JPH05860A - メタライズ構造 - Google Patents
メタライズ構造Info
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- JPH05860A JPH05860A JP21374591A JP21374591A JPH05860A JP H05860 A JPH05860 A JP H05860A JP 21374591 A JP21374591 A JP 21374591A JP 21374591 A JP21374591 A JP 21374591A JP H05860 A JPH05860 A JP H05860A
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- Japan
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- nitride
- ceramic body
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- metallized
- powder
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Abstract
(57)【要約】
【目的】窒化物系セラミック体とメタライズ層との高い
接合強度を保証することができるメタライズ構造を提供
することを目的とする。 【構成】窒化物系セラミック体１（例えばＳｉ3 Ｎ4 や
ＡｌＮ）に、メタライズ組成物を被着してなるメタライ
ズ構造において、メタライズ組成物が、ＡｌＮと、窒化
物系セラミック体において添加されたＡｌＮ以外の焼結
助剤のうち少なくとも一種を含有する。
接合強度を保証することができるメタライズ構造を提供
することを目的とする。 【構成】窒化物系セラミック体１（例えばＳｉ3 Ｎ4 や
ＡｌＮ）に、メタライズ組成物を被着してなるメタライ
ズ構造において、メタライズ組成物が、ＡｌＮと、窒化
物系セラミック体において添加されたＡｌＮ以外の焼結
助剤のうち少なくとも一種を含有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、窒化物系セラ
ミック体と金属部材とを接合したり、窒化系セラミック
体に導体を形成するためのメタライズ構造に関する。
ミック体と金属部材とを接合したり、窒化系セラミック
体に導体を形成するためのメタライズ構造に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、例えば、セラミック体と金属部材と
を接合したり、窒化物系セラミック体に導体を形成する
場合は、セラミック体の表面をメタライズすることによ
り行なわれている。
を接合したり、窒化物系セラミック体に導体を形成する
場合は、セラミック体の表面をメタライズすることによ
り行なわれている。
【０００３】このようなメタライズ法としては、例え
ば、Ａｌ2 Ｏ3 等の酸化物系セラミックについては、従
来、蒸着法を用いて金属を高真空中で活性な超微粒子状
にしてセラミック体表面に物理的に被着させる方法、あ
るいは例えばＭｏ粉末とＭｎ粉末を含むメタライズ組成
物を適当な粘結剤と溶剤とからなるバイダーを用いてペ
ースト状となし、これをセラミック体の表面に塗布した
後、水蒸気を含む弱酸性の水素雰囲気或いは水素と窒素
の混合雰囲気中で焼成してメタライズ層を形成する方法
が採用されている。
ば、Ａｌ2 Ｏ3 等の酸化物系セラミックについては、従
来、蒸着法を用いて金属を高真空中で活性な超微粒子状
にしてセラミック体表面に物理的に被着させる方法、あ
るいは例えばＭｏ粉末とＭｎ粉末を含むメタライズ組成
物を適当な粘結剤と溶剤とからなるバイダーを用いてペ
ースト状となし、これをセラミック体の表面に塗布した
後、水蒸気を含む弱酸性の水素雰囲気或いは水素と窒素
の混合雰囲気中で焼成してメタライズ層を形成する方法
が採用されている。
【０００４】ところで、セラミック材料とメタライズ層
や金属部材との接合は両材料の複合的工業技術にとって
極めて重要な役割をなし、とりわけ高温特性及び強度の
優れたＳｉ3 Ｎ4 （窒化ケイ素），ＡｌＮ（窒化アルミ
ニウム）等の窒化物を焼結した窒化物系セラミック体の
応用分野が拡大されている現今、窒化物系セラミック体
とメタライズ層や金属部材との接合技術には関心が寄せ
られている。
や金属部材との接合は両材料の複合的工業技術にとって
極めて重要な役割をなし、とりわけ高温特性及び強度の
優れたＳｉ3 Ｎ4 （窒化ケイ素），ＡｌＮ（窒化アルミ
ニウム）等の窒化物を焼結した窒化物系セラミック体の
応用分野が拡大されている現今、窒化物系セラミック体
とメタライズ層や金属部材との接合技術には関心が寄せ
られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、Ａｌ
2 Ｏ3 等の酸化物系セラミックに使用されるメタライズ
組成物を窒化物系セラミック体に適用しても、窒化物系
セラミック体とメタライズ層との接合強度が小さく、実
用的な接合強度を得ることができないという問題があっ
た。
2 Ｏ3 等の酸化物系セラミックに使用されるメタライズ
組成物を窒化物系セラミック体に適用しても、窒化物系
セラミック体とメタライズ層との接合強度が小さく、実
用的な接合強度を得ることができないという問題があっ
た。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本発明者等は上記現状
に鑑み、窒化物系セラミック体へのメタライズ層の接合
を種々研究，実験した結果、ＡｌＮと所定の金属元素を
含有するメタライズ組成物を使用すると、高い接合強度
が得られることを知悉し、本発明の完成に至ったのであ
る。即ち、本発明は、窒化物系セラミック体にメタライ
ズ組成物を被着してなるメタライズ構造において、メタ
ライズ組成物が、ＡｌＮと、窒化物系セラミック体にお
いて添加されたＡｌＮ以外の焼結助剤のうち少なくとも
一種を含有するメタライズ構造にある。
に鑑み、窒化物系セラミック体へのメタライズ層の接合
を種々研究，実験した結果、ＡｌＮと所定の金属元素を
含有するメタライズ組成物を使用すると、高い接合強度
が得られることを知悉し、本発明の完成に至ったのであ
る。即ち、本発明は、窒化物系セラミック体にメタライ
ズ組成物を被着してなるメタライズ構造において、メタ
ライズ組成物が、ＡｌＮと、窒化物系セラミック体にお
いて添加されたＡｌＮ以外の焼結助剤のうち少なくとも
一種を含有するメタライズ構造にある。
【０００７】本発明のメタライズ構造では、そのメタラ
イズ層の上に常法に従ってメッキ等を施した後、接合す
べき金属部材をロー付けして構造材として利用したり、
電気的良導体金属をメッキしてプリント基板などの導体
配線を形成して電気的材料に応用したり、さらに、メタ
ライズ層自体を導体としたり等、その応用範囲は広い。
望ましい実施例に於いて、本発明のメタライズ組成物に
より形成されたメタライズ層と窒化物系セラミック体と
の剥離強度は７５Ｍｐａ（メガ・パスカル）以上に及ん
でいる。
イズ層の上に常法に従ってメッキ等を施した後、接合す
べき金属部材をロー付けして構造材として利用したり、
電気的良導体金属をメッキしてプリント基板などの導体
配線を形成して電気的材料に応用したり、さらに、メタ
ライズ層自体を導体としたり等、その応用範囲は広い。
望ましい実施例に於いて、本発明のメタライズ組成物に
より形成されたメタライズ層と窒化物系セラミック体と
の剥離強度は７５Ｍｐａ（メガ・パスカル）以上に及ん
でいる。
【０００８】以下に本発明の構成を詳述する。本発明の
メタライズ構造におけるメタライズ組成物、即ち、Ａｌ
Ｎと、窒化物系セラミック体において添加されたＡｌＮ
以外の焼結助剤のうち少なくとも一種を含有するメタラ
イズ組成物は、塗布もしくはプリントにより窒化物系セ
ラミック体上に定着して使用される。窒化物系セラミッ
ク体としてはＳｉ3 Ｎ4 （窒化ケイ素），ＡｌＮ（窒化
アルミニウム）焼結体が挙げられ、これらは工業的に焼
結する場合、焼結助剤として周期律表第２ａ，３ａ族元
素，Ａｌ及びＳｉ等の酸化物及びＡｌＮの単独もしくは
組み合わせをそれぞれ助剤としての使用量（約１０重量
％）含んで良好な焼結を保証するものであるが、これら
焼結助剤は焼結によって粒間相は通常酸窒化物ガラス或
いはこのガラスから結晶化した酸窒化物結晶相から構成
されている。
メタライズ構造におけるメタライズ組成物、即ち、Ａｌ
Ｎと、窒化物系セラミック体において添加されたＡｌＮ
以外の焼結助剤のうち少なくとも一種を含有するメタラ
イズ組成物は、塗布もしくはプリントにより窒化物系セ
ラミック体上に定着して使用される。窒化物系セラミッ
ク体としてはＳｉ3 Ｎ4 （窒化ケイ素），ＡｌＮ（窒化
アルミニウム）焼結体が挙げられ、これらは工業的に焼
結する場合、焼結助剤として周期律表第２ａ，３ａ族元
素，Ａｌ及びＳｉ等の酸化物及びＡｌＮの単独もしくは
組み合わせをそれぞれ助剤としての使用量（約１０重量
％）含んで良好な焼結を保証するものであるが、これら
焼結助剤は焼結によって粒間相は通常酸窒化物ガラス或
いはこのガラスから結晶化した酸窒化物結晶相から構成
されている。
【０００９】そして、本発明におけるメタライズ組成物
は、例えば、ＡｌＮと、ＡｌＮを除く窒化物系セラミッ
ク体における焼結助剤成分のうち少なくとも一種を含有
する酸窒化物ガラスと、高融点金属粉末とを含んで構成
されており、ここで使用する酸窒化物ガラスとは、Ａｌ
Ｎと、窒化物系セラミック体において添加されたＡｌＮ
以外の焼結助剤のうち少なくとも一種を含有していれば
良い。窒化物系セラミック体において添加されたＡｌＮ
以外の焼結助剤としては、例えば、周期律表第２ａ，３
ａ族元素，Ａｌ及びＳｉ等の酸化物がある。この酸窒化
物ガラスは焼付け温度で流動性のあるものが、塗布，プ
リントのような簡単な定着手法を採択できる上で至適で
ある。さらに、この酸窒化物ガラスは結晶質を全く含ま
ない純粋なガラスである必要はなく、多少の結晶質を含
んでいても、いわゆる“フリット”状にして使用できる
ものであれば、結晶質を含んでいても何ら差し支えない
ものである。
は、例えば、ＡｌＮと、ＡｌＮを除く窒化物系セラミッ
ク体における焼結助剤成分のうち少なくとも一種を含有
する酸窒化物ガラスと、高融点金属粉末とを含んで構成
されており、ここで使用する酸窒化物ガラスとは、Ａｌ
Ｎと、窒化物系セラミック体において添加されたＡｌＮ
以外の焼結助剤のうち少なくとも一種を含有していれば
良い。窒化物系セラミック体において添加されたＡｌＮ
以外の焼結助剤としては、例えば、周期律表第２ａ，３
ａ族元素，Ａｌ及びＳｉ等の酸化物がある。この酸窒化
物ガラスは焼付け温度で流動性のあるものが、塗布，プ
リントのような簡単な定着手法を採択できる上で至適で
ある。さらに、この酸窒化物ガラスは結晶質を全く含ま
ない純粋なガラスである必要はなく、多少の結晶質を含
んでいても、いわゆる“フリット”状にして使用できる
ものであれば、結晶質を含んでいても何ら差し支えない
ものである。
【００１０】他方、酸窒化物ガラス中に分散混合させる
高融点金属粉末は基本的には焼付温度で溶融，気化等が
起こらない金属，金属のケイ化物，炭化物の粉末で、ガ
ラスを焼結した場合、金属，そのケイ化物，炭化物或い
はそれらの混合窒化物系セラミック体のメタライズ組成
物物として存在するものであれば良く、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ等、周期律表第４
ａ，５ａ，６ａ族元素の金属元素粉末が好適である。酸
窒化物ガラスとの混合割合は特に制限的なものは不要で
あるが、通常ガラス粉末７〜５０重量部に対し高融点金
属粉末は９３〜５０重量部の範囲で良い。
高融点金属粉末は基本的には焼付温度で溶融，気化等が
起こらない金属，金属のケイ化物，炭化物の粉末で、ガ
ラスを焼結した場合、金属，そのケイ化物，炭化物或い
はそれらの混合窒化物系セラミック体のメタライズ組成
物物として存在するものであれば良く、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ等、周期律表第４
ａ，５ａ，６ａ族元素の金属元素粉末が好適である。酸
窒化物ガラスとの混合割合は特に制限的なものは不要で
あるが、通常ガラス粉末７〜５０重量部に対し高融点金
属粉末は９３〜５０重量部の範囲で良い。
【００１１】メタライズ組成物を窒化物系セラミック体
上に定着させる手法としては、既述のようなフリット状
のメタライズ組成物を塗布もしくは印刷によって窒化物
系セラミック体上に厚み０．０１〜０．１ｍｍ程度に層
着することが最も望ましいが、この他吹付等の手法も採
用できる。層着させるメタライズ組成物を焼結するに
は、組成物の内容によっても変わるものの１０００〜１
５００℃の間で還元或いは中性ガス中で焼結すればよ
い。得られたメタライズ層の上には既述のように接合す
べき金属部材をロー付けして構造材としたり、Ａｕ−Ｓ
ｉ合金のような高い導電性を有する金属をメッキし、或
いはメタライズ層自体を導体としてプリント基板のよう
な導体配線を形成し電気的材料に応用したりする。
上に定着させる手法としては、既述のようなフリット状
のメタライズ組成物を塗布もしくは印刷によって窒化物
系セラミック体上に厚み０．０１〜０．１ｍｍ程度に層
着することが最も望ましいが、この他吹付等の手法も採
用できる。層着させるメタライズ組成物を焼結するに
は、組成物の内容によっても変わるものの１０００〜１
５００℃の間で還元或いは中性ガス中で焼結すればよ
