JPH08250745A - 表示装置 - Google Patents
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- JPH08250745A JPH08250745A JP7970895A JP7970895A JPH08250745A JP H08250745 A JPH08250745 A JP H08250745A JP 7970895 A JP7970895 A JP 7970895A JP 7970895 A JP7970895 A JP 7970895A JP H08250745 A JPH08250745 A JP H08250745A
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Abstract
トリクス型電気光学表示装置(例えば、液晶表示装置)
において、専有面積の小さいドライバー回路の実装方法
を提供する。 【構成】 ドライバー回路として、マトリクスの1辺と
ほぼ同じ長さの回路(スティック・クリスタル)を用
い、該回路を表示装置基板に接着して、回路の端子を表
示装置の端子と接続した後、ドライバー回路の基板を除
去する。かくすることにより、従来のTAB法やCOG
法によって必要とされていた、配線の引き回し面積がな
い、非常に単純な構成の回路を形成できる。特に、本発
明は、ドライバー回路をガラス等の大面積基板上に形成
する。さらに、表示装置をプラスチック基板のように、
軽く、耐衝撃性の強い材料上に形成することも可能で、
よって、携行性の優れた表示装置が得られる。
Description
シブマトリクス型もしくはアクティブマトリクス型の表
示装置に関し、特に、駆動用の半導体集積回路を効果的
に実装したことにより、表示装置の基板に占める面積を
大きくした、ファッショナブルな表示装置を得ることを
目的とする。
シブマトリクス型とアクティブマトリクス型の構造が知
られている。パッシブマトリクス型では、第1の基板上
に透明導電膜等でできた多数の短冊型の電気配線(ロー
配線)をある方向に形成し、第2の基板上には、前記第
1の基板上の電気配線とは概略垂直な方向に同様な短冊
型の電気配線(カラム配線)を形成する。そして、両基
板上の電気配線が対向するように基板を配置する。
よって、透光性、光反射・散乱性の変化する電気光学材
料を設けておけば、第1の基板の任意のロー配線と第2
の基板の任意のカラム配線との間に電圧・電流等を印加
すれば、その交差する部分の透光性、光反射・散乱性等
を選択できる。このようにして、マトリクス表示が可能
となる。
上に多層配線技術を用いて、ロー配線とカラム配線とを
形成し、この配線の交差する部分に画素電極を設け、画
素電極には薄膜トランジスタ(TFT)等のアクティブ
素子を設けて、画素電極の電位や電流を制御する構造と
する。また、第2の基板上にも透明導電膜を設け、第1
の基板の画素電極と、第2の基板の透明導電膜とが対向
するように基板を配置する。
択された。例えば、透明導電膜を形成して、これをエッ
チングして、ロー・カラム配線パターンを形成する以外
には特に複雑なプロセスのないパッシブマトリクス型で
は、基板はガラス以外に、プラスチックでもよかった。
一方、比較的、高温の成膜工程を有し、また、ナトリウ
ム等の可動イオンを避ける必要のあるアクティブマトリ
クス型では、基板としてアルカリ濃度の極めて低いガラ
ス基板を用いる必要があった。
マトリクス型表示装置においては、特殊なもの以外は、
マトリクスを駆動するための半導体集積回路(周辺駆動
回路、もしくは、バー回路という)を取り付ける必要が
あった。従来は、これは、テープ自動ボンディング(T
AB)法やチップ・オン・グラス(COG)法によって
なされてきた。しかしながら、マトリクスの規模は数1
00行にも及ぶ大規模なものであるので、集積回路の端
子も非常に多く、対するドライバー回路は、長方形状の
ICパッケージや半導体チップであるため、これらの端
子を基板上の電気配線と接続するために配線を引き回す
必要から、表示画面に比して、周辺部分の面積が無視で
きないほど大きくなった。
−14880には、ドライバー回路を、マトリクスの1
辺とほぼ同じ程度の細長い基板(スティック、もしく
は、スティック・クリスタルという)上に形成し、これ
をマトリクスの端子部に接続するという方法が開示され
ている。ドライバー回路としては、幅2mmほど程度で
十分であることにより、このような配置が可能となる。
このため、基板のほとんどを表示画面とすることができ
た。
積が大きなものでは、回路をシリコンウェハー上に形成
することができないので、ガラス基板等の上に形成する
必要がある。したがって、半導体回路に用いられる能動
素子はTFTである。
関しては、ドライバー回路の基板の厚さが、表示装置全
体の小型化に支障をきたした。例えば、表示装置をより
薄くする必要から基板の厚さを0.3mmとすること
は、基板の種類や工程を最適化することにより可能であ
る。しかし、スティック・クリスタルの厚さは、製造工
程で必要とされる強度から0.5mm以下とすることは
困難であり、結果として、基板を張り合わせたときに、
0.2mm以上もスティック・クリスタルが出ることと
なる。
の基板の種類が異なると、熱膨張の違い等の理由によ
り、回路に欠陥が生じることがあった。特に、表示装置
の基板として、プラスチック基板を用いると、この問題
が顕著であった。なぜならば、スティック・クリスタル
の基板としては、プラスチックを用いることは、耐熱性
の観点から、実質的に不可能なためである。本発明はこ
のようなスティック・クリスタルの抱えていた問題を解
決し、表示装置のより一層の小型・軽量化を目的とする
ものである。
板上に、スティック・クリスタルと同等な半導体集積回
路を機械的に接着し、かつ、電気的な接続を完了したの
ち、該スティック・クリスタルの基板のみを除去するこ
とによって、ドライバー回路部分の薄型化を実施するこ
とを特徴とする。このような構造では、基板の熱膨張に
よる変形応力は、回路全般に均一にかかり、したがっ
て、特定の箇所にのみ応力が集中して、欠陥が発生する
ということは避けられる。
れに電気的に接続され、TFTを有する細長い半導体集
積回路を有する第1の基板の電気配線の形成された面に
対して、表面に透明導電膜を有する第2の基板の透明導
電膜を対向させた構造の表示装置であり、特開平7−1
4880のスティック・クリスタルと同様、前記半導体
集積回路は、概略、表示装置の表示面(すなわち、マト
リクス)の1辺の長さに等しく、かつ、他の基板上に作
製されたものを剥離して、前記第1の基板に装着したも
のである
第1の方向に延びる複数の透明導電膜の第1の電気配線
と、これに接続され、TFTを有し、第1の方向に概略
垂直な第2の方向に延びる細長い第1の半導体集積回路
とを有する第1の基板と、第2の方向に延びる複数の透
明導電膜の第2の電気配線と、これに接続され、TFT
を有し、前記第1の方向に延びる第2の半導体集積回路
とを有する第2の基板とを、第1の電気配線と第2の電
気配線が対向するように配置した表示装置で、第1およ
び第2の半導体集積回路は他の基板上に作製されたもの
を剥離して、それぞれの基板に装着したものである。
は、第1の方向に延びる複数の第1の電気配線と、これ
に接続され、TFTを有し、第1の方向に概略垂直な第
2の方向に延びる第1の半導体集積回路と、第2の方向
に延びる複数の第2の電気配線と、これに接続され、T
FTを有し、第1の方向に延びる第2の半導体集積回路
とを有する第1の基板を表面に透明導電膜を有する第2
の基板に、第1の基板の第1および第2の電気配線と、
第2の基板の透明導電膜とが、対向するように、配置さ
せた表示装置で、第1および第2の半導体集積回路は他
の基板上に作製されたものを剥離して、第1の基板に装
着したものである。
上に形成し、これを剥離して、他の基板に接着する(も
しくは、他の基板に接着したのち、元の基板を除去す
る)方法は、一般的にはSOI(シリコン・オン・イン
シュレータ)技術の1つとして知られており、特表平6
−504139やその他の公知の技術、あるいは、以下
の実施例で用いるような技術を使用すればよい。
1のようになる。図1(A)は、比較的、小さな倍率で
見たものである。図の左側は、半導体集積回路の設けら
れたドライバー回路部7を、また、右側は、マトリクス
部8を示す。基板1上には透明等電膜等の材料でできた
電気配線4のパターンを形成し、さらに、金のような材
料で突起物(バンプ)6を設ける。一方、半導体集積回
路2は、実質的にTFTと同程度の厚さのもので、これ
には、接続部分に導電性酸化物のように、酸化によって
接触抵抗の変動しない材料によって、電極5を設けてお
き、これをバンプ6に接触させる。そして、機械的に固
定するために、半導体集積回路2と基板1の間には、樹
脂3を封入する。(図1(A))
を拡大したのが、図1(B)である。符号は、図1
(A)と同じ物を示す。さらに、図1(B)の点線で囲
まれた部分を拡大したのが、図1(C)である。すなわ
ち、半導体集積回路は、Nチャネル型TFT(12)と
Pチャネル型TFT(13)が、下地絶縁膜11、層間
絶縁物14、あるいは、窒化珪素等のパッシベーション
膜15で挟まれた構造となる。(図1(B)、図1
(C))
膜11としては酸化珪素を用いるが、それだけでは、耐
湿性等が劣るので、別途、パッシベーション膜をその上
に設けなければならないが、図3に示すように、半導体
回路とその接触部の厚さが液晶の基板間厚さよりも薄け
れば、対向基板16を回路の上に重ねることも可能であ
る。その場合には、特開平5−66413に開示されて
いる液晶表示装置と同等に、ドライバー回路部7の外側
で、エポキシ樹脂等のシール剤17によって液晶封止
(シール)処理をおこない、また、基板1と16の間に
は、液晶材料18を満たすので、外部から可動イオン等
が侵入することが無く、特別にパッシベーション膜を設
ける必要はない。(図3)
る方法の他に、図1(D)に示すように、金の粒9のよ
うな導電性粒子を接着部分に拡散させ、これによって、
電気的な接触を得るようにしてもよい。粒子の直径は、
半導体集積回路2と基板1の間隔よりやや大きくすると
よい。(図1(D)) このような表示装置の作製順序の概略は、図2に示され
る。図2はパッシブマトリクス型の表示装置の作製手順
を示す。まず、多数の半導体集積回路22を適当な基板
21の上に形成する。(図2(A))
リスタル23、24を得る。得られたスティック・クリ
スタルは、次の工程に移る前に電気特性をテストして、
良品・不良品に選別するとよい。(図2(B)) 次に、スティック・クリスタル23、24の回路の形成
された面を、それぞれ、別の基板25、27の透明導電
膜による配線のパターンの形成された面26、28上に
接着し、電気的な接続を取る。(図2(C)、図2
(D))
・ドライバー23、24の基板をはがし、半導体集積回
路29、30のみを前記基板の面26、28上に残す。
(図2(E)、図2(F)) 最後に、このようにして得られた基板を向かい合わせる
ことにより、パッシブマトリクス型表示装置が得られ
る。なお、面26は、面26の逆の面、すなわち、配線
パターンの形成されていない方の面を意味する(図2
(G))
スタル(ロー配線を駆動するドライバー回路用のスティ
ック・クリスタル)とカラム・スティック・クリスタル
(カラム配線を駆動するドライバー回路用のスティック
・クリスタル)を同じ基板21から切りだしたが、別の
基板から切りだしてもよいことは言うまでもない。ま
た、図2ではパッシブマトリクス型表示装置の例を示し
たが、アクティブマトリクス型表示装置でも、同様にお
こなえることは言うまでもない。さらに、フィルムのよ
うな材料を基板として形成される場合は実施例に示し
た。
示装置の一方の基板の作製工程の概略を示すものであ
る。本実施例を図4および図5を用いて説明する。図4
には、スティック・クリスタル上にドライバー回路を形
成する工程の概略を示す。また、図5には、スティック
・クリスタルを液晶表示装置の基板に実装する工程の概
略を示す。
厚さ3000Åのシリコン膜32を堆積した。シリコン
膜32は、その上に形成される回路と基板とを分離する
際にエッチングされるので、膜質についてはほとんど問
題とされないので、量産可能な方法によって堆積すれば
よい。さらに、シリコン膜はアモルファスでも結晶性で
もよい。
9、同1737、NHテクノグラスNA45、同35、
日本電気硝子OA2等の無アルカリもしくは低アルカリ
ガラスや石英ガラスを用いればよい。石英ガラスを用い
る場合には、そのコストが問題となるが、本発明では1
つの液晶表示装置に用いられる面積は極めて小さいの
で、単位当たりのコストは十分に小さい。
酸化珪素膜33を堆積した。この酸化珪素膜は下地膜と
なるので、作製には十分な注意が必要である。そして、
公知の方法により、結晶性の島状シリコン領域(シリコ
ン・アイランド)34、35を形成した。このシリコン
膜の厚さは、必要とする半導体回路の特性を大きく左右
するが、一般には、薄いほうが好ましかった。本実施例
では400〜600Åとした。
ファスシリコンにレーザー等の強光を照射する方法(レ
ーザーアニール法)や、熱アニールによって固相成長さ
せる方法(固相成長法)が用いられる。固相成長法を用
いる際には、特開平6−244104に開示されるよう
に、ニッケル等の触媒元素をシリコンに添加すると、結
晶化温度を下げ、アニール時間を短縮できる。さらに
は、特開平6−318701のように、一度、固相成長
法によって結晶化せしめたシリコンを、レーザーアニー
ルしてもよい。いずれの方法を採用するかは、必要とさ
れる半導体回路の特性や基板の耐熱温度等によって決定
すればよい。
D法によって、厚さ1200Åの酸化珪素のゲイト絶縁
膜36を堆積し、さらに、厚さ5000Åの結晶性シリ
コンによって、ゲイト電極・配線37、38を形成し
た。ゲイト配線は、アルミニウムやタングステン、チタ
ン等の金属や、あるいはそれらの珪化物でもよい。さら
に、金属のゲイト電極を形成する場合には、特開平5−
267667もしくは同6−338612に開示される
ように、その上面もしくは側面を陽極酸化物で被覆して
もよい。ゲイト電極をどのような材料で構成するかは、
必要とされる半導体回路の特性や基板の耐熱温度等によ
って決定すればよい。(図4(A))
ピング法等の手段によりN型およびP型の不純物をシリ
コン・アイランドに導入し、N型領域39、P型領域4
0を形成した。そして、公知の手段で、層間絶縁物(厚
さ5000Åの酸化珪素膜)41を堆積した。そして、
これにコンタクトホールを開孔し、アルミニウム合金配
線41〜44を形成した。(図4(B))
膜として、厚さ2000Åの窒化珪素膜46をプラズマ
CVD法によって堆積し、これに、出力端子の配線44
に通じるコンタクトホールを開孔した。そして、スパッ
タ法によって、インディウム錫酸化物被膜(ITO、厚
さ1000Å)の電極47を形成した。ITOは透明の
導電性酸化物である。その後、直径約50μm、高さ約
30μmの金のバンプ48を機械的にITO電極47の
上に形成した。このようにして得られた回路を適当な大
きさに分断し、よって、スティック・クリスタルが得ら
れた。(図4(C))
1000ÅのITOによって電極50を形成した。本実
施例では、液晶表示装置の基板としては、厚さ0.3m
mのポリエチレン・サルファイル(PES)を用いた。
そして、この基板49に、スティックドライバーの基板
31を圧力を加えて接着した。このとき、電極47と電
極50はバンプ48によって、電気的に接続される。
(図5(A))
51をスティック・クリスタル31と液晶表示装置の基
板49の隙間に注入した。なお、接着剤は、スティック
・クリスタル31と液晶表示装置の基板49を圧着する
前に、いずれかの表面に塗布しておいてもよい。
て、15分間処理することにより、スティック・クリス
タル31と基板49との電気的な接続と機械的な接着を
完了した。なお、完全な接着の前に、電気的な接続が不
十分であるか否かを、特開平7−14880に開示され
る方法によってテストした後、本接着する方法を採用し
てもよい。(図5(B))
(ClF3 )と窒素の混合ガスの気流中に放置した。三
塩化フッ素と窒素の流量は、共に500sccmとし
た。反応圧力は1〜10Torrとした。温度は室温と
した。三塩化フッ素等のハロゲン化フッ素は、珪素を選
択的にエッチングする特性が知られている。一方、酸化
物(酸化珪素やITO)はほとんどエッチングせず、ア
ルミニウムも表面に安定な酸化物被膜を形成すると、そ
の段階で反応が停止するので、エッチングされない。
能性のある材料は、剥離層(シリコン)32、シリコン
・アイランド34、35、ゲイト電極37、38、アル
ミニウム合金配線41〜44、接着剤51であるが、こ
のうち、剥離層と接着剤以外は外側に酸化珪素等の材料
が存在するため、三フッ化塩素が到達できない。実際に
は、図5(C)に示すように、剥離層32のみが選択的
にエッチングされ、空孔52が形成された。(図5
(C))
ングされ、下地膜の底面53が露出し、スティック・ク
リスタルの基板31を半導体回路と分離することができ
た。三塩化フッ素によるエッチングでは、下地膜の底面
でエッチングが停止するので、該底面53は極めて平坦
であった。(図5(D)) このようにして、液晶表示装置の一方の基板への半導体
集積回路の形成を終了した。このようにして得られる基
板を用いて、液晶表示装置が完成される。
ッシブマトリクス型液晶表示装置を連続的に形成する方
法(ロール・トゥー・ロール法)に関するものである。
図6に本実施例の生産システムを示す。フィルム状の液
晶表示装置を得るための基板材料としては、PES(ポ
リエチレンサルファイル)、PC(ポリカーボネー
ト)、ポリイミドから選ばれたものを用いればよい。P
ET(ポリエチレンテレフタレート)、PEN(ポリエ
チレンナフタレート)は、多結晶性のプラスチックであ
るため、特に偏光によって、表示をおこなう、液晶材料
には用いることが適切でなかった。
を構成する基板として、カラーフィルターの設けられた
基板を作製する流れ(図の下側)と、その対向基板を作
製する流れ(図の上側)とに大別される。まず、カラー
フィルター側基板の作製工程について説明する。
に、印刷法により、その表面にRGBの3色のカラーフ
ィルタを形成する。カラーフィルタの形成は、3組のロ
ール72によっておこわれる。なお作製する液晶表示装
置がモノクロの場合は、この工程は不要である。(工程
「カラーフィルター印刷」)
ート剤(平坦化膜)を印刷法によって形成する。オーバ
ーコート剤は、カラーフィルタの形成によって凹凸とな
った表面を平坦化するためのものである。このオーバー
コート剤を構成する材料としては、透光性を有する樹脂
材料を用いればよい。(工程「オーバーコート剤(平坦
化膜)印刷」) 次に、ロール74を用い、印刷法により必要とするパタ
ーンにロー(カラム)電極を形成する。この印刷法によ
る電極の形成は、導電性のインクを用いておこなう。
(工程「電極形成」)
刷法で形成し(工程「配向膜印刷」)、加熱炉76を通
過させることによって、配向膜を焼き固める。(工程
「配向膜焼成」) さらに、ロール77を通過させることによって、配向膜
の表面にラビング処理をおこなう。こうして配向処理が
完了する。(工程「ラビング」)
ティック・クリスタルを装着し(工程「スティック装
着」)、加熱炉79を通過させることにより、接着剤が
硬化し、接着が完了する。(工程「接着剤硬化」) 本実施例では、剥離層は実施例1と同様にシリコンを用
いたので、次に、三塩化フッ素チャンバー80(差圧排
気して、三塩化フッ素が外部に漏出しないようにしたチ
ャンバー)によって、剥離層をエッチングし、よって、
スティック・クリスタルの基板を剥離する。(工程「ス
ティック剥離」
ルム基板上にスペーサーを散布し(工程「スペーサー散
布」)、ロール82を用いて、シール材を印刷法によっ
て形成する。シール剤は、対向する基板同士を接着する
ためと、液晶が一対の基板間から漏れ出ないようにする
ためのものである。なお、本実施例では、半導体回路の
厚みを液晶基板間よりも薄くすることにより、図3のよ
うに、半導体集積回路の外部がシールされるような構造
(特開平5−66413に開示されている)とした。
(工程「シール印刷」)
滴下をおこない、液晶層をフィルム基板上に形成する。
こうして、カラーフィルター側基板が完成する。以上の
工程は、各ロールが回転することにより、連続的に進行
していく。次に、対向基板の作製工程を示す。ロール6
1から送りだされたフィルム基板上に、ロール62によ
って、所定のパターンにカラム(ロー)電極を形成す
る。(工程「電極形成」) さらにロール63によって、配向膜を印刷法により形成
し(工程「配向膜印刷」)、加熱炉64を通過させるこ
とによって、配向膜を焼き固める。(工程「配向膜焼
成」)
過させることによって、配向処理をおこなう。(工程
「ラビング」) 次に、圧着装置66によって、基板上にスティック・ク
リスタルを装着し(工程「スティック装着」)、加熱炉
67を通過することにより、接着剤が硬化する。(工程
「接着剤硬化」) さらに、三塩化フッ素チャンバー68によって、スティ
ック・クリスタルの基板を剥離する。(工程「スティッ
ク剥離」
9を経由して、次のロール84に送られる。ロール84
では、カラーフィルター側基板と対向基板を貼り合わせ
て、セルとする。(工程「セル組」) その後、加熱炉85において加熱することにより、シー
ル材を硬化せしめ、基板同士の貼り合わせが完了する。
(工程「シール剤硬化」) さらにカッター86によって所定の寸法に切断すること
により、フィルム状の液晶表示装置が完成する。(工程
「分段」)
さ、大きさに関して、さまざななバリエーションが可能
である。例えば、実施例2に示したように、極めて薄い
フィルム状の液晶表示装置を得ることもできる。この場
合には、表示装置を曲面に合わせて張りつけてもよい。
さらに、基板の種類の制約が緩和された結果、プラスチ
ック基板のように、軽く、耐衝撃性の強い材料を用いる
こともでき、携行性も向上する。
さいので、表示装置と他の装置の配置の自由度が高ま
る。典型的には、ドライバー回路を表示面の周囲の幅数
mmの領域に押し込めることが可能であるので、表示装
置自体は極めてシンプルであり、ファッション性に富ん
だ製品である。その応用範囲もさまざまに広がり、よっ
て、本発明の工業的価値は極めて高い。
製工程を示す。
程を示す。
を示す。
ー回路26 ・・・ 配線パターンの形成されている面と逆の面 31・・・ スティック・クリスタルを形成する基板 32・・・ 剥離層 33・・・ 下地膜 34、35 シリコン・アイランド 36・・・ ゲイト絶縁膜 37、38 ゲイト電極 39・・・ N型領域 40・・・ P型領域 41・・・ 層間絶縁物 42〜44 アルミニウム合金配線 46・・・ パッシベーション膜 47・・・ 導電性酸化物膜 48・・・ バンプ 49・・・ 液晶表示装置の基板 50・・・ 液晶表示装置の電極 51・・・ 接着剤 52・・・ 空孔 53・・・ 下地膜の底面
Claims (7)
- 【請求項1】 第1の基板上に形成された電気配線と、 該電気配線に接続され、薄膜トランジスタを有する半導
体集積回路と、 表面に透明導電膜を有し、前記透明導電膜が、前記第1
の基板上の透明導電膜の電気配線に対向して設けられた
第2の基板と、を有し、 前記半導体集積回路は、概略、表示装置の表示面の1辺
の長さに等しく、かつ、他の基板上に作製されたものを
剥離して、前記第1の基板に装着したものであることを
特徴とする表示装置。 - 【請求項2】 第1の基板上に形成された、第1の方向
に延びる複数の透明導電膜の第1の電気配線と、 該第1の電気配線に接続され、薄膜トランジスタを有
し、前記第1の方向に概略垂直な第2の方向に延びる第
1の半導体集積回路と、 第2の基板上に形成された、第2の方向に延びる複数の
透明導電膜の第2の電気配線と、 該第2の電気配線に接続され、薄膜トランジスタを有
し、前記第1の方向に延びる第2の半導体集積回路と、
を有し、 前記第1の電気配線と第2の電気配線が対向するよう
に、基板が配置され、 前記第1および第2の半導体集積回路は他の基板上に作
製されたものを剥離して、前記第1および第2の基板に
それぞれ装着したものであることを特徴とする表示装
置。 - 【請求項3】 第1の基板上に形成された、第1の方向
に延びる複数の第1の電気配線と、 該第1の電気配線に接続され、薄膜トランジスタを有
し、前記第1の方向に概略垂直な第2の方向に延びる第
1の半導体集積回路と、 第1の基板上に形成された、第2の方向に延びる複数の
第2の電気配線と、 該第2の電気配線に接続され、薄膜トランジスタを有
し、前記第1の方向に延びる第2の半導体集積回路と、 表面に透明導電膜を有する第2の基板と、を有し、 前記第1の基板の第1および第2の電気配線と、前記第
2の基板の透明導電膜とが、対向するように、基板が配
置され、 前記第1および第2の半導体集積回路は他の基板上に作
製されたものを剥離して、前記第1の基板に装着したも
のであるたことを特徴とする表示装置。 - 【請求項4】 請求項1乃至3において、少なくとも第
1の基板がプラスチックであることを特徴とする表示装
置。 - 【請求項5】 請求項1乃至3において、第1の基板と
第2の基板の間には、液晶材料が設けられたことを特徴
とする表示装置。 - 【請求項6】 請求項1乃至3において、該半導体集積
回路が電気配線と接続される部分には導電性酸化物の電
極が、該半導体集積回路側に設けられていることを特徴
とする表示装置。 - 【請求項7】 請求項1乃至3において、第1の基板上
に設けられた半導体集積回路の垂直方向に第2の基板が
存在することを特徴とする表示装置。
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP07970895A JP3406727B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | 表示装置 |
US08/611,336 US5757456A (en) | 1995-03-10 | 1996-03-08 | Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other |
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US09/517,354 US7050138B1 (en) | 1995-03-10 | 2000-03-02 | Method of manufacturing a display device having a driver circuit attached to a display substrate |
JP2000195961A JP3442726B2 (ja) | 1995-03-10 | 2000-06-29 | 表示装置の半導体集積回路の実装方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07970895A JP3406727B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | 表示装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000195958A Division JP3406894B2 (ja) | 1995-03-10 | 2000-06-29 | 表示装置の作製方法 |
JP2000195961A Division JP3442726B2 (ja) | 1995-03-10 | 2000-06-29 | 表示装置の半導体集積回路の実装方法 |
JP2000195957A Division JP3406893B2 (ja) | 1995-03-10 | 2000-06-29 | 表示装置の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH08250745A true JPH08250745A (ja) | 1996-09-27 |
JP3406727B2 JP3406727B2 (ja) | 2003-05-12 |
Family
ID=13697713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07970895A Expired - Fee Related JP3406727B2 (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | 表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3406727B2 (ja) |
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US8957423B2 (en) | 2008-09-19 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8552498B2 (en) | 2008-09-19 | 2013-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9196593B2 (en) | 2008-10-01 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9087950B2 (en) | 2009-06-05 | 2015-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same |
US9905589B2 (en) | 2013-12-03 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10189048B2 (en) | 2013-12-12 | 2019-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and peeling apparatus |
US9397149B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3406727B2 (ja) | 2003-05-12 |
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