JPS5832072A - 窒化アルミニウム焼結体およびその製法並びに焼結体製造用粉末組成物 - Google Patents
窒化アルミニウム焼結体およびその製法並びに焼結体製造用粉末組成物Info
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- JPS5832072A JPS5832072A JP56126771A JP12677181A JPS5832072A JP S5832072 A JPS5832072 A JP S5832072A JP 56126771 A JP56126771 A JP 56126771A JP 12677181 A JP12677181 A JP 12677181A JP S5832072 A JPS5832072 A JP S5832072A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路等の基板用として好適な窒化アルミニ
ウム焼結体に係り、高い熱伝導率と電気抵抗率および低
い熱膨張係数を併せ有する窒化アルミニウム焼結体とそ
の製法及び粉末組成物とに関する。
ウム焼結体に係り、高い熱伝導率と電気抵抗率および低
い熱膨張係数を併せ有する窒化アルミニウム焼結体とそ
の製法及び粉末組成物とに関する。
大規模集積回路においては、半導体チップ等の回路構成
要素がます捷す高密度に搭載され、さらに大容量化や小
型化される状況にある。それに伴って、使用される絶縁
基板として熱放散性の良い材料への要求が強1っている
1、従来、絶縁基板にアルミナ焼結体が多用されてきだ
が、熱放散性に関してはさほど良好と言えず、より高い
熱放散性を有する絶縁基板用材料の開発が希求されるゆ
えんともなっている。
要素がます捷す高密度に搭載され、さらに大容量化や小
型化される状況にある。それに伴って、使用される絶縁
基板として熱放散性の良い材料への要求が強1っている
1、従来、絶縁基板にアルミナ焼結体が多用されてきだ
が、熱放散性に関してはさほど良好と言えず、より高い
熱放散性を有する絶縁基板用材料の開発が希求されるゆ
えんともなっている。
さて、こうした絶縁基板用材料に必要な特性としては、
熱伝導性のほかに、電気絶縁性が高いこと、熱膨張係数
がンリコンのそれに近いこと、機械的強度が大きいこと
、誘電率が小さいことなどが挙げられる。これらの条件
を考慮して、本発明者らは窒化アルミニウム焼結体に着
目した。すなわち、窒化アルミニウム焼結体は、熱膨張
係数として、アルミナ焼結体のそれ(約7 X 10−
6/C)より小さくンリコン単結晶の値(約3.3 X
10””1だ、la械的強度については、曲げ強さ約
50kg/mm2以上であって、アルミナ焼結体のそれ
(約20 kg/mm2)に比べて強く、電気絶縁性の
点でも優れている。そして、このような性り1を示す緻
密な焼結体は、常圧焼結法もしくはホットプレス法に従
って製造できる。
熱伝導性のほかに、電気絶縁性が高いこと、熱膨張係数
がンリコンのそれに近いこと、機械的強度が大きいこと
、誘電率が小さいことなどが挙げられる。これらの条件
を考慮して、本発明者らは窒化アルミニウム焼結体に着
目した。すなわち、窒化アルミニウム焼結体は、熱膨張
係数として、アルミナ焼結体のそれ(約7 X 10−
6/C)より小さくンリコン単結晶の値(約3.3 X
10””1だ、la械的強度については、曲げ強さ約
50kg/mm2以上であって、アルミナ焼結体のそれ
(約20 kg/mm2)に比べて強く、電気絶縁性の
点でも優れている。そして、このような性り1を示す緻
密な焼結体は、常圧焼結法もしくはホットプレス法に従
って製造できる。
従来、窒化アルミニウム焼結体の製造方法としては、(
1)反応焼結法、(2)常圧焼結法および(3)ホット
プレス焼結法が知られている。これらのうち反応焼結法
は金属アルミニウムの成形体を窒素ガス雰囲気中で窒化
反応させながら焼結する方法である。この方法でd:窒
化反応が窒素ガスの拡散律速であることから、その製品
は、肉厚になると中心部に未反応金属が残ること及び多
孔質であるため、電気絶縁材としては実用化されていな
い。常圧焼結法では窒化アルミニウム粉末に酸化イツ)
IJウムと希土類酸化物、酸化イツi・リウムと二酸
化ケイ素、ニッケル、酸化力ルンウムなどの粉末を添加
して混合したのち成形体として焼成する。さらに、ホッ
トプレス法では窒化アルミニウム粉末に酸化アルミニウ
ム、酸化イツトリウムと二酸化ケイ素などの粉末を添加
して混合したのち成形体とし、加圧下で加熱して焼結す
る。
1)反応焼結法、(2)常圧焼結法および(3)ホット
プレス焼結法が知られている。これらのうち反応焼結法
は金属アルミニウムの成形体を窒素ガス雰囲気中で窒化
反応させながら焼結する方法である。この方法でd:窒
化反応が窒素ガスの拡散律速であることから、その製品
は、肉厚になると中心部に未反応金属が残ること及び多
孔質であるため、電気絶縁材としては実用化されていな
い。常圧焼結法では窒化アルミニウム粉末に酸化イツ)
IJウムと希土類酸化物、酸化イツi・リウムと二酸
化ケイ素、ニッケル、酸化力ルンウムなどの粉末を添加
して混合したのち成形体として焼成する。さらに、ホッ
トプレス法では窒化アルミニウム粉末に酸化アルミニウ
ム、酸化イツトリウムと二酸化ケイ素などの粉末を添加
して混合したのち成形体とし、加圧下で加熱して焼結す
る。
さて、常圧焼結法もしくはホットプレス法によれば、前
記のような物性をそなえた緻密な焼結体が得られる。し
かし、該焼結体も、その熱伝導率については、通常0.
07 Cat/cnr−8−C(室部)、高くても0.
I Cat−/cnt−8−tll’程度の値を示す
にすぎず、集積回路用絶縁ノ、y板の材料としては一段
の改善を必要とする。
記のような物性をそなえた緻密な焼結体が得られる。し
かし、該焼結体も、その熱伝導率については、通常0.
07 Cat/cnr−8−C(室部)、高くても0.
I Cat−/cnt−8−tll’程度の値を示す
にすぎず、集積回路用絶縁ノ、y板の材料としては一段
の改善を必要とする。
本発明は」二記のような観点から出発し、大規模集積回
路等の絶縁基板として好適な特性をそなえた材料を提供
することを目的としている。
路等の絶縁基板として好適な特性をそなえた材料を提供
することを目的としている。
その特徴は、窒化アルミニウムの理論密度の少なくとも
90%の密度(相対密度)値を有する窒化アルミニウム
を主成分とする焼結体であって、これにリチウム又はリ
チウノ・含有物質を含むことである。特に0.05〜5
重耽%のリチウムを含有することによってその熱伝導性
が顕著に高められていることである。
90%の密度(相対密度)値を有する窒化アルミニウム
を主成分とする焼結体であって、これにリチウム又はリ
チウノ・含有物質を含むことである。特に0.05〜5
重耽%のリチウムを含有することによってその熱伝導性
が顕著に高められていることである。
このような焼結体は、熱伝導率0.2 C817cm
−5・C以」二でしかも体積抵抗率1− o 12Ω・
m以」二、室湛から300Cに至る範囲での平均熱膨張
係数5 X 1. O−’ / ’C以上という均衡の
とれた特性を示す。
−5・C以」二でしかも体積抵抗率1− o 12Ω・
m以」二、室湛から300Cに至る範囲での平均熱膨張
係数5 X 1. O−’ / ’C以上という均衡の
とれた特性を示す。
本発明の焼結体は窒化アルミニウムを主成分とし、これ
にリチウム又はリチウム化合物を添加した混合物を成形
体となし、該成形体を非酸化性雰囲気中、侃1度160
0〜2000Cにおいて密度が窒化アルミニウムの理論
密度の90%を越えるに十分な時間焼結させることによ
って製造できる。
にリチウム又はリチウム化合物を添加した混合物を成形
体となし、該成形体を非酸化性雰囲気中、侃1度160
0〜2000Cにおいて密度が窒化アルミニウムの理論
密度の90%を越えるに十分な時間焼結させることによ
って製造できる。
リチウム又はリチウノ・含有物質のリチウム量を005
〜5重量%とするのが好捷しい。
〜5重量%とするのが好捷しい。
本発明において、窒化アルミニウムは平均粒径2076
m以下、一層好ましくは10 It m以下の粉末とし
て使用される。
m以下、一層好ましくは10 It m以下の粉末とし
て使用される。
リチウムの含有率として、緻密化した焼結体を得るには
0.05重量%以上が好ましく、焼結時にリチウム化合
物の揮散を防止し、緻密な焼結体を得るには5重量%以
下が何重しい。
0.05重量%以上が好ましく、焼結時にリチウム化合
物の揮散を防止し、緻密な焼結体を得るには5重量%以
下が何重しい。
リチウノ、化合物としては例えば酸化リチウム、ハロゲ
ン化すチウノ・、硝酸リチウム、炭酸リチウム、硫酸リ
チウムなどが使用され、それらは粉末もしくd:溶液の
形で、窒化アルミニウム粉末に混和することができる。
ン化すチウノ・、硝酸リチウム、炭酸リチウム、硫酸リ
チウムなどが使用され、それらは粉末もしくd:溶液の
形で、窒化アルミニウム粉末に混和することができる。
混和にはボールミルなど公知の装置〆t1方θくを適用
することができ、得られた均質な混合物は室IVI+’
1において所望の形状に加圧成形される。
することができ、得られた均質な混合物は室IVI+’
1において所望の形状に加圧成形される。
リチウノ、含有化合物を添加した窒化アルミーウム粉末
成形体を焼成する条件も重要である。焼成は非酸化性(
常圧もしくは減圧)の雰囲気中で行わねばならない。酸
化性雰囲気では窒化アルミニウムが酸化してし捷うため
に所望の焼結体をイ!することかできない。
成形体を焼成する条件も重要である。焼成は非酸化性(
常圧もしくは減圧)の雰囲気中で行わねばならない。酸
化性雰囲気では窒化アルミニウムが酸化してし捷うため
に所望の焼結体をイ!することかできない。
焼成時の温度としては1600〜200Orが好ましく
、特に1700〜1900Cが有効である。
、特に1700〜1900Cが有効である。
己度が1600Cより低い場合には緻密な焼結体が得ら
れず、2000Cより高い場合は過焼成になってしまう
。また、焼成方法幻、常圧焼結法によもし、−軸加圧式
のホットプレス法で焼結体を製造する場合には、収縮は
加圧軸方向にのみ起り、寸法精度が高く、常圧焼結法に
よる焼結体よシも高強度を有する焼結体を得ることがで
きる。ホットプレス法で焼結する場合、1. OOkg
/m2以」二の荷重を加えることに」:す、所望の焼結
体を得ることができる。3焼成時間に関しては原料粉末
の粒径、リチウノ、含有化合物の添加量、貌度、焼成時
に加える荷重の有無及び大きさにより最適値が決る。一
般的には原料粉末の粒径が小さく、温度が高く、1だ焼
成時に荷重を加えた場合にあっては特に加える荷重が大
きいほど短時間で緻密な焼結体を得ることができる。
れず、2000Cより高い場合は過焼成になってしまう
。また、焼成方法幻、常圧焼結法によもし、−軸加圧式
のホットプレス法で焼結体を製造する場合には、収縮は
加圧軸方向にのみ起り、寸法精度が高く、常圧焼結法に
よる焼結体よシも高強度を有する焼結体を得ることがで
きる。ホットプレス法で焼結する場合、1. OOkg
/m2以」二の荷重を加えることに」:す、所望の焼結
体を得ることができる。3焼成時間に関しては原料粉末
の粒径、リチウノ、含有化合物の添加量、貌度、焼成時
に加える荷重の有無及び大きさにより最適値が決る。一
般的には原料粉末の粒径が小さく、温度が高く、1だ焼
成時に荷重を加えた場合にあっては特に加える荷重が大
きいほど短時間で緻密な焼結体を得ることができる。
次に実施例を示し具体的に説明する。
実施例1
平均粒径21tmの窒化アルミニウム粉末に平均粒径5
71 mの炭酸リチウムを、リチウムに換算して0.0
3〜10重量%となるように、添加して混合した。次い
で該混合粉末を室温で1.000 k g/m2の圧力
を加えて成形体とした。該成形体は次に焼成炉中、減圧
度I X 10””〜I X 10−5torrで焼結
した。炉は室温から1800C’tで約1時間で列幅し
、1800rで0.5時間保持したのち放冷した。第1
表は上記によって製造した焼結体の特性を示し、窒化ア
ルミニウム粉末に添加する炭酸リチウムがリチウムとし
て005〜5重量%のとき、0.2 CaL/an−3
−C以上の熱伝導率、 。
71 mの炭酸リチウムを、リチウムに換算して0.0
3〜10重量%となるように、添加して混合した。次い
で該混合粉末を室温で1.000 k g/m2の圧力
を加えて成形体とした。該成形体は次に焼成炉中、減圧
度I X 10””〜I X 10−5torrで焼結
した。炉は室温から1800C’tで約1時間で列幅し
、1800rで0.5時間保持したのち放冷した。第1
表は上記によって製造した焼結体の特性を示し、窒化ア
ルミニウム粉末に添加する炭酸リチウムがリチウムとし
て005〜5重量%のとき、0.2 CaL/an−3
−C以上の熱伝導率、 。
1012Ω鑞以上の体積抵抗率と5 X 10−a/’
C以下の熱膨張係数とを有し、窒化アルミニウムの理論
密度に対する密度(相対密度)が90%以」二になるま
でに緻密化した焼結体が得られている。
C以下の熱膨張係数とを有し、窒化アルミニウムの理論
密度に対する密度(相対密度)が90%以」二になるま
でに緻密化した焼結体が得られている。
実施例2
実施例1に記載したものと同様にして窒化アルミニウム
粉末に対して炭酸リチウムをリチウムとして1重量%添
加して混合粉末から成形体を得、焼成条件を変えて真空
中で焼結体を製造した。第2表は焼結体の製造条件と得
られた焼結体の相対密度との関係を示す表である。相対
密度90%以上に緻密化された焼結体はいずれも0.2
ca/=/c1n・(9) S−C以」二の熱伝導率(室幅)と]012Ωm以上の
体積抵抗率(室温)と4.2〜4.、3 X 1. F
6/ Cの熱膨張係数(室幅〜3001;)とを有して
いた。
粉末に対して炭酸リチウムをリチウムとして1重量%添
加して混合粉末から成形体を得、焼成条件を変えて真空
中で焼結体を製造した。第2表は焼結体の製造条件と得
られた焼結体の相対密度との関係を示す表である。相対
密度90%以上に緻密化された焼結体はいずれも0.2
ca/=/c1n・(9) S−C以」二の熱伝導率(室幅)と]012Ωm以上の
体積抵抗率(室温)と4.2〜4.、3 X 1. F
6/ Cの熱膨張係数(室幅〜3001;)とを有して
いた。
第1表
(10)
第 2 表
(11)
実施例3
実施例1の記載と同様にして、窒化アルミニウム粉末に
対し、炭酸リチウムをリチウムとして1重量%添加した
混合粉末から成形体を得た後、該成形体を焼成して焼結
体とした。たソし、本例においては焼結体製造時の雰囲
気をアルゴンガス、ヘリウノ・ガス、窒素ガス、もしく
は水素ガスとした。得られた焼結体はいずれの場合にも
実施例1に記載した焼結体のリチウノ、量が1重量%の
ものと同様の特性を有していた。
対し、炭酸リチウムをリチウムとして1重量%添加した
混合粉末から成形体を得た後、該成形体を焼成して焼結
体とした。たソし、本例においては焼結体製造時の雰囲
気をアルゴンガス、ヘリウノ・ガス、窒素ガス、もしく
は水素ガスとした。得られた焼結体はいずれの場合にも
実施例1に記載した焼結体のリチウノ、量が1重量%の
ものと同様の特性を有していた。
実施例4
窒化アルミニウムに対して酸化リチウム、窒化リチウム
、水素化リチウム、水酸化リチウム、ハロゲン化すチウ
ノ1、硝酸リチウム、もしくは硫酸リチウムをリチウノ
・とじて0.03〜10重量%添加し、実施例1と同様
にして焼結体を得た。得られた焼結体は、上記したいず
れのリチウム化合物を使用した場合にも、実施例1に記
載したリチウム添加量の等しい焼結体とほぼ同様の特性
を有していた。
、水素化リチウム、水酸化リチウム、ハロゲン化すチウ
ノ1、硝酸リチウム、もしくは硫酸リチウムをリチウノ
・とじて0.03〜10重量%添加し、実施例1と同様
にして焼結体を得た。得られた焼結体は、上記したいず
れのリチウム化合物を使用した場合にも、実施例1に記
載したリチウム添加量の等しい焼結体とほぼ同様の特性
を有していた。
(12)
実施例5
平均粒径の異なる窒化アルミナ基板、粉末に炭酸リチウ
ムをリチウムとして1重量%添加して混合し、実施例1
と同様にして焼結体を得た。第3表は得られた焼結体の
相対密度を示し、窒化アルミニウムの平均粒径が20μ
m以下であれば相対密度90%以上に緻密化した焼結体
が得られている。
ムをリチウムとして1重量%添加して混合し、実施例1
と同様にして焼結体を得た。第3表は得られた焼結体の
相対密度を示し、窒化アルミニウムの平均粒径が20μ
m以下であれば相対密度90%以上に緻密化した焼結体
が得られている。
相対密度が90%以上に緻密化した焼結体は、0.2C
alJ/cm−5−C以」二の熱伝導率(室幅() 、
i o+2Ωm以上の体積抵抗率(室幅)、/1.2〜
4.3×10−’ /Cの熱膨張係数(室幅〜3ooC
)を有していた。
alJ/cm−5−C以」二の熱伝導率(室幅() 、
i o+2Ωm以上の体積抵抗率(室幅)、/1.2〜
4.3×10−’ /Cの熱膨張係数(室幅〜3ooC
)を有していた。
第 3 表
(13)
実施例6
本発明になる電気絶縁基板の具体的な適用例として、実
施例1で得たリチウムを1重量%含む窒化アルミニウム
焼結体を絶縁基板として用いた半導体パワーモジュール
により説明する。
施例1で得たリチウムを1重量%含む窒化アルミニウム
焼結体を絶縁基板として用いた半導体パワーモジュール
により説明する。
第1図は従来構造の組立断面図である。導体4とヒート
ンンク6の間及びヒートンンク6と金属支持板8の間を
それぞれ有機絶縁物5及びアルミナ基板7で絶縁し、ま
た、シリコン素子1とヒートシンク6との熱膨張係数の
差によるひずみを緩和するためにモリブデンスペーサー
3を介在させである。第2図は本発明になる絶縁基板を
用いたモジュールの組立断面図である。絶縁基板10は
シリコン素子1と直接ろう付されており、極めて簡単な
構造になっている。
ンンク6の間及びヒートンンク6と金属支持板8の間を
それぞれ有機絶縁物5及びアルミナ基板7で絶縁し、ま
た、シリコン素子1とヒートシンク6との熱膨張係数の
差によるひずみを緩和するためにモリブデンスペーサー
3を介在させである。第2図は本発明になる絶縁基板を
用いたモジュールの組立断面図である。絶縁基板10は
シリコン素子1と直接ろう付されており、極めて簡単な
構造になっている。
上記半導体装置に、−600で30分保持したのち室幅
で5分保持し、次に125Cに外需して30分保持する
ヒートザイクルを加えた。従来法になる半導体装置(第
1図)では、20回のヒートザイクルで半田付箇所には
がれが生じた。本発(14) 明になる半導体装置(第2図)には、150回のヒート
シンクルの後でも異常が認められなかった。
で5分保持し、次に125Cに外需して30分保持する
ヒートザイクルを加えた。従来法になる半導体装置(第
1図)では、20回のヒートザイクルで半田付箇所には
がれが生じた。本発(14) 明になる半導体装置(第2図)には、150回のヒート
シンクルの後でも異常が認められなかった。
比較例
平均粒径2μmの窒化アルミニウム粉末に酸化イツトリ
ウムを10重量%添加して混合したのち成形体と1〜た
3、該成形体を、I X I Q= torrの真空中
で温度x800t;、荷重300 kg/z+2、時間
0.5hホットプレスして焼結体とした1、該焼結体は
相対密度99%に緻密化した。該焼結体のその他の特性
としては熱伝導率が0.07 Cat/Cm・5−C(
室幅)、電気抵抗率が101Ω・CnT(室幅))、熱
膨張係数が5 X 10”’/′C(室幅〜300r+
であった。
ウムを10重量%添加して混合したのち成形体と1〜た
3、該成形体を、I X I Q= torrの真空中
で温度x800t;、荷重300 kg/z+2、時間
0.5hホットプレスして焼結体とした1、該焼結体は
相対密度99%に緻密化した。該焼結体のその他の特性
としては熱伝導率が0.07 Cat/Cm・5−C(
室幅)、電気抵抗率が101Ω・CnT(室幅))、熱
膨張係数が5 X 10”’/′C(室幅〜300r+
であった。
前記実施例から明らかなように、本発明になる窒化アル
ミニウム焼結体は緻密化してむり、高熱伝導率、高電気
抵抗率、低熱膨張係数を併せ有するという特徴を有する
。従って、前述した通り電気絶縁用基板材料として有用
であるばかシでなく、更に耐熱、耐酸化性、耐薬品性が
要求される部イ」、耐熱衝撃性が要求される部材、高藺
において高強(15)
ミニウム焼結体は緻密化してむり、高熱伝導率、高電気
抵抗率、低熱膨張係数を併せ有するという特徴を有する
。従って、前述した通り電気絶縁用基板材料として有用
であるばかシでなく、更に耐熱、耐酸化性、耐薬品性が
要求される部イ」、耐熱衝撃性が要求される部材、高藺
において高強(15)
第1図は従来法によるシリコン半導体装置の組立断面図
、第2図は本発明になる基板を用いたシリコン半導体装
置の組立断面図である。 ■・・・シリコン素子、2・・・リード線、3・・・モ
リブデンスベーザー、4・・・導体、5・・・有機絶縁
物、6・・・ヒートシンク、7・・・アルミナ基板、8
・・・支持板、(1G)
、第2図は本発明になる基板を用いたシリコン半導体装
置の組立断面図である。 ■・・・シリコン素子、2・・・リード線、3・・・モ
リブデンスベーザー、4・・・導体、5・・・有機絶縁
物、6・・・ヒートシンク、7・・・アルミナ基板、8
・・・支持板、(1G)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、窒化アルミニラJいを主成分とし、これにリチウム
又はリチウム含有物質を含み、理論密度の90%以上の
密度を有することを特徴とする窒化アルミニラl、焼結
体。 2゜前記リチウム又U1:リチウム含有物質のリチウム
量が0.05〜5重量%である特許請求の範囲第1項の
窒化アルミニウノ・焼結体。 3、室温における熱伝導率が0.2 cHI//備・S
・C以上である特許請求の範囲第1珀記載の窒化アルミ
ニウム焼結体。 4、室温における体積抵抗率が10′2ρm以上である
特許請求の範囲第1項記載の窒化アルミニウム焼結体。 5、室部から300Cの範囲において平均熱膨張係数が
5 X 1.0”” /C以下である時W[請求の範囲
第1項記載の窒化アルミニウム焼結体。 6、窒化アルミニウムを主成分とし、これにリチウム又
d、リチウム含有物質を含む粉末を成形体となし、該成
形体を非酸化性雰囲気中、密度が理論密度の90%の値
を越えるに十分な温度で焼結させることを特徴とする窒
化アルミニウム焼結体の製法。 7、温度1600〜2000t、圧力1. OOkg/
m”以上でホットプレスすることによって焼結する特許
請求の範囲第6項記載の窒化アルミニウム焼結体の製法
。 8、平均粒径が20μm以下である窒化アルミニウム粉
末を使用する特許請求の範囲第6項まだは第7項記載の
製法。 9、窒化アルミニウムを主成分とし、これにリチウノ、
又はリチウム含有物質を含むことを特徴とする窒化アル
ミニウム粉末組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56126771A JPS5832072A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製法並びに焼結体製造用粉末組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56126771A JPS5832072A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製法並びに焼結体製造用粉末組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5832072A true JPS5832072A (ja) | 1983-02-24 |
JPS6337065B2 JPS6337065B2 (ja) | 1988-07-22 |
Family
ID=14943514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56126771A Granted JPS5832072A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製法並びに焼結体製造用粉末組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5832072A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4478785A (en) * | 1983-08-01 | 1984-10-23 | General Electric Company | Process of pressureless sintering to produce dense, high thermal conductivity aluminum nitride ceramic body |
US4533645A (en) * | 1983-08-01 | 1985-08-06 | General Electric Company | High thermal conductivity aluminum nitride ceramic body |
US4537863A (en) * | 1983-08-10 | 1985-08-27 | Nippon Electric Glass Company, Ltd. | Low temperature sealing composition |
US4547471A (en) * | 1983-11-18 | 1985-10-15 | General Electric Company | High thermal conductivity aluminum nitride ceramic body |
US4591537A (en) * | 1982-12-24 | 1986-05-27 | W. C. Heraeus Gmbh | Combination of AlN-Y2 O3 heat conductive ceramic substrate and electronic component |
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JPH0352435U (ja) * | 1989-09-27 | 1991-05-21 | ||
JPH04101789U (ja) * | 1991-02-12 | 1992-09-02 | 川崎重工業株式会社 | 二輪車のフロントブレーキ構造 |
JPH07165473A (ja) * | 1994-10-24 | 1995-06-27 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US6664597B2 (en) | 2000-12-26 | 2003-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate for mounting a semiconductor element thereon and semiconductor device comprising a semiconductor element mounted on said substrate |
-
1981
- 1981-08-14 JP JP56126771A patent/JPS5832072A/ja active Granted
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPS6337065B2 (ja) | 1988-07-22 |
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