い。得られたメタライズ層の上には既述のように接合す
べき金属部材をロー付けして構造材としたり、Ａｕ−Ｓ
ｉ合金のような高い導電性を有する金属をメッキし、或
いはメタライズ層自体を導体としてプリント基板のよう
な導体配線を形成し電気的材料に応用したりする。
【００１２】
【作用】窒化物系セラミック体の窒化物結晶或いは粒間
相を構成している酸窒化物ガラスや酸窒化物結晶相に対
して、メタライズ組成物中のＡｌＮが極めて大きな親和
性を発揮して窒化物系セラミック体とメタライズ層との
強い化学的接合強度を保証する。そして、このメタライ
ズ層上に金属部材を直接接合すると高い接合強度が得ら
れるが、必要によりメタライズ層にさらに電解或いは無
電解メッキを行って、これと半田付けもしくはロー付け
によって金属部材を接合すれば接合強度はより高められ
るのでその採択が望まれる。
相を構成している酸窒化物ガラスや酸窒化物結晶相に対
して、メタライズ組成物中のＡｌＮが極めて大きな親和
性を発揮して窒化物系セラミック体とメタライズ層との
強い化学的接合強度を保証する。そして、このメタライ
ズ層上に金属部材を直接接合すると高い接合強度が得ら
れるが、必要によりメタライズ層にさらに電解或いは無
電解メッキを行って、これと半田付けもしくはロー付け
によって金属部材を接合すれば接合強度はより高められ
るのでその採択が望まれる。
【００１３】
【実施例】図１に本発明のメタライズ構造の一部縦断面
斜視図を示す。図において、窒化物系セラミック体１上
の接合に必要なエリアにわたって定着されたメタライズ
組成物は焼結によってメタライズ層２を形成しており、
このメタライズ層２上に一例として、コバー金属（ＫＯ
ＶＡＲ）よりなる金属部材３を銀ロー４（ＢＡｇ−８）
を介して接合してある。この銀ロー４のプレージングは
アンモニア分解ガスをウエットガス（水蒸気を含ませた
もの）の状態で導入した雰囲気下で約８５０℃にて溶融
させることによって実施した。
斜視図を示す。図において、窒化物系セラミック体１上
の接合に必要なエリアにわたって定着されたメタライズ
組成物は焼結によってメタライズ層２を形成しており、
このメタライズ層２上に一例として、コバー金属（ＫＯ
ＶＡＲ）よりなる金属部材３を銀ロー４（ＢＡｇ−８）
を介して接合してある。この銀ロー４のプレージングは
アンモニア分解ガスをウエットガス（水蒸気を含ませた
もの）の状態で導入した雰囲気下で約８５０℃にて溶融
させることによって実施した。
【００１４】後記のロー付け後の接合強度の測定方法を
ここで図２を採って説明しておく。
ここで図２を採って説明しておく。
【００１５】テストピースＳである窒化物系セラミック
体１は左右より万力８によって中央方向に圧縮力（太字
印）を付与された状態で堅固に固定されており、金属部
材３上に吊金具５をハンダ６をもって固定し、この吊金
具５の上端にプッシュプルゲージ（ゼンマイばねはか
り）７を取付ける。この状態で吊金具５を３０ｍｍ／分
の早さで上方に引き上げ、メタライズ層２が窒化物系セ
ラミック体１より剥離した瞬間の強度をゲージ７で読み
取る。
体１は左右より万力８によって中央方向に圧縮力（太字
印）を付与された状態で堅固に固定されており、金属部
材３上に吊金具５をハンダ６をもって固定し、この吊金
具５の上端にプッシュプルゲージ（ゼンマイばねはか
り）７を取付ける。この状態で吊金具５を３０ｍｍ／分
の早さで上方に引き上げ、メタライズ層２が窒化物系セ
ラミック体１より剥離した瞬間の強度をゲージ７で読み
取る。
【００１６】次に本発明の具体的実施例について説明す
る。
る。
【００１７】（実施例１） （ａ） 窒化物系セラミック体：ＭｇＯ ３重量％、Ａ
ｌ2 Ｏ3 ７重量％を焼結助剤として含むＳｉ3 Ｎ4 セ
ラミック材料をＮ2 雰囲気１６５０℃において焼成し、
接合面を２５０番ダイアモンドホイールで研磨してテス
トピースを作成した。
ｌ2 Ｏ3 ７重量％を焼結助剤として含むＳｉ3 Ｎ4 セ
ラミック材料をＮ2 雰囲気１６５０℃において焼成し、
接合面を２５０番ダイアモンドホイールで研磨してテス
トピースを作成した。
【００１８】（ｂ） 酸窒化物ガラス：ＭｇＯ １８重
量％、ＡｌＮ ２０重量％、ＳｉＯ2 ６２重量％を混合
調製し、六方晶ＢＮをコーティングしたＳｉＣルツボ中
にて１５００℃で３時間加熱しＮ2 ガスを送りながらル
ツボ中で放冷した。得られたＭｇ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ
系のガラスからはＸ線回折の結果、Ｓｉ2 Ｎ2 Ｏ等各種
ＳＩＡＬＯＮとみられる微弱な回折線が認められた。こ
うして得たカレットを乳鉢中で粗粉砕した後、振動ミル
により３２５メッシュ以下の粒径に調製した。
量％、ＡｌＮ ２０重量％、ＳｉＯ2 ６２重量％を混合
調製し、六方晶ＢＮをコーティングしたＳｉＣルツボ中
にて１５００℃で３時間加熱しＮ2 ガスを送りながらル
ツボ中で放冷した。得られたＭｇ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ
系のガラスからはＸ線回折の結果、Ｓｉ2 Ｎ2 Ｏ等各種
ＳＩＡＬＯＮとみられる微弱な回折線が認められた。こ
うして得たカレットを乳鉢中で粗粉砕した後、振動ミル
により３２５メッシュ以下の粒径に調製した。
【００１９】（ｃ） 高融点金属粉末：純度９９％，平
均粒径３μｍのＷ粉末を用意した。
均粒径３μｍのＷ粉末を用意した。
【００２０】（ｄ） 定着及び焼結 ：上記のような準
備された酸窒化物ガラスとＷ粉末とを混合してペースト
とした後、このペーストを窒化物系セラミック体上に厚
み２０μｍ、４ｍｍ2 の面積にわたって塗布し、Ｎ2 雰
囲気中において１３５０℃で１時間焼成してメタライズ
層を得た。
備された酸窒化物ガラスとＷ粉末とを混合してペースト
とした後、このペーストを窒化物系セラミック体上に厚
み２０μｍ、４ｍｍ2 の面積にわたって塗布し、Ｎ2 雰
囲気中において１３５０℃で１時間焼成してメタライズ
層を得た。
【００２１】（ｅ） 接合：上記メタライズ層にＮｉ無
電解メッキを施し、剥離強度テストのための吊金具をハ
ンダ付けしてメタライズ層と窒化物系セラミック体との
剥離強度測定を実施した。テストは２０個のテストピー
スにつき行い平均強度が８０ＭＰａ、ばらつきはδn-1
＝５ＭＰａであった。
電解メッキを施し、剥離強度テストのための吊金具をハ
ンダ付けしてメタライズ層と窒化物系セラミック体との
剥離強度測定を実施した。テストは２０個のテストピー
スにつき行い平均強度が８０ＭＰａ、ばらつきはδn-1
＝５ＭＰａであった。
【００２２】（実施例２） （ａ） 窒化物セラミック体：Ｙ2 Ｏ3 ６重量％を焼結
助剤として含むＡｌＮセラミック材料をＮ2 雰囲気下で
１８５０℃にて焼成し接合面を２５０番ダイヤモンドホ
イールにて研磨した。
助剤として含むＡｌＮセラミック材料をＮ2 雰囲気下で
１８５０℃にて焼成し接合面を２５０番ダイヤモンドホ
イールにて研磨した。
【００２３】（ｂ）酸窒化物ガラス：Ｙ2 Ｏ3 ５０重量
％、ＡｌＮ１８重量％、ＳｉＯ2 ３２重量％の割合で調
合し、１７５０℃で１時間溶融してカレットを得た。こ
のＹ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系のガラスからはＸ線回折の
結果、結晶質物質は認められなかった。
％、ＡｌＮ１８重量％、ＳｉＯ2 ３２重量％の割合で調
合し、１７５０℃で１時間溶融してカレットを得た。こ
のＹ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系のガラスからはＸ線回折の
結果、結晶質物質は認められなかった。
【００２４】（ｃ） 高融点金属粉末：上記ガラスを２
５メッシュ以下の粉末とし平均粒径１０μｍのＮｂＳｉ
2 粉末と混合した。
５メッシュ以下の粉末とし平均粒径１０μｍのＮｂＳｉ
2 粉末と混合した。
【００２５】（ｄ） 定着及び焼結 ：この混合物をペ
ーストとして窒化物セラミック体上に厚み２０μｍに塗
布し、１４００℃で１時間焼結した。
ーストとして窒化物セラミック体上に厚み２０μｍに塗
布し、１４００℃で１時間焼結した。
【００２６】（ｅ） 接合：（実施例１）と同様な処置
を施して剥離強度を測定した。
を施して剥離強度を測定した。
【００２７】２０個のテストピースについて行なった平
均剥離強度が４５ＭＰａ、ばらつきはδn-1 ＝５ＭＰａ
であった。
均剥離強度が４５ＭＰａ、ばらつきはδn-1 ＝５ＭＰａ
であった。
【００２８】（実施例３〜５） （実施例１）のＳｉ3 Ｎ4 セラミック体および（実施例
２）のＡｌＮセラミック体のそれぞれについて焼結助
剤，高融点金属粉末をそれぞれ代えて実施したものを
（実施例３〜５）に示し、（実施例１〜５）の内容を表
１，表２にまとめて表示した。
２）のＡｌＮセラミック体のそれぞれについて焼結助
剤，高融点金属粉末をそれぞれ代えて実施したものを
（実施例３〜５）に示し、（実施例１〜５）の内容を表
１，表２にまとめて表示した。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【表２】
【００３１】表２から判明するように、Ｓｉ3 Ｎ4 及び
ＡｌＮ両窒化物系セラミック体に対するメタライズ強度
が概ね７０〜８０ＭＰａという極めて高い値を、ロー付
け後の強度も約６０〜７５ＭＰａとかなりの高い値を示
して、本発明の有効性がここに確認された。
ＡｌＮ両窒化物系セラミック体に対するメタライズ強度
が概ね７０〜８０ＭＰａという極めて高い値を、ロー付
け後の強度も約６０〜７５ＭＰａとかなりの高い値を示
して、本発明の有効性がここに確認された。
【００３２】
【発明の効果】本発明のメタライズ構造では、メタライ
ズ組成物が、ＡｌＮと、窒化物系セラミック体において
添加されたＡｌＮ以外の焼結助剤のうち少なくとも一種
を含有しているので、窒化物系セラミック体とメタライ
ズ層との高い接合強度を保証することができるという優
れた効果を発揮し得るものである。
ズ組成物が、ＡｌＮと、窒化物系セラミック体において
添加されたＡｌＮ以外の焼結助剤のうち少なくとも一種
を含有しているので、窒化物系セラミック体とメタライ
ズ層との高い接合強度を保証することができるという優
れた効果を発揮し得るものである。
【図１】本発明のメタライズ構造におけるメタライズ組
成物を用いた接合構造の一部縦断面斜視図である。
成物を用いた接合構造の一部縦断面斜視図である。
【図２】メタライズ層の上に金属部材をロー付けをした
場合の強度測定テストの概略を示す説明図である。
場合の強度測定テストの概略を示す説明図である。
１ 窒化物系セラミック体 ２ メタライズ層 ３ 金属部材
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】窒化物系セラミック体にメタライズ組成物
を被着してなるメタライズ構造において、前記メタライ
ズ組成物が、ＡｌＮと、前記窒化物系セラミック体にお
いて添加されたＡｌＮ以外の焼結助剤のうち少なくとも
一種を含有することを特徴とするメタライズ構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21374591A JPH05860A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | メタライズ構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21374591A JPH05860A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | メタライズ構造 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59254538A Division JPH0679988B2 (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 窒化物セラミツク体へのメタライズ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05860A true JPH05860A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=16644318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21374591A Pending JPH05860A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | メタライズ構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05860A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2366756A2 (en) | 2004-10-04 | 2011-09-21 | JNC Corporation | Liquid Crystal Composition and Liquid Crystal Display Element |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1991
- 1991-08-26 JP JP21374591A patent/JPH05860A/ja active Pending
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