接合体 | |
| JPS63212087A (ja) | 電気部品用ろう材 | |
| JPS61222978A (ja) | メタライズ用組成物 | |
| JPS63190787A (ja) | ジルコニア系セラミックス用メタライズ組成物 | |
| JPH04235246A (ja) | セラミックスのメタライズ用合金及びメタライズ方法 | |
| JP3523665B2 (ja) | セラミックス表面への金属層の形成方法 | |
| JPS59203783A (ja) | 非酸化物系セラミツクス焼結体の金属化方法 | |
| JPS63115393A (ja) | 高熱伝導性回路基板 | |
| JPH04331781A (ja) | セラミックス複合体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |