KR101147262B1 - 유기 박막 트랜지스터 소자 및 그의 제조 방법 - Google Patents
유기 박막 트랜지스터 소자 및 그의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101147262B1 KR101147262B1 KR1020050052994A KR20050052994A KR101147262B1 KR 101147262 B1 KR101147262 B1 KR 101147262B1 KR 1020050052994 A KR1020050052994 A KR 1020050052994A KR 20050052994 A KR20050052994 A KR 20050052994A KR 101147262 B1 KR101147262 B1 KR 101147262B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- insulating film
- thin film
- organic thin
- film transistor
- electrode
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 82
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HMPRYWSTSPTPFI-UHFFFAOYSA-N [Li].[F] Chemical compound [Li].[F] HMPRYWSTSPTPFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/474—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 그레인 사이즈가 큰 유기 반도체막이 형성되고, 낮은 구동 전압 및 우수한 캐리어 이동도를 가지는 유기 박막 트랜지스터 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 투명 절연 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 전극을 덮는 영역에 형성된 게이트 절연막, 게이트 절연막의 상부에 상호 이격되도록 형성된 소스 전극과 드레인 전극, 소스 전극과 드레인 전극을 덮는 영역에 형성된 소자 절연막, 소자 절연막의 상부에 형성된 유기 반도체막을 포함하며, 소자 절연막의 두께는 900Å 이하인 유기 박막 트랜지스터 소자 및 그의 제조 방법을 제공한다.
유기 박막 트랜지스터, 문턱 전압, 이동도
Description
도 1은 종래의 유기 박막 트랜지스터 소자를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터 소자를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2에 나타난 유기 박막 트랜지스터 소자의 게이트 전압과 드레인 전류의 관계를 나타낸 특성 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터 소자의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
100: 투명 절연 기판 110: 게이트 전극
120: 게이트 절연막 130: 소스 전극
140: 드레인 전극 150: 소자 절연막
160: 유기 반도체막
본 발명은 유기 박막 트랜지스터 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 낮은 구동 전압 및 우수한 캐리어 이동도를 갖는 유기 박막 트랜지스터 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치의 스위칭 소자로서 사용되는 박막 트랜지스터 소자는 비정질 또는 다결정 실리콘으로 이루어진 액티브층이 형성되는 경우가 일반적이었으나, 근래에는 비정질 또는 다결정 실리콘의 대체물로 유기 반도체 물질을 이용하여 액티브층을 형성하는 유기 박막 트랜지스터 소자(OTFT; Organic thin film transistor)가 도입되고 있다.
유기 박막 트랜지스터 소자의 액티브층은 스핀 코팅법이나 진공 증착법을 이용하여 유기 반도체 물질로 증착하는 방식으로 형성되며, 저온 증착이 가능하다는 점이나 유연성을 구현할 수 있다는 점, 가공의 용이하다는 점 등의 장점을 가진다.
도 1은 종래의 유기 박막 트랜지스터 소자를 나타낸 단면도이다.
종래의 유기 박막 트랜지스터 소자는 도 1에 도시된 것처럼, 투명 절연 기판(10), 게이트 전극(11), 게이트 절연막(12), 소스 전극(13), 드레인 전극(14), 유기 반도체막(15) 등으로 구성된다.
유기 반도체막(15)은 그레인 사이즈(Grain size)가 큰 펜타신(Pentacene) 등과 같은 유기 반도체 물질로 이루어진다. 펜타신이 적용된 유기 박막 트랜지스터 소자는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 소자와 대등한 수준의 우수한 이동도 특성을 가지며, 공기 중에서 상당히 안정적인 특성을 보여 준다.
그런데, 도 1과 같은 구조를 갖는 유기 박막 트랜지스터 소자는 높은 게이트 -소스 전압(Vgs) 및 낮은 캐리어 이동도로 인하여 액정 표시 장치의 스위칭 소자(혹은 범용 반도체 소자)로서 이용하기에 많은 어려움이 있었다.
유기 반도체막(15)을 이루는 유기 반도체 물질로 주로 쓰이는 펜타신은 하부의 게이트 절연막(12) 특성에 많은 영향을 받으므로, 게이트 절연막(12)으로 인하여 펜타신의 그레인 사이즈가 크게 성장되지 못하여 캐리어 이동도 측면에서 열악한 특성을 갖게 되는 것이다.
이러한 문제점을 완화하기 위하여, 한국 공개 특허 제10-2004-0067047호(이하, '선행 기술'이라 함)에서는, 스핀 코팅을 이용하여 유기 반도체막을 증착하는 기술을 제안하고 있다.
유기 다이오드(OLED; Organic light emitting diodes)의 경우, 양 전극 사이의 다층 구조 중 하나가 리튬 플루오르(LiF)의 절연막으로 이루어짐으로 인하여, 구동 전압이 낮아지고, 캐리어 이동도가 향상되는 효과를 갖게 되는데, 유기 박막 트랜지스터 소자에 절연막을 추가하여 이러한 원리를 유기 박막 트랜지스터 소자에 적용하는 것이다.
그러나, 선행 기술의 경우에도, 스핀 코팅을 적용함으로 인하여 공정의 특성상 유기 반도체막이 약 4000Å 이상의 비교적 큰 두께로 형성할 수 밖에 없다는 한계가 있었고, 이러한 한계로 인하여 캐리어의 터널링 효과가 제한적으로 발생하고, 높은 구동 전압을 필요로 한다는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 그레인 사이즈가 큰 유기 반도체막이 형성되고, 낮은 구동 전압 및 우수한 캐리어 이동도를 갖는 매우 얇은 두께의 유기 박막 트랜지스터 소자를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기된 유기 박막 트랜지스터 소자를 효율적으로 제조할 수 있는 유기 박막 트랜지스터 소자의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터 소자는 투명 절연 기판 상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 덮는 영역에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막의 상부에 상호 이격되도록 형성된 소스 전극과 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 드레인 전극을 덮는 영역에 형성된 소자 절연막과, 상기 소자 절연막의 상부에 형성된 유기 반도체막을 포함하며, 상기 소자 절연막의 두께는 900Å 이하인 것을 특징으로 한다.
상기 소자 절연막은 산화 실리콘, 질화 실리콘, 티타니아, 알루미나 중 적어도 어느 하나의 무기물로 이루어질 수 있다.
상기 소자 절연막은 폴리이미드, 벤조싸이클로부텐, 포토 아크릴 중 어느 하나의 유기물로 이루어질 수 있다.
상기 소자 절연막은 일 방향으로 러빙된 것이 바람직하다.
또한, 상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터 소자의 제조 방법은 투명 절연 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극을 덮는 영역에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막의 상부에 상호 이격되도록 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 소스 전극과 드레인 전극을 덮는 영역에 소자 절연막을 형성하는 단계와, 상기 소자 절연막의 상부에 유기 반도체막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 소자 절연막의 두께는 900Å 이하로 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 소스 전극과 드레인 전극을 덮는 영역에 소자 절연막을 형성하는 단계에서, 상기 소자 절연막은 화학 기상 증착 또는 원자층 증착에 의하여 형성하는 것이 바람직하다.
상기 소자 절연막을 형성한 후, 상기 소자 절연막을 일 방향으로 러빙하는 단계를 더 포함할 수 있다.
러빙이 이루어지는 일 방향은 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 수직 방향인 것이 바람직하다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터 소자 및 그 의 제조 방법에 대하여 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터 소자를 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터 소자는 하부 접촉 방식(Bottom contact type)으로, 투명 절연 기판(100), 게이트 전극(110), 게이트 절연막(120), 소스 전극(130), 드레인 전극(140), 소자 절연막(150), 유기 반도체막(160) 등을 포함하여 구성된다.
게이트 전극(110)은 투명 절연 기판(100) 상에 알루미늄 등을 포함하는 금속 물질로 형성된다.
게이트 절연막(120)은 게이트 전극(110)을 덮는 영역에 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx) 등의 절연 물질로 형성된다.
소스 전극(130) 및 드레인 전극(140)은 게이트 절연막(120)의 상부에 상호 이격되도록 형성되며, 알루미늄과 크롬 등을 포함하는 금속 물질로 이루어진다.
소자 절연막(150)은 소스 전극(130)과 드레인 전극(140)을 덮는 영역에 900Å 이하의 두께로 형성되며, 산화 실리콘(SiO2), 질화 실리콘(SiNx), 티타니아(TiO2), 알루미나(Al2O3) 등의 무기물이나 폴리이미드(Polyimide), 벤조싸이클로부텐(BCB; Benzocyclobutene), 포토 아크릴(Photo acryl) 등의 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. 소자 절연막(150)이 고분자 유기물로 이루어지는 경우에는, 이러한 소자 절연막(150)을 일 방향으로 러빙(Rubbing)하여 상부에 증착되는 유기 반도체 막(160)이 잘 성장될 수 있도록 구성하는 것이 바람직하다.
특히, 수 Å에서 수 백 Å의 소자 절연막(150)을 소스 전극(130) 및 드레인 전극(140)의 수직 방향으로 러빙(Rubbing)(나일론 천으로 문지르거나 편향된 자외선을 조사함)하면, 소자 절연막(150)의 상부에 증착되는 유기 반도체막(160)의 정렬성이 더욱 우수하게 구현되어, 전하 수송(Carrier transport)이 용이해지므로 캐리어 이동도가 증가된다.
유기 반도체막(160)은 그레인 사이즈(Grain size)가 큰 펜타신(Pentacene) 등의 고분자 유기물로 소자 절연막(150)의 상부에 형성된다.
이와 같이 유기 박막 트랜지스터 소자에 있어서, 유기 반도체막(160)과 소스 전극(130) 및 드레인 전극(140) 사이에 소자 절연막(150)을 구성하여 구동 전압이 되는 게이트-소스 전압(Vgs)을 줄일 수 있다. 또한, 얇은 소자 절연막(150)을 통한 터널링 효과에 의하여 동일한 구동 전압에 대한 드레인-소스 전압(Vds)을 줄임으로써, 캐리어 이동도를 향상시킬 수 있다.
이때, 소스 전극(130) 및 드레인 전극(140)과 유기 반도체막(160) 사이에 적용되는 소자 절연막(150)의 두께는 수 Å에서 수 백 Å의 두께로 적용될 수 있으며, 900Å 이하로 구현하는 것이 바람직하며, 화학 기상 증착을 통하여 약 10Å의 두께로까지 박막화할 수 있다.
도 3은 도 2에 나타난 유기 박막 트랜지스터 소자의 게이트 전압과 드레인 전류의 관계를 나타낸 특성 그래프이다.
유기 반도체막(160)과 소스 전극(130) 및 드레인 전극(140) 사이에 얇은 소 자 절연막(150)을 삽입하면, 도 3에 도시된 것처럼 전압-전류의 특성 그래프가 G1에서 보다 완만한 경사를 갖는 G2 형상으로 변화하고, 문턱 전압이 VTH1에서 VTH2로 낮아져, 동일한 드레인 전류를 흘리기 위한 구동 전압이 낮아지게 된다.
그리고, 터널링(Tunneling) 효과에 의하여 전하 주입(Charge injection) 특성이 향상되어 드레인-소스 전압(Vds)이 줄고, 캐리어 이동도가 향상된다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터 소자의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.
먼저, S100 단계에서, 투명 절연 기판(100) 상에 게이트 전극(110)을 형성한다.
다음으로, S110 단계에서, 게이트 전극(110)을 덮는 영역에 게이트 절연막(120)을 형성한다.
다음으로, S120 단계에서, 게이트 절연막(120)의 상부에 상호 이격되도록 소스 전극(130)과 드레인 전극(140)을 형성한다.
다음으로, S130 단계에서, 소스 전극(130)과 드레인 전극(140)을 덮는 영역에 소자 절연막(150)을 형성한다. 이때, 소자 절연막(150)의 두께는 900Å 이하로 형성하며, 소자 절연막(150)의 두께를 900Å 이하로 얇게 형성하기 위하여 화학 기상 증착(CVD; Chemical Vapor Depositon)이나 원자층 증착(ALD; Atomic Layer Deposion)등의 진공 증착을 사용하는 것이 바람직하다. 진공 증착은 공정 특성상 10Å 이하의 두께까지 막을 증착할 수 있다.
소자 절연막(150)을 형성한 이후에는 그레인 사이즈가 큰 펜타신 등으로 이루어진 유기 반도체막(160)이 소자 절연막(150)의 상부에 잘 성장되도록 하여 캐리어 이동도를 향상시키기 위하여 소자 절연막(150)을 일 방향으로 러빙(Rubbing)하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이때, 러빙(Rubbing)이 이루어지는 일 방향은 소스 전극(130) 및 드레인 전극(140)의 수직 방향인 것이 바람직하다.
다음으로, S140 단계에서, 소자 절연막(150)의 상부에 유기 반도체막(160)을 형성한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 이상에서 기술한 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이므로, 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 하며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터 소자는 그레인 사이즈가 큰 유기 반도체막이 형성되고, 낮은 구동 전압 및 우수한 캐리어 이동도를 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터 소자의 제조 방법은 이와 같은 유기 박막 트랜지스터 소자를 효율적으로 제조할 수 있다.
Claims (8)
- 투명 절연 기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극을 덮는 영역에 형성된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막의 상부에 상호 이격되도록 형성된 소스 전극과 드레인 전극;상기 상호 이격된 소스 전극과 드레인 전극 사이를 통해 노출된 상기 게이트 절연막의 표면과 상기 소스 전극과 드레인 전극의 상부 전면 상에 직접 형성된 소자 절연막; 및상기 소자 절연막의 상부 전면 상에 직접 형성된 유기 반도체막을 포함하며,상기 소자 절연막의 두께는 10Å~900Å인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 소자.
- 제1항에 있어서,상기 소자 절연막은,산화 실리콘, 질화 실리콘, 티타니아, 알루미나 중 적어도 어느 하나의 무기물로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 소자.
- 제1항에 있어서,상기 소자 절연막은,폴리이미드, 벤조싸이클로부텐, 포토 아크릴 중 어느 하나의 유기물로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 소자.
- 제3항에 있어서,상기 소자 절연막은,일 방향으로 러빙된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 소자.
- 투명 절연 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 덮는 영역에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막의 상부에 상호 이격되도록 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 상호 이격된 소스 전극과 드레인 전극 사이를 통해 노출된 상기 게이트절연막의 표면과 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 상부 전면 상에 직접 소자 절연막을 형성하는 단계; 및상기 소자 절연막의 상부 전면 상에 유기 반도체막을 형성하는 단계를 포함하며,상기 소자 절연막의 두께는 10Å~900Å인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 소자의 제조 방법.
- 제5항에 있어서,상기 소스 전극과 드레인 전극을 덮는 영역에 소자 절연막을 형성하는 단계에서,상기 소자 절연막은 화학 기상 증착 또는 원자층 증착에 의하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 소자의 제조 방법.
- 제5항에 있어서,상기 소자 절연막을 형성한 후, 상기 소자 절연막을 일 방향으로 러빙하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 소자의 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 러빙이 이루어지는 일 방향은 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 수직 방향인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 소자의 제조 방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050052994A KR101147262B1 (ko) | 2005-06-20 | 2005-06-20 | 유기 박막 트랜지스터 소자 및 그의 제조 방법 |
| US11/319,563 US7612409B2 (en) | 2005-06-20 | 2005-12-29 | Organic thin film transistor comprising device insulation film and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050052994A KR101147262B1 (ko) | 2005-06-20 | 2005-06-20 | 유기 박막 트랜지스터 소자 및 그의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060133248A KR20060133248A (ko) | 2006-12-26 |
| KR101147262B1 true KR101147262B1 (ko) | 2012-05-18 |
Family
ID=37572570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050052994A KR101147262B1 (ko) | 2005-06-20 | 2005-06-20 | 유기 박막 트랜지스터 소자 및 그의 제조 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7612409B2 (ko) |
| KR (1) | KR101147262B1 (ko) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100777110B1 (ko) * | 2006-07-05 | 2007-11-19 | 한국전자통신연구원 | 유연한 기판에서의 유기박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| KR100982952B1 (ko) * | 2008-03-25 | 2010-09-17 | 홍익대학교부설과학기술연구소 | 단채널 효과를 방지하는 유기 박막 트랜지스터, 그것의제조방법 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
| CN101752508B (zh) * | 2008-12-17 | 2011-11-23 | 中国科学院微电子研究所 | 采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法 |
| KR20130023237A (ko) * | 2010-04-05 | 2013-03-07 | 더 보드 어브 트러스티스 어브 더 리랜드 스탠포드 주니어 유니버시티 | Ｎ-형 도핑된 유기 재료 및 이를 위한 방법 |
| KR101393161B1 (ko) * | 2011-10-31 | 2014-05-12 | 한양대학교 산학협력단 | 미세 구조체를 가지는 유기 박막 트랜지스터 |
| KR101388124B1 (ko) * | 2012-07-05 | 2014-04-23 | 경희대학교 산학협력단 | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 회로 장치 |
| KR101451306B1 (ko) * | 2013-04-05 | 2014-10-17 | 한국화학연구원 | 유기절연체와 유기반도체 사이의 비정질의 금속산화물 층간-박막을 이용한 유기 박막 트랜지스터 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003067667A1 (fr) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Structure de semiconducteur organique, procede de production et dispositif a semiconducteur organique |
| US6650387B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device having a substrate provided with portions of an alignment control layer and carrier-transporting device and light-emitting device using the liquid crystal device |
| KR20040067047A (ko) * | 2003-01-21 | 2004-07-30 | 이종덕 | 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60140729A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子膜の欠陥検査方法 |
| JP2722832B2 (ja) * | 1991-02-22 | 1998-03-09 | 日本電気株式会社 | 液晶表示素子 |
| US6133051A (en) * | 1998-06-30 | 2000-10-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Amorphously deposited metal oxide ceramic films |
| US6217793B1 (en) * | 1998-06-05 | 2001-04-17 | Mitsui Chemicals, Inc. | Acetylene compound, liquid crystal composition and liquid crystal element |
| US6458416B1 (en) * | 2000-07-19 | 2002-10-01 | Micron Technology, Inc. | Deposition methods |
| US7285440B2 (en) * | 2002-11-25 | 2007-10-23 | International Business Machines Corporation | Organic underlayers that improve the performance of organic semiconductors |
| JP4997688B2 (ja) * | 2003-08-19 | 2012-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 電極、薄膜トランジスタ、電子回路、表示装置および電子機器 |
-
2005
- 2005-06-20 KR KR1020050052994A patent/KR101147262B1/ko active IP Right Grant
- 2005-12-29 US US11/319,563 patent/US7612409B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6650387B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device having a substrate provided with portions of an alignment control layer and carrier-transporting device and light-emitting device using the liquid crystal device |
| WO2003067667A1 (fr) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Structure de semiconducteur organique, procede de production et dispositif a semiconducteur organique |
| KR20040067047A (ko) * | 2003-01-21 | 2004-07-30 | 이종덕 | 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7612409B2 (en) | 2009-11-03 |
| KR20060133248A (ko) | 2006-12-26 |
| US20060284253A1 (en) | 2006-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7537975B2 (en) | Organic thin film transistor and method of fabricating the same | |
| US8461597B2 (en) | Transistors, methods of manufacturing a transistor, and electronic devices including a transistor | |
| KR101147262B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 소자 및 그의 제조 방법 | |
| JP6061858B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| US9123750B2 (en) | Transistors including a channel where first and second regions have less oxygen concentration than a remaining region of the channel, methods of manufacturing the transistors, and electronic devices including the transistors | |
| US6867117B2 (en) | Organic device including semiconducting layer aligned according to microgrooves of photoresist layer | |
| US9911857B2 (en) | Thin film transistor with low trap-density material abutting a metal oxide active layer and the gate dielectric | |
| WO2018006441A1 (zh) | 薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法 | |
| TWI577029B (zh) | 用以形成一半導體氮氧化合物之方法及使用其之用以製造一薄膜電晶體之方法 | |
| US8536578B2 (en) | Thin film transistor comprising nanowires and fabrication method thereof | |
| JP4684543B2 (ja) | 分子配列を有する有機半導体層の製造方法 | |
| US9070779B2 (en) | Metal oxide TFT with improved temperature stability | |
| US9780340B2 (en) | Vertical-type organic light-emitting transistors with reduced leakage current and method for fabricating the same | |
| US9035294B2 (en) | Transistors, methods of manufacturing the same, and electronic devices including transistors | |
| JP2007180131A (ja) | 有機ｆｅｔおよびその製造方法 | |
| US9385239B2 (en) | Buffer layers for metal oxide semiconductors for TFT | |
| US20070158647A1 (en) | Junction structure of organic semiconductor device, organic thin film transistor and fabricating method thereof | |
| KR20120074760A (ko) | 알루미늄 산화물 게이트 절연막이 형성된 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| Chou et al. | Enhancement of electrical properties in pentacene-based thin-film transistors using a lithium fluoride modification layer | |
| KR100656998B1 (ko) | 딥펜을 이용한 유기 박막 트랜지스터 소자 제작방법 | |
| KR102151101B1 (ko) | 산화물 반도체 박막 트랜지스터 | |
| KR102571072B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 | |
| KR20070102301A (ko) | 유기 박막트랜지스터, 이를 포함하는 유기전계발광소자 및이들의 제조방법 | |
| Kim et al. | 45.2: Self‐Organized Organic Thin‐Film Transistor for Flexible Active‐Matrix Display | |
| Han et al. | High‐performance bottom‐contact organic TFTs on plastic for flexible AMLCDs |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150429 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160428 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170413 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180416 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190417 Year of fee payment: 8 |