JPH0243700B2 - - Google Patents
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- JPH0243700B2 JPH0243700B2 JP60111113A JP11111385A JPH0243700B2 JP H0243700 B2 JPH0243700 B2 JP H0243700B2 JP 60111113 A JP60111113 A JP 60111113A JP 11111385 A JP11111385 A JP 11111385A JP H0243700 B2 JPH0243700 B2 JP H0243700B2
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、絶縁基板、ヒートシンク等に使用さ
れる高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体に関する
ものであり、特に、メタライズの容易な高熱伝導
性窒化アルミニウム焼結体に関する。 ［従来の技術］ 近年、電子機器の小形化や機能向上に対する要
求は極めて大きくなつており、それに伴つて半導
体は集積密度の向上、多機能化、高速化、高出力
化、高信頼化の方向に急速に進展している。これ
らに対応して半導体から発生する熱量はますます
増加しており、従来のAl2O3基板にかわる放熱能
力の大きい基板が要求されるようになつている。 この放熱能力の大きい基板材料、即ち熱伝導性
の高い材料としては、ダイヤモンド、立方晶BN
（窒化硼素）、SiC（炭化硅素）、BeO（ベリリア）、
AlN（窒化アルミニウム）、Si等をあげることがで
きる。しかし、ダイヤモンド、立方晶BNは基板
として利用できる大きさを製造することが困難で
あり、又、非常に高価である。SiCは半導体であ
るために電気絶縁性、誘電率等の電気特性が
Al2O3より劣り、Al2O3基板のかわりとして使用
できない。BeOは電気特性が非常に優れている
が、成形時、研削加工時等に発生する粉末が毒性
をもつために国内で生産されず、海外から求める
必要があるために供給が不安定となる恐れがあ
る。Siは電気特性が悪く、又、機械的強度も小さ
いので、基板材料としての使用は限られる。
AlNは高絶縁性、高絶縁耐圧、低誘電率などの
優れた電気特性に加えて、常圧焼結が適用できる
が、所要面に金属層が形成出来ず、未だ高出力用
の多層基板は開発されていないのが実情である。 ［発明の解決しようとする問題点］ この様に、AlNは、金属との濡れ性が悪いた
めに、メタライズできず基板としての使用は困難
であつた。 又、例えば、特開昭50−75208や特開昭59−
40404のように、AlN基板表面を酸化させてから
メタライズしたり、特開昭53−102310のように、
先ず、AlN基板表面に金属酸化物を設け、その
後にメタライズする等の技術が知られているが、
いずれも焼結体表面にメタライズすることは出来
ても、多層化を目的とする同時焼成法には適用す
ることが出来ず、又メタライズされた金属層と
AlN基板との間に比較的熱伝導率の低い層が介
在することになるため熱伝導率の低下はさけられ
ないといつた欠点を有していた。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は上記問題点を解決するために次の手段
を採用した。 第１の発明の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結
体は、 窒化アルミニウムを100重量部と、 周期率表の4a、5a、6a族元素の硼化物及び周
期率表の4a、5a族元素の窒化物から選ばれた１
種又は２種以上の化合物を、金属元素に換算して
総量で0.1〜10重量部と からなることを特徴とする。 周期率表の4a族元素は、Ti、Zr、Hfのことで
あり、5a族元素は、Ｖ、Nb、Taのことであり、
6a族元素はCr、Mo、Ｗのことである。 この周期率表の4a、5a、6a族元素の硼化物及
び周期率表の4a、5a族元素の窒化物から選ばれ
た１種又は２種以上の化合物が、金属元素に換算
して総量でAlN100重量部とに対し、0.1重量部以
上10重量部以下であるのは、この範囲より少ない
とAlN焼結体の金属との濡れ性が改善されない
ためであり、逆にこの範囲より多いとAlN焼結
体の高熱伝導性が劣化し、又、焼結性が劣化する
ためである。 本発明は上記成分のみでも十分であるが、必要
に応じてY2O3やCaO等の焼結助剤をAlN100重量
部に対して５重量部を超えない範囲で含んでもよ
い。 又、この焼結体の相対密度（理論密度に対する
密度％）が90％以上であるとAlNの持つ高熱伝
導性の効果が大きく、又、メタライズの接着強度
が大きい。 第２の発明の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結
体は、第１の発明に周期率表の4a、5a、6a族元
素の炭化物を加えたものであり、その要旨は、 窒化アルミニウム100重量部と、 周期率表の4a、5a、6a族元素の硼化物及び周
期率表の4a、5a族元素の窒化物から選ばれた１
種又は２種以上の化合物と周期率表の4a、5a、
6a族元素の炭化物から選ばれた１種又は２種以
上の化合物との両化合物を、金属元素に換算して
総量で0.1〜10重量部と からなることを特徴とする。 前述の硼化物、窒化物及び炭化物の総量が
AlN100重量部に対して、0.1〜10重量部であるの
は、第１の発明と同様に、この範囲より少ない
と、AlN焼結体の金属との濡れ性が改善されず、
逆にこの範囲より多いと、AlN焼結体の高熱伝
導性が劣化し、又、焼結性が劣化するためであ
る。 又、AlNは本発明においても第１の発明と同
様にY2O3やCaOを５重量部以下含んでもよい。 第１及び第２の発明は、AlN粉末、前述の硼
化物粉末、窒化物粉末、又はそれに加えて炭化物
粉末に必要に応じて焼結助剤粉末を加えて金型等
により成形し、通常のN2、Ar、NH3分解ガス、
H2等の非酸化性雰囲気下で焼結したり、最終的
に硼化物、窒化物、炭化物になる化合物を用いて
Ｎ、Ｂ、Ｃ等の存在下で焼結することによつて得
ることができる。 ［作用］ 周期率表の4a、5a、6a族元素の硼化物及び／
又は周期率表の4a、5a族元素の窒化物、第２の
発明の場合はそれに加えて周期率表の4a、5a、
6a族元素の炭化物はAlN粒子中に固溶すること
なく、AlN粒子間、即ち、粒界に存在して、金
属と結合するために、本発明は、AlNの金属と
の濡れ性を改善すると思われる。 又、通常、粒界に添加物が存在すると熱伝導性
は悪化するが、本発明は、前述の硼化物、窒化物
又はそれに加えて炭化物がAlNの粒界に存在す
るにもかかわらず、AlNの高熱伝導性を損わな
いことを見出したものである。この理由は、添加
した化合物がAlNと反応して、他の化合物を生
成することがなく、又、AlNの粒子全体を覆う
様な存在をしない為に、AlN粒子同志の結合は
損なわれず、AlN本来の特性を維持しながら、
AlNの金属との濡れ性を改善できるものと思わ
れる。 ［発明の効果］ 本発明の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体
は、窒化アルミニウムに周期率表の4a、5a、6a
族元素の硼化物及び／又は周期率表の4a、5a族
元素の窒化物あるいはそれに加えて周期率表の
4a、5a、6a族元素の炭化物を含有することによ
つて窒化アルミニウムの優れた熱伝導性を損なう
ことなく、金属との濡れ性を改善できた。 本発明はメタライズ時に基板表面に酸化物等の
層を設けないために、メタライズした金属層と
AlN基板とが直接結合するため、接合強度、熱
伝導性において優れた性質をもつ。 又、本発明をIC等の基板に利用することによ
り、放熱性に優れた電子部品を得ることができる
が、従来のように、基板表面の処理等を必要とせ
ず、又同時焼成による多層基板を容易に得ること
ができる。 ［実施例］ 第１の発明及び第２の発明の一実施例について
説明する。 本実施例は、平均粒径1.0μｍのAlN粒末100重
量部に対して硼化物、窒化物、炭化物を第１表に
示す金属換算の所定量加えて混合し、エタノール
中で４時間、湿式混合して原料粉末をつくり、そ
の後、密度及び熱伝導率測定用の試料と、金属と
の濡れ性測定用の試料とを得た。 密度及び熱伝導率の測定は、原料粉末を直径11
mm厚さ３mmに成形圧力1.5ton／cm2で成形した後、
1700℃の窒素雰囲気中で１時間常圧焼結を行つて
得た試料について行つた。密度は相対密度（理論
密度に対する見掛け比重比％）として測定し、
又、熱伝導率は、試料の厚みを２mmに平研加工し
た後にレーザーフラツシユ法を用いて測定した。 金属との濡れ性は、メタライズの接着強度とし
て測定した。メタライズの接着強度は、原料粉末
を30×10×５mmに成形圧力1.5ton／cm2で成形した
後に、通常メタライズに用いられるＷ粉末（平均
粒径1.0μｍ）を含むペーストを該成形体表面に２
×２mm、厚さ約20μｍに塗布し、乾燥して、1700
℃窒素雰囲下で１時間常圧焼結し、次いで、該焼
結体表面に電解NiメツキによつてNi層を２〜5μ
ｍ形成し、850℃、10分間シンターした後に、共
晶銀ローを用いて１×１mmのコバール（コバルト
と鉄を含むニツケル合金）板を930℃、５分間で
ロー付し、その接着強度をピール強度として測定
した。 このピール強度は上記コバール板に接合された
リード線を接着面に対して垂直方向に向つて0.5
mm／secの速度で引張り、上記コバール板が焼結
体から剥離したときの強度である。 第１表に相対密度、熱伝導率、ピール強度の測
定結果を示す。尚、試料No.1a〜6aは第１発明の
No.1b、2bは第２発明の実施例である。又、第１
表に示された組成以外は全てAlNであり、組成
の含有量の単位はAlN100重量部に対する金属換
算の重量部である。
れる高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体に関する
ものであり、特に、メタライズの容易な高熱伝導
性窒化アルミニウム焼結体に関する。 ［従来の技術］ 近年、電子機器の小形化や機能向上に対する要
求は極めて大きくなつており、それに伴つて半導
体は集積密度の向上、多機能化、高速化、高出力
化、高信頼化の方向に急速に進展している。これ
らに対応して半導体から発生する熱量はますます
増加しており、従来のAl2O3基板にかわる放熱能
力の大きい基板が要求されるようになつている。 この放熱能力の大きい基板材料、即ち熱伝導性
の高い材料としては、ダイヤモンド、立方晶BN
（窒化硼素）、SiC（炭化硅素）、BeO（ベリリア）、
AlN（窒化アルミニウム）、Si等をあげることがで
きる。しかし、ダイヤモンド、立方晶BNは基板
として利用できる大きさを製造することが困難で
あり、又、非常に高価である。SiCは半導体であ
るために電気絶縁性、誘電率等の電気特性が
Al2O3より劣り、Al2O3基板のかわりとして使用
できない。BeOは電気特性が非常に優れている
が、成形時、研削加工時等に発生する粉末が毒性
をもつために国内で生産されず、海外から求める
必要があるために供給が不安定となる恐れがあ
る。Siは電気特性が悪く、又、機械的強度も小さ
いので、基板材料としての使用は限られる。
AlNは高絶縁性、高絶縁耐圧、低誘電率などの
優れた電気特性に加えて、常圧焼結が適用できる
が、所要面に金属層が形成出来ず、未だ高出力用
の多層基板は開発されていないのが実情である。 ［発明の解決しようとする問題点］ この様に、AlNは、金属との濡れ性が悪いた
めに、メタライズできず基板としての使用は困難
であつた。 又、例えば、特開昭50−75208や特開昭59−
40404のように、AlN基板表面を酸化させてから
メタライズしたり、特開昭53−102310のように、
先ず、AlN基板表面に金属酸化物を設け、その
後にメタライズする等の技術が知られているが、
いずれも焼結体表面にメタライズすることは出来
ても、多層化を目的とする同時焼成法には適用す
ることが出来ず、又メタライズされた金属層と
AlN基板との間に比較的熱伝導率の低い層が介
在することになるため熱伝導率の低下はさけられ
ないといつた欠点を有していた。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は上記問題点を解決するために次の手段
を採用した。 第１の発明の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結
体は、 窒化アルミニウムを100重量部と、 周期率表の4a、5a、6a族元素の硼化物及び周
期率表の4a、5a族元素の窒化物から選ばれた１
種又は２種以上の化合物を、金属元素に換算して
総量で0.1〜10重量部と からなることを特徴とする。 周期率表の4a族元素は、Ti、Zr、Hfのことで
あり、5a族元素は、Ｖ、Nb、Taのことであり、
6a族元素はCr、Mo、Ｗのことである。 この周期率表の4a、5a、6a族元素の硼化物及
び周期率表の4a、5a族元素の窒化物から選ばれ
た１種又は２種以上の化合物が、金属元素に換算
して総量でAlN100重量部とに対し、0.1重量部以
上10重量部以下であるのは、この範囲より少ない
とAlN焼結体の金属との濡れ性が改善されない
ためであり、逆にこの範囲より多いとAlN焼結
体の高熱伝導性が劣化し、又、焼結性が劣化する
ためである。 本発明は上記成分のみでも十分であるが、必要
に応じてY2O3やCaO等の焼結助剤をAlN100重量
部に対して５重量部を超えない範囲で含んでもよ
い。 又、この焼結体の相対密度（理論密度に対する
密度％）が90％以上であるとAlNの持つ高熱伝
導性の効果が大きく、又、メタライズの接着強度
が大きい。 第２の発明の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結
体は、第１の発明に周期率表の4a、5a、6a族元
素の炭化物を加えたものであり、その要旨は、 窒化アルミニウム100重量部と、 周期率表の4a、5a、6a族元素の硼化物及び周
期率表の4a、5a族元素の窒化物から選ばれた１
種又は２種以上の化合物と周期率表の4a、5a、
6a族元素の炭化物から選ばれた１種又は２種以
上の化合物との両化合物を、金属元素に換算して
総量で0.1〜10重量部と からなることを特徴とする。 前述の硼化物、窒化物及び炭化物の総量が
AlN100重量部に対して、0.1〜10重量部であるの
は、第１の発明と同様に、この範囲より少ない
と、AlN焼結体の金属との濡れ性が改善されず、
逆にこの範囲より多いと、AlN焼結体の高熱伝
導性が劣化し、又、焼結性が劣化するためであ
る。 又、AlNは本発明においても第１の発明と同
様にY2O3やCaOを５重量部以下含んでもよい。 第１及び第２の発明は、AlN粉末、前述の硼
化物粉末、窒化物粉末、又はそれに加えて炭化物
粉末に必要に応じて焼結助剤粉末を加えて金型等
により成形し、通常のN2、Ar、NH3分解ガス、
H2等の非酸化性雰囲気下で焼結したり、最終的
に硼化物、窒化物、炭化物になる化合物を用いて
Ｎ、Ｂ、Ｃ等の存在下で焼結することによつて得
ることができる。 ［作用］ 周期率表の4a、5a、6a族元素の硼化物及び／
又は周期率表の4a、5a族元素の窒化物、第２の
発明の場合はそれに加えて周期率表の4a、5a、
6a族元素の炭化物はAlN粒子中に固溶すること
なく、AlN粒子間、即ち、粒界に存在して、金
属と結合するために、本発明は、AlNの金属と
の濡れ性を改善すると思われる。 又、通常、粒界に添加物が存在すると熱伝導性
は悪化するが、本発明は、前述の硼化物、窒化物
又はそれに加えて炭化物がAlNの粒界に存在す
るにもかかわらず、AlNの高熱伝導性を損わな
いことを見出したものである。この理由は、添加
した化合物がAlNと反応して、他の化合物を生
成することがなく、又、AlNの粒子全体を覆う
様な存在をしない為に、AlN粒子同志の結合は
損なわれず、AlN本来の特性を維持しながら、
AlNの金属との濡れ性を改善できるものと思わ
れる。 ［発明の効果］ 本発明の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体
は、窒化アルミニウムに周期率表の4a、5a、6a
族元素の硼化物及び／又は周期率表の4a、5a族
元素の窒化物あるいはそれに加えて周期率表の
4a、5a、6a族元素の炭化物を含有することによ
つて窒化アルミニウムの優れた熱伝導性を損なう
ことなく、金属との濡れ性を改善できた。 本発明はメタライズ時に基板表面に酸化物等の
層を設けないために、メタライズした金属層と
AlN基板とが直接結合するため、接合強度、熱
伝導性において優れた性質をもつ。 又、本発明をIC等の基板に利用することによ
り、放熱性に優れた電子部品を得ることができる
が、従来のように、基板表面の処理等を必要とせ
ず、又同時焼成による多層基板を容易に得ること
ができる。 ［実施例］ 第１の発明及び第２の発明の一実施例について
説明する。 本実施例は、平均粒径1.0μｍのAlN粒末100重
量部に対して硼化物、窒化物、炭化物を第１表に
示す金属換算の所定量加えて混合し、エタノール
中で４時間、湿式混合して原料粉末をつくり、そ
の後、密度及び熱伝導率測定用の試料と、金属と
の濡れ性測定用の試料とを得た。 密度及び熱伝導率の測定は、原料粉末を直径11
mm厚さ３mmに成形圧力1.5ton／cm2で成形した後、
1700℃の窒素雰囲気中で１時間常圧焼結を行つて
得た試料について行つた。密度は相対密度（理論
密度に対する見掛け比重比％）として測定し、
又、熱伝導率は、試料の厚みを２mmに平研加工し
た後にレーザーフラツシユ法を用いて測定した。 金属との濡れ性は、メタライズの接着強度とし
て測定した。メタライズの接着強度は、原料粉末
を30×10×５mmに成形圧力1.5ton／cm2で成形した
後に、通常メタライズに用いられるＷ粉末（平均
粒径1.0μｍ）を含むペーストを該成形体表面に２
×２mm、厚さ約20μｍに塗布し、乾燥して、1700
℃窒素雰囲下で１時間常圧焼結し、次いで、該焼
結体表面に電解NiメツキによつてNi層を２〜5μ
ｍ形成し、850℃、10分間シンターした後に、共
晶銀ローを用いて１×１mmのコバール（コバルト
と鉄を含むニツケル合金）板を930℃、５分間で
ロー付し、その接着強度をピール強度として測定
した。 このピール強度は上記コバール板に接合された
リード線を接着面に対して垂直方向に向つて0.5
mm／secの速度で引張り、上記コバール板が焼結
体から剥離したときの強度である。 第１表に相対密度、熱伝導率、ピール強度の測
定結果を示す。尚、試料No.1a〜6aは第１発明の
No.1b、2bは第２発明の実施例である。又、第１
表に示された組成以外は全てAlNであり、組成
の含有量の単位はAlN100重量部に対する金属換
算の重量部である。
【表】
【表】
本実施例より、第１表に示す如く、AlNに周
期率表の4a、5a、6a族元素の硼化物、窒化物、
から選ばれた１種又は２種以上の化合物、あるい
はそれに加えて炭化物を、金属に換算して0.1〜
10重量部含有させることにより、熱伝導率が高
く、ピール強度の高い、即ち、金属との濡れ性の
良好な焼結体が得られることが分かつた。 尚、第１表に示した以外の周期率表の4a、5a、
6a族元素の窒化物及び周期率表の4a、5a族元素
の窒化物、あるいはそれに加えて周期率表の4a、
5a、6a族元素の炭化物を用いた試料も第１表に
示した試料と同様に、上記化合物をAlNに対し
て金属に換算して0.1〜10重量部含有することに
より、熱伝導率が高く金属との濡れ性の良好な焼
結体が得られた。 尚、従来のAlN焼結体（相対密度99％）の熱
伝導率は0.14〜0.24cal／cm．sec.℃、ピール強度
は0.5Kg／mm2より小さい。又、Al2O3（相対密度99
％）の熱伝導率は0.04〜0.07cal／cm．sec.℃で、
ピール強度は２〜５Kg／mm2である。 AlN粉末（平均粒子1.0μｍ）100重量部にMoに
換算して３重量部のMo2B（平均粒子2.0μｍ）を
加えた混合物に、焼結助剤としてCaOを添加し
て、相対密度、熱伝導率、ピール強度を測定し
た。その結果を第２表に示す。
期率表の4a、5a、6a族元素の硼化物、窒化物、
から選ばれた１種又は２種以上の化合物、あるい
はそれに加えて炭化物を、金属に換算して0.1〜
10重量部含有させることにより、熱伝導率が高
く、ピール強度の高い、即ち、金属との濡れ性の
良好な焼結体が得られることが分かつた。 尚、第１表に示した以外の周期率表の4a、5a、
6a族元素の窒化物及び周期率表の4a、5a族元素
の窒化物、あるいはそれに加えて周期率表の4a、
5a、6a族元素の炭化物を用いた試料も第１表に
示した試料と同様に、上記化合物をAlNに対し
て金属に換算して0.1〜10重量部含有することに
より、熱伝導率が高く金属との濡れ性の良好な焼
結体が得られた。 尚、従来のAlN焼結体（相対密度99％）の熱
伝導率は0.14〜0.24cal／cm．sec.℃、ピール強度
は0.5Kg／mm2より小さい。又、Al2O3（相対密度99
％）の熱伝導率は0.04〜0.07cal／cm．sec.℃で、
ピール強度は２〜５Kg／mm2である。 AlN粉末（平均粒子1.0μｍ）100重量部にMoに
換算して３重量部のMo2B（平均粒子2.0μｍ）を
加えた混合物に、焼結助剤としてCaOを添加し
て、相対密度、熱伝導率、ピール強度を測定し
た。その結果を第２表に示す。
【表】
第２表から分るように、CaOの添加量が５重量
部までは、焼結性、熱伝導率、ピール強度共に、
CaOを添加しないものと同程度であつたが、10重
量部のCaOを添加した場合は、焼成後のメタライ
ズ表面に、焼成中に発生するCa3Al2O6等の液相
が原因と思われる析出物の発生が激しくなり、ピ
ール強度の測定は不可能となることがわかつた。
部までは、焼結性、熱伝導率、ピール強度共に、
CaOを添加しないものと同程度であつたが、10重
量部のCaOを添加した場合は、焼成後のメタライ
ズ表面に、焼成中に発生するCa3Al2O6等の液相
が原因と思われる析出物の発生が激しくなり、ピ
ール強度の測定は不可能となることがわかつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 窒化アルミニウムを100重量部と、 周期率表の4a、5a、6a族元素の硼化物及び周
期率表の4a、5a族元素の窒化物から選ばれた１
種又は２種以上の化合物を、金属元素に換算して
総量で0.1〜10重量部と からなることを特徴とする高熱伝導性窒化アルミ
ニウム焼結体。 ２ 窒化アルミニウムを100重量部と、 周期率表の4a、5a、6a族元素の硼化物及び周
期率表の4a、5a族元素の窒化物から選ばれた１
種又は２種以上の化合物と周期率表の4a、5a、
6a族元素の炭化物から選ばれた１種又は２種以
上の化合物との両化合物を、金属元素に換算して
総量で0.1〜10重量部と からなることを特徴とする高熱伝導性窒化アルミ
ニウム焼結体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60111113A JPS61270262A (ja) | 1985-05-22 | 1985-05-22 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
| US07/039,347 US4877760A (en) | 1985-05-22 | 1987-04-17 | Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and process for producing same |
| US07/405,780 US4997798A (en) | 1985-05-22 | 1989-09-11 | Process for producing aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity |
| US07/405,872 US4961987A (en) | 1985-05-22 | 1989-09-11 | Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and process for producing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60111113A JPS61270262A (ja) | 1985-05-22 | 1985-05-22 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61270262A JPS61270262A (ja) | 1986-11-29 |
| JPH0243700B2 true JPH0243700B2 (ja) | 1990-10-01 |
Family
ID=14552739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60111113A Granted JPS61270262A (ja) | 1985-05-22 | 1985-05-22 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61270262A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2647347B2 (ja) * | 1985-06-28 | 1997-08-27 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体放熱板の製造方法 |
| JP2647346B2 (ja) * | 1985-06-28 | 1997-08-27 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体放熱板の製造方法 |
| JPH0717454B2 (ja) * | 1985-06-28 | 1995-03-01 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
| JPH0717453B2 (ja) * | 1985-11-28 | 1995-03-01 | 京セラ株式会社 | 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法 |
| JP2605045B2 (ja) * | 1987-06-23 | 1997-04-30 | 株式会社住友金属エレクトロデバイス | 窒化アルミニウム焼結体 |
| JPS63310772A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 窒化アルミニウム焼結体 |
| JPH0196068A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-14 | Nippon Chemicon Corp | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPH01100066A (ja) * | 1987-10-10 | 1989-04-18 | Nippon Chemicon Corp | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPH02271969A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ＡｌＮ質焼結体 |
| JP2799688B2 (ja) * | 1995-05-31 | 1998-09-21 | セイコー精機株式会社 | ヒートシンク |
-
1985
- 1985-05-22 JP JP60111113A patent/JPS61270262A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61270262A (ja) | 1986-11-29 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |