JP3442726B2 - 表示装置の半導体集積回路の実装方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置等の
パッシブマトリクス型もしくはアクティブマトリクス型
の表示装置に関し、特に、駆動用の半導体集積回路を効
果的に実装したことにより、表示装置の基板に占める面
積を大きくした、ファッショナブルな表示装置を得るこ
とを目的とする。

【０００２】

【従来の技術】マトリクス型の表示装置としては、パッ
シブマトリクス型とアクティブマトリクス型の構造が知
られている。パッシブマトリクス型では、第１の基板上
に透明導電膜等でできた多数の短冊型の電気配線（ロー
配線）をある方向に形成し、第２の基板上には、前記第
１の基板上の電気配線とは概略垂直な方向に同様な短冊
型の電気配線（カラム配線）を形成する。そして、両基
板上の電気配線が対向するように基板を配置する。

【０００３】基板間に液晶材料のように電圧・電流等に
よって、透光性、光反射・散乱性の変化する電気光学材
料を設けておけば、第１の基板の任意のロー配線と第２
の基板の任意のカラム配線との間に電圧・電流等を印加
すれば、その交差する部分の透光性、光反射・散乱性等
を選択できる。このようにして、マトリクス表示が可能
となる。

【０００４】アクティブマトリクス型では、第１の基板
上に多層配線技術を用いて、ロー配線とカラム配線とを
形成し、この配線の交差する部分に画素電極を設け、画
素電極には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のアクティブ
素子を設けて、画素電極の電位や電流を制御する構造と
する。また、第２の基板上にも透明導電膜を設け、第１
の基板の画素電極と、第２の基板の透明導電膜とが対向
するように基板を配置する。

【０００５】いずれにせよ、基板はプロセスによって選
択された。例えば、透明導電膜を形成して、これをエッ
チングして、ロー・カラム配線パターンを形成する以外
には特に複雑なプロセスのないパッシブマトリクス型で
は、基板はガラス以外に、プラスチックでもよかった。
一方、比較的、高温の成膜工程を有し、また、ナトリウ
ム等の可動イオンを避ける必要のあるアクティブマトリ
クス型では、基板としてアルカリ濃度の極めて低いガラ
ス基板を用いる必要があった。

【０００６】

【発明の解決しようとする課題】いずれにせよ、従来の
マトリクス型表示装置においては、特殊なもの以外は、
マトリクスを駆動するための半導体集積回路（周辺駆動
回路、もしくは、バー回路という）を取り付ける必要が
あった。従来は、これは、テープ自動ボンディング（Ｔ
ＡＢ）法やチップ・オン・グラス（ＣＯＧ）法によって
なされてきた。しかしながら、マトリクスの規模は数１
００行にも及ぶ大規模なものであるので、集積回路の端
子も非常に多く、対するドライバー回路は、長方形状の
ＩＣパッケージや半導体チップであるため、これらの端
子を基板上の電気配線と接続するために配線を引き回す
必要から、表示画面に比して、周辺部分の面積が無視で
きないほど大きくなった。

【０００７】この問題を解決する方法として、特開平７
−１４８８０には、ドライバー回路を、マトリクスの１
辺とほぼ同じ程度の細長い基板（スティック、もしく
は、スティック・クリスタルという）上に形成し、これ
をマトリクスの端子部に接続するという方法が開示され
ている。ドライバー回路としては、幅２ｍｍほど程度で
十分であることにより、このような配置が可能となる。
このため、基板のほとんどを表示画面とすることができ
た。

【０００８】もちろん、この場合には、マトリクスの面
積が大きなものでは、回路をシリコンウェハー上に形成
することができないので、ガラス基板等の上に形成する
必要がある。したがって、半導体回路に用いられる能動
素子はＴＦＴである。

【０００９】しかしながら、スティック・クリスタルに
関しては、ドライバー回路の基板の厚さが、表示装置全
体の小型化に支障をきたした。例えば、表示装置をより
薄くする必要から基板の厚さを０．３ｍｍとすること
は、基板の種類や工程を最適化することにより可能であ
る。しかし、スティック・クリスタルの厚さは、製造工
程で必要とされる強度から０．５ｍｍ以下とすることは
困難であり、結果として、基板を張り合わせたときに、
０．２ｍｍ以上もスティック・クリスタルが出ることと
なる。

【００１０】また、スティック・クリスタルと表示装置
の基板の種類が異なると、熱膨張の違い等の理由によ
り、回路に欠陥が生じることがあった。特に、表示装置
の基板として、プラスチック基板を用いると、この問題
が顕著であった。なぜならば、スティック・クリスタル
の基板としては、プラスチックを用いることは、耐熱性
の観点から、実質的に不可能なためである。本発明はこ
のようなスティック・クリスタルの抱えていた問題を解
決し、表示装置のより一層の小型・軽量化を目的とする
ものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、表示装置の基
板上に、スティック・クリスタルと同等な半導体集積回
路を機械的に接着し、かつ、電気的な接続を完了したの
ち、該スティック・クリスタルの基板のみを除去するこ
とによって、ドライバー回路部分の薄型化を実施するこ
とを特徴とする。このような構造では、基板の熱膨張に
よる変形応力は、回路全般に均一にかかり、したがっ
て、特定の箇所にのみ応力が集中して、欠陥が発生する
ということは避けられる。

【００１２】本発明の基本的な構成は、電気配線と、こ
れに電気的に接続され、ＴＦＴを有する細長い半導体集
積回路を有する第１の基板の電気配線の形成された面に
対して、表面に透明導電膜を有する第２の基板の透明導
電膜を対向させた構造の表示装置であり、特開平７−１
４８８０のスティック・クリスタルと同様、前記半導体
集積回路は、概略、表示装置の表示面（すなわち、マト
リクス）の１辺の長さに等しく、かつ、他の基板上に作
製されたものを剥離して、前記第１の基板に装着したも
のである

【００１３】特に、パッシブマトリクス型の場合には、
第１の方向に延びる複数の透明導電膜の第１の電気配線
と、これに接続され、ＴＦＴを有し、第１の方向に概略
垂直な第２の方向に延びる細長い第１の半導体集積回路
とを有する第１の基板と、第２の方向に延びる複数の透
明導電膜の第２の電気配線と、これに接続され、ＴＦＴ
を有し、前記第１の方向に延びる第２の半導体集積回路
とを有する第２の基板とを、第１の電気配線と第２の電
気配線が対向するように配置した表示装置で、第１およ
び第２の半導体集積回路は他の基板上に作製されたもの
を剥離して、それぞれの基板に装着したものである。

【００１４】また、アクティブマトリクス型の場合に
は、第１の方向に延びる複数の第１の電気配線と、これ
に接続され、ＴＦＴを有し、第１の方向に概略垂直な第
２の方向に延びる第１の半導体集積回路と、第２の方向
に延びる複数の第２の電気配線と、これに接続され、Ｔ
ＦＴを有し、第１の方向に延びる第２の半導体集積回路
とを有する第１の基板を表面に透明導電膜を有する第２
の基板に、第１の基板の第１および第２の電気配線と、
第２の基板の透明導電膜とが、対向するように、配置さ
せた表示装置で、第１および第２の半導体集積回路は他
の基板上に作製されたものを剥離して、第１の基板に装
着したものである。

【００１５】ＴＦＴを有する半導体集積回路を他の基板
上に形成し、これを剥離して、他の基板に接着する（も
しくは、他の基板に接着したのち、元の基板を除去す
る）方法は、一般的にはＳＯＩ（シリコン・オン・イン
シュレータ）技術の１つとして知られており、特表平６
−５０４１３９やその他の公知の技術、あるいは、以下
の実施例で用いるような技術を使用すればよい。

【００１６】本発明の表示装置の断面の例を示すと、図
１のようになる。図１（Ａ）は、比較的、小さな倍率で
見たものである。図の左側は、半導体集積回路の設けら
れたドライバー回路部７を、また、右側は、マトリクス
部８を示す。基板１上には透明導電膜等の材料でできた
電気配線４のパターンを形成し、さらに、金のような材
料で突起物（バンプ）６を設ける。一方、半導体集積回
路２は、実質的にＴＦＴと同程度の厚さのもので、これ
には、接続部分に導電性酸化物のように、酸化によって
接触抵抗の変動しない材料によって、電極５を設けてお
き、これをバンプ６に接触させる。そして、機械的に固
定するために、半導体集積回路２と基板１の間には、樹
脂３を封入する。（図１（Ａ））

【００１７】図１（Ａ）のうち、点線で囲まれた接触部
を拡大したのが、図１（Ｂ）である。符号は、図１
（Ａ）と同じ物を示す。さらに、図１（Ｂ）の点線で囲
まれた部分を拡大したのが、図１（Ｃ）である。すなわ
ち、半導体集積回路は、Ｎチャネル型ＴＦＴ（１２）と
Ｐチャネル型ＴＦＴ（１３）が、下地絶縁膜１１、層間
絶縁物１４、あるいは、窒化珪素等のパッシベーション
膜１５で挟まれた構造となる。（図１（Ｂ）、図１
（Ｃ））

【００１８】通常、半導体集積回路を形成する際の下地
膜１１としては酸化珪素を用いるが、それだけでは、耐
湿性等が劣るので、別途、パッシベーション膜をその上
に設けなければならないが、図３に示すように、半導体
回路とその接触部の厚さが液晶の基板間厚さよりも薄け
れば、対向基板１６を回路の上に重ねることも可能であ
る。その場合には、特開平５−６６４１３に開示されて
いる液晶表示装置と同等に、ドライバー回路部７の外側
で、エポキシ樹脂等のシール剤１７によって液晶封止
（シール）処理をおこない、また、基板１と１６の間に
は、液晶材料１８を満たすので、外部から可動イオン等
が侵入することが無く、特別にパッシベーション膜を設
ける必要はない。（図３）

【００１９】また、接触部分に関しては、バンプを用い
る方法の他に、図１（Ｄ）に示すように、金の粒９のよ
うな導電性粒子を接着部分に拡散させ、これによって、
電気的な接触を得るようにしてもよい。粒子の直径は、
半導体集積回路２と基板１の間隔よりやや大きくすると
よい。（図１（Ｄ）） このような表示装置の作製順序の概略は、図２に示され
る。図２はパッシブマトリクス型の表示装置の作製手順
を示す。まず、多数の半導体集積回路２２を適当な基板
２１の上に形成する。（図２（Ａ））

【００２０】そして、これを分断して、スティック・ク
リスタル２３、２４を得る。得られたスティック・クリ
スタルは、次の工程に移る前に電気特性をテストして、
良品・不良品に選別するとよい。（図２（Ｂ）） 次に、スティック・クリスタル２３、２４の回路の形成
された面を、それぞれ、別の基板２５、２７の透明導電
膜による配線のパターンの形成された面２６、２８上に
接着し、電気的な接続を取る。（図２（Ｃ）、図２
（Ｄ））

【００２１】その後、ＳＯＩ技術によって、スティック
・ドライバー２３、２４の基板をはがし、半導体集積回
路２９、３０のみを前記基板の面２６、２８上に残す。
（図２（Ｅ）、図２（Ｆ）） 最後に、このようにして得られた基板を向かい合わせる
ことにより、パッシブマトリクス型表示装置が得られ
る。なお、面２６は、面２６の逆の面、すなわち、配線
パターンの形成されていない方の面を意味する（図２
（Ｇ））

【００２２】上記の場合には、ロー・スティック・クリ
スタル（ロー配線を駆動するドライバー回路用のスティ
ック・クリスタル）とカラム・スティック・クリスタル
（カラム配線を駆動するドライバー回路用のスティック
・クリスタル）を同じ基板２１から切りだしたが、別の
基板から切りだしてもよいことは言うまでもない。ま
た、図２ではパッシブマトリクス型表示装置の例を示し
たが、アクティブマトリクス型表示装置でも、同様にお
こなえることは言うまでもない。さらに、フィルムのよ
うな材料を基板として形成される場合は実施例に示し
た。

【００２３】

【実施例】〔実施例１〕本実施例は、パッシブマトリク
ス型液晶表示装置の一方の基板の作製工程の概略を示す
ものである。本実施例を図４および図５を用いて説明す
る。図４には、スティック・クリスタル上にドライバー
回路を形成する工程の概略を示す。また、図５には、ス
ティック・クリスタルを液晶表示装置の基板に実装する
工程の概略を示す。

【００２４】まず、ガラス基板３１上に剥離層として、
厚さ３０００Åのシリコン膜３２を堆積した。シリコン
膜３２は、その上に形成される回路と基板とを分離する
際にエッチングされるので、膜質についてはほとんど問
題とされないので、量産可能な方法によって堆積すれば
よい。さらに、シリコン膜はアモルファスでも結晶性で
もよい。

【００２５】また、ガラス基板は、コーニング７０５
９、同１７３７、ＮＨテクノグラスＮＡ４５、同３５、
日本電気硝子ＯＡ２等の無アルカリもしくは低アルカリ
ガラスや石英ガラスを用いればよい。石英ガラスを用い
る場合には、そのコストが問題となるが、本発明では１
つの液晶表示装置に用いられる面積は極めて小さいの
で、単位当たりのコストは十分に小さい。

【００２６】シリコン膜３２上には、厚さ５０００Åの
酸化珪素膜３３を堆積した。この酸化珪素膜は下地膜と
なるので、作製には十分な注意が必要である。そして、
公知の方法により、結晶性の島状シリコン領域（シリコ
ン・アイランド）３４、３５を形成した。このシリコン
膜の厚さは、必要とする半導体回路の特性を大きく左右
するが、一般には、薄いほうが好ましかった。本実施例
では４００〜６００Åとした。

【００２７】また、結晶性シリコンを得るには、アモル
ファスシリコンにレーザー等の強光を照射する方法（レ
ーザーアニール法）や、熱アニールによって固相成長さ
せる方法（固相成長法）が用いられる。固相成長法を用
いる際には、特開平６−２４４１０４に開示されるよう
に、ニッケル等の触媒元素をシリコンに添加すると、結
晶化温度を下げ、アニール時間を短縮できる。さらに
は、特開平６−３１８７０１のように、一度、固相成長
法によって結晶化せしめたシリコンを、レーザーアニー
ルしてもよい。いずれの方法を採用するかは、必要とさ
れる半導体回路の特性や基板の耐熱温度等によって決定
すればよい。

【００２８】その後、プラズマＣＶＤ法もしくは熱ＣＶ
Ｄ法によって、厚さ１２００Åの酸化珪素のゲイト絶縁
膜３６を堆積し、さらに、厚さ５０００Åの結晶性シリ
コンによって、ゲイト電極・配線３７、３８を形成し
た。ゲイト配線は、アルミニウムやタングステン、チタ
ン等の金属や、あるいはそれらの珪化物でもよい。さら
に、金属のゲイト電極を形成する場合には、特開平５−
２６７６６７もしくは同６−３３８６１２に開示される
ように、その上面もしくは側面を陽極酸化物で被覆して
もよい。ゲイト電極をどのような材料で構成するかは、
必要とされる半導体回路の特性や基板の耐熱温度等によ
って決定すればよい。（図４（Ａ））

【００２９】その後、セルフアライン的に、イオンドー
ピング法等の手段によりＮ型およびＰ型の不純物をシリ
コン・アイランドに導入し、Ｎ型領域３９、Ｐ型領域４
０を形成した。そして、公知の手段で、層間絶縁物（厚
さ５０００Åの酸化珪素膜）４１を堆積した。そして、
これにコンタクトホールを開孔し、アルミニウム合金配
線４１〜４４を形成した。（図４（Ｂ））

【００３０】さらに、これらの上に、パッシベーション
膜として、厚さ２０００Åの窒化珪素膜４６をプラズマ
ＣＶＤ法によって堆積し、これに、出力端子の配線４４
に通じるコンタクトホールを開孔した。そして、スパッ
タ法によって、インディウム錫酸化物被膜（ＩＴＯ、厚
さ１０００Å）の電極４７を形成した。ＩＴＯは透明の
導電性酸化物である。その後、直径約５０μｍ、高さ約
３０μｍの金のバンプ４８を機械的にＩＴＯ電極４７の
上に形成した。このようにして得られた回路を適当な大
きさに分断し、よって、スティック・クリスタルが得ら
れた。（図４（Ｃ））

【００３１】一方、液晶表示装置の基板４９にも、厚さ
１０００ÅのＩＴＯによって電気配線５０を形成した。
本実施例では、液晶表示装置の基板としては、厚さ０．
３ｍｍのポリエチレン・サルファイル（ＰＥＳ）を用い
た。そして、この基板４９に、スティックドライバーの
基板３１を圧力を加えて接着した。このとき、電極４７
と電気配線５０はバンプ４８によって、電気的に接続さ
れる。（図５（Ａ））

【００３２】次に熱硬化性の有機樹脂を混合した接着剤
５１をスティック・クリスタル３１と液晶表示装置の基
板４９の隙間に注入した。なお、接着剤は、スティック
・クリスタル３１と液晶表示装置の基板４９を圧着する
前に、いずれかの表面に塗布しておいてもよい。

【００３３】そして、１２０℃の窒素雰囲気のオーブン
で、１５分間処理することにより、スティック・クリス
タル３１と基板４９との電気的な接続と機械的な接着を
完了した。なお、完全な接着の前に、電気的な接続が不
十分であるか否かを、特開平７−１４８８０に開示され
る方法によってテストした後、本接着する方法を採用し
てもよい。（図５（Ｂ））

【００３４】このように処理した基板を、三塩化フッ素
（ＣｌＦ３ ）と窒素の混合ガスの気流中に放置した。
三塩化フッ素と窒素の流量は、共に５００ｓｃｃｍとし
た。反応圧力は１〜１０Ｔｏｒｒとした。温度は室温と
した。三塩化フッ素等のハロゲン化フッ素は、珪素を選
択的にエッチングする特性が知られている。一方、酸化
物（酸化珪素やＩＴＯ）はほとんどエッチングせず、ア
ルミニウムも表面に安定な酸化物被膜を形成すると、そ
の段階で反応が停止するので、エッチングされない。

【００３５】本実施例では、三フッ化塩素に侵される可
能性のある材料は、剥離層（シリコン）３２、シリコン
・アイランド３４、３５、ゲイト電極３７、３８、アル
ミニウム合金配線４１〜４４、接着剤５１であるが、こ
のうち、剥離層と接着剤以外は外側に酸化珪素等の材料
が存在するため、三フッ化塩素が到達できない。実際に
は、図５（Ｃ）に示すように、剥離層３２のみが選択的
にエッチングされ、空孔５２が形成された。（図５
（Ｃ））

【００３６】さらに、経過すると剥離層は完全にエッチ
ングされ、下地膜の底面５３が露出し、スティック・ク
リスタルの基板３１を半導体回路と分離することができ
た。三塩化フッ素によるエッチングでは、下地膜の底面
でエッチングが停止するので、該底面５３は極めて平坦
であった。（図５（Ｄ）） このようにして、液晶表示装置の一方の基板への半導体
集積回路の形成を終了した。このようにして得られる基
板を用いて、液晶表示装置が完成される。

【００３７】〔実施例２〕本実施例は、フィルム状のパ
ッシブマトリクス型液晶表示装置を連続的に形成する方
法（ロール・トゥー・ロール法）に関するものである。
図６に本実施例の生産システムを示す。フィルム状の液
晶表示装置を得るための基板材料としては、ＰＥＳ（ポ
リエチレンサルファイル）、ＰＣ（ポリカーボネー
ト）、ポリイミドから選ばれたものを用いればよい。Ｐ
ＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエ
チレンナフタレート）は、多結晶性のプラスチックであ
るため、特に偏光によって、表示をおこなう、液晶材料
には用いることが適切でなかった。

【００３８】図６に示すシステムは、液晶電気光学装置
を構成する基板として、カラーフィルターの設けられた
基板を作製する流れ（図の下側）と、その対向基板を作
製する流れ（図の上側）とに大別される。まず、カラー
フィルター側基板の作製工程について説明する。

【００３９】ロール７１に巻き取られているフィルム
に、印刷法により、その表面にＲＧＢの３色のカラーフ
ィルタを形成する。カラーフィルタの形成は、３組のロ
ール７２によっておこわれる。なお作製する液晶表示装
置がモノクロの場合は、この工程は不要である。（工程
「カラーフィルター印刷」）

【００４０】さらに、ロール７３によって、オーバーコ
ート剤（平坦化膜）を印刷法によって形成する。オーバ
ーコート剤は、カラーフィルタの形成によって凹凸とな
った表面を平坦化するためのものである。このオーバー
コート剤を構成する材料としては、透光性を有する樹脂
材料を用いればよい。（工程「オーバーコート剤（平坦
化膜）印刷」） 次に、ロール７４を用い、印刷法により必要とするパタ
ーンにロー（カラム）電極を形成する。この印刷法によ
る電極の形成は、導電性のインクを用いておこなう。
（工程「電極形成」）

【００４１】さらに、ロール７５によって、配向膜を印
刷法で形成し（工程「配向膜印刷」）、加熱炉７６を通
過させることによって、配向膜を焼き固める。（工程
「配向膜焼成」） さらに、ロール７７を通過させることによって、配向膜
の表面にラビング処理をおこなう。こうして配向処理が
完了する。（工程「ラビング」）

【００４２】次に、圧着装置７８によって、基板上にス
ティック・クリスタルを装着し（工程「スティック装
着」）、加熱炉７９を通過させることにより、接着剤が
硬化し、接着が完了する。（工程「接着剤硬化」） 本実施例では、剥離層は実施例１と同様にシリコンを用
いたので、次に、三塩化フッ素チャンバー８０（差圧排
気して、三塩化フッ素が外部に漏出しないようにしたチ
ャンバー）によって、剥離層をエッチングし、よって、
スティック・クリスタルの基板を剥離する。（工程「ス
ティック剥離」）

【００４３】その後、スペーサー散布器８１より、フィ
ルム基板上にスペーサーを散布し（工程「スペーサー散
布」）、ロール８２を用いて、シール材を印刷法によっ
て形成する。シール剤は、対向する基板同士を接着する
ためと、液晶が一対の基板間から漏れ出ないようにする
ためのものである。なお、本実施例では、半導体回路の
厚みを液晶基板間よりも薄くすることにより、図３のよ
うに、半導体集積回路の外部がシールされるような構造
（特開平５−６６４１３に開示されている）とした。
（工程「シール印刷」）

【００４４】この後、液晶滴下装置８３を用いて液晶の
滴下をおこない、液晶層をフィルム基板上に形成する。
こうして、カラーフィルター側基板が完成する。以上の
工程は、各ロールが回転することにより、連続的に進行
していく。次に、対向基板の作製工程を示す。ロール６
１から送りだされたフィルム基板上に、ロール６２によ
って、所定のパターンにカラム（ロー）電極を形成す
る。（工程「電極形成」） さらにロール６３によって、配向膜を印刷法により形成
し（工程「配向膜印刷」）、加熱炉６４を通過させるこ
とによって、配向膜を焼き固める。（工程「配向膜焼
成」）

【００４５】その後、フィルム基板を、ロール６５に通
過させることによって、配向処理をおこなう。（工程
「ラビング」） 次に、圧着装置６６によって、基板上にスティック・ク
リスタルを装着し（工程「スティック装着」）、加熱炉
６７を通過することにより、接着剤が硬化する。（工程
「接着剤硬化」） さらに、三塩化フッ素チャンバー６８によって、スティ
ック・クリスタルの基板を剥離する。（工程「スティッ
ク剥離」）

【００４６】以上の処理を経たフィルム基板はロール６
９を経由して、次のロール８４に送られる。ロール８４
では、カラーフィルター側基板と対向基板を貼り合わせ
て、セルとする。（工程「セル組」） その後、加熱炉８５において加熱することにより、シー
ル材を硬化せしめ、基板同士の貼り合わせが完了する。
（工程「シール剤硬化」） さらにカッター８６によって所定の寸法に切断すること
により、フィルム状の液晶表示装置が完成する。（工程
「分段」）

【００４７】

【発明の効果】本発明では、表示装置の基板の種類や厚
さ、大きさに関して、さまざまなバリエーションが可能
である。例えば、実施例２に示したように、極めて薄い
フィルム状の液晶表示装置を得ることもできる。この場
合には、表示装置を曲面に合わせて張りつけてもよい。
さらに、基板の種類の制約が緩和された結果、プラスチ
ック基板のように、軽く、耐衝撃性の強い材料を用いる
こともでき、携行性も向上する。

【００４８】また、ドライバー回路の専有する面積が小
さいので、表示装置と他の装置の配置の自由度が高ま
る。典型的には、ドライバー回路を表示面の周囲の幅数
ｍｍの領域に押し込めることが可能であるので、表示装
置自体は極めてシンプルであり、ファッション性に富ん
だ製品である。その応用範囲もさまざまに広がり、よっ
て、本発明の工業的価値は極めて高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の断面構造を示す。

【図２】 本発明の表示装置の作製方法の概略を示す。

【図３】 本発明の１例の表示装置の断面構造を示す。

【図４】 本発明に用いるスティック・クリスタルの作
製工程を示す。

【図５】 スティック・クリスタルを基板に接着する工
程を示す。

【図６】 フィルム液晶表示装置の連続的製法システム
を示す。

【符号の説明】

１ ・・・ 液晶表示装置の基板 ２ ・・・ 半導体集積回路 ３ ・・・ 接着剤 ４ ・・・ 液晶表示装置の電極 ５ ・・・ 半導体集積回路の電極 ６ ・・・ バンプ ７ ・・・ ドライバー回路部 ８ ・・・ マトリクス部 ９ ・・・ 導電性粒子 １１・・・ 下地膜 １２・・・ Ｎチャネル型ＴＦＴ １３・・・ Ｐチャネル型ＴＦＴ １４・・・ 層間絶縁物 １５・・・ パッシベーション膜 １６・・・ 液晶表示装置の対向基板 １７・・・ シール剤 １８・・・ 液晶材料 ２１・・・ スティック・クリスタルを形成する基板 ２２・・・ 半導体集積回路 ２３、２４ スティック・クリスタル ２５、２７ 液晶表示装置の基板 ２６、２８ 配線パターンの形成されている面 ２９、３０ 液晶表示装置の基板上に移されたドライバ
ー回路２６ ・・・ 配線パターンの形成されている面と逆の面 ３１・・・ スティック・クリスタルを形成する基板 ３２・・・ 剥離層 ３３・・・ 下地膜 ３４、３５ シリコン・アイランド ３６・・・ ゲイト絶縁膜 ３７、３８ ゲイト電極 ３９・・・ Ｎ型領域 ４０・・・ Ｐ型領域 ４１・・・ 層間絶縁物 ４２〜４４ アルミニウム合金配線 ４６・・・ パッシベーション膜 ４７・・・ 導電性酸化物膜 ４８・・・ バンプ ４９・・・ 液晶表示装置の基板 ５０・・・ 液晶表示装置の電極 ５１・・・ 接着剤 ５２・・・ 空孔 ５３・・・ 下地膜の底面

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 29/786 H01L 21/336 G02F 1/1368

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】表示装置の表示面の周辺に、薄膜トランジ
   スタを有する半導体集積回路を実装する方法であって、 前記半導体集積回路を作製するための仮基板上に、シリ
   コンでなる剥離層及び該剥離層に接して設けた下地膜を
   介して、当該半導体集積回路が作製され、前記半導体集
   積回路の表面はパッシベーション膜で覆われ、該パッシ
   ベーション膜上に、前記半導体集積回路に電気的に接続
   された導電性酸化物でなる電極が形成され、該電極上に
   バンプが形成されており、 前記半導体集積回路を内側にして、前記仮基板を電気配
   線が設けられている表示装置用基板に対向させて、前記
   バンプを介して前記電極を前記電気配線に電気的に接続
   させた状態で、前記第１の基板と前記第２の基板の隙間
   を樹脂で封止することにより前記仮基板を前記表示装置
   用基板に固定し、 ハロゲン化フッ素ガスを含む気流中に、前記表示装置用
   基板に固定された仮基板を放置して、前記シリコンでな
   る剥離層を除去し、前記仮基板を前記表示装置用基板か
   ら分離することを特徴とする表示装置の半導体集積回路
   の実装方法。
2. 【請求項２】表示装置の表示面の周辺に、薄膜トランジ
   スタを有する半導体集積回路を実装する方法であって、 前記半導体集積回路を作製するための仮基板上に、シリ
   コンでなる剥離層及び該剥離層に接して設けた下地膜を
   介して、当該半導体集積回路が作製されており、前記半
   導体集積回路の表面はパッシベーション膜で覆われ、該
   パッシベーション膜上に、前記半導体集積回路に電気的
   に接続された導電性酸化物でなる電極が形成されてお
   り、 前記半導体集積回路を内側にして、前記仮基板を電気配
   線が設けられている表示装置用基板に対向させ、前記第
   １の基板と前記第２の基板の隙間を導電性粒子と共に樹
   脂で封止することにより、前記導電性粒子を介して前記
   電極を前記電気配線に電気的に接続させた状態で前記仮
   基板を前記表示装置用基板に固定し、 ハロゲン化フッ素ガスを含む気流中に、前記表示装置用
   基板に固定された仮基板を放置して、前記シリコンでな
   る剥離層を除去し、前記仮基板を前記表示装置用基板か
   ら分離することを特徴とする表示装置の半導体集積回路
   の実装方法。
3. 【請求項３】前記薄膜トランジスタは、アモルファスシ
   リコン膜を固相成長法により結晶化し、さらにレーザー
   アニールした結晶性シリコン膜を用いたものであること
   を特徴とする表示装置の半導体集積回路の実装方法。
4. 【請求項４】前記薄膜トランジスタは、ニッケルを添加
   したアモルファスシリコン膜を固相成長法により結晶化
   し、さらにレーザーアニールした結晶性シリコン膜を用
   いたものである請求項１または２に記載の表示装置の半
   導体集積回路の実装方法。
5. 【請求項５】前記表示装置用基板は、プラスチック基板
   である請求項１乃至４のいずれか一に記載の表示装置の
   半導体集積回路の実装方法。
6. 【請求項６】前記表示装置用基板は、フィルム状の基板
   である請求項１乃至４のいずれか一に記載の表示装置の
   半導体集積回路の実装方法。
7. 【請求項７】前記下地膜は、酸化珪素膜である請求項１
   乃至６のいずれか一に記載の表示装置の半導体集積回路
   の実装方法。
8. 【請求項８】前記電気配線は、透明導電膜でなる請求項
   １乃至７のいずれか一に記載の表示装置の半導体集積回
   路の実装方法。
9. 【請求項９】前記表示装置は、アクティブマトリクス型
   表示装置である請求項１乃至８のいずれか一に記載の表
   示装置の半導体集積回路の実装方法。
10. 【請求項１０】前記表示装置は、パッシブマトリクス型
    表示装置である請求項１乃至８のいずれか一に記載の表
    示装置の半導体集積回路の実装方法。