JPH0569797B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0569797B2 JPH0569797B2 JP61051213A JP5121386A JPH0569797B2 JP H0569797 B2 JPH0569797 B2 JP H0569797B2 JP 61051213 A JP61051213 A JP 61051213A JP 5121386 A JP5121386 A JP 5121386A JP H0569797 B2 JPH0569797 B2 JP H0569797B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metallized layer
- aluminum nitride
- base material
- nitride base
- oxidizing atmosphere
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910017309 Mo—Mn Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015501 Mo3Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/581—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、絶縁基板、ヒートシンク、レーザ用
チユーブ等に高熱伝導性絶縁材料として使用され
る窒化アルミニウム焼結体のメタライズに関する
ものである。 ［従来の技術］ 近年、電子機器の小型化や機能向上に対する要
求は極めて大きくなつており、それに伴つて半導
体は集積密度の向上、多機能化、高速化、高出力
化、高信頼化の方向に急速に進展している。これ
らに対応して半導体から発生する熱量はますます
増加しており、従来のAl2O3基板にかわる放熱能
力の大きい基板が要求されるようになつている。
又、その他の分野、例えば各種の熱機関や産業機
器等においても高出力化が進んでおり、それに伴
つて、放熱能力の大きい材料がもとめられてい
る。 この放熱能力の大きい材料、即ち熱伝導性の高
い材料としては、ダイヤモンド、立方晶BN（窒
化硼素）、SiC（炭化珪素）、BeO（ベリリア）、
AlN（窒化アルミニウム）、Si等をあげることがで
きる。 しかし、ダイヤモンド、立方晶BNは上記のよ
うな用途に利用できる大きさを製造することが困
難であり、又、非常に高価である。SiCは半導体
であるために電気絶縁性、誘電率等の電気特性が
悪く、絶縁材料として使用できない。BeOは電
気特性が非常に優れているが、成形時、切削加工
時等に発生する粉末が毒性を持つために国内で生
産されず、海外から求める必要があるために供給
が不安定となるおそれがある。Siは電気特性が悪
く、また、機械的強度も小さいので、基板材料と
しても使用が限られる。AlNは高絶縁性、高絶
縁耐圧、低誘電離率等の優れた電気特性に加え
て、常圧焼結が適用できると言う利点があるが、
金属との濡れ性が悪く使用面に金属層を形成した
り、又金属との接合が十分出来ないために、未だ
高出力用の多層基板やレーザチユーブ等は開発さ
れていないのが実状である。 また、近年では、AlNと金属層との接合面に、
接合強度を向上する目的でアルミナからなる中間
層を形成した提案（特開昭50−75208号公報参照）
が行われているが、このアルミナの熱伝導性は低
いので、AlN本来の高熱伝導性が発揮されない
という問題があつた。 ［問題点を解決するための手段及びその作用］ 本発明は上記問題点を解決するために次の手段
を採用した。 即ち、本発明の要旨は、 主成分として、Mo−Mn合金、Mo及びＷのい
ずれかを含むとともに、 上記主成分の他に、Mg，Ca，Sr，Ba，Ｙ，
Ti，Zr，Ｖ，Cr，Nb，Mo，Mn，Ｂ，Al，Si，
La，Hf，Ta及びこれらの酸化物、窒化物中から
選ばれた１種又は２種以上であり、少なくともそ
のうちの１種が酸化物である添加成分を含む、 メタライズ層形成成分を、 窒化アルミニウム製基材表面に塗布し、 該メタライズ層形成成分が塗布された窒化アル
ミニウム製基材を、酸化雰囲気中で200〜500℃に
加熱処理し、 次いで該加熱処理された窒化アルミニウム製基
材を、露点が−35〜５℃の水素ガスを主成分とし
て含む非酸化性雰囲気中で1200〜1400℃に加熱す
ることを特徴とする窒化アルミニウム製基材の表
面構造の形成法にある。 ここで上記窒化アルミニウム製基材は、窒化ア
ルミニウムのみでも、又焼結性の向上等を目的と
して希土類酸化物（例えばイツトリア）又はアル
カリ土類酸化物（例えばカルシア）等の、通常、
使用される焼結助剤を含んでも良い。 また、上記メタライズ層形成成分は、Mo−
Mn合金、Mo，Ｗのいずれかを主成分とするも
のであり、更にこの主成分に加えて、Mg，Ca，
Sr，Ba，Ｙ，Ti，Zr，Ｖ，Cr，Nb，Mo，Mn，
Ｂ，Al，Si，La，Hf，Ta及びこれらの酸化物、
窒化物中から選ばれた１種又は２種以上であり、
しかも少なくともそのうちの１種が酸化物である
添加成分を含むものである。 更に、酸化雰囲気中200〜500℃の加熱処理は、
後述の水素ガスを主成分とする非酸化性雰囲気で
の加熱の前処理であつて、塗布するメタライズ層
形成成分に含まれる有機バインダを飛ばし、水素
ガスを主成分とする非酸化性雰囲気での加熱処理
において、該雰囲気とメタライズ層形成成分の両
方から、適度に酸素を窒化アルミニウム製基材と
メタライズ層との界面に供給してそれらを化学的
に結合させる反応を促進する。 この温度が200℃より低いと、上記有機バイン
ダ中の炭素成分がメタライズ層形成成分中に残留
し、それが水素ガスを主成分とする非酸化性雰囲
気中での処理中に、アルミニウム製基材とメタラ
イズ層の界面とに酸素を供給することを妨げるた
め十分な反応がおきず、一方、500℃より高いと、
上記メタライズ層形成成分が酸化して接着強度が
不十分となる。 また、水素ガスを主成分とする非酸化性雰囲気
中における1200〜1400℃の加熱は、雰囲気の露点
が−35℃より低いと雰囲気中に酸素の供給源とし
ての水分が少なすぎて、反応によつて生成する中
間層に酸素がメタライズ層形成成分だけからしか
供給されず、その結果メタライズ層形成成分中の
Mo，Ｗ等と上記（添加される酸化物である）活
性成分との反応が起こり、好ましくない化合物、
例えばMoとSiO2との反応によるMo3Siをつくつ
てしまう。 一方、上記露点が５℃より高いと雰囲気中に酸
素の供給源としての水分が多すぎて、窒化アルミ
ニウム製基材が激しく酸化され窒化アルミニウム
本来の性能が損なわれる。 また、上記温度が1200℃より低いと十分な反応
が起きず、製造された窒化アルミニウム製基材の
表面構造における窒化アルミニウム製基材とメタ
ライズ層との接着が不十分である。逆に、上記温
度が1400℃より高いと、上記反応によつて形成さ
れる中間層の成分が酸化物のみとなり、即ち窒素
が存在しなくなるので、製造された窒化アルミニ
ウム製基材の表面構造における窒化アルミニウム
製基材とメタライズ層との接着が不十分であり、
またメタライズ層形成成分が蒸発しはじめ良好な
メタライズ層を形成できない。 更に、窒化アルミニウム製基材の表面粗度が
1.5μm以下であるとより強固な結合が得られる。 本発明の形成法によつて形成される表面構造
は、窒化アルミニウム製基材とメタライズ層との
間に中間層を備えたものであるが、この中間層に
は少なくともアルミニウム、窒素及び酸素が含有
されている。 ［発明の効果］ 本発明の窒化アルミニウム製基材の表面構造の
形成法は、上述したメタライズ層形成成分を塗布
された窒化アルミニウム製基材を、酸化雰囲気中
200〜500℃と、露点−35〜５℃の水素ガスを主成
分とする非酸化性雰囲気中1200〜1400℃との２段
階の加熱によつて焼成することにより、優れた性
質を有する窒化アルミニウム製基材の表面構造を
形成することを可能とした。 つまり、本発明によつて、窒化アルミニウム製
基材とメタライズ層との接着が強固になつて結合
強度が向上し、更にメタライズ層の濡れ性が向上
するという利点がある。また、メタライズ層と窒
化アルミニウム製基材との気密性が高く、熱伝導
も向上する。 ［実施例］ 本発明の実施例について説明する。 第１実施例 本実施例は、平均結晶粒径10μm、表面粗度
0.7μmRaの板状窒化アルミニウム製基材に、
Mo：80重量％、Mn：10重量％、SiO2：10重量
％のペースト状メタライズ層形成成分（以下単に
メタライズ層成分と記す）を厚さ約20μmで塗布
し乾燥後、空気中において300℃で１時間加熱処
理し、その後（水素ガスを主成分とする非酸化性
雰囲気である）アンモニア分解ガス中において
1300℃にて、第１表に示す露点で１時間焼成して
試料とした。尚、以下、非酸化性雰囲気とは、水
素ガスを主成分とする非酸化性雰囲気を意味す
る。 上記試料は次に述べる方法によつて、メタライ
ズ層の厚み（μm）、メタライズ層を形成する成
分、中間層の厚み（μm）、中間層を形成する成
分、耐熱テスト及びピール強度（Kg／mm2）につい
て測定した。測定結果は第１表に示す。 メタライズ層の厚み：上記試料を破断し、その破
断面から走査型電子顕微鏡（日本電子株式会社
製JSM840型）によつて測定した。 メタライズ層を形成する成分：上記試料のメタラ
イズ層のＸ線回折から求めた。 中間層の厚み及び中間層を形成する成分：上記試
料を破断し、その破断面から走査型電子顕微鏡
（日本電子株式会社製JSM840型）およびＸ線
マイクロプロ−ブアナリシス（日本電子株式会
社製JXA733型）によつて測定した。 耐熱テスト：上記試料のメタライズ層に電解Ni
メツキによりNi層を２〜5μmの厚さに形成し
850℃で10分間シンターした後、Auメツキを重
ねて施す。ついで空気中450℃５分間の加熱後、
鉄板上で冷却し、上記メツキ層の剥離を観察す
る。観察結果は表中に、剥離しなかつた試料を
○、剥離した試料を×として記載した。 ピール強度：上記試料のメタライズ層に電解Ni
メツキによりNi層を２〜5μmの厚さに形成し
850℃で10分間シンターした後、共晶銀ローを
もちいて１×１mmのコバール（コバルトと鉄を
含むニツケル合金）板を930℃、５分間でロー
付けし、上記コバール板に接合されたリード線
を接着面に対して垂直方向に向かつて0.5mm／
secの速度で引つ張り、上記コバール板が窒化
アルミニウム製基材から剥離したときの強度を
ピール強度として測定した。
チユーブ等に高熱伝導性絶縁材料として使用され
る窒化アルミニウム焼結体のメタライズに関する
ものである。 ［従来の技術］ 近年、電子機器の小型化や機能向上に対する要
求は極めて大きくなつており、それに伴つて半導
体は集積密度の向上、多機能化、高速化、高出力
化、高信頼化の方向に急速に進展している。これ
らに対応して半導体から発生する熱量はますます
増加しており、従来のAl2O3基板にかわる放熱能
力の大きい基板が要求されるようになつている。
又、その他の分野、例えば各種の熱機関や産業機
器等においても高出力化が進んでおり、それに伴
つて、放熱能力の大きい材料がもとめられてい
る。 この放熱能力の大きい材料、即ち熱伝導性の高
い材料としては、ダイヤモンド、立方晶BN（窒
化硼素）、SiC（炭化珪素）、BeO（ベリリア）、
AlN（窒化アルミニウム）、Si等をあげることがで
きる。 しかし、ダイヤモンド、立方晶BNは上記のよ
うな用途に利用できる大きさを製造することが困
難であり、又、非常に高価である。SiCは半導体
であるために電気絶縁性、誘電率等の電気特性が
悪く、絶縁材料として使用できない。BeOは電
気特性が非常に優れているが、成形時、切削加工
時等に発生する粉末が毒性を持つために国内で生
産されず、海外から求める必要があるために供給
が不安定となるおそれがある。Siは電気特性が悪
く、また、機械的強度も小さいので、基板材料と
しても使用が限られる。AlNは高絶縁性、高絶
縁耐圧、低誘電離率等の優れた電気特性に加え
て、常圧焼結が適用できると言う利点があるが、
金属との濡れ性が悪く使用面に金属層を形成した
り、又金属との接合が十分出来ないために、未だ
高出力用の多層基板やレーザチユーブ等は開発さ
れていないのが実状である。 また、近年では、AlNと金属層との接合面に、
接合強度を向上する目的でアルミナからなる中間
層を形成した提案（特開昭50−75208号公報参照）
が行われているが、このアルミナの熱伝導性は低
いので、AlN本来の高熱伝導性が発揮されない
という問題があつた。 ［問題点を解決するための手段及びその作用］ 本発明は上記問題点を解決するために次の手段
を採用した。 即ち、本発明の要旨は、 主成分として、Mo−Mn合金、Mo及びＷのい
ずれかを含むとともに、 上記主成分の他に、Mg，Ca，Sr，Ba，Ｙ，
Ti，Zr，Ｖ，Cr，Nb，Mo，Mn，Ｂ，Al，Si，
La，Hf，Ta及びこれらの酸化物、窒化物中から
選ばれた１種又は２種以上であり、少なくともそ
のうちの１種が酸化物である添加成分を含む、 メタライズ層形成成分を、 窒化アルミニウム製基材表面に塗布し、 該メタライズ層形成成分が塗布された窒化アル
ミニウム製基材を、酸化雰囲気中で200〜500℃に
加熱処理し、 次いで該加熱処理された窒化アルミニウム製基
材を、露点が−35〜５℃の水素ガスを主成分とし
て含む非酸化性雰囲気中で1200〜1400℃に加熱す
ることを特徴とする窒化アルミニウム製基材の表
面構造の形成法にある。 ここで上記窒化アルミニウム製基材は、窒化ア
ルミニウムのみでも、又焼結性の向上等を目的と
して希土類酸化物（例えばイツトリア）又はアル
カリ土類酸化物（例えばカルシア）等の、通常、
使用される焼結助剤を含んでも良い。 また、上記メタライズ層形成成分は、Mo−
Mn合金、Mo，Ｗのいずれかを主成分とするも
のであり、更にこの主成分に加えて、Mg，Ca，
Sr，Ba，Ｙ，Ti，Zr，Ｖ，Cr，Nb，Mo，Mn，
Ｂ，Al，Si，La，Hf，Ta及びこれらの酸化物、
窒化物中から選ばれた１種又は２種以上であり、
しかも少なくともそのうちの１種が酸化物である
添加成分を含むものである。 更に、酸化雰囲気中200〜500℃の加熱処理は、
後述の水素ガスを主成分とする非酸化性雰囲気で
の加熱の前処理であつて、塗布するメタライズ層
形成成分に含まれる有機バインダを飛ばし、水素
ガスを主成分とする非酸化性雰囲気での加熱処理
において、該雰囲気とメタライズ層形成成分の両
方から、適度に酸素を窒化アルミニウム製基材と
メタライズ層との界面に供給してそれらを化学的
に結合させる反応を促進する。 この温度が200℃より低いと、上記有機バイン
ダ中の炭素成分がメタライズ層形成成分中に残留
し、それが水素ガスを主成分とする非酸化性雰囲
気中での処理中に、アルミニウム製基材とメタラ
イズ層の界面とに酸素を供給することを妨げるた
め十分な反応がおきず、一方、500℃より高いと、
上記メタライズ層形成成分が酸化して接着強度が
不十分となる。 また、水素ガスを主成分とする非酸化性雰囲気
中における1200〜1400℃の加熱は、雰囲気の露点
が−35℃より低いと雰囲気中に酸素の供給源とし
ての水分が少なすぎて、反応によつて生成する中
間層に酸素がメタライズ層形成成分だけからしか
供給されず、その結果メタライズ層形成成分中の
Mo，Ｗ等と上記（添加される酸化物である）活
性成分との反応が起こり、好ましくない化合物、
例えばMoとSiO2との反応によるMo3Siをつくつ
てしまう。 一方、上記露点が５℃より高いと雰囲気中に酸
素の供給源としての水分が多すぎて、窒化アルミ
ニウム製基材が激しく酸化され窒化アルミニウム
本来の性能が損なわれる。 また、上記温度が1200℃より低いと十分な反応
が起きず、製造された窒化アルミニウム製基材の
表面構造における窒化アルミニウム製基材とメタ
ライズ層との接着が不十分である。逆に、上記温
度が1400℃より高いと、上記反応によつて形成さ
れる中間層の成分が酸化物のみとなり、即ち窒素
が存在しなくなるので、製造された窒化アルミニ
ウム製基材の表面構造における窒化アルミニウム
製基材とメタライズ層との接着が不十分であり、
またメタライズ層形成成分が蒸発しはじめ良好な
メタライズ層を形成できない。 更に、窒化アルミニウム製基材の表面粗度が
1.5μm以下であるとより強固な結合が得られる。 本発明の形成法によつて形成される表面構造
は、窒化アルミニウム製基材とメタライズ層との
間に中間層を備えたものであるが、この中間層に
は少なくともアルミニウム、窒素及び酸素が含有
されている。 ［発明の効果］ 本発明の窒化アルミニウム製基材の表面構造の
形成法は、上述したメタライズ層形成成分を塗布
された窒化アルミニウム製基材を、酸化雰囲気中
200〜500℃と、露点−35〜５℃の水素ガスを主成
分とする非酸化性雰囲気中1200〜1400℃との２段
階の加熱によつて焼成することにより、優れた性
質を有する窒化アルミニウム製基材の表面構造を
形成することを可能とした。 つまり、本発明によつて、窒化アルミニウム製
基材とメタライズ層との接着が強固になつて結合
強度が向上し、更にメタライズ層の濡れ性が向上
するという利点がある。また、メタライズ層と窒
化アルミニウム製基材との気密性が高く、熱伝導
も向上する。 ［実施例］ 本発明の実施例について説明する。 第１実施例 本実施例は、平均結晶粒径10μm、表面粗度
0.7μmRaの板状窒化アルミニウム製基材に、
Mo：80重量％、Mn：10重量％、SiO2：10重量
％のペースト状メタライズ層形成成分（以下単に
メタライズ層成分と記す）を厚さ約20μmで塗布
し乾燥後、空気中において300℃で１時間加熱処
理し、その後（水素ガスを主成分とする非酸化性
雰囲気である）アンモニア分解ガス中において
1300℃にて、第１表に示す露点で１時間焼成して
試料とした。尚、以下、非酸化性雰囲気とは、水
素ガスを主成分とする非酸化性雰囲気を意味す
る。 上記試料は次に述べる方法によつて、メタライ
ズ層の厚み（μm）、メタライズ層を形成する成
分、中間層の厚み（μm）、中間層を形成する成
分、耐熱テスト及びピール強度（Kg／mm2）につい
て測定した。測定結果は第１表に示す。 メタライズ層の厚み：上記試料を破断し、その破
断面から走査型電子顕微鏡（日本電子株式会社
製JSM840型）によつて測定した。 メタライズ層を形成する成分：上記試料のメタラ
イズ層のＸ線回折から求めた。 中間層の厚み及び中間層を形成する成分：上記試
料を破断し、その破断面から走査型電子顕微鏡
（日本電子株式会社製JSM840型）およびＸ線
マイクロプロ−ブアナリシス（日本電子株式会
社製JXA733型）によつて測定した。 耐熱テスト：上記試料のメタライズ層に電解Ni
メツキによりNi層を２〜5μmの厚さに形成し
850℃で10分間シンターした後、Auメツキを重
ねて施す。ついで空気中450℃５分間の加熱後、
鉄板上で冷却し、上記メツキ層の剥離を観察す
る。観察結果は表中に、剥離しなかつた試料を
○、剥離した試料を×として記載した。 ピール強度：上記試料のメタライズ層に電解Ni
メツキによりNi層を２〜5μmの厚さに形成し
850℃で10分間シンターした後、共晶銀ローを
もちいて１×１mmのコバール（コバルトと鉄を
含むニツケル合金）板を930℃、５分間でロー
付けし、上記コバール板に接合されたリード線
を接着面に対して垂直方向に向かつて0.5mm／
secの速度で引つ張り、上記コバール板が窒化
アルミニウム製基材から剥離したときの強度を
ピール強度として測定した。
【表】
第１表から次の事がわかつた。
試料No.Ａ−１のように、露点が−35℃より低
いとメタライズ層成分がMo3Siの如く好ましく
ない化合物が生成し、耐熱性、ピール強度が悪
化する。 試料No.Ａ−６〜７のように、露点が５℃より
高いと中間層に窒素が含まれなく、耐熱性、ピ
ール強度が悪化する。 尚、メタライズ層中のMn，SiO2はＸ線回折で
検出されない事から非晶質となつていると思われ
る。 第２実施例 本実施例は、アンモニア分解ガス中において露
点−20℃、第２表に示す温度で１時間焼成した以
外は、第１実施例と同様にして試料を作成した。
上記試料は第１実施例と同様の方法によつて、メ
タライズ層の厚み（μm）、メタライズ層を形成す
る成分、中間層の厚み（μm）、中間層を形成する
成分、耐熱テスト及びピール強度（Kg／mm2）につ
いて測定した。測定結果は第２表に示す。
いとメタライズ層成分がMo3Siの如く好ましく
ない化合物が生成し、耐熱性、ピール強度が悪
化する。 試料No.Ａ−６〜７のように、露点が５℃より
高いと中間層に窒素が含まれなく、耐熱性、ピ
ール強度が悪化する。 尚、メタライズ層中のMn，SiO2はＸ線回折で
検出されない事から非晶質となつていると思われ
る。 第２実施例 本実施例は、アンモニア分解ガス中において露
点−20℃、第２表に示す温度で１時間焼成した以
外は、第１実施例と同様にして試料を作成した。
上記試料は第１実施例と同様の方法によつて、メ
タライズ層の厚み（μm）、メタライズ層を形成す
る成分、中間層の厚み（μm）、中間層を形成する
成分、耐熱テスト及びピール強度（Kg／mm2）につ
いて測定した。測定結果は第２表に示す。
【表】
第２表から次の事がわかつた。
試料No.Ｂ−１のように、非酸化性雰囲気下に
おける加熱温度が1200℃より低いとメタライズ
層と窒化アルミニウム製基材との間で十分な反
応がおきない。そのため、中間層の厚さが1μm
より薄くなり、耐熱性、ピール強度が悪化す
る。 試料No.Ｂ−７のように、非酸化性雰囲気下に
おける加熱温度が1400℃より高いとメタライズ
層と窒化アルミニウム製基材との間で形成され
る中間層の成分が酸化物のみとなる。そのた
め、耐熱性、ピール強度が悪化する。又、メタ
ライズ層成分が蒸発を始め十分なメタライズ層
が形成できない。 第３実施例 本実施例は、板状窒化アルミニウム製基材に、
第３表に示す活性成分としてSiO2を含むペース
ト状メタライズ層成分を厚さ約20μmで塗布した
以外は第１実施例と同様にして試料を作成した。
尚、第３表のメタライズ層成分中のMo−Mnは、
Mo：Mnが８：１である。又、Mo−MnとSiO2
との比は重量％である。 上記試料は第１実施例と同様の方法によつて、
中間層の厚み（μm）、耐熱テスト及びピール強度
（Kg／mm2）について測定し、下記の方法によつて
形成されたメタライズ層の面積抵抗を測定した。
測定結果は第３表に示す。 面積抵抗：幅１mm、長さ30mmに形成されたメタラ
イズ層パターンの電気抵抗を四端子法により測
定し下式により算出した。 面積抵抗ρ′＝Ｒ・Ｗ／Ｌ ここで Ｒ：四端子法により測定された電気抵抗
（mΩ） Ｗ：上記メタライズ層パターンの幅（mm） Ｌ：上記メタライズ層パターンの長さ（mm）
おける加熱温度が1200℃より低いとメタライズ
層と窒化アルミニウム製基材との間で十分な反
応がおきない。そのため、中間層の厚さが1μm
より薄くなり、耐熱性、ピール強度が悪化す
る。 試料No.Ｂ−７のように、非酸化性雰囲気下に
おける加熱温度が1400℃より高いとメタライズ
層と窒化アルミニウム製基材との間で形成され
る中間層の成分が酸化物のみとなる。そのた
め、耐熱性、ピール強度が悪化する。又、メタ
ライズ層成分が蒸発を始め十分なメタライズ層
が形成できない。 第３実施例 本実施例は、板状窒化アルミニウム製基材に、
第３表に示す活性成分としてSiO2を含むペース
ト状メタライズ層成分を厚さ約20μmで塗布した
以外は第１実施例と同様にして試料を作成した。
尚、第３表のメタライズ層成分中のMo−Mnは、
Mo：Mnが８：１である。又、Mo−MnとSiO2
との比は重量％である。 上記試料は第１実施例と同様の方法によつて、
中間層の厚み（μm）、耐熱テスト及びピール強度
（Kg／mm2）について測定し、下記の方法によつて
形成されたメタライズ層の面積抵抗を測定した。
測定結果は第３表に示す。 面積抵抗：幅１mm、長さ30mmに形成されたメタラ
イズ層パターンの電気抵抗を四端子法により測
定し下式により算出した。 面積抵抗ρ′＝Ｒ・Ｗ／Ｌ ここで Ｒ：四端子法により測定された電気抵抗
（mΩ） Ｗ：上記メタライズ層パターンの幅（mm） Ｌ：上記メタライズ層パターンの長さ（mm）
【表】
【表】
第３表から次の事がわかつた。
試料No.Ｃ−２〜５のように、メタライズ層中
の活性成分（SiO2）が３〜30重量％であると
ピール強度、耐熱性に優れると共にメタライズ
層の電気伝導性が優れた表面構造となる。 第４実施例 本実施例は、板状窒化アルミニウム製基材に、
第４表に示すペースト状メタライズ層成分を厚さ
約20μmで塗布した以外は第１実施例と同様にし
て試料を作成した。尚、第４表のメタライズ層成
分中のMo−Mnは、Mo：Mnが８：１である。
又、Mo−Mn，Mo，Ｗと活性成分との比は重量
％である。 上記試料は第１実施例と同様の方法によつて、
中間層の厚み（μm）、耐熱テスト及びピール強度
（Kg／mm2）について測定した。測定結果は第４表
に示す。
の活性成分（SiO2）が３〜30重量％であると
ピール強度、耐熱性に優れると共にメタライズ
層の電気伝導性が優れた表面構造となる。 第４実施例 本実施例は、板状窒化アルミニウム製基材に、
第４表に示すペースト状メタライズ層成分を厚さ
約20μmで塗布した以外は第１実施例と同様にし
て試料を作成した。尚、第４表のメタライズ層成
分中のMo−Mnは、Mo：Mnが８：１である。
又、Mo−Mn，Mo，Ｗと活性成分との比は重量
％である。 上記試料は第１実施例と同様の方法によつて、
中間層の厚み（μm）、耐熱テスト及びピール強度
（Kg／mm2）について測定した。測定結果は第４表
に示す。
【表】
【表】
第４表から次の事がわかつた。
試料No.Ｄ−１〜24のように、メタライズ層成
分が、Mg，Ca，Sr，Ba，Ｙ，Ｖ，Ti，Zr，
Cr，Nb，Mo，Mn，Ｂ，Al，Si，La，Hf，
Ta及びこれらの酸化物、窒化物中から選ばれ
た１種又は２種以上を含み、少なくともそのう
ちの１種が酸化物であると、耐熱性、ピール強
度に優れた表面構造となる。 第５実施例 本実施例は、平均結晶粒径10μm、第５表に示
す表面粗度の板状窒化アルミニウム製基材に、
Mo：80重量％、Mn：10重量％、SiO2：10重量
％のペースト状メタライズ層成分を厚さ約20μm
で塗布した以外は第１実施例と同様にして試料を
作成した。 上記試料は第１実施例と同様の方法によつて、
耐熱テスト及びピール強度（Kg／mm2）について測
定した。測定結果は第５表に示す。
分が、Mg，Ca，Sr，Ba，Ｙ，Ｖ，Ti，Zr，
Cr，Nb，Mo，Mn，Ｂ，Al，Si，La，Hf，
Ta及びこれらの酸化物、窒化物中から選ばれ
た１種又は２種以上を含み、少なくともそのう
ちの１種が酸化物であると、耐熱性、ピール強
度に優れた表面構造となる。 第５実施例 本実施例は、平均結晶粒径10μm、第５表に示
す表面粗度の板状窒化アルミニウム製基材に、
Mo：80重量％、Mn：10重量％、SiO2：10重量
％のペースト状メタライズ層成分を厚さ約20μm
で塗布した以外は第１実施例と同様にして試料を
作成した。 上記試料は第１実施例と同様の方法によつて、
耐熱テスト及びピール強度（Kg／mm2）について測
定した。測定結果は第５表に示す。
【表】
第５表から次の事がわかつた。
試料No.Ｅ−１〜４のように、窒化アルミニウ
ム製基材の表面粗度が1.5μm以下であるとメタ
ライズ層と窒化アルミニウム製基材との結合
が、より強固であり、耐熱性、ピール強度に優
れたものとなる。 第６実施例 本実施例は、空気中において第６表に示す温度
で１時間加熱処理し、その後露点−20℃のアンモ
ニア分解ガス中において1300℃で１時間焼成した
以外は第１実施例と同様にして試料を作成した。 上記試料は第１実施例と同様の方法によつて、
中間層の厚み（μm）、中間層を形成する成分、耐
熱テスト及びピール強度（Kg／mm2）について測定
した。測定結果は第６表に示す。
ム製基材の表面粗度が1.5μm以下であるとメタ
ライズ層と窒化アルミニウム製基材との結合
が、より強固であり、耐熱性、ピール強度に優
れたものとなる。 第６実施例 本実施例は、空気中において第６表に示す温度
で１時間加熱処理し、その後露点−20℃のアンモ
ニア分解ガス中において1300℃で１時間焼成した
以外は第１実施例と同様にして試料を作成した。 上記試料は第１実施例と同様の方法によつて、
中間層の厚み（μm）、中間層を形成する成分、耐
熱テスト及びピール強度（Kg／mm2）について測定
した。測定結果は第６表に示す。
【表】
ある。
第６表から次の事がわかつた。 試料No.Ｆ−１のように、酸化性雰囲気下にお
ける加熱温度が200℃より低いとメタライズ層
と窒化アルミニウム製基材との間で十分な反応
がおきない。そのため、中間層の厚さが1μmよ
り薄くなり、耐熱性、ピール強度が悪化する。 試料No.Ｆ−６のように、酸化性雰囲気下にお
ける加熱温度が500℃より高いとメタライズ層
成分が酸化し、又メタライズ層と窒化アルミニ
ウム製基材との間で形成される中間層の成分も
酸化物のみとなる。そのため、耐熱性、ピール
強度が悪化する。 即ち、上記〜から分かるように窒化アルミ
ニウム製基材の表面構造が熱伝導率、電気特性に
優れた性質を持つためには、中間層が少なくとも
アルミニウム、窒素及び酸素を含むことが必要で
ある。 又、そのような窒化アルミニウム製基材の表面
構造を製造するには、メタライズ層成分を塗布さ
れた窒化アルミニウム製基材を、酸化雰囲気中
200〜500℃と、露点−35〜５℃の非酸化性雰囲気
中1200〜1400℃との２段階の加熱によつて焼成す
ることが必要である。
第６表から次の事がわかつた。 試料No.Ｆ−１のように、酸化性雰囲気下にお
ける加熱温度が200℃より低いとメタライズ層
と窒化アルミニウム製基材との間で十分な反応
がおきない。そのため、中間層の厚さが1μmよ
り薄くなり、耐熱性、ピール強度が悪化する。 試料No.Ｆ−６のように、酸化性雰囲気下にお
ける加熱温度が500℃より高いとメタライズ層
成分が酸化し、又メタライズ層と窒化アルミニ
ウム製基材との間で形成される中間層の成分も
酸化物のみとなる。そのため、耐熱性、ピール
強度が悪化する。 即ち、上記〜から分かるように窒化アルミ
ニウム製基材の表面構造が熱伝導率、電気特性に
優れた性質を持つためには、中間層が少なくとも
アルミニウム、窒素及び酸素を含むことが必要で
ある。 又、そのような窒化アルミニウム製基材の表面
構造を製造するには、メタライズ層成分を塗布さ
れた窒化アルミニウム製基材を、酸化雰囲気中
200〜500℃と、露点−35〜５℃の非酸化性雰囲気
中1200〜1400℃との２段階の加熱によつて焼成す
ることが必要である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 主成分として、Mo−Mn合金、Mo及びＷの
いずれかを含むとともに、 上記主成分の他に、Mg，Ca，Sr，Ba，Ｙ，
Ti，Zr，Ｖ，Cr，Nb，Mo，Mn，Ｂ，Al，Si，
La，Hf，Ta及びこれらの酸化物、窒化物中から
選ばれた１種又は２種以上であり、少なくともそ
のうちの１種が酸化物である添加成分を含む、 メタライズ層形成成分を、 窒化アルミニウム製基材表面に塗布し、 該メタライズ層形成成分が塗布された窒化アル
ミニウム製基材を、酸化雰囲気中で200〜500℃に
加熱処理し、 次いで該加熱処理された窒化アルミニウム製基
材を、露点が−35〜５℃の水素ガスを主成分とし
て含む非酸化性雰囲気中で1200〜1400℃に加熱す
ることを特徴とする窒化アルミニウム製基材の表
面構造の形成法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61051213A JPS62207789A (ja) | 1986-03-08 | 1986-03-08 | 窒化アルミニウム製基材の表面構造及びその製造法 |
| US07/030,253 US4840853A (en) | 1986-03-08 | 1987-03-09 | Surface structure of AlN substrate and a process for producing the same |
| US07/328,289 US4892703A (en) | 1986-03-08 | 1989-03-24 | Surface structure of A1N substrate and a process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61051213A JPS62207789A (ja) | 1986-03-08 | 1986-03-08 | 窒化アルミニウム製基材の表面構造及びその製造法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2212827A Division JPH078750B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 窒化アルミニウム製基材の表面構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62207789A JPS62207789A (ja) | 1987-09-12 |
| JPH0569797B2 true JPH0569797B2 (ja) | 1993-10-01 |
Family
ID=12880635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61051213A Granted JPS62207789A (ja) | 1986-03-08 | 1986-03-08 | 窒化アルミニウム製基材の表面構造及びその製造法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4840853A (ja) |
| JP (1) | JPS62207789A (ja) |
Families Citing this family (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5165983A (en) * | 1984-09-30 | 1992-11-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for production of aluminum nitride ceramic plate |
| JPS62207789A (ja) * | 1986-03-08 | 1987-09-12 | 日本特殊陶業株式会社 | 窒化アルミニウム製基材の表面構造及びその製造法 |
| JPH0712993B2 (ja) * | 1986-08-26 | 1995-02-15 | 住友電気工業株式会社 | 金属化面を有する窒化アルミニウム焼結体 |
| JPH0666546B2 (ja) * | 1987-10-01 | 1994-08-24 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム部品の製造方法 |
| EP0327068B1 (en) * | 1988-02-01 | 1995-08-30 | Mitsubishi Materials Corporation | Substrate used for fabrication of thick film circuit |
| JP2537653B2 (ja) * | 1988-02-12 | 1996-09-25 | 株式会社日立製作所 | 窒化アルミニウム基板と製法及び半導体装置 |
| JPH0725618B2 (ja) * | 1988-07-05 | 1995-03-22 | 株式会社村田製作所 | Ａ▲ｌ▼Ｎ体のタングステンメタライズ構造 |
| JPH0679995B2 (ja) * | 1988-08-18 | 1994-10-12 | 株式会社村田製作所 | ＡｌＮ基板のＷメタライズ構造 |
| US5258218A (en) * | 1988-09-13 | 1993-11-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aluminum nitride substrate and method for producing same |
| JP2774560B2 (ja) * | 1989-03-31 | 1998-07-09 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウムメタライズ基板 |
| US5145741A (en) * | 1989-06-05 | 1992-09-08 | Quick Nathaniel R | Converting ceramic materials to electrical conductors and semiconductors |
| JP2968539B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1999-10-25 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム構造物の製造方法 |
| EP0421680B1 (en) * | 1989-09-27 | 1994-03-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aluminium nitride circuit board |
| US5830570A (en) * | 1989-12-19 | 1998-11-03 | Kyocera Corporation | Aluminum nitride substrate and process for preparation thereof |
| US5271962A (en) * | 1990-03-12 | 1993-12-21 | Ferro Corporation | Metallic composition and methods for making and using the same |
| US5370907A (en) * | 1990-06-15 | 1994-12-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Forming a metallized layer on an AlN substrate by applying and heating a paste of a metal composed of W and Mo |
| US5418002A (en) * | 1990-12-24 | 1995-05-23 | Harris Corporation | Direct bonding of copper to aluminum nitride substrates |
| US6207288B1 (en) * | 1991-02-05 | 2001-03-27 | Cts Corporation | Copper ink for aluminum nitride |
| US5217589A (en) * | 1991-10-03 | 1993-06-08 | Motorola, Inc. | Method of adherent metal coating for aluminum nitride surfaces |
| US5311399A (en) * | 1992-06-24 | 1994-05-10 | The Carborundum Company | High power ceramic microelectronic package |
| JP3593707B2 (ja) * | 1993-03-19 | 2004-11-24 | 住友電気工業株式会社 | 窒化アルミニウムセラミックスとその製造方法 |
| US6696103B1 (en) | 1993-03-19 | 2004-02-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Aluminium nitride ceramics and method for preparing the same |
| JP2634133B2 (ja) * | 1993-08-03 | 1997-07-23 | 日本特殊陶業株式会社 | 高誘電体層を有する窒化アルミニウム多層配線基板及びその製造方法 |
| JPH07109573A (ja) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ガラス基板および加熱処理方法 |
| US5482903A (en) * | 1993-12-22 | 1996-01-09 | International Business Machines Corporation | Aluminum nitride body utilizing a vitreous sintering additive |
| US5552232A (en) * | 1994-12-21 | 1996-09-03 | International Business Machines Corporation | Aluminum nitride body having graded metallurgy |
| DE19514018C1 (de) * | 1995-04-13 | 1996-11-28 | Hoechst Ceram Tec Ag | Verfahren zur Herstellung eines metallbeschichteten, metallisierten Substrats aus Aluminiumnitridkeramik und damit erhaltenes metallbeschichtetes Substrat |
| US6670693B1 (en) | 1996-12-05 | 2003-12-30 | Nathaniel R. Quick | Laser synthesized wide-bandgap semiconductor electronic devices and circuits |
| US6271576B1 (en) * | 1996-12-05 | 2001-08-07 | Nathaniel R. Quick | Laser synthesized ceramic sensors and method for making |
| JP3845925B2 (ja) * | 1996-02-05 | 2006-11-15 | 住友電気工業株式会社 | 窒化アルミニウム基材を用いた半導体装置用部材及びその製造方法 |
| JP4013386B2 (ja) * | 1998-03-02 | 2007-11-28 | 住友電気工業株式会社 | 半導体製造用保持体およびその製造方法 |
| US6732562B2 (en) * | 2000-05-09 | 2004-05-11 | University Of Central Florida | Apparatus and method for drawing continuous fiber |
| US6939748B1 (en) | 2003-10-13 | 2005-09-06 | Nathaniel R. Quick | Nano-size semiconductor component and method of making |
| US8617965B1 (en) | 2004-02-19 | 2013-12-31 | Partial Assignment to University of Central Florida | Apparatus and method of forming high crystalline quality layer |
| US7618880B1 (en) * | 2004-02-19 | 2009-11-17 | Quick Nathaniel R | Apparatus and method for transformation of substrate |
| US7268063B1 (en) | 2004-06-01 | 2007-09-11 | University Of Central Florida | Process for fabricating semiconductor component |
| US7419887B1 (en) * | 2004-07-26 | 2008-09-02 | Quick Nathaniel R | Laser assisted nano deposition |
| US7951632B1 (en) | 2005-01-26 | 2011-05-31 | University Of Central Florida | Optical device and method of making |
| US8617669B1 (en) | 2006-04-20 | 2013-12-31 | Partial Assignment to University of Central Florida | Laser formation of graphene |
| US7811914B1 (en) * | 2006-04-20 | 2010-10-12 | Quick Nathaniel R | Apparatus and method for increasing thermal conductivity of a substrate |
| US8067303B1 (en) | 2006-09-12 | 2011-11-29 | Partial Assignment University of Central Florida | Solid state energy conversion device |
| US8114693B1 (en) | 2007-09-18 | 2012-02-14 | Partial Assignment University of Central Florida | Method of fabricating solid state gas dissociating device by laser doping |
| US8828769B2 (en) * | 2008-12-02 | 2014-09-09 | University Of Central Florida | Energy conversion device |
| US9012253B2 (en) * | 2009-12-16 | 2015-04-21 | Micron Technology, Inc. | Gallium nitride wafer substrate for solid state lighting devices, and associated systems and methods |
| US9059079B1 (en) | 2012-09-26 | 2015-06-16 | Ut-Battelle, Llc | Processing of insulators and semiconductors |
| US9601641B1 (en) | 2013-12-10 | 2017-03-21 | AppliCote Associates, LLC | Ultra-high pressure doping of materials |
| US9620667B1 (en) | 2013-12-10 | 2017-04-11 | AppliCote Associates LLC | Thermal doping of materials |
| CN108658627B (zh) * | 2018-06-01 | 2020-06-02 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种氮化铝陶瓷的金属化方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5075208A (ja) * | 1973-11-07 | 1975-06-20 | ||
| JPS59121175A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-13 | 株式会社東芝 | 放熱体の製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57181356A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-08 | Hitachi Ltd | Sintered aluminum nitride body with high heat conductivity |
| DE3247985C2 (de) * | 1982-12-24 | 1992-04-16 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Keramischer Träger |
| JPS59129775A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 被覆硬質部材の製造法 |
| US4600658A (en) * | 1983-11-07 | 1986-07-15 | Motorola, Inc. | Metallization means and method for high temperature applications |
| EP0153737B1 (en) * | 1984-02-27 | 1993-07-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Circuit substrate having high thermal conductivity |
| SE451581B (sv) * | 1984-04-06 | 1987-10-19 | Sandvik Ab | Keramiskt material huvudsakligen baserat pa kiselnitrid, aluminiumnitrid och aluminiumoxid |
| EP0176737B1 (en) * | 1984-09-28 | 1989-08-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Process for production of readily sinterable aluminum nitride powder |
| US4578232A (en) * | 1984-12-17 | 1986-03-25 | General Electric Company | Pressureless sintering process to produce high thermal conductivity ceramic body of aluminum nitride |
| US4695517A (en) * | 1985-05-31 | 1987-09-22 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Composite layer aluminum nitride base sintered body |
| JPS62207789A (ja) * | 1986-03-08 | 1987-09-12 | 日本特殊陶業株式会社 | 窒化アルミニウム製基材の表面構造及びその製造法 |
| DE3630066C1 (de) * | 1986-09-04 | 1988-02-04 | Heraeus Gmbh W C | Verfahren zur Herstellung von gesinterten metallisierten Aluminiumnitrid-Keramikkoerpern |
-
1986
- 1986-03-08 JP JP61051213A patent/JPS62207789A/ja active Granted
-
1987
- 1987-03-09 US US07/030,253 patent/US4840853A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-03-24 US US07/328,289 patent/US4892703A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5075208A (ja) * | 1973-11-07 | 1975-06-20 | ||
| JPS59121175A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-13 | 株式会社東芝 | 放熱体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62207789A (ja) | 1987-09-12 |
| US4892703A (en) | 1990-01-09 |
| US4840853A (en) | 1989-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0569797B2 (ja) | ||
| JP4077888B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
| EP0297511A2 (en) | Connection structure between components for semiconductor apparatus | |
| JP3629783B2 (ja) | 回路基板 | |
| JPH0516398B2 (ja) | ||
| JP3834351B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JPH022836B2 (ja) | ||
| JPH0323512B2 (ja) | ||
| JPH0243700B2 (ja) | ||
| JP2523162B2 (ja) | 半導体装置用部材 | |
| JPH05238857A (ja) | 窒化アルミニウム基板のメタライズ方法 | |
| JPH078750B2 (ja) | 窒化アルミニウム製基材の表面構造 | |
| JPS62182182A (ja) | 金属化面を有する窒化アルミニウム焼結体 | |
| JPS61270263A (ja) | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法 | |
| JP2677748B2 (ja) | セラミックス銅回路基板 | |
| JPS6345193A (ja) | 金属化表面を有する炭化けい素系セラミツクス焼結体およびその製造法 | |
| JP2867693B2 (ja) | 回路基板 | |
| JPH05221759A (ja) | メタライズ層を有する窒化アルミニウム基板とそのメタライズ方法 | |
| JPH0323511B2 (ja) | ||
| JPH04949B2 (ja) | ||
| JPH0256955A (ja) | 半導体装置用部品間の接続構造 | |
| JPH01103853A (ja) | 半導体装置用部品 | |
| JP2001025892A (ja) | はんだ付け用Ｎｉ部材、電気部品と放熱部品の製造方法 | |
| JPH06166573A (ja) | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 | |
| JPS62108786A (ja) | 金属化窒化アルミニウム体及びその製法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |