JPS61138924A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS61138924A JPS61138924A JP26092884A JP26092884A JPS61138924A JP S61138924 A JPS61138924 A JP S61138924A JP 26092884 A JP26092884 A JP 26092884A JP 26092884 A JP26092884 A JP 26092884A JP S61138924 A JPS61138924 A JP S61138924A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- film
- thickness
- crystal display
- display element
- Prior art date
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- Granted
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- Liquid Crystal (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばコンピュータ端末表示装置あるいは高
品位テレビジョン等に用いられる液晶表示素子に関する
ものである。
品位テレビジョン等に用いられる液晶表示素子に関する
ものである。
最近の平面ディスプレイの方式としては、半導体ＩＣで
直接駆動が出来、かつ駆動に要するエネルギーも低消費
電力である液晶表示素子が注目を集めている。
直接駆動が出来、かつ駆動に要するエネルギーも低消費
電力である液晶表示素子が注目を集めている。
このような液晶表示素子は、例えば一対のガラス基板内
側面に透明電極を設け、この透明電極上にポリイミド系
樹脂の溶液をスピナ一手段で塗布し、加熱及びラビング
処理してポリイミド系樹脂の液晶分子配向膜（以下単に
配向膜という）を構成し、そしてこの配向膜間に液晶を
介在させたものとして構成されている。
側面に透明電極を設け、この透明電極上にポリイミド系
樹脂の溶液をスピナ一手段で塗布し、加熱及びラビング
処理してポリイミド系樹脂の液晶分子配向膜（以下単に
配向膜という）を構成し、そしてこの配向膜間に液晶を
介在させたものとして構成されている。
ところが、このように構成された液晶表示素子は、中心
部と周辺部とにおいて配向膜の←膜厚に差が生じ易くな
るものであり、この為液晶層厚が場所によって不均一な
ものとなり、大きな問題となっている。
部と周辺部とにおいて配向膜の←膜厚に差が生じ易くな
るものであり、この為液晶層厚が場所によって不均一な
ものとなり、大きな問題となっている。
又、配向膜の膜厚制御も容易でないといった問題もある
。
。
本発明者は、液晶表示素子における液晶分子配列に大き
な影響を及ぼす配向膜を真空中で合成によるポリイミド
系樹脂薄膜で構成するならば、従来のような液相状態を
経て構成した場合と異なり、配向膜゛の膜厚は場所によ
らず均一なものとなるのではないかと考え、かかる発想
に基すいて実験してみた。
な影響を及ぼす配向膜を真空中で合成によるポリイミド
系樹脂薄膜で構成するならば、従来のような液相状態を
経て構成した場合と異なり、配向膜゛の膜厚は場所によ
らず均一なものとなるのではないかと考え、かかる発想
に基すいて実験してみた。
つまり、例えば片面に透明電極が形成されたガラス基板
を真空蒸着装置内に配置し、そしてポリイミド系樹脂を
構成する二種類の七ツマ−を蒸発させて蒸着し、そして
加熱してポリイミド系樹脂の配向膜を構成したところ、
この配向膜は、その膜厚が均一なものであり、従ってラ
ビング処理も容易なものとなり、又、液晶層厚も均一な
ものとなり、さらには液晶の配向効果も良り、液晶分子
の配向ムラも起きに＜＜、特に大面積の液晶表示素子の
場合には大きな効果を発揮するものであることを見い出
した。
を真空蒸着装置内に配置し、そしてポリイミド系樹脂を
構成する二種類の七ツマ−を蒸発させて蒸着し、そして
加熱してポリイミド系樹脂の配向膜を構成したところ、
この配向膜は、その膜厚が均一なものであり、従ってラ
ビング処理も容易なものとなり、又、液晶層厚も均一な
ものとなり、さらには液晶の配向効果も良り、液晶分子
の配向ムラも起きに＜＜、特に大面積の液晶表示素子の
場合には大きな効果を発揮するものであることを見い出
した。
図は、本発明に係る液晶表示素子の１実施例の概略説明
図である。
図である。
同図中、１は偏光板、２はガラス基板、３は透明電極、
４は配向膜、５はスペーサ、６は液晶であり、配向膜４
を除いた部分の構成は従来の液晶表示素子と略同様なも
のである。
４は配向膜、５はスペーサ、６は液晶であり、配向膜４
を除いた部分の構成は従来の液晶表示素子と略同様なも
のである。
本発明に係る液晶表示素子の特徴は、配向膜４の構成に
あり、すなわち配向膜４として真空中での合成によるポ
リイミド系樹脂薄膜で構成したことである。
あり、すなわち配向膜４として真空中での合成によるポ
リイミド系樹脂薄膜で構成したことである。
つまシ、例えば透明電極３が片面に形成されたガラス基
板２を真空度１．ｌＸ１Ｏ−３Ｐａ程度の真空蒸着装置
内に配置し、そしてピロメリット酸二無水物と４．４′
−ジアミノジフェニルエーテルといった二種類のモノマ
ーをそれぞれハロゲンランプの輻射加熱により約１５０
℃程度に加熱して蒸発させ、約０．１μｍ／分程度の蒸
着速度で透明電極３面上に蒸着させると、蒸着中にポリ
アミド酸の重合反応が生じており、そしてこれを約１９
０℃で６０分間の加熱を行なうとイミド化が起きてポリ
イミド系樹脂の膜が出来る。そして、このポリイミド系
樹脂薄膜に対してラビング処理を行なえば液晶分子配向
用の配向膜４が構成される。
板２を真空度１．ｌＸ１Ｏ−３Ｐａ程度の真空蒸着装置
内に配置し、そしてピロメリット酸二無水物と４．４′
−ジアミノジフェニルエーテルといった二種類のモノマ
ーをそれぞれハロゲンランプの輻射加熱により約１５０
℃程度に加熱して蒸発させ、約０．１μｍ／分程度の蒸
着速度で透明電極３面上に蒸着させると、蒸着中にポリ
アミド酸の重合反応が生じており、そしてこれを約１９
０℃で６０分間の加熱を行なうとイミド化が起きてポリ
イミド系樹脂の膜が出来る。そして、このポリイミド系
樹脂薄膜に対してラビング処理を行なえば液晶分子配向
用の配向膜４が構成される。
このように構成されたポリイミド系樹脂薄膜を調べると
、従来のものとは異なりその膜厚が場所によらず均一な
ものとなっており、表面凹凸は少なく、ラビング処理が
容易で、短時間で出来るものである。
、従来のものとは異なりその膜厚が場所によらず均一な
ものとなっており、表面凹凸は少なく、ラビング処理が
容易で、短時間で出来るものである。
又、配向膜４の膜厚が場所によらず均一なものとなるか
ら、間に介在する液晶の層厚も場所によらず一定のもの
となり、液晶層厚不均一に起因する性能低下が著しく少
ないものとなる。
ら、間に介在する液晶の層厚も場所によらず一定のもの
となり、液晶層厚不均一に起因する性能低下が著しく少
ないものとなる。
又、液晶分子の配向効果も高く、充分なコントラストの
得られるものであり、特に液晶分子の配向ムラの少ない
ものが得られる。
得られるものであり、特に液晶分子の配向ムラの少ない
ものが得られる。
なお、ポリイミド系樹脂の真空中での合成方法によって
は、ラビング処理を実施しなくても、液晶分子の配向が
認められた。
は、ラビング処理を実施しなくても、液晶分子の配向が
認められた。
本発明の液晶表示素子は、その配向膜の膜厚が全面にわ
たって均一性に富んでいるので、特に大面積基板に対し
ても優位であり、又表面凹凸が少ないのでラビング処理
を容易にし、更に、液晶分子の配向ムラは少なく配向効
果の高いものであり、高性能な−ａ晶表示素子が出来る
。
たって均一性に富んでいるので、特に大面積基板に対し
ても優位であり、又表面凹凸が少ないのでラビング処理
を容易にし、更に、液晶分子の配向ムラは少なく配向効
果の高いものであり、高性能な−ａ晶表示素子が出来る
。
又、配向膜の合成方法の確立により、ラビング処理を不
要にするならば、より高性能な液晶表示素子を低コスト
で出来る。
要にするならば、より高性能な液晶表示素子を低コスト
で出来る。
図は、本発明に係る液晶表示素子の１実施例の説明図で
ある。 １・・・偏光板、２・・・ガラス基板、３・・・透明電
極、４・・・配向膜、５・・・スペーサ、６・・・液晶
。 特許出願人 日本ビクター株式会社 、−一〜、
ある。 １・・・偏光板、２・・・ガラス基板、３・・・透明電
極、４・・・配向膜、５・・・スペーサ、６・・・液晶
。 特許出願人 日本ビクター株式会社 、−一〜、
Claims (1)
- 液晶と、液晶分子配向膜と、電極とを備えた液晶表示素
子において、前記液晶分子配向膜を真空中で合成による
ポリイミド系樹脂薄膜で構成したことを特徴とする液晶
表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26092884A JPS61138924A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26092884A JPS61138924A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61138924A true JPS61138924A (ja) | 1986-06-26 |
| JPH0330128B2 JPH0330128B2 (ja) | 1991-04-26 |
Family
ID=17354711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26092884A Granted JPS61138924A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61138924A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61186932A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-20 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPS6344630A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH04268532A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-24 | Nec Corp | 液晶表示素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5083051A (ja) * | 1973-06-30 | 1975-07-04 |
-
1984
- 1984-12-12 JP JP26092884A patent/JPS61138924A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5083051A (ja) * | 1973-06-30 | 1975-07-04 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61186932A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-20 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPS6344630A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH04268532A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-24 | Nec Corp | 液晶表示素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0330128B2 (ja) | 1991-04-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |