DE3337630A1 - Temperaturausgleichskoerper - Google Patents
TemperaturausgleichskoerperInfo
- Publication number
- DE3337630A1 DE3337630A1 DE19833337630 DE3337630A DE3337630A1 DE 3337630 A1 DE3337630 A1 DE 3337630A1 DE 19833337630 DE19833337630 DE 19833337630 DE 3337630 A DE3337630 A DE 3337630A DE 3337630 A1 DE3337630 A1 DE 3337630A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- temperature compensation
- compensation body
- body according
- weight
- aluminum nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/581—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/002—Crucibles or containers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
.· ; . , ; . . Hl-. ί nhcr 1903
/Τι - i" r .-■ 11; ι
W . C. Heraeus GmbH
P a t c η t a η rn ο J d u η g "Tcmperaturausglcichskörpor"
Die Erfindung betrifft einen Temperaturausgleichskörper aus keramischem Werkstoff.
Unter Temperaturausgleichskörper soll ein Körper verstanden werden, der dazu dient, innerhalb eines vorgegebenen Volumens
eine möglichst konstante Temperatur aufrechtzuerhalten oder über eine vorgegebene Fläche für eine gleichmäßige Temperaturübertragung
zu sorgen. Ein derartiger Temperaturausgleichskörper kann überall dort eingesetzt werden, wo ein möglichst
geringer Temperaturgradient erforderlich ist. Temperaturausgleichskörper können zum Beispiel verwendet werden bei Schmelz-
und Einkristallziehprozessen in Form eines Rohres oder eines Außentiegels um den eigentlichen Schmelztiegel, bei Thermoanalysengeräten
in Form eines Ofenblockes, bei Wärmebehandlungs-, Sinter- oder Drucksinterprozessen in Form einer Ofenauskleidung
oder eines Einsatzes.
Im niedrigen Temperaturbereich (< 1000 0C) werden als Temperaturausgleichskörper
üblicherweise je nach Anwendungstemperatur metallische Wärmeübertragungskörper aus Kupfer, Silber oder
Aluminium verwendet. Sie besitzen den Nachteil, daß sie eine niedrige Schmelztemperatur aufweisen, eine niedrige Rekristallisationstemperatur
haben und bereits bei niedrigen Temperaturen zum Kriechen neigen, d. h. sich bereits durch ihr Eigengewicht
verformen. Für hohe Temperaturen könnten Wärmeausgleichskörper
aus Berylliumoxid verwendet werden. Der Einsatz von Berylliumoxid
als Temperaturausgleichskörper kommt jedoch kaum in Betracht, weil die Handhabung von Berylliumoxid aufgrund
seiner Giftigkeit sehr problematisch ist und außerdem die bei niedrigen Temperaturen gute Wärmeleitfähigkeit des Berylliumoxids
bei hohen Temperaturen stark abfällt.
In der europäischen Patentanmeldung 75 857 werden durch Sintern
von Aluminiumnitrid erhaltene Formkörper mit hoher Dichte und hoher Wärmeleitfähigkeit beschrieben. Als Hilfsmittel
für das Sintern von Aluminiumnitrid sind hieraus Seltenerdmetalloxide, z.B. Yttriumoxid oder Lanthanoxid, Calciumoxid,
Bariumoxid und Strontiumoxid, bekannt.
Es ist die Aufgabe der Erfindung, einen Temperaturausgleichskörperaus
keramischem Werkstoff zu finden, der zur gleichmäßigen und raschen Aufnahme und Abgabe von Wärme auch bei hohen
Temperaturen eingesetzt werden kann.
Die Aufgabe wird erfindungsmäß durch dichtgesintertes Aluminiumnitrid
mit einer Wärmeleitfähigkeit von wenigstens 100 W/m K
gelöst.
Temperaturausgleichskörper aus dichtgesintertem Aluminiumnitrid gemäß der Erfindung können bei Temperaturen bis etwa
1700 0C eingesetzt werden. Sie besitzen hohe Festigkeit und
gute Temperaturwechselbeständigkeit und zeichnen sich aufgrund ihrer Ungiftigkeit durch eine einfache Handhabung bei der
Bearbeitung aus. Dichtgesinterte Aluminiumnitrid-Körper besitzen eine gute Beständigkeit gegenüber heißen Gasen.
Ausgangsmaterial für die Herstellung der Temperaturausgleichskörper
sind vorzugsweise pulverförmige Gemische aus Aluminiumnitrid, das,bezogen auf Aluminiumnitrid, 0,05 - 2 Gewichts-%
Aluminium-Pulver mit einer Korngröße unter 1 Mikrometer enhält, und 0,1 - 10 Gewichts-% eines oxidischen Zusatzes.
Diese Gemische werden durch Kaltpressen zu grünen Formkörpern verarbeitet, die in inerter Atmosphäre, vorzugsweise unter
Stickstoff, dichtgesintert u/erden.
Thermischer Ausdehnungskoeffizient und Wärmeleitfähigkeit
des dichtgesinterten Alurniniumnitrids lassen sich durch Art und Menge des oxidischen Zusatzes in gewünschter Weise beeinflussen.
Eine Wärmeleitfähigkeit bis etwa 200 W/m K kann
erreicht werden.
Als oxidische Zusätze werden die Oxide der Erdalkalimetalle,
der Seltenerdmetalle (Scandium, Yttrium und Lanthan bis Lutetium), der Übergangselemente der IV., V. und VI. Gruppe des
Periodensystems, Aluminiumoxid und Siliciumdioxid einzeln oder zu mehreren, besonders in einer Menge von 0,1 - 10 Gewichts-%,
verwendet.
Besonders bewährt hat sich Yttriumoxid, vorzugsweise in einer Menge von 0,5 - 4 Gewichts-%.
Der Temperaturausgleichskörper gemäß der Erfindung kann zum Beispiel als Ofenblock in Thermoanalysengeräten für die Hochtemperaturanalyse
(bis etwa 1700 0C), als Körper zur Homogenisierung
der Temperatur in Einkristallziehprozessen und in Form von Wärmerohren verwendet werden.
Die Herstellung eines Temperaturausgleichskörpers gemäß der Erfindung erfolgt vorteilhafterweise in der in dem folgenden
Beispiel beschriebenen Art.
5000 g einer Mischung aus 99 Gewichts-% pulverförmigem Aluminiumnitrid,
das 1 Gewichts-% Aluminium-Pulver mit einer Korngröß in unter 1 Mikrometer enthält, und 1 Gewichts-% pulverförmigem
(ρ
— ./τ —
Yttriumoxid werden in einer Kugelmühle mit keramischen Mahlkörpern
uner Argon als Schutzgas 40 Stunden lang gemahlen und anschließend auf ein Sieb mit einer Maschenweite von
100 Mikrometer gegeben.
Aus dem durch Sieben erhaltenen Pulver mit einer Korngröße unter 100 Mikrometer werden durch isostatisches Kaltpressen
(Druck 2500 bar) Preßlinge hergestellt und in einen elektrisch beheizten Sinterofen gegeben. Nach Evakuieren auf 10" mbar
wird auf 500 0C aufgeheizt und diese Temperatur 1 Stunde
lang aufrechterhalten. Danach wird in den Sinterofen Stickstoff eingeleitet, bis der Druck 5 mbar beträgt. Unter Aufrechterhalter
dieses Druckes wird dann der Sinterofen beheizt, bis innerhalb von 3 Stunden eine Temperatur von 1200 0C erreicht wird.
Anschließend wird der Stickstoff-Druck auf 140 mbar und die Temperatur innerhalb einer Stunde auf 1850 0C - der Stickstoff-Druck
beträgt jetzt 180 mbar - erhöht.
Diese Temperatur und dieser Druck werden 2 Stunden lang aufrechterhalten;
dann wird gekühlt. Nach Belüften des Sinterofens werden die dichtgesinterten Körper entnommen.
Die so hergestellten Temperaturausgleichskörper besitzen einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 3,6 ' 10
K"1, eine Wärmeleitfähigkeit von 200 W/m K, eine Biegefestigkeit
von 320 N/mm2 und eine Dichte von 3,27 g/cm3 (= theoretische
Dichte).
Claims (7)
1. Temperaturausgleichskörper aus keramischem Werkstoff, dadurch gekennzeichnet, daß er aus dichtgesintertem Aluminiumnitrid
mit einer Wärmeleitfähigkeit von wenigstens W/m K besteht.
2. Temperaturausgleichskörper nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen oder mehrere oxidische Zusätze.
3. Temperaturausgleichskörper nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Zusätze Oxide, der Erdalkalimetalle, der Seltenerdmetalle, der Übergangsmetalle der IV., V.
und VI. Gruppe des Periodensystems, Aluminiumoxid und Siliciumdioxid sind.
4. Temperaturausgleichskörper nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt an oxidischen Zusätzen
0,1 - 10 Gewichts-?i beträgt.
5. Temperaturausgleichskörper nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Zusatz Yttriumoxid ist.
6. Teniperut urautjgleichskürpor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß der Gehalt an Yttriumoxid 0,5 - 4 Gewichts-?,;
beträgt.
7. Verfahren zur Herstellung eines Temperaturausgleichskörpers
nach einem der Ansprüche 2-6, dadurch gekennzeichnet, daß ein pulverförmiges Gemisch aus Aluminiumnitrid, das,
bezogen auf Aluminiumnitrid, 0,05 - 2 Gewichts-?^ Aluminium-Pulver
mit einer Korngröße unter 1 Mikrometer enthält, und oxidischem Zusatz durch Kaltpressen in einen Formkörper
umgewandelt und dieser bei 1750 - 2000 0C unter
Stickstoff gesintert wird.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833337630 DE3337630A1 (de) | 1983-10-15 | 1983-10-15 | Temperaturausgleichskoerper |
US06/660,499 US4627815A (en) | 1983-10-15 | 1984-10-12 | Ceramic temperature stabilization body, and method of making same |
JP59212749A JPS6096578A (ja) | 1983-10-15 | 1984-10-12 | 温度平衡材の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19833337630 DE3337630A1 (de) | 1983-10-15 | 1983-10-15 | Temperaturausgleichskoerper |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3337630A1 true DE3337630A1 (de) | 1985-04-25 |
DE3337630C2 DE3337630C2 (de) | 1987-09-03 |
Family
ID=6211997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833337630 Granted DE3337630A1 (de) | 1983-10-15 | 1983-10-15 | Temperaturausgleichskoerper |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4627815A (de) |
JP (1) | JPS6096578A (de) |
DE (1) | DE3337630A1 (de) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0177194A2 (de) * | 1984-09-05 | 1986-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vorrichtung zur Herstellung einer einkristallinen Halbleiterverbindung |
FR2614321A1 (fr) * | 1987-04-27 | 1988-10-28 | Europ Propulsion | Cartouche en materiaux composites pour dispositif d'elaboration de monocristaux. |
US4833108A (en) * | 1987-03-28 | 1989-05-23 | Narumi China Corporation | Sintered body of aluminum nitride |
US4843038A (en) * | 1986-11-13 | 1989-06-27 | Narumi China Corporation | Black sintered body of aluminum nitride and process for producing the same |
EP0443490A1 (de) * | 1990-02-19 | 1991-08-28 | KERAMONT ITALIA S.p.A. | Feuerfeste und elektrisch leitende keramische Zusammensetzungen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US5314850A (en) * | 1985-10-31 | 1994-05-24 | Kyocera Corporation | Aluminum nitride sintered body and production thereof |
EP0626359A1 (de) * | 1993-05-21 | 1994-11-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sinterkörper aus Aluminiumnitriol und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE102017124404A1 (de) | 2017-10-19 | 2019-04-25 | rtw RÖNTGEN-TECHNIK DR. WARRIKHOFF GmbH & Co. KG | Yttrium-beschichtetes Aluminiumnitrid-Pulver, dessen Herstellung und Verwendung |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0717454B2 (ja) * | 1985-06-28 | 1995-03-01 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
JPS6241766A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-23 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
DE3627317A1 (de) * | 1985-08-13 | 1987-02-19 | Tokuyama Soda Kk | Sinterbare aluminiumnitridzusammensetzung, sinterkoerper aus dieser zusammensetzung und verfahren zu seiner herstellung |
JPH0717453B2 (ja) * | 1985-11-28 | 1995-03-01 | 京セラ株式会社 | 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法 |
DE3603191A1 (de) * | 1986-02-03 | 1987-08-13 | Feldmuehle Ag | Schneidplatte |
JPS63166765A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 | イビデン株式会社 | 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法 |
US4847221A (en) * | 1987-01-13 | 1989-07-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | AlN sintered body having high thermal conductivity and a method of fabricating the same |
JPH0686330B2 (ja) * | 1987-08-28 | 1994-11-02 | 住友電気工業株式会社 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
JPH01203270A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体及びその製造法 |
US4994219A (en) * | 1988-03-08 | 1991-02-19 | Allied-Signal Inc. | Method for forming a high strength silicon nitride |
US4870036A (en) * | 1988-03-08 | 1989-09-26 | Allied-Signal Inc. | High strength silicon nitride |
US4988645A (en) * | 1988-12-12 | 1991-01-29 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Cermet materials prepared by combustion synthesis and metal infiltration |
JP2732290B2 (ja) * | 1989-04-18 | 1998-03-25 | 日新製鋼株式会社 | 窒化アルミニウム基焼結体の製造方法 |
JPH07109573A (ja) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ガラス基板および加熱処理方法 |
US5424261A (en) * | 1993-12-22 | 1995-06-13 | The Carborundum Company | Low temperature sintering route for aluminum nitride ceramics |
US5541145A (en) * | 1993-12-22 | 1996-07-30 | The Carborundum Company/Ibm Corporation | Low temperature sintering route for aluminum nitride ceramics |
US5773377A (en) * | 1993-12-22 | 1998-06-30 | Crystalline Materials Corporation | Low temperature sintered, resistive aluminum nitride ceramics |
TWI447067B (zh) * | 2011-08-04 | 2014-08-01 | 氮化鋁製造方法 | |
CN112981281B (zh) * | 2021-02-07 | 2021-11-09 | 哈尔滨工业大学 | 一种提高Cf/Al复合材料复杂构件层间剪切强度的方法 |
US11927388B2 (en) | 2021-07-20 | 2024-03-12 | Electrolux Home Products, Inc. | Reversible drawer assembly |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1471035C (de) * | The Carborundum Co., Niagara Falls, N.Y. (V.St.A.) | Verfahren zur Herstellung eines feuerfesten Formkörpers | ||
DE2035767A1 (de) * | 1969-07-22 | 1971-02-25 | Gen Electric | Elektrischer Isolierkörper mit hoher Wärmeleitfähigkeit |
EP0075857A2 (de) * | 1981-09-28 | 1983-04-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sinterkörper aus Aluminiumnitrid |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3108887A (en) * | 1959-05-06 | 1963-10-29 | Carborundum Co | Refractory articles and method of making same |
CH490271A (de) * | 1966-03-09 | 1970-05-15 | Lonza Werke Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hexagonalem Bornitrid |
US3572992A (en) * | 1967-07-05 | 1971-03-30 | Tokyo Shibaura Electric Co | Preparation of moulded and sintered aluminum nitride |
DE1906522B2 (de) * | 1968-02-10 | 1972-01-13 | Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd., Kawasaki, Kanagawa (Japan) | Verfahren zur herstellung eines gesinterten aluminiumnitrid yttriumoxid gegenstands |
US4097293A (en) * | 1969-04-30 | 1978-06-27 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing heat-resistant reinforced composite materials |
GB1310362A (en) * | 1969-12-16 | 1973-03-21 | United States Borax Chem | Process for purification of refractory metal nitrides |
JPS491427A (de) * | 1972-04-25 | 1974-01-08 | ||
JPS5849510B2 (ja) * | 1973-06-30 | 1983-11-04 | 株式会社東芝 | チツカアルミニウムシヨウケツタイノ セイゾウホウホウ |
JPS50151704A (de) * | 1974-05-28 | 1975-12-05 | ||
US4188194A (en) * | 1976-10-29 | 1980-02-12 | General Electric Company | Direct conversion process for making cubic boron nitride from pyrolytic boron nitride |
JPS5934156B2 (ja) * | 1977-08-16 | 1984-08-20 | 日本特殊陶業株式会社 | アルミナ被覆した窒化アルミニウム焼結体 |
JPS55133597A (en) * | 1979-04-06 | 1980-10-17 | Hitachi Ltd | Multilayer circuit board |
US4289503A (en) * | 1979-06-11 | 1981-09-15 | General Electric Company | Polycrystalline cubic boron nitride abrasive and process for preparing same in the absence of catalyst |
US4256792A (en) * | 1980-01-25 | 1981-03-17 | Honeywell Inc. | Composite electronic substrate of alumina uniformly needled through with aluminum nitride |
JPS5756384A (en) * | 1980-09-19 | 1982-04-03 | Tokyo Shibaura Electric Co | Manufacture of ceramic heat transmitting body |
JPS5832072A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-02-24 | 株式会社日立製作所 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製法並びに焼結体製造用粉末組成物 |
JPS5832073A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-02-24 | 株式会社日立製作所 | 焼結体 |
JPS5855376A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-01 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
DE3248103C1 (de) * | 1982-12-24 | 1987-11-12 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Tiegel zum Ziehen von Einkristallen |
JPS6042280A (ja) * | 1983-08-18 | 1985-03-06 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
-
1983
- 1983-10-15 DE DE19833337630 patent/DE3337630A1/de active Granted
-
1984
- 1984-10-12 US US06/660,499 patent/US4627815A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-10-12 JP JP59212749A patent/JPS6096578A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1471035C (de) * | The Carborundum Co., Niagara Falls, N.Y. (V.St.A.) | Verfahren zur Herstellung eines feuerfesten Formkörpers | ||
DE2035767A1 (de) * | 1969-07-22 | 1971-02-25 | Gen Electric | Elektrischer Isolierkörper mit hoher Wärmeleitfähigkeit |
EP0075857A2 (de) * | 1981-09-28 | 1983-04-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sinterkörper aus Aluminiumnitrid |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Chemical Abstracts 80, 1974, 99348 f * |
Chemical Abstracts 91, 1979, 8681 x * |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0177194A2 (de) * | 1984-09-05 | 1986-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vorrichtung zur Herstellung einer einkristallinen Halbleiterverbindung |
EP0177194A3 (de) * | 1984-09-05 | 1988-04-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vorrichtung zur Herstellung einer einkristallinen Halbleiterverbindung |
US5314850A (en) * | 1985-10-31 | 1994-05-24 | Kyocera Corporation | Aluminum nitride sintered body and production thereof |
US4843038A (en) * | 1986-11-13 | 1989-06-27 | Narumi China Corporation | Black sintered body of aluminum nitride and process for producing the same |
US4833108A (en) * | 1987-03-28 | 1989-05-23 | Narumi China Corporation | Sintered body of aluminum nitride |
FR2614321A1 (fr) * | 1987-04-27 | 1988-10-28 | Europ Propulsion | Cartouche en materiaux composites pour dispositif d'elaboration de monocristaux. |
EP0290322A1 (de) * | 1987-04-27 | 1988-11-09 | Societe Europeenne De Propulsion | Kartusche aus Verbundmaterial für Einkristall-Produktions-Vorrichtung |
US5132145A (en) * | 1987-04-27 | 1992-07-21 | Societe Anonyme | Method of making composite material crucible for use in a device for making single crystals |
EP0443490A1 (de) * | 1990-02-19 | 1991-08-28 | KERAMONT ITALIA S.p.A. | Feuerfeste und elektrisch leitende keramische Zusammensetzungen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
EP0626359A1 (de) * | 1993-05-21 | 1994-11-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sinterkörper aus Aluminiumnitriol und Verfahren zu seiner Herstellung |
US5508240A (en) * | 1993-05-21 | 1996-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aluminum nitride sintered body and method for manufacturing the same |
DE102017124404A1 (de) | 2017-10-19 | 2019-04-25 | rtw RÖNTGEN-TECHNIK DR. WARRIKHOFF GmbH & Co. KG | Yttrium-beschichtetes Aluminiumnitrid-Pulver, dessen Herstellung und Verwendung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4627815A (en) | 1986-12-09 |
JPH0217508B2 (de) | 1990-04-20 |
DE3337630C2 (de) | 1987-09-03 |
JPS6096578A (ja) | 1985-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3337630A1 (de) | Temperaturausgleichskoerper | |
DE69911309T2 (de) | Siliciumnitridsinterkörper hoher Wärmeleitfähigkeit und Verfahren zum Herstellen desselben | |
EP0002067B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von polykristallinen dichten Formkörpern aus Borcarbid durch drucklose Sinterung | |
DE3608326A1 (de) | Praktisch porenfreie formkoerper aus polykristallinem aluminiumnitrid und verfahren zu ihrer herstellung ohne mitverwendung von sinterhilfsmitteln | |
DE112009000280B4 (de) | Polykristalliner MgO-Sinterkörper und MgO-Sputtertarget | |
DE2940629C2 (de) | ||
CA1215865A (en) | Copper base spinodal alloy strip and process for its preparation | |
DE1471035B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines feuerfesten Formkoerpers | |
EP0353542A1 (de) | Unter Druck gesinterte, polykristalline Mischwerkstoffe auf Basis von hexagonalem Bornitrid, Oxiden und Carbiden | |
EP0021239B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von dichten Formkörpern aus polykristallinem alpha-Siliciumcarbid durch Heisspressen und so hergestellte Formkörper | |
DE3927083A1 (de) | Sinterkoerper aus siliziumnitrid und seine herstellung | |
DE2614839B2 (de) | Gesinterter Siliciumnitridkörper und Verfahren zu dessen Herstellung | |
EP2462080B1 (de) | Alpha-al2o3-sintermaterial und verfahren zur herstellung eines hochdichten und feinstkristallinen formkörpers aus diesem material sowie dessen verwendung | |
DE2923729A1 (de) | Sinterkeramisches produkt und verfahren zu seiner herstellung | |
DE2927226A1 (de) | Dichte formkoerper aus polykristallinem beta -siliciumcarbid und verfahren zu ihrer herstellung durch heisspressen | |
DE19708249C2 (de) | Auf Si/SiC basierendes gesintertes Material mit ausgezeichneter Korrosionsbeständigkeit und dessen Verwendungen | |
DE3716002C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbid-Sinterkörpers | |
DE4233602C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines dichten Si¶3¶N¶4¶-Werkstoffes sowie dessen Verwendung | |
EP0251218A2 (de) | Elektrisch isolierende Substratwerkstoffe aus polykristallinem Siliciumcarbid und Verfahren zu ihrer Herstellung durch isostatisches Heisspressen | |
WO2016008632A1 (de) | Feuerfestes erzeugnis, verwendung von zirconiumdioxid, zirconiumdioxid, verfahren zur herstellung eines feuerfesten erzeugnisses sowie ein dadurch hergestelltes feuerfestes erzeugnis | |
DE4205374C2 (de) | SiC-Sinterkörper und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3426916A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines verbundwerkstoffes | |
EP0709352A1 (de) | Praktisch porenfreie Sinterkörper auf Basis von Siliciumcarbid enthaltend grobkörnigen Graphit | |
DE2701599C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von porösen reaktionsgesinterten Formkörpern auf Siliziumnitridbasis | |
DE19708509C1 (de) | Kompositkeramik mit einer Gradientenstruktur und Verfahren zu deren Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |