JPH0330128B2 - - Google Patents
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- JPH0330128B2 JPH0330128B2 JP59260928A JP26092884A JPH0330128B2 JP H0330128 B2 JPH0330128 B2 JP H0330128B2 JP 59260928 A JP59260928 A JP 59260928A JP 26092884 A JP26092884 A JP 26092884A JP H0330128 B2 JPH0330128 B2 JP H0330128B2
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- liquid crystal
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- crystal display
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばコンピユータ端末表示装置あ
るいは高品位テレビジヨン等に用いられる液晶表
示素子に関するものであ。
るいは高品位テレビジヨン等に用いられる液晶表
示素子に関するものであ。
最近の平面デイスプレイの方式としては、半導
体ICで直接駆動が出来、かつ駆動に要するエネ
ルギーも低消費電力である液晶表示素子が注目を
集めている。
体ICで直接駆動が出来、かつ駆動に要するエネ
ルギーも低消費電力である液晶表示素子が注目を
集めている。
このような液晶表示素子は、例えば一対のガラ
ス基板内側面に透明電極を設け、この透明電極上
にポリイミドの溶液をスピナー手段で塗布し、加
熱及びラビング処理してポリイミドの液晶分子配
向膜（以下単に配向膜という）を構成し、そして
この配向膜間に液晶を介在させたものとして構成
されている。
ス基板内側面に透明電極を設け、この透明電極上
にポリイミドの溶液をスピナー手段で塗布し、加
熱及びラビング処理してポリイミドの液晶分子配
向膜（以下単に配向膜という）を構成し、そして
この配向膜間に液晶を介在させたものとして構成
されている。
ところが、このように構成された液晶表示素子
は、中心部と周辺部とにおいて配向膜の膜厚に差
が生じ易くなるものであり、この為液晶層厚が場
所によつて不均一なものとなり、大きな問題とな
つている。
は、中心部と周辺部とにおいて配向膜の膜厚に差
が生じ易くなるものであり、この為液晶層厚が場
所によつて不均一なものとなり、大きな問題とな
つている。
又、配向膜の膜厚制御も容易でないといつた問
題もある。
題もある。
本発明者は、液晶表示素子における液晶分子配
列に大きな影響を及ぼす配向膜を真空中で合成に
よるポリイミド薄膜で構成するならば、従来のよ
うな液相状態を経て構成した場合と異なり、配向
膜の膜厚は場所によらず均一なものとなるのでは
ないかと考え、かかる発想に基ずいて実験してみ
た。
列に大きな影響を及ぼす配向膜を真空中で合成に
よるポリイミド薄膜で構成するならば、従来のよ
うな液相状態を経て構成した場合と異なり、配向
膜の膜厚は場所によらず均一なものとなるのでは
ないかと考え、かかる発想に基ずいて実験してみ
た。
つまり、例えば片面に透明電極が形成されたガ
ラス基板を真空蒸着装置内に配置し、そしてポリ
イミドを構成する二種類のモノマーを蒸発させて
蒸着し、そして加熱してポリイミドの配向膜を構
成したところ、この配向膜は、その膜厚が均一な
ものであり、従つてラビング処理も容易なものと
なり、又、液晶層厚も均一なものとなり、さらに
は液晶の配向効果も良く、液晶分子の配向ムラも
起きにくく、特に大面積の液晶表示素子の場合に
は大きな効果を発揮するものであることを見い出
した。
ラス基板を真空蒸着装置内に配置し、そしてポリ
イミドを構成する二種類のモノマーを蒸発させて
蒸着し、そして加熱してポリイミドの配向膜を構
成したところ、この配向膜は、その膜厚が均一な
ものであり、従つてラビング処理も容易なものと
なり、又、液晶層厚も均一なものとなり、さらに
は液晶の配向効果も良く、液晶分子の配向ムラも
起きにくく、特に大面積の液晶表示素子の場合に
は大きな効果を発揮するものであることを見い出
した。
本発明は上記の観点から達成されたものであ
り、液晶と、液晶分子配向膜と、電極とを備えた
液晶表示素子の製造方法において、前記液晶分子
配向膜の構成が、ピロメリツト酸二無水物と４，
4′−ジアミノジフエニルエーテルを真空中で加熱
蒸発させて加熱蒸発中に合成したポリアミツク酸
を前記電極上に蒸着させ、さらに加熱することよ
りイミド化してポリイミド薄膜を形成することに
よるものであることを特徴とする液晶表示素子の
製造方法を提案するものである。
り、液晶と、液晶分子配向膜と、電極とを備えた
液晶表示素子の製造方法において、前記液晶分子
配向膜の構成が、ピロメリツト酸二無水物と４，
4′−ジアミノジフエニルエーテルを真空中で加熱
蒸発させて加熱蒸発中に合成したポリアミツク酸
を前記電極上に蒸着させ、さらに加熱することよ
りイミド化してポリイミド薄膜を形成することに
よるものであることを特徴とする液晶表示素子の
製造方法を提案するものである。
図は、本発明に係る液晶表示素子の製造方法の
実施によつて得られた液晶表示素子の概略説明図
である。
実施によつて得られた液晶表示素子の概略説明図
である。
同図中、１は偏光板、２はガラス基板、３は透
明電極、４や配向膜、５はスペーサ、、６は液晶
であり、配向膜４を除いた部分の構成は従来の液
晶表示素子と略同様なものである。
明電極、４や配向膜、５はスペーサ、、６は液晶
であり、配向膜４を除いた部分の構成は従来の液
晶表示素子と略同様なものである。
本発明に係る液晶表示素子の特徴は、配向膜４
の構成にあり、すなわち配向膜４として真空中で
の合成によりポリイミド薄膜で構成したことであ
る。
の構成にあり、すなわち配向膜４として真空中で
の合成によりポリイミド薄膜で構成したことであ
る。
つまり、例えば透明電極３が片面に形成された
ガラス基板２を真空度1.1×10-3Pa程度の真空蒸
着装置内に配置し、そしてピロメリツト酸二無水
物と4.4′−ジアミノジフエニルエーテルといつた
二種類のモノマーをそれぞれハロゲンランプの輻
射加熱により約150℃程度に加熱して蒸発させ、
約0.1μm／分程度の蒸着速度で透明電極３面上に
蒸着させると、蒸着中にポリアミド酸の重合反応
が生じており、そしてこれ（ポリアミツク酸）を
約190℃で60分間の加熱を行なうとイミド化が起
きてポリイミドの膜が出来る。そして、このポリ
イミド薄膜に対してラビング処理を行なえば液晶
分子配向用の配向膜４が構成される。
ガラス基板２を真空度1.1×10-3Pa程度の真空蒸
着装置内に配置し、そしてピロメリツト酸二無水
物と4.4′−ジアミノジフエニルエーテルといつた
二種類のモノマーをそれぞれハロゲンランプの輻
射加熱により約150℃程度に加熱して蒸発させ、
約0.1μm／分程度の蒸着速度で透明電極３面上に
蒸着させると、蒸着中にポリアミド酸の重合反応
が生じており、そしてこれ（ポリアミツク酸）を
約190℃で60分間の加熱を行なうとイミド化が起
きてポリイミドの膜が出来る。そして、このポリ
イミド薄膜に対してラビング処理を行なえば液晶
分子配向用の配向膜４が構成される。
このように構成されたポリイミド薄膜を調べる
と、従来のものとは異なりその膜厚が場所によら
ず均一なものとなつており、表面凹凸は少なく、
ラビング処理が容易で、短時間で出来るものであ
る。
と、従来のものとは異なりその膜厚が場所によら
ず均一なものとなつており、表面凹凸は少なく、
ラビング処理が容易で、短時間で出来るものであ
る。
又、配向膜４の膜厚が場所によらず均一なもの
となるから、間に介在する液晶の層厚も場所によ
らず一定のものとなり、液晶層厚不均一に起因す
る性能低下が著しく少ないものとなる。
となるから、間に介在する液晶の層厚も場所によ
らず一定のものとなり、液晶層厚不均一に起因す
る性能低下が著しく少ないものとなる。
又、液晶分子の配向効果も高く、充分なコント
ラストの得られるものであり、特に液晶分子の配
向ムラの少ないものが得られる。
ラストの得られるものであり、特に液晶分子の配
向ムラの少ないものが得られる。
なお、ポリイミドの真空中での合成方法によつ
ては、ラビング処理を実施しなくても、液晶分子
の配向が認められた。
ては、ラビング処理を実施しなくても、液晶分子
の配向が認められた。
本発明によれば、液晶表示素子の配向膜の膜厚
が全面にわたつて均一性に富んでいるので、特に
大面積基板に対しても優位であり、又表面凹凸が
少ないのでラビング処理を容易にし、更に、液晶
分子の配向ムラは少なく配向効果の高いものであ
り、高性能な液晶表示素子が出来る。
が全面にわたつて均一性に富んでいるので、特に
大面積基板に対しても優位であり、又表面凹凸が
少ないのでラビング処理を容易にし、更に、液晶
分子の配向ムラは少なく配向効果の高いものであ
り、高性能な液晶表示素子が出来る。
図は、本発明に係る液晶表示素子の製造方法の
実施によつて得られた液晶表示素子の説明図であ
る。 １……偏光板、２……ガラス基板、３……透明
電極、４……配向膜、５……スペーサ、６……液
晶。
実施によつて得られた液晶表示素子の説明図であ
る。 １……偏光板、２……ガラス基板、３……透明
電極、４……配向膜、５……スペーサ、６……液
晶。
Claims (1)
- １ 液晶と、液晶分子配向膜と、電極とを備えた
液晶表示素子の製造方法において、前記液晶分子
配向膜の構成が、ピロメリツト酸二無水物と４，
4′−ジアミノジフエニルエーテルを真空中で加熱
蒸発させて加熱蒸発中に合成したポリアミツク酸
を前記電極上に蒸着させ、さらに加熱することに
よりイミド化してポリイミド薄膜を形成すること
によるものであることを特徴とする液晶表示素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26092884A JPS61138924A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26092884A JPS61138924A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61138924A JPS61138924A (ja) | 1986-06-26 |
| JPH0330128B2 true JPH0330128B2 (ja) | 1991-04-26 |
Family
ID=17354711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26092884A Granted JPS61138924A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61138924A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774867B2 (ja) * | 1985-02-15 | 1995-08-09 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| JPS6344630A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2722832B2 (ja) * | 1991-02-22 | 1998-03-09 | 日本電気株式会社 | 液晶表示素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5083051A (ja) * | 1973-06-30 | 1975-07-04 |
-
1984
- 1984-12-12 JP JP26092884A patent/JPS61138924A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5083051A (ja) * | 1973-06-30 | 1975-07-04 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61138924A (ja) | 1986-06-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |