JP4339102B2 - 表示装置の作製方法 - Google Patents
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Description
したがって、支持基板をフッ化ハロゲン等のハロゲンを有する気体中、もしくはプラズマ中に置くことにより、支持基板の剥離層をエッチングし、よって半導体集積回路を剥離することができる。
このような表示装置の作製順序の概略は、図2に示される。図2はパッシブマトリクス型の表示装置の作製手順を示す。まず、多数の半導体集積回路22が、剥離層を介して支持基板21の上に形成する。(図2(A))
次に、スティック・クリスタル23、24の回路の形成された面を、それぞれ、別の基板25、27の透明導電膜による配線のパターンの形成された面26、28上に接着し、電気的な接続を取る。(図2(C)、図2(D))
最後に、このようにして得られた基板を向かい合わせることにより、パッシブマトリクス型表示装置が得られる。なお、面26は、面26の逆の面、すなわち、配線パターンの形成されていない方の面を意味する(図2(G))
また、図2ではパッシブマトリクス型表示装置の例を示したが、アクティブマトリクス型表示装置でも、同様におこなえることは言うまでもない。さらに、フィルムのような材料を基板として形成される場合は実施例に示した。
本実施例は、パッシブマトリクス型液晶表示装置の一方の基板の作製工程の概略を示すものである。本実施例を図4および図5を用いて説明する。図4には、スティック・クリスタル上にドライバー回路を形成する工程の概略を示す。また、図5には、スティック・クリスタルを液晶表示装置の基板に実装する工程の概略を示す。
このようにして、液晶表示装置の一方の基板への半導体集積回路の形成を終了した。このようにして得られる基板を用いて、液晶表示装置が完成される。
本実施例は、フィルム状のパッシブマトリクス型液晶表示装置を連続的に形成する方法(ロール・トゥー・ロール法)に関するものである。図6に本実施例の生産システムを示す。フィルム状の液晶表示装置を得るための基板材料としては、PES(ポリエチレンサルファイル)、PC(ポリカーボネート)、ポリイミドから選ばれたものを用いればよい。PET(ポリエチレンテレフタレート)、PEN(ポリエチレンナフタレート)は、多結晶性のプラスチックであるため、特に偏光に用いて表示をおこなう液晶材料には用いることが適切でなかった。
次に、ロール74を用い、印刷法により必要とするパターンにロー(カラム)電極を形成する。この印刷法による電極の形成は、導電性のインクを用いておこなう。(工程「電極形成」)
さらに、ロール77を通過させることによって、配向膜の表面にラビング処理をおこなう。こうして配向処理が完了する。(工程「ラビング」)
本実施例では、剥離層は実施例1と同様にシリコンを用いたので、次に、三フッ化塩素チャンバー80(差圧排気して、三フッ化塩素が外部に漏出しないようにしたチャンバー)によって、剥離層をエッチングし、よって、スティック・クリスタルの基板を剥離する。(工程「スティック剥離」
次に、対向基板の作製工程を示す。ロール61から送りだされたフィルム基板上に、ロール62によって、所定のパターンにカラム(ロー)電極を形成する。(工程「電極形成」)
さらにロール63によって、配向膜を印刷法により形成し(工程「配向膜印刷」)、加熱炉64を通過させることによって、配向膜を焼き固める。(工程「配向膜焼成」)
次に、圧着装置66によって、基板上にスティック・クリスタルを装着し(工程「スティック装着」)、加熱炉67を通過することにより、接着剤が硬化する。(工程「接着剤硬化」)
さらに、三フッ化塩素チャンバー68によって、スティック・クリスタルの基板を剥離する。この際の条件等については実施例1と同じとした。(工程「スティック剥離」
その後、加熱炉85において加熱することにより、シール材を硬化せしめ、基板同士の貼り合わせが完了する。(工程「シール剤硬化」)
さらにカッター86によって所定の寸法に切断することにより、フィルム状の液晶表示装置が完成する。(工程「分段」)
い。
2 ・・・ 半導体集積回路
3 ・・・ 接着剤
4 ・・・ 液晶表示装置の電極
5 ・・・ 半導体集積回路の電極
6 ・・・ バンプ
7 ・・・ ドライバー回路部
8 ・・・ マトリクス部
9 ・・・ 導電性粒子
11・・・ 下地膜
12・・・ Nチャネル型TFT
13・・・ Pチャネル型TFT
14・・・ 層間絶縁物
15・・・ パッシベーション膜
16・・・ 液晶表示装置の対向基板
17・・・ シール剤
18・・・ 液晶材料
21・・・ スティック・クリスタルを形成する基板
22・・・ 半導体集積回路
23、24 スティック・クリスタル
25、27 液晶表示装置の基板
26、28 配線パターンの形成されている面
29、30 液晶表示装置の基板上に移されたドライバー回路
26・・・ 配線パターンの形成されている面と逆の面
31・・・ スティック・クリスタルを形成する基板
32・・・ 剥離層
33・・・ 下地膜
34、35 シリコン・アイランド
36・・・ ゲイト絶縁膜
37、38 ゲイト電極
39・・・ N型領域
40・・・ P型領域
41・・・ 層間絶縁物
42〜44 アルミニウム合金配線
46・・・ パッシベーション膜
47・・・ 導電性酸化物膜
48・・・ バンプ
49・・・ 液晶表示装置の基板
50・・・ 液晶表示装置の電極
51・・・ 接着剤
52・・・ 空孔
53・・・ 下地膜の底面
Claims (4)
- ガラス基板である第1の基板と酸化珪素膜との間に設けられたシリコン膜と、前記酸化珪素膜と窒化珪素膜の間に設けられシリコンを用いて形成された半導体集積回路と、前記窒化珪素膜に設けられたコンタクトホールを介して前記半導体集積回路に電気的に接続された導電性酸化物と、を形成し、
前記窒化珪素膜が内側となるように、前記第1の基板と第2の基板を対向させて接着し、且つ、前記導電性酸化物と、前記第2の基板に設けられ前記半導体集積回路を用いて駆動されるマトリクス部と、をバンプによって電気的に接続し、
フッ化ハロゲンガスを含む気流中に前記第1の基板を放置した状態で前記シリコン膜をエッチングすることによって、前記第1の基板を前記酸化珪素膜、前記窒化珪素膜、前記導電性酸化物、及び前記半導体集積回路から分離することにより除去することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記導電性酸化物は、ITO膜であることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第2の基板は、プラスチックフィルム基板であることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記フッ化ハロゲンは、一フッ化塩素、三フッ化塩素、一フッ化臭素、三フッ化臭素、一フッ化沃素、又は三フッ化沃素のいずれかであることを特徴とする表示装置の作製方法。
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