JPH07109573A - ガラス基板および加熱処理方法 - Google Patents

ガラス基板および加熱処理方法

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JPH07109573A
JPH07109573A JP5279029A JP27902993A JPH07109573A JP H07109573 A JPH07109573 A JP H07109573A JP 5279029 A JP5279029 A JP 5279029A JP 27902993 A JP27902993 A JP 27902993A JP H07109573 A JPH07109573 A JP H07109573A
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heat
film
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Takeshi Fukada
武 深田
Mitsunori Sakama
光範 坂間
Satoshi Teramoto
聡 寺本
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Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ガラス基板の熱処理（成膜、結晶成長、酸化
等で、特にガラス基板の歪み点付近もしくはそれ以上の
温度でおこなわれる場合）工程において、良好な基板処
理手段・方法を提供する。また、発熱する素子が形成さ
れても良好な放熱性を有するガラス基板を提供する。 【構成】 ガラス基板の表面に窒化アルミニューム膜を
形成する。この窒化アルミニューム膜は、ヒートシンク
として機能し、ガラス基板表面に形成される素子（例え
ばＴＦＴ）から発生られる熱が局所的に集中しないよう
に機能する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置がその上に
形成されるガラス基板に関する。特に、ガラス基板の表
面に形成される下地膜とその作製方法。さらにはガラス
基板の熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス基板上に形成される薄膜半導体装
置として、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴという）が知
られている。このようなガラス基板上に形成されたＴＦ
Ｔは、液晶表示装置の画素駆動部分や周辺回路に配置さ
れ、高画像表示をさせる場合に利用される。また、イメ
ージセンサやその他集積回路にも利用される。
【０００３】基板としてガラス基板を用いることは、 ・光学的に可視光線に対しては透光性であるので、液晶
表示装置のように光が装置中を透過する場合に利用しや
すい。 ・価格が安い。 といった有用性があるが、ガラス基板の耐熱温度で、熱
処理温度の上限が制限されるという問題がある。
【０００４】ガラス基板としては、ガラス基板中からの
不純物の析出の問題、価格の問題等からコーニング７０
５９ガラスが一般に用いられる。この７０５９ガラスの
転移点温度は、６２８℃であり、歪点は５９３℃であ
る。他の、歪点が５５０〜６５０℃の実用的な工業用ガ
ラス材料としては下記表１に示されるものが知られてい
る。
【０００５】
【表１】
【０００６】一方、ガラス基板上に気相法で形成された
非晶質珪素膜を加熱により結晶化させる場合、一般に６
００℃以上の温度が必要とされており、７０５９ガラス
基板を用いた場合、基板が加熱によって縮んでしまう。
【０００７】ガラス基板上に形成されたＴＦＴを利用し
た装置としては、アクティブマトリックス型の液晶表示
装置が知られているが、この場合、ガラス基板上に数万
〜数百万個のＴＦＴをマトリックス状に形成する必要が
ある。ＴＦＴを形成するには、多数のマクスを用いたプ
ロセスが必要になる訳で、基板の縮みの問題は、作製工
程上の大きな障害となる。
【０００８】特に、加熱処理前にマスク合わせを行なう
必要がある場合には、加熱処理に従う基板の収縮が生じ
ることは問題がある。一方、基板を加熱処理する工程
は、処理速度の問題から、基板を鉛直に複数枚立てて加
熱炉内に配置されるのが普通であるが、基板の歪点温度
以上の加熱処理においては基板の撓みが顕著になってし
まう。
【０００９】また、ガラス基板上にＴＦＴを形成する場
合、特に大電流を流すことのできるＴＦＴを形成した場
合、動作に従う発熱が問題となる。この発熱の問題は、
珪素の熱伝導率が１４８Ｗｍ-1Ｋ-1（３００Ｋ）であ
り、ガラス基板の熱伝導率が１．３８Ｗｍ-1Ｋ-1（３０
０Ｋ）であることに起因する。（ただし、この珪素の熱
伝導率は、単結晶珪素ものであり、ガラス基板の熱伝導
率は、石英ガラスのものである）
【００１０】上記のように珪素の熱伝導率に比較して、
ガラス基板の熱伝導率が著しく低い為、ＴＦＴの動作時
において、ＴＦＴで発生する熱が逃げることができず、
発熱に起因する動作不良や熱破壊が問題となる。
【００１１】特にこの問題は、結晶性珪素を利用した場
合に特に顕著になる問題である。即ち、非晶質珪素膜を
用いたＴＦＴにおいては、扱う電流値が小さいために、
発熱の問題はそれほど心配する必要はないが、結晶性珪
素膜を用いたＴＦＴにおいては、大きな電流を流すこと
ができるので、発熱が大きな問題となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ガラス基板
を用いた半導体装置の作製に際する加熱工程における ・ガラス基板の縮みの問題 ・ガラス基板の撓み（たわみ）の問題 ・ＴＦＴの動作時における発熱の問題 を解決することを発明の目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス基板を
その歪点より高い温度で加熱処理し、０．０１℃／分〜
０．５℃／分の速度で徐冷し、さらに後の加熱工程は、
当該ガラス基板の歪点より低い温度で行ない、しかもそ
の際に１０℃／分〜３００℃／秒という急速な降下速度
で急冷することによって、この最のガラス基板の縮みを
５０ｐｐｍ以下に抑えることができるという実験事実に
基づくものである。
【００１４】上記のような処理を施すことにより、一般
に５５０℃〜６９０℃の歪点を有し、６００℃以下の加
熱処理工程における縮みが５０ｐｐｍ以下であるガラス
基板を得ることができる。
【００１５】本発明においては、ガラス基板の加熱処理
時における基板の撓みの問題を解決するために、ガラス
基板を概略水平に保持して加熱処理することが好まし
い。この基板を概略水平に保持して加熱処理を行う装置
の一例を図１に示す。
【００１６】図１に示すのは、加熱炉の概略を示すもの
であり、石英製の反応管１１、基板保持手段（基板ホル
ダー）１２、水平に配置された基板１３が示されてい
る。また、図には示されていないが、この装置は外部か
ら反応管１１を加熱するためのヒーターが備えられてい
る。また、反応管内に所定のガスを供給する手段、基板
保持手段を反応管から外部に移動させる手段を備えてい
る。
【００１７】図１には、基板保持手段１２にガラス基板
１３が水平に保持されている状態が示されている。ここ
でガラス基板を水平に保持するのは、基板を水平に保持
して加熱処理することによって、基板が撓み、その平面
性が損なわれることを防ぐためである。このような構成
は、ガラス基板に歪点以上の温度が加わる工程が必要と
される場合に有用である。
【００１８】また、加熱工程においてガラス基板を縮ま
せたくない場合に、ガラス基板を予め加熱処理（前熱処
理）して収縮させておき、後の加熱工程における収縮を
低減させる方法がある。
【００１９】本発明者らの実験によれば、この前熱処理
をガラス基板の歪点温度以上で行い、しかも熱処理後に
徐冷させた場合、ガラス基板が大きく縮み、そしてその
後の加熱工程をガラス基板の転移点温度以下あるいはそ
の付近で行い、しかもこの熱処理後に急冷した場合、ガ
ラス基板がほとんど縮まないことが判明した。
【００２０】上記前熱処理は、ガラス基板を０．０１〜
０．５℃／分、例えば、０．２℃／分以下の速度でゆっ
くりと冷却することが重要である。ガラス基板は、加熱
することによって縮む、特に加熱終了後にゆっくりと冷
却すると、極めて大きく縮むと同時にガラス基板内での
局所的な応力が緩和される。その結果、大きく縮ませれ
ば縮ませる程、後の加熱工程における基板の縮みは小さ
くなる。また、この加熱処理温度が高い程、その効果も
大きくなる。
【００２１】また、上記前熱処理後に行なわれる成膜、
結晶成長、酸化等に必要な加熱処理においては、加熱後
１０℃／分〜３００℃／秒の速度で急冷することが重要
である。特にガラス材料の歪点付近の±１００℃、好ま
しくは±５０℃においては、上記の速度で急冷するとガ
ラス材料の伸縮を抑制することができる。例えば、コー
ニング７０５９ガラスでは４９３〜６９３℃での処理温
度が必要なプロセスにおいては、４９３℃までは、少な
くとも急冷することが、さらなる縮み（場合によっては
伸び）を５０ｐｐｍ以下に抑える上で有効である。
【００２２】前熱処理後に行なわれる加熱処理工程とし
ては、当該ガラス基板上に形成された非晶質半導体の加
熱による結晶化、当該ガラス基板上に形成された半導体
膜や半導体装置に対する熱アニール、当該ガラス基板上
に半導体膜や絶縁膜を形成する際に必要とされる加熱処
理、等々のガラス基板に対して熱が加えられる工程を挙
げることができる。
【００２３】上記において説明したガラス基板を予め縮
ませておくための加熱処理（前熱処理）は、その後に行
われる加熱工程における加熱温度よりも高い温度行うこ
とが必要である。
【００２４】具体的には、歪点が５５０度〜６９０度に
あるガラス基板を６００度以上の温度（この温度はガラ
ス基板の歪点温度より大きい必要がある）で熱処理する
ことが必要となる。
【００２５】また、ガラス基板上に予め下地膜として窒
化アルミ（ＡｌＮ）膜を形成することによって、ガラス
基板上にＴＦＴを形成した場合におけるＴＦＴの発熱の
問題を解決することができる。
【００２６】窒化アルミは、熱伝導率が２００Ｗｍ-1Ｋ
-1程度あるいはそれ以上あり、ＴＦＴを構成する結晶性
珪素の熱伝導率（単結晶珪素の１５０Ｗｍ-1Ｋ-1より小
さいと考えられる）よりも大きく、放熱器（ヒートシン
ク）として機能する。しかも窒化アルミ膜は、可視光に
対しては透光性であるので、液晶表示装置等に利用して
も支障はない。
【００２７】この窒化アルミ（ＡｌＮ）の作製方法とし
ては、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法等が知られている
が、特にガラス基板の両面に同時に成膜を行なうことが
できる陽光柱方式のプラズマＣＶＤ装置を利用すること
が有用である。また、その厚さは、厚い方がＴＦＴのヒ
ートシンクとしての機能を高めることができるが、実用
的には５００Å〜３μｍ、好ましくは１０００Å〜１μ
ｍとすることが有用である。
【００２８】この陽光中プラズマＣＶＤ装置の概要を図
６、図７に示す。図７は、図６をＡ−Ａ’で切った断面
を示すものである。図６、図７において、５８が真空チ
ャンバーであり、５０と５１とが１３．５６ＭＨｚの高
周波電源であり、一対の電極５４と５５とに高周波を印
加し、これら電極間において高周波放電を生じさせる。
成膜がされる基板５３は、枠構造を有する基板支持体５
６の内部に複数配置される。基板５３は、その端部が基
板支持部材５７によって基板支持体５６の内部に保持さ
れており、基板の両面に成膜がされるようになってい
る。また、５２が反応性気体やキャリアガスの導入系で
あり、不必要になったガスは、真空排気ポンプ６０によ
って、排気系５９より排出される。
【００２９】この図６、図７に示す装置を利用すること
の有用性は、複数の基板を同時に処理することができる
という点、基板の両面に成膜を行なうことができるとい
う点、である。特に窒化アルミ膜を下地膜としてガラス
基板表面に成膜する場合、ガラス基板の両面に窒化アル
ミ膜を成膜することは以下に説明するような有用性があ
る。
【００３０】（１）ガラス基板の両面に窒化アルミ膜を
成膜することにより、ガラス基板からの析出物の影響を
抑えることができる。 （２）後の加熱処理工程において、基板が片面側に反っ
てしまうことを防ぐことができる。
【００３１】上記のような有用性を、普通のスパッタ法
や平行平板型のプラズマＣＶＤ法で得る場合には、基板
の片面それぞれに成膜を行なわなくてはならず、基板を
ひっくり返す際の汚染の問題や、工程が増えることでの
生産性の低下が問題となる。
【００３２】また、スパッタ法やＣＶＤ法で形成された
窒化アルミ膜は、アルミの成分が少なく、窒素成分が過
多である場合がある。この場合、成膜しただけの窒化ア
ルミ膜は、黄色に着色して見え、その抵抗も絶縁物とし
て十分なものではない。
【００３３】このことを改善するには、窒素雰囲気中、
あるいは窒素と酸素との混合雰囲気（例えば空気）中に
おいて、加熱処理すればよい。窒素雰囲気中で加熱処理
した場合には、当然必要とする透過率と抵抗とを有した
窒化アルミ膜を得ることができる。また、窒素と酸素と
の混合雰囲気中において加熱処理した場合には、ＡｌＮ
x Ｏy で示される酸化された窒化アルミ膜を得ることが
できる。この場合、酸素（Ｏ）を０．００１〜１０原子
％含有させることができる。そして、良好な透過性と絶
縁特性、さらにはＴＦＴのヒートシンク（クールシン
ク、基板上に局部発熱領域がＴＦＴ等で存在していて
も、その発熱を基板全体に広げて均一化するための手
段）としての機能を有せしめることができる。
【００３４】この窒化アルミ膜の加熱処理工程と、前述
のガラス基板を予め縮めておくための前熱処理工程とを
兼用させることは作製工程上非常に有用である。即ち、
窒化アルミ膜とガラス基板の前熱処理とを同時に行なう
ことによって、高移動度ＴＦＴに最適な窒化アルミ膜が
下地膜として成膜され、しかも加熱が必要とされる工程
においてもガラス基板の縮みを最小限に抑えることので
きるガラス基板を提供することができる。
【００３５】勿論、ガラス基板の前熱処理を行なった後
に窒化アルミ膜を成膜し、しかる後に窒化アルミ膜の加
熱処理を行なってもよい。この場合、前熱処理はガラス
基板の歪点温度より高い温度で行ない、窒化アルミ膜の
加熱処理は、前記前熱処理よりも低い温度で、行なうこ
とが重要である。そしてこの際、前熱処理の後に徐冷さ
せてガラス基板を縮ませておき、窒化アルミ膜の加熱処
理の後は急冷することによって、この窒化アルミ膜の加
熱処理工程における基板の縮みを最小限度に抑えること
ができる。
【００３６】また、本発明者らによる研究によると、非
晶質珪素膜中に結晶化を促進する不純物としてＮｉやＰ
ｂ、さらにはＳｉを導入することによって、６００℃以
下の温度でも非晶質珪素膜の結晶化を行なうことがで
き、しかもこの結晶化を促進する不純物であるＮｉやＰ
ｂさらにはＳｉを選択的に導入することによって、基板
と平行な方向への結晶成長や、選択的な結晶成長が行な
えることが判明している。
【００３７】このような工程を採用する場合、加熱によ
る結晶化を行なう前に、不純物を選択的に導入するため
に、マスク合わせを行なう工程が必要になる。従って、
この場合、マスク合わせ後の加熱工程におけるガラス基
板の縮み（ガラスによっては伸縮に異方性があるものが
ある）を５０ｐｐｍ以下に抑えることが可能な本願発明
は極めて有効である。
【００３８】また、酸化性雰囲気中における加熱によっ
て、半導体表面に酸化膜を形成する際（一般に熱酸化と
いわれる）にも本願発明は有用である。また、成膜せん
とする原材料を含む雰囲気中での加熱によって、所定の
被膜を形成する際にも有効である。
【００３９】いずれにしても、これらの加熱工程は、最
初にガラス基板に対して当該ガラス基板の歪点温度以上
の温度で行なわれる前熱処理の工程における温度よりも
低い温度で行なわれることが重要である。
【００４０】しかも、前熱処理の際には当該処理工程後
に徐冷を行ない、その後に行なわれる加熱処理の際に
は、急冷を行なうことが重要である。
【００４１】
【実施例】
〔実施例１〕本実施例は図２（Ａ）〜（Ｄ）に示される
ガラス基板上に形成された結晶性珪素膜を用いたＰチャ
ネル型ＴＦＴ（ＰＴＦＴという）とＮチャネル型ＴＦＴ
（ＮＴＦＴという）とを相補型に組み合わせた回路を形
成する例である。本実施例の構成は、アクティブ型の液
晶表示装置の画素電極のスイッチング素子や周辺ドライ
バー回路、さらにはイメージセンサや３次元集積回路に
応用することができる。特に、アクティブマトリックス
型の液晶表示装置の周辺回路をも同一基板上に形成した
場合における、周辺ドライバー回路のＴＦＴに利用する
ことが有用である。これは、周辺ドレイバー回路のＴＦ
Ｔは、大電流の駆動を行なうので、その発熱による信頼
性を高めることが必要だからである。
【００４２】本実施例においては、基板としてＮＡ３５
（表１参照）を用いる。このＮＡ３５は、歪点が６５０
℃であり、コーニング７０５９ガラス（歪点５９３℃）
より耐熱性が高く、高温処理工程が必要とされる場合に
は有用である。
【００４３】まず、ガラス基板上に窒化アルミニューム
（ＡｌＮx Ｏy 、ｙは０を含む）膜２０２を４０００Å
の厚さに図６に示す陽光中プラズマＣＶＤ装置によって
０．１μｍ〜２μｍ代表的には、０．２μｍ〜０．５μ
ｍ、ここでは０．３μｍの厚さに成膜する。成膜に際し
ては、原料ガスとしてＡｌ（Ｃ4 Ｈ9)3 とＮ2 ガスを用
いた。この工程によって、ガラス基板の両面に窒化アル
ミ膜２０２が同時に形成される。
【００４４】次に、ガラス基板を前熱処理する。この工
程は、ガラス基板を予め縮ませるための前熱処理と、先
に成膜された窒化アルミ膜のアニール工程とを同時に果
たすものである。
【００４５】この工程は、ＮＡ３５ガラス基板の歪点
（６５０℃）より高い６９０℃の温度で４時間行う。雰
囲気な窒素１００％であり、圧力は常圧とする。
【００４６】この工程は、図１に示す加熱炉を用い、基
板１３を複数、水平に保持して行うものである。加熱処
理雰囲気は窒素雰囲気（常圧）とする。この熱処理は、
基板の湾曲を防ぐために、水平から±３０度以下の角度
で行なうことが望ましい。
【００４７】なお、前述のように、ガラス基板の両面に
窒化アルミ膜を成膜した場合には、加熱処理によって基
板が反る危険性が少なくなるので、基板を立てた状態で
この加熱処理を行なうことも可能である。
【００４８】加熱処理終了後は、０．０１〜０．５℃／
分の間の速度、例えば、０．２℃／分の速度でガラス基
板を冷却する。この冷却速度の制御は、窒素ガス（Ｎ
2 ）、アンモニア（ＮＨ3 ）、亜酸化窒素（Ｎ2 Ｏ）等
の窒素を含むガスを用い、その流入量を変化させること
によって行う。また窒素ガス中には、酸素を１〜２５原
子％混入してもよい。この徐冷工程において、ガラス基
板においては１０００ｐｐｍ以上の縮みが生ずる。さら
に、この前熱処理後おける冷却の際、窒素、アンモニ
ア、亜酸化窒素を用いれば、これらのガスによってガラ
ス基板の表面近傍をさらに窒化させることができる。す
ると、窒化アルミ膜のアニールを行なうのと同時に、ガ
ラスの不純物であるホウ素、バリウム、ナトリウム等が
後工程で形成される半導体中に析出することを防ぐ構成
を実現でき、信頼性の高い半導体デバイスを形成するう
えで有効である。
【００４９】また、上記工程の前または後において、窒
化アルミ膜２０２上にさらに酸化珪素膜を下地膜として
形成してもよい。ただし、この場合、窒化アルミ膜のヒ
ートシンクとしての機能は低下する。
【００５０】また、基板を収縮させるための前熱処理を
行なった後に窒化アルミ膜を形成し、さらに窒化アルミ
膜に対する熱アニールを行なってもよい。
【００５１】そして、プラズマＣＶＤ法によって、厚さ
３００〜１５００Å、例えば８００Åの真性（Ｉ型）の
非晶質珪素膜２０３を成膜する。さらに、その上にプラ
ズマＣＶＤ法によって厚さ１００〜８００Å、例えば２
００Åの酸化珪素膜２０４を堆積する。これは、以下の
熱アニール工程において保護膜となり、膜表面の荒れを
防止するためのものである。（図２（Ａ））
【００５２】次に、窒素雰囲気下（大気圧）、６００℃
で８時間、熱アニールする。この熱アニールによって、
非晶質珪素膜２０３は結晶化され結晶性珪素膜となる。
そして、１０〜３００℃／分、例えば、ほぼ５０℃／分
以上の速度でガラスの歪点から１００℃下の温度まで、
すなわち、この場合には４９３℃まで、急冷を行なう。
この際、ガラス基板には、０〜４４ｐｐｍの縮み（平均
で２０ｐｐｍ以下）が観察された。なお、この工程も図
１に示す加熱炉を用いる。
【００５３】一方、ガラス基板に対する６４０℃の前処
理加熱を行わないガラス基板上に下地膜と非晶質珪素膜
を形成し、上記のような６００℃、８時間の熱アニール
を行った場合は、１０００ｐｐｍ以上の縮みが観察され
た。上記非晶質珪素膜の加熱による結晶化に先立ち、Ｎ
ｉやＰｂを結晶化促進材料として、非晶質珪素膜の上面
または下面に成膜したり、また前記材料をイオン注入方
によって、非晶質珪素膜中に注入することによって、こ
の結晶化材料を導入した領域から、基板に平行な方向に
結晶成長をさせることができる。また、選択的に珪素イ
オンの注入を行なった場合にも、選択的な結晶成長を行
なうことができる。
【００５４】このような場合、結晶化のための加熱工程
の前にマスクを形成し、成膜やイオン注入工程を行なわ
なくてはならなず、加熱工程において基板の縮みが生じ
ることは、極力抑えなければならない。従ってこのよう
な場合には、ガラス基板の縮みを抑えることができる本
発明は有効である。本実施例におけるガラス基板（コー
ニング７０５９）の縮みのデータを図３に示す。図３に
示されているのは、基板を同一条件で前熱処理し、しか
る後に下地膜を成膜し、さらに非晶質珪素膜を成膜し、
異なる条件において、加熱結晶化を行なった際の基板の
最終的な縮みを示したものである。図３を見れば明らか
なように、ガラス基板の転移点（この場合は６２８℃）
以下での加熱処理、すなわち、少なくともガラス歪み点
から上下１００℃の範囲では冷却速度が大きい方が基板
の縮みは小さいことが分かる。
【００５５】上記加熱による非晶質珪素膜２０３の結晶
化工程の後に、保護膜２０４を取り除き、珪素膜２０３
をパターニングして、ＴＦＴの島状の活性層２０５を形
成する。活性層２０５の大きさはＴＦＴのチャネル長と
チャネル幅を考慮して決定される。小さなものでは、５
０μｍ×２０μｍ、大きなものでは１００μｍ×１００
０μｍである。
【００５６】次に０．６〜４μｍ、ここでは０．８〜
１．４μｍにピークをもつ赤外光を３０〜１８０秒照射
し、活性層２０５のアニールを行う。このアニールは、
活性層２０５の結晶性をさらに高めるために行なうもの
である。この際、赤外光の照射によって、活性層２０５
は８００〜１３００℃、代表的には９００〜１２００
℃、例えば１１００℃に加熱される。この温度はガラス
上の実際の温度ではなく（ガラスは赤外光を透過するた
め）、モニターとして用いた珪素ウェハー上の温度であ
る。ここでは、活性層の表面の状態を良くするために、
照射はＨ2 雰囲気中で行なう。本工程は、活性層を選択
的に加熱することになるので、ガラス基板への加熱を最
小限に抑えることができる。そして、活性層中の欠陥や
不体結合手を減少させるのに非常に効果がある。（図２
（Ｂ））
【００５７】赤外線の光源としてはハロゲンランプを用
いた。可視・近赤外光の強度は、モニターの単結晶シリ
コンウェハー上の温度が８００〜１３００℃、代表的に
は９００〜１２００℃の間にあるように調整した。具体
的には、シリコンウェハーに埋め込んだ熱電対の温度を
モニターして、これを赤外線の光源にフィードバックさ
せた。ガラス基板上の珪素表面の温度は、その約２／３
程度に低下しているものと推定される。本実施例では、
昇温は、一定で速度は５０〜２００℃／秒、降温は自然
冷却の急冷で２０〜１００℃／秒でと処理する。
【００５８】なお、赤外光照射の際、その表面に保護膜
として酸化珪素または窒化珪素膜を形成しておくことが
好ましい。これは、珪素膜２０５の表面の状態を良くす
るためである。本実施例では、珪素膜２０５の表面の状
態を良くするために、Ｈ2 雰囲気中にておこなったが、
Ｈ2 雰囲気に０．１〜１０容量％のＨＣｌ、その他ハロ
ゲン化水素やフッ素や塩素、臭素の化合物を混入しても
よい。
【００５９】この可視・近赤外光照射は、結晶化した珪
素膜を選択的に加熱することになるので、ガラス基板へ
の加熱を最小限に抑えることができる。そして、珪素膜
中の欠陥や不体結合手を減少させるのに非常に効果があ
る。また、この工程が終了したのちに、２００〜５００
℃、代表的には３５０℃で水素アニールをおこなうこと
も、欠陥を減少させる上で有効である。これは１×１０
13〜１×１０15ｃｍ-2の量の水素のイオンドープをおこ
ない、さらに２００〜３００℃の熱処理によっても同じ
効果が得られる。
【００６０】上記赤外光の照射工程後に、プラズマＣＶ
Ｄ法によって厚さ１０００Åの酸化珪素膜２０６をゲイ
ト絶縁膜として成膜する。ＣＶＤの原料ガスとしてはＴ
ＥＯＳ（テトラ・エトキシ・シラン、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）4 ）と酸素とを用い、成膜時の基板温度は３００〜
５５０℃、例えば４００℃とする。このゲイト絶縁膜と
なる酸化珪素膜２０６の成膜後に、前記赤外光の照射工
程と同じ条件で可視・近赤外線の照射による光アニール
を再度行なう。このアニールによって、主に酸化珪素膜
２０６と珪素膜２０５との界面及びその近傍における準
位を消滅させることができる。これは、ゲイト絶縁膜と
チャネル形成領域との界面特性が極めて重要である絶縁
ゲイト型電界効果半導体装置にとっては極めて有用であ
る。
【００６１】引き続いて、スパッタリング法によって、
厚さ６０００〜８０００Å、例えば６０００Åのアルミ
ニウム（０．０１〜０．２５重量％の周期律表III ａの
希土類元素を含む）を成膜する。アルミニウム以外にも
ＩＩＩｂ族の元素を用いてもよい。そしてアルミニウム
膜をパターニングして、ゲイト電極２０７、２０９を形
成する。さらに、このアルミニウムの電極の表面を陽極
酸化して、表面に酸化物層２０８、２１０を形成する。
この陽極酸化は、酒石酸が１〜５％含まれたエチレング
リコール溶液中で行う。得られた酸化物層２０８、２１
０の厚さは２０００Åである。なお、この酸化物２０８
と２１０とは、後のイオンドーピング工程において、オ
フセットゲイト領域を形成する厚さとなるので、オフセ
ットゲイト領域の長さを上記陽極酸化工程で決めること
ができる。
【００６２】次に、イオンドーピング法（プラズマドー
ピング法とも言う）によって、ゲイト電極部（すなわち
ゲイト電極２０７とその周囲の酸化層２０８、ゲイト電
極２０９とその周囲の酸化層２１０）をマスクとして、
自己整合的にＰもしくはＮ導電型を付与する不純物を珪
素膜２０５に添加する。ドーピングガスとして、フォス
フィン（ＰＨ3 ）およびジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）を用い、
前者の場合は、加速電圧を６０〜９０ｋＶ、例えば８０
ｋＶ、後者の場合は、４０〜８０ｋＶ、例えば６５ｋＶ
とする。ドーズ量は１×１０14〜８×１０15ｃｍ-2、例
えば、燐を２×１０15ｃｍ-2、ホウ素を５×１０15とす
る。ドーピングに際しては、一方の領域をフォトレジス
トで覆うことによって、それぞれの元素を選択的にドー
ピングする。この結果、Ｎ型の不純物領域２１４と２１
６、Ｐ型の不純物領域２１１と２１３とが形成され、Ｐ
チャネル型ＴＦＴ（ＰＴＦＴ）の領域とＮチャネル型Ｔ
ＦＴ（ＮＴＦＴ）との領域を形成することができる。
【００６３】その後、レーザー光の照射によってアニー
ル行う。レーザー光としては、ＫｒＦエキシマレーザー
（波長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を用いた
が、他のレーザーであってもよい。レーザー光の照射条
件は、エネルギー密度が２００〜４００ｍＪ／ｃｍ2 、
例えば２５０ｍＪ／ｃｍ2 とし、一か所につき２〜１０
ショット、例えば２ショット照射した。このレーザー光
の照射時に基板を２００〜４５０℃程度に加熱すること
によって、効果を増大せしめてもよい。（図２（Ｃ））
【００６４】また、この工程は、可視・近赤外光による
ランプアニールによる方法でもよい。可視・近赤外線は
結晶化した珪素、または燐またはホウ素が１０17〜１０
21ｃｍ-3添加された非晶質珪素へは吸収されやすく、１
０００℃以上の熱アニールにも匹敵する効果的なアニー
ルを行うことができる。燐またはホウ素が添加されてい
ると、その不純物散乱により、近赤外線でも十分光が吸
収される。このことは肉眼による観察でも黒色であるこ
とから十分に推測がつく。その反面、ガラス基板へは吸
収されにくいので、ガラス基板を高温に加熱することが
なく、また短時間の処理ですむので、ガラス基板の縮み
が問題となる工程においては最適な方法であるといえ
る。
【００６５】続いて、厚さ６０００Åの酸化珪素膜２１
７を層間絶縁物としてプラズマＣＶＤ法によって形成す
る。この層間絶縁物としてはポリイミドまたは酸化珪素
とポリイミドの２層膜を利用してもよい。さらにコンタ
クトホールを形成して、金属材料、例えば、窒化チタン
とアルミニウムの多層膜によってＴＦＴの電極・配線２
１８、２２０、２１９を形成する。最後に、１気圧の水
素雰囲気で３５０℃、３０分のアニールを行い、ＴＦＴ
を相補型に構成した半導体回路を完成させる。（図２
（Ｄ）） 上記に示す回路は、ＰＴＦＴとＮＴＦＴとを相補型に設
けたＣＭＯＳ構造であるが、上記工程において、２つの
ＴＦＴを同時に作り、中央で切断することにより、独立
したＴＦＴを２つ同時に作製することも可能である。
【００６６】〔実施例２〕本実施例は、アクティブ型の
液晶表示装置において、Ｎチャネル型ＴＦＴをスイッチ
ング素子として各画素に設けた例である。以下において
は、一つの画素について説明するが、他に多数（一般に
は数十万）の画素が同様な構造で形成される。また、Ｎ
チャネル型ＴＦＴではなくＰチャネル型ＴＦＴでもよい
ことはいうまでもない。
【００６７】本実施例の作製工程の概略を図４に示す。
本実施例において、基板４００としてはコーニング７０
５９ガラス基板（厚さ１．１ｍｍ、３００×４００ｍ
ｍ）を使用した。まず、スパッタ法もしくは反応性スパ
ッタ法によって窒化アルミニウム膜４０１を厚さ１００
０〜５０００Å、代表的には２０００Å形成した。この
窒化アルミニウム膜は透明度が高く、また、イオンの移
動を抑制するので、基板４００から可動イオンがＴＦＴ
領域に拡散することをブロッキングする上で有効であ
る。さらに下地膜として、酸化珪素膜４０２をプラズマ
ＣＶＤ法で２０００Åの厚さに形成した。
【００６８】次に６４０℃、４時間の加熱処理を窒素雰
囲気中で行い、０．１℃／分の冷却速度でアンモニア中
で徐冷させる。この工程は、０．５℃／分以下の速度で
行なうと効果があるものである。この工程によって、下
地膜が形成されたガラス基板を予め縮ませることができ
る。なお、この工程は、窒化アルミ膜のアニール工程を
も兼ねるものである。また本実施例においても、加熱工
程は図１に示す加熱炉を用いた。
【００６９】さらに非晶質珪素膜をプラズマＣＶＤ法に
よって、１０００Åの厚さに形成する。つぎに、フォト
レジストによってマスクを形成し、チャネル形成領域と
なる部分に珪素イオンを注入する。この際、打ち込まれ
る珪素イオンの投影飛程が珪素膜の中央付近になるよう
にする。
【００７０】そして、マスクを取り除き、５５０℃、８
時間の熱アニールを行う。この工程において、先に珪素
イオンが注入された領域が選択的に結晶化される。そし
て、この工程の後に、５０℃／分以上の冷却速度でもっ
て急冷を行う。この工程は、加熱炉外に基板を取り出
し、自然冷却させる方法を採用するのでもよい。
【００７１】次に珪素膜をパターニングしてＴＦＴの島
状活性層４０３のみを残存させる。この際、島状活性層
４０３の中央部分が先に珪素イオンを注入した領域であ
って、チャネル形成領域を形成する部分である。このよ
うな構成を採用するのは、チャネル形成領域部分を選択
的に結晶性の高い構造とするためである。そして、酸
素、もしくは亜酸化窒素雰囲気において島状活性層４０
３に可視・近赤外光を照射し、珪素膜の結晶性を向上さ
せるとともに、その表面に厚さ５０〜２００Å、代表的
には１００Åの酸化珪素膜４０４を形成させる。温度は
１１００℃、時間は３０秒とした。この酸化珪素膜４０
４を形成する工程は、酸素もしくは亜酸化窒素雰囲気に
おいて、５５０〜６５０℃に加熱しても実施できる。そ
の際には、図１に示す装置を用いて行えばよいことはい
うまでもない。（図４（Ａ））
【００７２】さらに窒化アルミニウムをターゲットとす
るスパッタ法、もしくはアルミニウムをターゲットとす
る反応性スパッタ法によって、窒化アルミニウムのゲイ
ト絶縁膜（厚さ５００〜３０００Å、典型的には１２０
０Å）４０６を形成する。基板温度は３５０℃とする。
この結果、熱酸化による薄い酸化珪素膜４０４とスパッ
タ法による窒化アルミニウム膜４０６の２層構造とな
る。窒化アルミニウムは酸化珪素の５倍以上の強誘電率
であるので、ＴＦＴのしきい値電圧、特にＰチャネル型
ＴＦＴのしきい値電圧を低減するうえで有効である。ま
た、窒化アルミニウムは、窒化珪素とは異なって局在中
心を発生する確率が少なく、ゲイト絶縁膜材料としては
好ましい。そしてこの後、窒素雰囲気での加熱アニール
や、ランプ照射によって、窒化アルミニウム膜４０６を
アニールする。
【００７３】次に公知の多結晶珪素を主成分とした膜を
ＬＰＣＶＤ法で形成し、パターニングを行うことによっ
て、ゲイト電極４０７を形成する。この際、多結晶珪素
には導電性を向上させるために不純物として燐を０．１
〜５原子％導入する。（図４（Ｂ））
【００７４】その後、Ｎ型の不純物として、燐をイオン
ドーピング法で注入し、自己整合的にソース領域４０
８、チャネル形成領域４０９、ドレイン領域４１０を同
時に形成する。そして、ＫｒＦレーザー光を照射するこ
とによって、イオン注入のために結晶性の劣化した珪素
膜の結晶性を改善させる。このときのレーザー光のエネ
ルギー密度は２５０〜３００ｍＪ／ｃｍ2 とする。この
レーザー光の照射によって、このＴＦＴのソース／ドレ
インのシート抵抗は３００〜８００Ω／ｃｍ2 となる
た。なお、通常よりもドーピング濃度を低下させた低濃
度ドレイン（ＬＤＤ）構造とする場合には、シート抵抗
は１０〜２００ｋΩ／□となる。レーザー照射によるア
ニールの工程は可視・近赤外光のランプアニールによっ
て行ってもよい。
【００７５】その後、酸化珪素またはポリイミドによっ
て層間絶縁物４１１を形成し、さらに、画素電極４１２
をＩＴＯによって形成する。そして、コンタクトホール
を形成して、ＴＦＴのソース／ドレイン領域にクロム／
アルミニウム多層膜で電極４１３、４１４を形成し、こ
のうち一方の電極４１４はＩＴＯ４１２にも接続するよ
うにする。最後に、水素中で２００〜４００℃で２時間
アニールして、水素化を行なう。このようにして、ＴＦ
Ｔを完成する。（図４（Ｃ））
【００７６】〔実施例３〕図５を用いて、本実施例を説
明する。本実施例において、基板５０１として、図６、
図７に示す陽光中プラズマＣＶＤ法でその両面に厚さ５
０００Åの窒化アルミ膜（図示せず）が成膜されたガラ
ス基板（コーニング７０５９）を用いる。
【００７７】この基板を窒化アルミ膜のアニールと収縮
防止のために、事前に６４０℃、窒素中で４時間アニー
ルする。このアニールの終了後は、０．１℃／分で４５
０℃まで窒素中で徐冷した後、加熱炉から取り出す。
【００７８】この工程によって、ガラス基板は大きく収
縮し、後の加熱工程における収縮を５０ｐｐｍ以下に抑
えることができる。また同時に、窒化アルミ（ＡｌＮ）
膜のアニールを行なうことができ、その絶縁性や透過性
を改善することができる。
【００７９】まず基板５０１上に下地膜５０２を形成
し、さらに、プラズマＣＶＤ法によって厚さ３００〜８
００Åの非晶質珪素膜を成膜した。そして、６００℃、
１時間の加熱アニールを行った。熱アニール後、基板を
２〜２００℃／秒の速度、好ましくは１０℃／秒以上の
速度で４５０℃までは急激に冷却した。これは、この熱
アニール工程によって、基板が収縮することを防止する
ためである。このような急激な冷却が不可能な加熱炉に
おいては、基板を炉外に取り出して、室温に放置するこ
とによっても同様な効果が得られる。なお、本実施例に
おいても加熱工程は、図１に示す加熱炉を用いた。
【００８０】本実施例では、熱アニール温度が、コーニ
ング７０５９の歪点（５９３℃）よりも高いために、事
前に熱処理／徐冷処理をおこなっても、基板の収縮を抑
えるとは難しかった。そのような場合には、以上のよう
なアニール温度からの急冷が有効である。次に、珪素膜
をパターニングして、島状の活性層領域５０５および５
０６を形成する。活性層のエッチングは垂直方向に異方
性を有するＲＩＥ法によって行った。（図５（Ａ））
【００８１】次いで、厚さ２００〜３０００Åの厚さの
酸化珪素または窒化珪素膜５０７をプラズマＣＶＤ法に
よって形成する。酸化珪素膜の形成には、減圧ＣＶＤや
光ＣＶＤを用いてもよい。そして、可視・近赤外光の光
処理を行なう。条件は実施例１と同じとする。本実施例
では可視・近赤外光照射の際に、酸化珪素または窒化珪
素の保護膜が活性層の表面に形成されており、このた
め、赤外光照射の際の表面の荒れや汚染を防止すること
ができる。（図５（Ｂ））
【００８２】可視・近赤外光照射後、保護膜５０７を除
去する。この後は実施例１と同様にゲイト絶縁膜５０
８、ゲイト電極及びその周囲の酸化物層５０９、ゲイト
電極及びその周囲の酸化物層５１０を形成し、イオンド
ーピング法によって、不純物領域を形成し、これをレー
ザー照射によって活性化させる。（図５（Ｃ））
【００８３】さらに、層間絶縁物５１１を形成して、こ
れにコンタクトホールを形成し、メタル配線５１２、５
１３、５１４を形成する。（図５（Ｄ）） このようにして、相補型ＴＦＴ回路を形成する。本実施
例では可視・近赤外光照射の際に活性層の表面に保護膜
が形成されており、表面の荒れや汚染が防止される。こ
のため、本実施例のＴＦＴの特性（電界移動度やしきい
値電圧）および信頼性は極めて良好であった。また、本
実施例からも明らかなように、本発明はガラス歪み点が
５５０〜６５０℃の基板材料において、特に有効であっ
た。さらに、本発明においては、徐冷工程を窒素、アン
モニア、亜酸化窒素等の窒素系の気体を含む雰囲気中で
おこなうと、ガラスを窒化させることになり、ガラスに
含有される各種不純物元素がガラス表面に拡散、析出す
ることを抑制できるので、半導体素子を形成するうえ
で、高い信頼性を得ることができた。
【００８４】
【発明の効果】ガラス基板を予め転移点温度以上の温度
で熱処理し、しかもこの熱処理後に徐冷することによっ
て、基板を収縮させ、その後にガラス基板の歪温度以下
の温度における熱処理を行ない、さらに急冷することに
よって、この際におけるガラス基板の縮みを最小限度に
抑えることができる。
【００８５】また、半導体膜の下地膜として窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）膜を設けることで、ＴＦＴの発熱の対
するマージンを得ることができ、ＴＦＴを利用した装置
（例えばアクティブマトリクス型液晶表示装置）の信頼
性や安定性を高めることができる。
【００８６】さらに、先のガラス基板の前熱処理工程を
窒素雰囲気中や窒素と酸素との混合雰囲気中で行なうこ
とによって、この予めガラス基板を縮めておくための熱
処理と窒化アルミ膜の絶縁性や透過性を高めるための熱
アニール工程とを同時に行なうことができ、作製工程上
極めて有用である。
【００８７】本発明の実施例においては、主としてコー
ニング７０５９ガラス基板を中心に説明を加えたが、そ
の他のガラス基板、例えば、表１にあるようなコーニン
グ１７３３、ＨＯＹＡ・ＬＥ３０、同ＮＡ３５、同ＮＡ
４５、日本電気ガラスＯＡ２、アサヒガラスＡＮ１、同
ＡＮ２、というような材料であっても同様に効果が得ら
れることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 加熱炉の構成を示す。
【図２】 実施例の作製工程を示す。
【図３】 ガラス基板の縮みのデータを示す。
【図４】 実施例の作製工程を示す。
【図５】 実施例の作製工程を示す。
【図６】 実施例で用いたＣＶＤ装置の構成を示す。
【図７】 実施例で用いたＣＶＤ装置の構成を示す。
【符号の説明】
１１ 反応管 １２ 基板保持手段 １３ 基板 ２０１ ガラス基板 ２０２ 下地膜（窒化アルミ膜） ２０３ 珪素膜 ２０４ 酸化珪素膜 ２０５ 島状珪素膜（活性層） ２０６ ゲイト絶縁膜（酸化珪素膜） ２０７ ゲイト電極（アルミニウム） ２０８ 陽極酸化層（酸化アルミニウム） ２０９ ゲイト電極 ２１０ 陽極酸化層 ２１１ ソース（ドレイン）領域 ２１２ チャネル形成領域 ２１３ ドレイン（ソース）領域 ２１４ ソース（ドレイン）領域 ２１５ チャネル形成領域 ２１６ ドレイン（ソース）領域 ２１７ 層間絶縁物 ２１８ 電極 ２１９ 電極 ２２０ 電極

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 歪点が５５０℃〜６９０℃であるガラス
    基板の一方の面または両方の面に窒化アルミニュームを
    主成分とする被膜が形成されていることを特徴とするガ
    ラス基板。
  2. 【請求項２】 ガラス基板の一方の面または両方の面に
    窒化アルミニュームを主成分とする被膜が形成されてお
    り、 前記ガラス基板は、６００℃以下の熱処理後における急
    速な冷却において、５０ｐｐｍ以下の縮み特性を有する
    ことを特徴とするガラス基板。
  3. 【請求項３】 ガラス基板表面に窒化アルミニュームを
    主成分とする被膜を形成する工程と、 前記ガラス基板を当該ガラス基板の歪点±５０℃の温度
    で加熱処理することにより、前期窒化アルミニューム中
    に残留アルミニュームを窒化または酸化せしめる工程
    と、 を有する加熱処理方法。
  4. 【請求項４】 請求項３において、窒化アルミニューム
    中に酸素が０．０１原子％〜２０原子％混入しているこ
    とを特徴とする加熱処理方法。
  5. 【請求項５】 請求項３において、加熱処理の後に０．
    ０１℃／分〜０．５℃／分の速度で徐冷することを特徴
    とする加熱処理方法。
  6. 【請求項６】 請求項３において、加熱処理後に該加熱
    処理の温度より低い温度で第２の加熱処理を行い、該第
    ２の加熱処理の後に、当該ガラス基板の歪点温度付近に
    おいて、１０℃／分〜３００℃／秒の冷却速度で急冷す
    ることを特徴とする加熱処理方法。
  7. 【請求項７】 ガラス基板の表面に窒化アルミニューム
    を主成分とする被膜を形成する工程と、 当該ガラス基板をＮ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＨ3 またはその混合
    気体を含む雰囲気中で加熱処理する工程と、 を有し、 前記加熱処理する工程において、窒化アルミニュームを
    主成分とする被膜のアニールを行うことを特徴とする加
    熱処理方法。
  8. 【請求項８】 ガラス基板の表面に窒化アルミニューム
    を主成分とする被膜を形成する工程と、 当該ガラス基板をＮ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＨ3 またはその混合
    気体を含む雰囲気中で加熱処理する第１の工程と、 該第１の工程の後に当該ガラス基板を徐冷する工程と、 当該ガラス基板を前記第１の加熱工程より低い温度で加
    熱処理する工程と、 該第２の工程の後に当該ガラス基板を急冷する工程と、 を有する加熱処理方法。
  9. 【請求項９】 ガラス基板の両面に窒化アルミニューム
    を主成分とする被膜を成膜し、窒素を含有する雰囲気中
    において加熱処理することを特徴とする加熱処理方法。
  10. 【請求項１０】請求項９において、窒化アルミニューム
    を主成分とする被膜の成膜を陽光柱プラズマＣＶＤ法、
    プラズマＣＶＤ法、または熱ＣＶＤ法で行うことを特徴
    とする加熱処理方法。
  11. 【請求項１１】ガラス基板上に形成された半導体装置の
    作製方法であって、 半導体装置の形成に先立ち、 少なくともガラス基板の半導体装置が形成される面側に
    窒化アルミニュームを主成分とする被膜を形成する工程
    と、 その後のプロセス温度より高い温度でガラス基板を熱処
    理し、窒素を含む雰囲気中において０．０１℃／分〜
    ０．０５℃／分の速度で徐冷する工程と、 を有する加熱処理方法。
  12. 【請求項１２】ガラス基板をその歪点以上の温度で加熱
    処理する工程と、 該工程の後、当該ガラス基板を徐冷する工程と、 当該ガラス基板の少なくとも一方の面に窒化アルミニュ
    ームを主成分とする被膜を形成する工程と、 窒素を含有する雰囲気中において、加熱処理を行い、窒
    化アルミニュームを主成分とする被膜をアニールする工
    程と、 を有する加熱処理方法。
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US08/462,773 US5929487A (en) 1993-10-12 1995-06-05 Glass substrate assembly, semiconductor device and method of heat-treating glass substrate
US09/294,338 US6268631B1 (en) 1993-10-12 1999-04-20 Glass substrate assembly, semiconductor device and method of heat-treating glass substrate
US09/904,906 US6847097B2 (en) 1993-10-12 2001-07-16 Glass substrate assembly, semiconductor device and method of heat-treating glass substrate
US10/972,405 US7038302B2 (en) 1993-10-12 2004-10-26 Glass substrate assembly, semiconductor device and method of heat-treating glass substrate

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998020524A1 (en) * 1996-11-06 1998-05-14 Pacific Solar Pty. Limited Forming a crystalline semiconductor film on a glass substrate
KR100453311B1 (ko) * 2001-02-20 2004-10-20 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
JP2007186406A (ja) * 2005-12-16 2007-07-26 Nippon Electric Glass Co Ltd 無アルカリガラス基板及びその製造方法
JP2007273545A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US8281618B2 (en) 2005-12-16 2012-10-09 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Alkali-free glass substrate and process for producing the same
JP2014006049A (ja) * 2012-06-21 2014-01-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd マイクロ流路チップの製造方法
WO2022259918A1 (ja) * 2021-06-11 2022-12-15 株式会社ジャパンディスプレイ 積層体及び積層体の製造方法

Families Citing this family (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6964890B1 (en) * 1992-03-17 2005-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
KR100333153B1 (ko) 1993-09-07 2002-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치제작방법
JPH07109573A (ja) * 1993-10-12 1995-04-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd ガラス基板および加熱処理方法
JP3011366B2 (ja) 1995-10-26 2000-02-21 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 膜形成素材を含む基板の焼成方法および装置
FR2759465B1 (fr) * 1996-04-30 1999-04-30 Corning Inc Procede de formation d'un circuit optique
US5882371A (en) * 1996-07-12 1999-03-16 Asahi Glass Company Ltd. Method for heat-treating a glass substrate
JPH1074948A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Toshiba Corp 液晶表示装置の製造方法
TW444275B (en) * 1998-01-13 2001-07-01 Toshiba Corp Processing device, laser annealing device, laser annealing method, manufacturing device and substrate manufacturing device for panel display
US6197429B1 (en) * 1998-02-26 2001-03-06 Corning Incorporated Method for making transparent glass-ceramics with high temperature dimensional stability
JP4461285B2 (ja) * 1998-06-26 2010-05-12 エリコン・ソーラー・アイ・ピィ・アクチェンゲゼルシャフト，トリュープバッハ 熱状態調節プロセス
US8853696B1 (en) 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
TWI232595B (en) 1999-06-04 2005-05-11 Semiconductor Energy Lab Electroluminescence display device and electronic device
US7288420B1 (en) * 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
TW480722B (en) 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
JP2004523878A (ja) * 2000-08-28 2004-08-05 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド ガラス基板の予備ポリコーティング
JP5030345B2 (ja) 2000-09-29 2012-09-19 三洋電機株式会社 半導体装置
JP4925528B2 (ja) * 2000-09-29 2012-04-25 三洋電機株式会社 表示装置
GB2369490A (en) * 2000-11-25 2002-05-29 Mitel Corp Prevention of wafer distortion when annealing thin films
TW588570B (en) * 2001-06-18 2004-05-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of fabricating the same
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US7211828B2 (en) * 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW546857B (en) 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
US8415208B2 (en) * 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP2003109773A (ja) * 2001-07-27 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法
JP5057619B2 (ja) 2001-08-01 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW554398B (en) 2001-08-10 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device
US7351300B2 (en) 2001-08-22 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
JP4166455B2 (ja) * 2001-10-01 2008-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 偏光フィルム及び発光装置
KR100944886B1 (ko) * 2001-10-30 2010-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
TWI264121B (en) 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
WO2003050894A2 (en) * 2001-12-13 2003-06-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sealing structure for display devices
EP1326273B1 (en) * 2001-12-28 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US6953735B2 (en) 2001-12-28 2005-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature
JP4137460B2 (ja) * 2002-02-08 2008-08-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN101217150B (zh) * 2002-03-05 2011-04-06 株式会社半导体能源研究所 半导体元件和使用半导体元件的半导体装置
US6847050B2 (en) 2002-03-15 2005-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element and semiconductor device comprising the same
US6825134B2 (en) * 2002-03-26 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Deposition of film layers by alternately pulsing a precursor and high frequency power in a continuous gas flow
US7439191B2 (en) 2002-04-05 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US7164155B2 (en) 2002-05-15 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20040159335A1 (en) * 2002-05-17 2004-08-19 P.C.T. Systems, Inc. Method and apparatus for removing organic layers
KR20040021758A (ko) * 2002-09-04 2004-03-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법
KR100883096B1 (ko) * 2002-10-05 2009-02-11 삼성전자주식회사 광학 부재, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 액정표시장치
US7540920B2 (en) * 2002-10-18 2009-06-02 Applied Materials, Inc. Silicon-containing layer deposition with silicon compounds
JP4693411B2 (ja) * 2002-10-30 2011-06-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4344270B2 (ja) * 2003-05-30 2009-10-14 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP2005123571A (ja) * 2003-09-22 2005-05-12 Sanyo Electric Co Ltd トランジスタ基板、表示装置及びそれらの製造方法
JP4488709B2 (ja) * 2003-09-29 2010-06-23 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
JP4443179B2 (ja) 2003-09-29 2010-03-31 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
US8501594B2 (en) * 2003-10-10 2013-08-06 Applied Materials, Inc. Methods for forming silicon germanium layers
US7166528B2 (en) 2003-10-10 2007-01-23 Applied Materials, Inc. Methods of selective deposition of heavily doped epitaxial SiGe
US7132338B2 (en) * 2003-10-10 2006-11-07 Applied Materials, Inc. Methods to fabricate MOSFET devices using selective deposition process
EP1528594B1 (en) * 2003-10-28 2019-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2005060651A2 (en) * 2003-12-18 2005-07-07 Afg Industries, Inc. Protective layer for optical coatings with enhanced corrosion and scratch resistance
US7078302B2 (en) * 2004-02-23 2006-07-18 Applied Materials, Inc. Gate electrode dopant activation method for semiconductor manufacturing including a laser anneal
TWI406690B (zh) * 2004-02-26 2013-09-01 Semiconductor Energy Lab 運動器具，娛樂工具，和訓練工具
KR100626007B1 (ko) * 2004-06-30 2006-09-20 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터의 제조방법, 이박막 트랜지스터를 구비한 평판표시장치, 및 이평판표시장치의 제조방법
JP4541787B2 (ja) * 2004-07-06 2010-09-08 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス
TWI259538B (en) * 2004-11-22 2006-08-01 Au Optronics Corp Thin film transistor and fabrication method thereof
US7682940B2 (en) 2004-12-01 2010-03-23 Applied Materials, Inc. Use of Cl2 and/or HCl during silicon epitaxial film formation
US7560352B2 (en) 2004-12-01 2009-07-14 Applied Materials, Inc. Selective deposition
US7312128B2 (en) 2004-12-01 2007-12-25 Applied Materials, Inc. Selective epitaxy process with alternating gas supply
TWI247432B (en) * 2004-12-03 2006-01-11 Chunghwa Picture Tubes Ltd Manufacturing method of thin film transistor and poly-silicon layer
TWI307419B (en) * 2004-12-27 2009-03-11 Au Optronics Corp Method of preparing reflective substrate and liquid crystal display device comprising the reflective substrate preparing by the same
US7235492B2 (en) 2005-01-31 2007-06-26 Applied Materials, Inc. Low temperature etchant for treatment of silicon-containing surfaces
TWI255363B (en) * 2005-02-04 2006-05-21 Quanta Display Inc Liquid crystal display
MX2007014164A (es) 2005-05-12 2008-02-25 Agc Flat Glass North America Recubrimiento de baja emisividad con bajo coeficiente de ganancia de calor solar, propiedades quimicas y mecanicas mejoradas y metodo para fabricar el mismo.
US7550382B2 (en) * 2005-05-31 2009-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device, evaluation method of semiconductor device, and semiconductor device
US7648927B2 (en) 2005-06-21 2010-01-19 Applied Materials, Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
US7651955B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
KR100729043B1 (ko) * 2005-09-14 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 투명 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
WO2007035660A1 (en) * 2005-09-20 2007-03-29 Applied Materials, Inc. Method to form a device on a soi substrate
KR20070071968A (ko) * 2005-12-30 2007-07-04 삼성전자주식회사 다결정 실리콘 필름 제조방법 및 이를 적용한 박막트랜지스터의 제조방법
DE102006014164A1 (de) * 2006-03-24 2007-09-27 Francotyp-Postalia Gmbh Schließflüssigkeit
US7674337B2 (en) 2006-04-07 2010-03-09 Applied Materials, Inc. Gas manifolds for use during epitaxial film formation
KR101160930B1 (ko) 2006-07-31 2012-06-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 카본-함유 실리콘 에피택셜 층을 형성하는 방법
US7588980B2 (en) 2006-07-31 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Methods of controlling morphology during epitaxial layer formation
US8138058B2 (en) * 2006-11-24 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Substrate with marker, manufacturing method thereof, laser irradiation apparatus, laser irradiation method, light exposure apparatus, and manufacturing method of semiconductor device
TWI450870B (zh) * 2006-12-13 2014-09-01 Nippon Electric Glass Co E-glass substrate and its manufacturing method
CN101796613B (zh) * 2007-09-14 2012-06-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及电子设备
US7901781B2 (en) 2007-11-23 2011-03-08 Agc Flat Glass North America, Inc. Low emissivity coating with low solar heat gain coefficient, enhanced chemical and mechanical properties and method of making the same
DE102008005283B4 (de) * 2008-01-19 2009-10-29 Schott Solar Gmbh Verfahren zur Herstellung einer mit einem transparenten, Metalloxid beschichtetn Glasscheibe für ein photovoltaisches Modul und eine solche beschichtete Glasscheibe
JP2009283785A (ja) * 2008-05-23 2009-12-03 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法
US8713967B2 (en) * 2008-11-21 2014-05-06 Corning Incorporated Stable glass sheet and method for making same
US8826693B2 (en) 2010-08-30 2014-09-09 Corning Incorporated Apparatus and method for heat treating a glass substrate
US20140127857A1 (en) * 2012-11-07 2014-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Carrier Wafers, Methods of Manufacture Thereof, and Packaging Methods
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
WO2014129519A1 (en) 2013-02-20 2014-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus
WO2015087192A1 (en) 2013-12-12 2015-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and peeling apparatus

Family Cites Families (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS594689B2 (ja) * 1977-01-24 1984-01-31 株式会社東芝 液晶表示装置の水平配向処理法
US4100330A (en) * 1977-03-28 1978-07-11 Ppg Industries, Inc. Method for coating glass with silicon and a metal oxide and resulting product
US4331737A (en) * 1978-04-01 1982-05-25 Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai Oxynitride film and its manufacturing method
JPS588128B2 (ja) 1979-08-05 1983-02-14 山崎 舜平 半導体装置作製方法
SE417818B (sv) * 1979-09-03 1981-04-13 Sandvik Ab Keramisk legering vesentligen omfattande aluminiumoxid samt nitrider och/eller karbonitrider av en eller flera metaller tillhorande grupperna iv b, v b och vi b i periodiska systemet samt en eller flera ...
JPS57130303A (en) * 1981-02-03 1982-08-12 Sharp Kk Method of producing transparent conductive film
JPS5855377A (ja) * 1981-09-28 1983-04-01 株式会社東芝 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPS58114037A (ja) * 1981-12-28 1983-07-07 Konishiroku Photo Ind Co Ltd フオトマスク素材
US5736751A (en) 1982-04-13 1998-04-07 Seiko Epson Corporation Field effect transistor having thick source and drain regions
DE3247985C2 (de) * 1982-12-24 1992-04-16 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Keramischer Träger
JPS59121876A (ja) * 1982-12-28 1984-07-14 Toshiba Corp 薄膜デバイス用ガラス基板
US4876582A (en) 1983-05-02 1989-10-24 Ncr Corporation Crystallized silicon-on-insulator nonvolatile memory device
US4478785A (en) * 1983-08-01 1984-10-23 General Electric Company Process of pressureless sintering to produce dense, high thermal conductivity aluminum nitride ceramic body
DE3337630A1 (de) * 1983-10-15 1985-04-25 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Temperaturausgleichskoerper
JPS61140175A (ja) * 1984-12-13 1986-06-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 被膜作製方法
DE3587481T2 (de) * 1984-02-27 1993-12-16 Toshiba Kawasaki Kk Schaltungssubstrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit.
US4727044A (en) * 1984-05-18 1988-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making a thin film transistor with laser recrystallized source and drain
US4824712A (en) * 1984-07-16 1989-04-25 Ppg Industries, Inc. Treatment of glass to reduce venting during thermal treatment and a glass article made thereby
US5165972A (en) * 1984-08-13 1992-11-24 Pilkington Plc Coated glass
US4578234A (en) * 1984-10-01 1986-03-25 General Electric Company Process of pressureless sintering to produce dense high thermal conductivity ceramic body of deoxidized aluminum nitride
US4578365A (en) * 1984-11-26 1986-03-25 General Electric Company High thermal conductivity ceramic body of aluminum nitride
JPH0679989B2 (ja) * 1985-02-26 1994-10-12 ティーディーケイ株式会社 窒化アルミニウム上の銅電極形成法
JPH061836B2 (ja) 1985-10-31 1994-01-05 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ
JPS62112128A (ja) 1985-11-11 1987-05-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶装置
JPS62207789A (ja) * 1986-03-08 1987-09-12 日本特殊陶業株式会社 窒化アルミニウム製基材の表面構造及びその製造法
DE3608326A1 (de) * 1986-03-13 1987-09-17 Kempten Elektroschmelz Gmbh Praktisch porenfreie formkoerper aus polykristallinem aluminiumnitrid und verfahren zu ihrer herstellung ohne mitverwendung von sinterhilfsmitteln
US5042917A (en) * 1986-04-25 1991-08-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal matrix display unit
US4851363A (en) 1986-07-11 1989-07-25 General Motors Corporation Fabrication of polysilicon fets on alkaline earth alumino-silicate glasses
US5077244A (en) * 1986-08-13 1991-12-31 Hitachi Metals, Ltd. Aluminum nitride sintered body and semiconductor substrate thereof
US4959136A (en) * 1986-09-17 1990-09-25 Eastman Kodak Company Method for making an amorphous aluminum-nitrogen alloy layer
US4832986A (en) * 1987-07-06 1989-05-23 Regents Of The University Of Minnesota Process for metal nitride deposition
US5252140A (en) * 1987-07-24 1993-10-12 Shigeyoshi Kobayashi Solar cell substrate and process for its production
JPS6432443A (en) 1987-07-29 1989-02-02 Seiko Epson Corp Magneto-optical recording medium
DE3871013D1 (de) * 1987-07-29 1992-06-17 Mitsui Toatsu Chemicals Verfahren zur gewinnung von aluminiumnitrid und daraus hergestelltes sinterprodukt.
US5035923A (en) * 1987-10-01 1991-07-30 Gte Laboratories Incorporated Process for the deposition of high temperature stress and oxidation resistant coatings on silicon-based substrates
US4950558A (en) * 1987-10-01 1990-08-21 Gte Laboratories Incorporated Oxidation resistant high temperature thermal cycling resistant coatings on silicon-based substrates and process for the production thereof
JPH01144139A (ja) 1987-11-30 1989-06-06 Daikin Ind Ltd シーケンシャルアドレス生成装置
DE68922118T2 (de) * 1988-01-25 1995-10-12 Toshiba Kawasaki Kk Schaltungsplatte.
JPH01212751A (ja) 1988-02-19 1989-08-25 Hitachi Ltd 窒化アルミニウム透明膜の製造方法
JPH01319682A (ja) * 1988-06-20 1989-12-25 Sanyo Electric Co Ltd 窒化アルミニウム膜の形成方法
WO1990002717A1 (en) * 1988-09-02 1990-03-22 The Dow Chemical Company Increasing aluminum nitride thermal conductivity via pre-densification treatment
JPH02102150A (ja) * 1988-10-06 1990-04-13 Nippon Electric Glass Co Ltd 熱的寸法安定性及び平坦性に優れたガラス板の製造方法
JP2952303B2 (ja) * 1988-11-15 1999-09-27 旭テクノグラス株式会社 複合型回路装置
JPH0791089B2 (ja) * 1988-12-13 1995-10-04 セントラル硝子株式会社 熱線反射ガラス
JPH0824191B2 (ja) 1989-03-17 1996-03-06 富士通株式会社 薄膜トランジスタ
JP2774560B2 (ja) * 1989-03-31 1998-07-09 株式会社東芝 窒化アルミニウムメタライズ基板
US5145741A (en) * 1989-06-05 1992-09-08 Quick Nathaniel R Converting ceramic materials to electrical conductors and semiconductors
JP2961375B2 (ja) 1989-06-20 1999-10-12 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
JPH0324736A (ja) 1989-06-22 1991-02-01 Kyocera Corp 半導体薄膜の形成方法
JP2968539B2 (ja) * 1989-06-30 1999-10-25 株式会社東芝 窒化アルミニウム構造物の製造方法
JPH0334434A (ja) 1989-06-30 1991-02-14 Hitachi Ltd 薄膜半導体装置及びその製造方法
US5073451A (en) * 1989-07-31 1991-12-17 Central Glass Company, Limited Heat insulating glass with dielectric multilayer coating
US5278093A (en) * 1989-09-23 1994-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming semiconductor thin film
JPH03144938A (ja) * 1989-10-30 1991-06-20 Sharp Corp 光メモリ素子
JPH03181119A (ja) 1989-12-11 1991-08-07 Canon Inc 半導体装置の製造方法
JPH03218640A (ja) 1990-01-24 1991-09-26 Sony Corp 薄膜トランジスタの製造方法
JP2622183B2 (ja) 1990-04-05 1997-06-18 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
EP0456199B1 (en) * 1990-05-11 1997-08-27 Asahi Glass Company Ltd. Process for preparing a polycrystalline semiconductor thin film transistor
JP3125931B2 (ja) 1990-07-24 2001-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体作製方法
US5254208A (en) 1990-07-24 1993-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US6008078A (en) 1990-07-24 1999-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US5147826A (en) * 1990-08-06 1992-09-15 The Pennsylvania Research Corporation Low temperature crystallization and pattering of amorphous silicon films
JP2838318B2 (ja) * 1990-11-30 1998-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 感光装置及びその作製方法
US5521107A (en) * 1991-02-16 1996-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming a field-effect transistor including anodic oxidation of the gate
JP2794678B2 (ja) * 1991-08-26 1998-09-10 株式会社 半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
JPH0824104B2 (ja) * 1991-03-18 1996-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体材料およびその作製方法
US5946561A (en) * 1991-03-18 1999-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
JPH05182923A (ja) * 1991-05-28 1993-07-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザーアニール方法
US5165986A (en) * 1991-06-05 1992-11-24 Ferro Corporation Copper conductive composition for use on aluminum nitride substrate
JP2845303B2 (ja) * 1991-08-23 1999-01-13 株式会社 半導体エネルギー研究所 半導体装置とその作製方法
JPH0566423A (ja) 1991-09-05 1993-03-19 Ricoh Co Ltd 液晶表示装置
US5163220A (en) * 1991-10-09 1992-11-17 The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of enhancing the electrical conductivity of indium-tin-oxide electrode stripes
JP2650543B2 (ja) * 1991-11-25 1997-09-03 カシオ計算機株式会社 マトリクス回路駆動装置
JP3392440B2 (ja) * 1991-12-09 2003-03-31 株式会社東芝 多層導体層構造デバイス
US5270263A (en) * 1991-12-20 1993-12-14 Micron Technology, Inc. Process for depositing aluminum nitride (AlN) using nitrogen plasma sputtering
US5485019A (en) * 1992-02-05 1996-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
US5480818A (en) * 1992-02-10 1996-01-02 Fujitsu Limited Method for forming a film and method for manufacturing a thin film transistor
US5250444A (en) * 1992-02-21 1993-10-05 North American Philips Corporation Rapid plasma hydrogenation process for polysilicon MOSFETs
US5424244A (en) * 1992-03-26 1995-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for laser processing and apparatus for use in the same
CN1196184C (zh) * 1992-07-06 2005-04-06 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其形成方法
FR2694449B1 (fr) * 1992-07-09 1994-10-28 France Telecom Composant électronique multifonctions, notamment élément à résistance dynamique négative, et procédé de fabrication correspondant.
JP2960276B2 (ja) * 1992-07-30 1999-10-06 株式会社東芝 多層配線基板、この基板を用いた半導体装置及び多層配線基板の製造方法
TW280836B (ja) * 1992-09-21 1996-07-11 Sumitomo Electric Industries
US5359219A (en) * 1992-12-04 1994-10-25 Texas Instruments Incorporated Silicon on insulator device comprising improved substrate doping
JPH06296023A (ja) 1993-02-10 1994-10-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜状半導体装置およびその作製方法
US5275851A (en) * 1993-03-03 1994-01-04 The Penn State Research Foundation Low temperature crystallization and patterning of amorphous silicon films on electrically insulating substrates
US5488000A (en) * 1993-06-22 1996-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a thin film transistor using a nickel silicide layer to promote crystallization of the amorphous silicon layer
US5372860A (en) * 1993-07-06 1994-12-13 Corning Incorporated Silicon device production
US5492843A (en) * 1993-07-31 1996-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device and method of processing substrate
KR100333153B1 (ko) 1993-09-07 2002-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치제작방법
JPH07109573A (ja) 1993-10-12 1995-04-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd ガラス基板および加熱処理方法
US5532953A (en) * 1995-03-29 1996-07-02 Ramtron International Corporation Ferroelectric memory sensing method using distinct read and write voltages

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998020524A1 (en) * 1996-11-06 1998-05-14 Pacific Solar Pty. Limited Forming a crystalline semiconductor film on a glass substrate
AU718641B2 (en) * 1996-11-06 2000-04-20 Csg Solar Ag Forming a crystalline semiconductor film on a glass substrate
US6624009B1 (en) 1996-11-06 2003-09-23 Pacific Solar Pty Limited Forming a crystalline semiconductor film on a glass substrate
KR100453311B1 (ko) * 2001-02-20 2004-10-20 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
JP2007186406A (ja) * 2005-12-16 2007-07-26 Nippon Electric Glass Co Ltd 無アルカリガラス基板及びその製造方法
US8281618B2 (en) 2005-12-16 2012-10-09 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Alkali-free glass substrate and process for producing the same
JP2007273545A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US8222672B2 (en) 2006-03-30 2012-07-17 Fujitsu Limited Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2014006049A (ja) * 2012-06-21 2014-01-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd マイクロ流路チップの製造方法
WO2022259918A1 (ja) * 2021-06-11 2022-12-15 株式会社ジャパンディスプレイ 積層体及び積層体の製造方法
TWI816428B (zh) * 2021-06-11 2023-09-21 日商日本顯示器股份有限公司 積層體及積層體之製造方法

Also Published As

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