JPH04268532A - 液晶表示素子 - Google Patents

液晶表示素子

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JPH04268532A JP3050704A JP5070491A JPH04268532A JP H04268532 A JPH04268532 A JP H04268532A JP 3050704 A JP3050704 A JP 3050704A JP 5070491 A JP5070491 A JP 5070491A JP H04268532 A JPH04268532 A JP H04268532A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子、特に薄膜
トランジスターを画素毎のスイッチ要素としたアクティ
ブマトリックス方式によるカラー液晶表示素子に関する
。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の液晶表示素子としては、
液晶セルの透明電極と液晶セル駆動用半導体チップとを
電気的に接続するために基板上に形成された金属配線を
保護する導体配線保護膜と、液晶セル内に形成される液
晶分子配向膜とに、ポリイミド樹脂を用いて形成されて
いた。
【０００３】従来技術として知られている液晶表示素子
は、図２に示すような構造よりなる。すなわち、ガラス
からなる上基板２２および下基板２３の内面に、透明電
極膜２４が設けられ、下基板２３上に、ガラスと密着性
の良好なＮｉＣｒ膜、半田とのぬれ性のよいＣｕ膜、さ
らにＣｕの酸化防止および半田のぬれ防止のためのＣｒ
膜を重ねることにより多層金属薄膜が形成され、この多
層金属薄膜を選択的にエッチングすることにより、液晶
駆動用半導体チップと透明電極膜２４との間を電気的に
接続する導体配線２８が形成される。
【０００４】次にポリイミド樹脂を上，下基板２２，２
３にコーティングし、パターン形成することにより、ポ
リイミド樹脂膜２５が形成される。
【０００５】そして透明電極膜２４の周辺に沿って、液
晶２６の注入口を残しシール剤２７を形成し、液晶２６
を前記注入口を介して液晶セル２１内に注入し、注入口
を接着剤で封止する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の液晶表
示素子は、液晶分子配向膜および導体配線保護膜にポリ
イミド樹脂膜を用いている。しかしながらポリイミド樹
脂膜は、３５０℃程度の硬化温度が必要であり、薄膜ト
ランジスターを画素毎のスイッチ要素としたアクティブ
マトリックス方式によるカラー液晶表示に適用するにあ
たり、加熱によるトランジスター、絵素などのデバイス
の機能低下を引き起こすという欠点がある。
【０００７】また硬化時に縮合水を発生する、硬化膜の
耐湿性に劣る、などの欠点も有しており、透明電極膜お
よび導体配線の腐食などを引き起こし、さらには絶縁機
能の劣化を引き起こすという欠点がある。
【０００８】さらには硬化膜は４５０ｎｍ以下の波長域
での光透過性に劣り、鮮明な画像形成の妨げになるとい
う欠点も有している。
【０００９】本発明の目的は上記課題を基本的に解決し
、製造工程における歩留まりの向上が実現でき、信頼性
にも優れた液晶表示素子を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明に係る液晶表示素子においては、導体配線と、
配線保護膜とを有する液晶表示素子であって、導体配線
は、液晶セルの透明電極膜と液晶セル駆動用半導体チッ
プとを電気的に接続するために基板上に形成されたもの
であり、配線保護膜は、導体配線を保護するものであり
、ベンゾシクロブテン樹脂で形成されたものである。
【００１１】また、本発明は、液晶セルを有する液晶表
示素子であって、液晶セル内に形成される液晶分子配向
膜は、ベンゾシクロブテン樹脂で形成したものである。
【００１２】
【作用】ベンゾシクロブテン樹脂の硬化は２１０℃、３
０分程度の熱履歴で行うことができ、配線保護膜あるい
は液晶分子配向膜の形成においてデバイスの機能低下を
引き起こすことはない。また加熱硬化時に揮発性物質、
特にポリイミドの硬化時にみられる縮合水の発生がなく
、さらには硬化後のベンゾシクロブテン樹脂膜は極めて
耐湿性に優れていることから、透明電極膜および導体配
線の腐食、およびこれにともなう絶縁機能の劣化を引き
起こすこともない。このため製造工程における歩留まり
の向上が実現でき、かつ信頼性も向上する。
【００１３】さらに液晶分子配向膜として用いる場合、
硬化膜は可視光領域において吸収を示さず、可視光透過
性に優れていることから鮮明な画像形成が可能となる。
【００１４】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は、本発明の一実施例を示す断面図である。
【００１５】図において、ガラスよりなる上基板１２お
よび下基板１３の内面に、表示パターンの形状にそれぞ
れ透明電極膜１４が設けられる。次に下基板１３上に、
ガラスと密着性の良好なＮｉＣｒ膜、半田とのぬれ性の
よいＣｕ膜、さらにＣｕの酸化防止および半田のぬれ防
止のためのＣｒ膜を重ねることにより多層金属薄膜を形
成する。そして後の工程でＬＳＩチップが搭載されたフ
レキシブル基板１９が接続される位置と透明電極膜１４
との間を電気的に接続する配線パターン状に、先の多層
金属薄膜をエッチングすることにより導体配線１８が形
成される。
【００１６】次に、ベンゾシクロブテン樹脂を上，下基
板１２，１３にコーティングし、フレキシブル基板１９
と導体配線１８とを電気的に接続する位置をエッチング
することにより、ベンゾシクロブテン樹脂膜（配線保護
膜）１５が形成される。２０は導体配線である。
【００１７】そして透明電極膜１４の周辺に沿って、液
晶１６の注入口を残しシール剤１７を形成し、液晶１６
を前記注入口を介して液晶セル１１内に注入し、注入口
を接着剤で封止し、液晶表示素子が形成される。また、
液晶セル１１内に形成される液晶分子配向膜は、ベンゾ
シクロブテン樹脂で形成されている。
【００１８】なお、ベンゾシクロブテン樹脂としては、
ポリオルガノシロキサン架橋ビスベンゾシクロブテン単
量体（特開平１−１９７４９１号、アリールシクロブテ
ンを含んでなる組成物およびそれから製造された重合体
組成物（特開昭６３−５０１１５７号）などが有効であ
る。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明の液晶表示素
子は、液晶セルの透明電極膜と液晶セル駆動用半導体チ
ップとを電気的に接続するために基板上に形成された導
体配線を保護する配線保護膜と、液晶セル内に形成され
る液晶分子配向膜とをベンゾシクロブテン樹脂で形成し
ているので、硬化時における加熱によるデバイスの機能
低下や、導体配線の腐食、絶縁機能の劣化などを引き起
こすこともなくなるので、製造工程における歩留まりの
向上を実現でき、かつ製品の信頼性を向上できるいう効
果がある。また、硬化膜は可視光透過性に優れており、
鮮明な画像が形成できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示素子の一実施例を示す断
面図である。
【図２】従来例の液晶表示素子を示す断面図である。
【符号の説明】
１１　　液晶セル １２　　上基板 １３　　下基板 １４　　透明電極膜 １５　　ベンゾシクロブテン樹脂膜 １６　　液晶 １７　　シール剤 １８　　導体配線 １９　　フレキシブル基板 ２０　　導体配線

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　導体配線と、配線保護膜とを有する液
    晶表示素子であって、導体配線は、液晶セルの透明電極
    膜と液晶セル駆動用半導体チップとを電気的に接続する
    ために基板上に形成されたものであり、配線保護膜は、
    導体配線を保護するものであり、ベンゾシクロブテン樹
    脂で形成されたものであることを特徴とする液晶表示素
    子。
  2. 【請求項２】　　液晶セルを有する液晶表示素子であっ
    て、液晶セル内に形成される液晶分子配向膜は、ベンゾ
    シクロブテン樹脂で形成したことを特徴とする液晶表示
    素子。
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