JPS594689B2 - 液晶表示装置の水平配向処理法 - Google Patents
液晶表示装置の水平配向処理法Info
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- JPS594689B2 JPS594689B2 JP52005805A JP580577A JPS594689B2 JP S594689 B2 JPS594689 B2 JP S594689B2 JP 52005805 A JP52005805 A JP 52005805A JP 580577 A JP580577 A JP 580577A JP S594689 B2 JPS594689 B2 JP S594689B2
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- crystal display
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- substrate
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
- G02F1/133784—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by rubbing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
-
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶表示装置の水平配向処理方法に関する。
液晶表示装置は、現在消費電力が小さく且つ低電圧で動
作する利点があるツイストネマチツク（ＴＮ）方式によ
るものが大部分である。
作する利点があるツイストネマチツク（ＴＮ）方式によ
るものが大部分である。
このＴＮ型の液晶表示装置では液晶分子を基板電極面に
水平に配向させ、上下基板間で液晶分子が９００ねじれ
た構造をとらせる。そのために液晶を配向させるための
処理をした２枚のガラス板板を配向方向を９００に交叉
させてセルを形成する。液晶分子を基板電極面で水平に
配向させるための基板の処理方法には従来から２つの方
法があつた。
水平に配向させ、上下基板間で液晶分子が９００ねじれ
た構造をとらせる。そのために液晶を配向させるための
処理をした２枚のガラス板板を配向方向を９００に交叉
させてセルを形成する。液晶分子を基板電極面で水平に
配向させるための基板の処理方法には従来から２つの方
法があつた。
そのひとつは基板へのＳｉ０などの斜め蒸着法であり、
他はラピング法である。斜め蒸着法は基板表面に対して
約５０の角度でＳｉ０、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ａｌ
、、Ｓｎ、、Ａｇ）Ｃｒ等を蒸着させることを含む。
他はラピング法である。斜め蒸着法は基板表面に対して
約５０の角度でＳｉ０、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ａｌ
、、Ｓｎ、、Ａｇ）Ｃｒ等を蒸着させることを含む。
この斜め蒸着法によれば基板が最初の封止での高温にさ
らされても、液晶の配向性が乱れない利点がある。しか
し、蒸着の角度が極めて小さい為に、いずれかの辺長が
１（Ｖ７Ｉ以上の大きな基板では蒸着角度のコントロー
ルが困難であつた。例えば、１０儂×５（Ｖ７！の基板
では蒸着源と基板との距離を５０儂以上離さなければ一
定の蒸着の角度が基板全面で得られず、従つて液晶の配
向の一方向性が乱れてしまう。この距離を長くすると飛
散する量が大きくなる、蒸着時間が長くなる及び蒸着装
置も大規模となるなど生産性が極めて悪くなる。更にま
た、斜め蒸着法で処理した基板では、液晶分子と基板と
のなす角度即ち視角が大きいため、コントラストが低く
且つ視角も狭いなどの欠点があつた。他方、基板の電極
面にＳｉＯ膜を形成し、この膜表面を脱脂綿等でラピン
グすることにより処理された基板は熱に対して耐久性が
ない。
らされても、液晶の配向性が乱れない利点がある。しか
し、蒸着の角度が極めて小さい為に、いずれかの辺長が
１（Ｖ７Ｉ以上の大きな基板では蒸着角度のコントロー
ルが困難であつた。例えば、１０儂×５（Ｖ７！の基板
では蒸着源と基板との距離を５０儂以上離さなければ一
定の蒸着の角度が基板全面で得られず、従つて液晶の配
向の一方向性が乱れてしまう。この距離を長くすると飛
散する量が大きくなる、蒸着時間が長くなる及び蒸着装
置も大規模となるなど生産性が極めて悪くなる。更にま
た、斜め蒸着法で処理した基板では、液晶分子と基板と
のなす角度即ち視角が大きいため、コントラストが低く
且つ視角も狭いなどの欠点があつた。他方、基板の電極
面にＳｉＯ膜を形成し、この膜表面を脱脂綿等でラピン
グすることにより処理された基板は熱に対して耐久性が
ない。
ラピング法による基板は、原因はまだ不明であるが、セ
ルを最初の封止をすれば液晶の配向性が乱れやすくなり
、液晶表示装置の寿命が著しく短かくなつてしまう。従
つて、装置の安定性や信頼性を得るために最初の封止を
する場合には斜め蒸着法を用いるのが一般的であつた。
本発明の目的は大きな基板であつても液晶の水平配向が
得られる基板の処理方法を提供することである。
ルを最初の封止をすれば液晶の配向性が乱れやすくなり
、液晶表示装置の寿命が著しく短かくなつてしまう。従
つて、装置の安定性や信頼性を得るために最初の封止を
する場合には斜め蒸着法を用いるのが一般的であつた。
本発明の目的は大きな基板であつても液晶の水平配向が
得られる基板の処理方法を提供することである。
本発明の他の目的は最初の封止にも十分な耐久性を有し
、長寿命の液晶表示装置を与えうる基板の処理方法を提
供することである。
、長寿命の液晶表示装置を与えうる基板の処理方法を提
供することである。
本発明に従つて、基板の電極を備えた表面上に透明な酸
化物膜を形成する工程と、この透明な絶縁性酸化膜上に
更にシリコン膜を形成する工程と、この得られたシリコ
ン膜の表面を一定方向にラピングする工程、及びその後
この基板を熱処理する工程を含む、液晶分子を水平配向
させるための液晶表示装置用基板の処理方法が提供され
る。
化物膜を形成する工程と、この透明な絶縁性酸化膜上に
更にシリコン膜を形成する工程と、この得られたシリコ
ン膜の表面を一定方向にラピングする工程、及びその後
この基板を熱処理する工程を含む、液晶分子を水平配向
させるための液晶表示装置用基板の処理方法が提供され
る。
基板表面上に形成される絶縁性酸化膜は酸化シリコン（
ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム、酸化イツトリウム、酸
化チタニウムが好ましく、特にＳｉＯ２が好ましい。好
ましい具体例においては、上記熱処理工程と最初の封止
とを同時に実施してもよい。
ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム、酸化イツトリウム、酸
化チタニウムが好ましく、特にＳｉＯ２が好ましい。好
ましい具体例においては、上記熱処理工程と最初の封止
とを同時に実施してもよい。
次に図面を参照して本発明方法の実施例を説明する。
基板１は透明な基板、例えばガラス基板であつてもよい
。
。
基板１上には通常の方法によつて透明電極２が設けられ
る。電極材料には酸化インジウム、酸化錫など通常のも
のを使用してもよい。基板１の電極２が形成された側の
表面上に透明な酸化膜例えばＳｉＯ２３を形成する。Ｓ
ｉＯ２膜３は直流電流が流れず且つガラス基板１に含ま
れるアルカリ金属イオンが透過しない程度の膜厚、一般
的には１００〜３０００λの膜厚を形成する。このＳｉ
Ｏ２膜３は通常の方法、例えば蒸着、スパツタリング、
ＣｈｅｍｉｃａｌｖａｐＯｒｄｅｐＯｓｉｔｉＯｎ、シ
ラン誘導体の塗布及び焼成など、により形成してよい。
得られたＳｉＯ２膜３上に更にＳｉ膜４を形成する。
る。電極材料には酸化インジウム、酸化錫など通常のも
のを使用してもよい。基板１の電極２が形成された側の
表面上に透明な酸化膜例えばＳｉＯ２３を形成する。Ｓ
ｉＯ２膜３は直流電流が流れず且つガラス基板１に含ま
れるアルカリ金属イオンが透過しない程度の膜厚、一般
的には１００〜３０００λの膜厚を形成する。このＳｉ
Ｏ２膜３は通常の方法、例えば蒸着、スパツタリング、
ＣｈｅｍｉｃａｌｖａｐＯｒｄｅｐＯｓｉｔｉＯｎ、シ
ラン誘導体の塗布及び焼成など、により形成してよい。
得られたＳｉＯ２膜３上に更にＳｉ膜４を形成する。
このシリコン膜４の膜厚は５０〜３００λであり、好ま
しくは７０〜１００λである。膜厚が５０λよりも小さ
いと、望ましい液晶の配向が得られない。逆に、膜厚が
３００λよりも大きい場合には、後の熱処理工程でＳｉ
膜４の酸化及び透明化が達成され得ないことがある。し
かし、最初の封止の熱処理とは別に、強い酸化条件下で
上記熱処理工程を実施する場合には、シリコン膜４の膜
厚は３００λよりも大きくてもよい。シリコン膜４は通
常の方法、例えば蒸着、スパツタリング、Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌｖａｐＯｒｄＯｐＯｓｉｔｉＯｎ等により形成して
もよい。かくして第１図に示す如く構成された基板のシ
リコン膜４の表面を通常の方法に従つて脱脂綿、フエル
ト紙等で一定方向にラピングする。
しくは７０〜１００λである。膜厚が５０λよりも小さ
いと、望ましい液晶の配向が得られない。逆に、膜厚が
３００λよりも大きい場合には、後の熱処理工程でＳｉ
膜４の酸化及び透明化が達成され得ないことがある。し
かし、最初の封止の熱処理とは別に、強い酸化条件下で
上記熱処理工程を実施する場合には、シリコン膜４の膜
厚は３００λよりも大きくてもよい。シリコン膜４は通
常の方法、例えば蒸着、スパツタリング、Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌｖａｐＯｒｄＯｐＯｓｉｔｉＯｎ等により形成して
もよい。かくして第１図に示す如く構成された基板のシ
リコン膜４の表面を通常の方法に従つて脱脂綿、フエル
ト紙等で一定方向にラピングする。
シリコン膜４は大気中で徐々に酸化するので、シリコン
膜４の形成後ラピングするまでの時間は出来るだけ短時
間であることが好ましい。やむを得ず長時間放置する場
合には、酸素又は水の存在しない雰囲気中に保存するこ
とが望ましい。続いて行なう熱処理工程は最初の封止と
兼用するのが好都合である。
膜４の形成後ラピングするまでの時間は出来るだけ短時
間であることが好ましい。やむを得ず長時間放置する場
合には、酸素又は水の存在しない雰囲気中に保存するこ
とが望ましい。続いて行なう熱処理工程は最初の封止と
兼用するのが好都合である。
即ち、ラピングの終つた２枚の基板を用意し、２枚の基
板のシリコン膜４を対向させ且つ２枚の基板のラピング
の方向がほぼ直交するようにして、適当な間隔に保持す
る。次に、第２図に示すように２枚の基板の間隙を第１
のガラス基板５で封止して、セルを形成する。この最初
の封止には第１のガラス基板の種類に応じて約２００〜
６００℃の温度での熱処理が必要である。この最初の封
止の熱処理によつて本発明の熱処理工程が同時に達成さ
れる。無論、本発明の熱処理工程を実施してから第２図
に示すようにセルを組み立ててもよい。本発明の熱処理
工程で用いる温度及び時間はシリコン膜の膜厚、雰囲気
条件等によつて変わるが、シリコン膜が酸化されて透明
な膜が得られればよい。最後に、第２図に示すようにセ
ルの間隙に正の誘電異方性を有するネマチツク液晶６を
充填し、セルの外側表面上に偏光板７，８を配置して液
晶表示装置が構成される。
板のシリコン膜４を対向させ且つ２枚の基板のラピング
の方向がほぼ直交するようにして、適当な間隔に保持す
る。次に、第２図に示すように２枚の基板の間隙を第１
のガラス基板５で封止して、セルを形成する。この最初
の封止には第１のガラス基板の種類に応じて約２００〜
６００℃の温度での熱処理が必要である。この最初の封
止の熱処理によつて本発明の熱処理工程が同時に達成さ
れる。無論、本発明の熱処理工程を実施してから第２図
に示すようにセルを組み立ててもよい。本発明の熱処理
工程で用いる温度及び時間はシリコン膜の膜厚、雰囲気
条件等によつて変わるが、シリコン膜が酸化されて透明
な膜が得られればよい。最後に、第２図に示すようにセ
ルの間隙に正の誘電異方性を有するネマチツク液晶６を
充填し、セルの外側表面上に偏光板７，８を配置して液
晶表示装置が構成される。
本発明の方法により処理された基板を用いた液晶表示装
置は液晶の配向に乱れがなく、長寿命であり、且つ大型
であつても安定した表示が得られる。
置は液晶の配向に乱れがなく、長寿命であり、且つ大型
であつても安定した表示が得られる。
また、ラピング法で液晶を配向させるため、液晶分子と
基板表面との視角が小さく、良好なコントラストと広い
視角が得られる。本発明の方法は本質的にはラピング法
に基づくが、高温での最初の封止を行なつても液晶の配
向性が乱れず、長寿命化高信頼化が達成できた。
基板表面との視角が小さく、良好なコントラストと広い
視角が得られる。本発明の方法は本質的にはラピング法
に基づくが、高温での最初の封止を行なつても液晶の配
向性が乱れず、長寿命化高信頼化が達成できた。
本方法において、ガラス基板上にＳｉＯ２等の酸化物膜
とシリコン膜とをこの順序に積層することが重要であり
、いずれかの膜が欠けても本発明の効果は得られない。
即ち、最初の封止を行なえば液晶の配向に乱れが生じ、
更にガラス基板からアルカリ金属が浸透して析出し、液
晶の寿命を短かくする。酸化物膜としてＳｉＯ２膜を使
用すれば膜形成上好都合である。
とシリコン膜とをこの順序に積層することが重要であり
、いずれかの膜が欠けても本発明の効果は得られない。
即ち、最初の封止を行なえば液晶の配向に乱れが生じ、
更にガラス基板からアルカリ金属が浸透して析出し、液
晶の寿命を短かくする。酸化物膜としてＳｉＯ２膜を使
用すれば膜形成上好都合である。
即ち、蒸着又はスパツタリングで膜形成する場合には、
ＳｉＯ２及びシリコンの２つの蒸着源又はターゲツトを
それぞれ用いてひとつの装置で実施できる０ｃｈｅｍｉ
ｃａ１ｖａｐ０ｒｄｅｐ０ｓｉｔｉ０ｎによる場合にも
、ＳｉＯ２膜の形成後反応装置への酸素供給を止めるだ
けでシリコン膜を形成できる。また、これらの膜形成で
使用する膜材料の量は従来の斜め蒸着法に比して大輻に
減少され、製造コストを低減できる。実施例 １０ＣｍＸ５ＣＴ！Ｌのガラス基板にスパツタリングに
より厚さ２０００λのＩｎ２Ｏ３膜を付着させ、フオト
エツチングして所望の透明電極を形成した。
ＳｉＯ２及びシリコンの２つの蒸着源又はターゲツトを
それぞれ用いてひとつの装置で実施できる０ｃｈｅｍｉ
ｃａ１ｖａｐ０ｒｄｅｐ０ｓｉｔｉ０ｎによる場合にも
、ＳｉＯ２膜の形成後反応装置への酸素供給を止めるだ
けでシリコン膜を形成できる。また、これらの膜形成で
使用する膜材料の量は従来の斜め蒸着法に比して大輻に
減少され、製造コストを低減できる。実施例 １０ＣｍＸ５ＣＴ！Ｌのガラス基板にスパツタリングに
より厚さ２０００λのＩｎ２Ｏ３膜を付着させ、フオト
エツチングして所望の透明電極を形成した。
この透明電極の形成された基板表面全面に厚さ２０００
λのＳｉＯ２膜をＣｈｅｍｉｃａｌｖａｐＯｒｄｅｐＯ
ｓｉｔｉＯｎにより積層し、更にその上に厚さ９０λの
Ｓｉ膜を同様に形成した。次に、得られた基板のＳｉ膜
表面を脱脂綿で一定方向にラピングした。このようにし
てラピングまで終了した２枚の基板を１０μの間隔に保
持し、周囲を第１のガラス基板を用いて封止した。
λのＳｉＯ２膜をＣｈｅｍｉｃａｌｖａｐＯｒｄｅｐＯ
ｓｉｔｉＯｎにより積層し、更にその上に厚さ９０λの
Ｓｉ膜を同様に形成した。次に、得られた基板のＳｉ膜
表面を脱脂綿で一定方向にラピングした。このようにし
てラピングまで終了した２枚の基板を１０μの間隔に保
持し、周囲を第１のガラス基板を用いて封止した。
この最初の封止は大気中にて最高温度５２０℃で３０分
間の熱処理が必要であつた。得られたセルにネマチツク
液晶ＢＢＣＡを充填し、両側に偏光板を設置して液晶表
示装置を構成した。この装置は大型で且つラピングの後
に最初の封止を行なつたにもかかわらず表示面全体にわ
たつてコントラストの良い安定した表示が得られた。ま
た、この装置は長期間にわたつて高い信頼性が得られた
。
間の熱処理が必要であつた。得られたセルにネマチツク
液晶ＢＢＣＡを充填し、両側に偏光板を設置して液晶表
示装置を構成した。この装置は大型で且つラピングの後
に最初の封止を行なつたにもかかわらず表示面全体にわ
たつてコントラストの良い安定した表示が得られた。ま
た、この装置は長期間にわたつて高い信頼性が得られた
。
第１図は本発明方法の実施例説明図、第２図は第１図の
基板を用いて構成した液晶表示装置の説明図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・電極、３・
・・・・・ＳｉＯ２膜、４・・・・・・Ｓｉ膜、６・・
・・・・液晶。
基板を用いて構成した液晶表示装置の説明図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・電極、３・
・・・・・ＳｉＯ２膜、４・・・・・・Ｓｉ膜、６・・
・・・・液晶。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に絶縁性酸化膜を形成する工程と、前記酸化
膜上にシリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜の
表面を一定方向にラビングする工程と、該工程の後に熱
処理する工程とを具備してなることを特徴とする液晶表
示装置の水平配向処理方法。 ２ 絶縁性酸化膜として酸化シリコン膜を用いることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置の
水平配向処理方法。 ３ 絶縁性酸化膜の膜厚が１００〜３０００Åである特
許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置の水平配向処理
方法。 ４ シリコン膜の膜厚が５０〜３００Åである特許請求
の範囲第１項記載の液晶表示装置の水平配向処理方法。 ５ 熱処理工程をセル形成のための封止と同時に行なう
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示
装置の水平配向処理方法。 ６ ガラス基板の電極が形成された表面上に酸化シリコ
ン膜を１００〜３０００Åの厚さに形成する工程と、こ
の酸化シリコン膜上に更にシリコン膜を５０〜３００Å
の厚さに形成する工程と、このシリコン膜の表面を一定
方向にラビングする工程と、その後この基板をセル形成
のための封止と同時に熱処理する工程とを具備してなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示
装置の水平配向処理方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52005805A JPS594689B2 (ja) | 1977-01-24 | 1977-01-24 | 液晶表示装置の水平配向処理法 |
| US05/863,048 US4116658A (en) | 1977-01-24 | 1977-12-21 | Method of coating substrate for liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52005805A JPS594689B2 (ja) | 1977-01-24 | 1977-01-24 | 液晶表示装置の水平配向処理法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5391762A JPS5391762A (en) | 1978-08-11 |
| JPS594689B2 true JPS594689B2 (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=11621287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52005805A Expired JPS594689B2 (ja) | 1977-01-24 | 1977-01-24 | 液晶表示装置の水平配向処理法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4116658A (ja) |
| JP (1) | JPS594689B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4165923A (en) * | 1972-04-10 | 1979-08-28 | Ncr Corporation | Liquid crystal alignment structure |
| US4867536A (en) * | 1986-02-05 | 1989-09-19 | Ford Motor Company | Color selectable liquid crystal display system |
| US5076671A (en) * | 1988-12-22 | 1991-12-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device having two bistable orientation states in the chiral smectic temperature range |
| JP2790163B2 (ja) * | 1993-07-29 | 1998-08-27 | 富士通株式会社 | シリコン酸化膜の形成方法、半導体装置の製造方法及びフラットディスプレイ装置の製造方法 |
| JPH07109573A (ja) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ガラス基板および加熱処理方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5062057A (ja) * | 1973-09-27 | 1975-05-27 | ||
| JPS513659A (ja) * | 1974-06-28 | 1976-01-13 | Hitachi Ltd | Denkaikokagataekishoseru |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3242007A (en) * | 1961-11-15 | 1966-03-22 | Texas Instruments Inc | Pyrolytic deposition of protective coatings of semiconductor surfaces |
| US3787110A (en) * | 1972-06-23 | 1974-01-22 | Bell Telephone Labor Inc | Liquid crystal devices |
| US3832034A (en) * | 1973-04-06 | 1974-08-27 | Ibm | Liquid crystal display assembly |
-
1977
- 1977-01-24 JP JP52005805A patent/JPS594689B2/ja not_active Expired
- 1977-12-21 US US05/863,048 patent/US4116658A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5062057A (ja) * | 1973-09-27 | 1975-05-27 | ||
| JPS513659A (ja) * | 1974-06-28 | 1976-01-13 | Hitachi Ltd | Denkaikokagataekishoseru |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4116658A (en) | 1978-09-26 |
| JPS5391762A (en) | 1978-08-11 |
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