JPS60140729A - 半導体素子膜の欠陥検査方法 - Google Patents
半導体素子膜の欠陥検査方法Info
- Publication number
- JPS60140729A JPS60140729A JP58245228A JP24522883A JPS60140729A JP S60140729 A JPS60140729 A JP S60140729A JP 58245228 A JP58245228 A JP 58245228A JP 24522883 A JP24522883 A JP 24522883A JP S60140729 A JPS60140729 A JP S60140729A
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- JP
- Japan
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- film
- pinhole
- solution
- nitric acid
- defect
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
- G01R31/2831—Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、ＡＩ！などの金属や半導体あるいは絶縁体
からなる半導体素子膜のピンホールなどの欠陥の検査方
法に関するものである。
からなる半導体素子膜のピンホールなどの欠陥の検査方
法に関するものである。
（従来技術）
従来、半導体素子の製造過程において、形成したＭなど
の膜のピンホール欠陥数を計数する際、顕微鏡でピンホ
ールを直接観察して計数する方法のほか、銅デコレーシ
ョン法などの方法があったが、いずれの方法も非常に時
間と手間がかかるという欠点があった。
の膜のピンホール欠陥数を計数する際、顕微鏡でピンホ
ールを直接観察して計数する方法のほか、銅デコレーシ
ョン法などの方法があったが、いずれの方法も非常に時
間と手間がかかるという欠点があった。
（発明の目的）
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、その目的は
、ピンホール欠陥数などの測定が、肉眼で高速にかつ正
確にできる半導体基板上の欠陥検査方法を提供すること
にある。
、ピンホール欠陥数などの測定が、肉眼で高速にかつ正
確にできる半導体基板上の欠陥検査方法を提供すること
にある。
（発明の概要）
この発明の要点は、半導体基板上に、溶解液と反応して
ガス化する膜を形成し、その膜上に、溶解液に対して耐
性のある被検査膜を形成し、その後、それらを溶解液中
に浸漬することにある。
ガス化する膜を形成し、その膜上に、溶解液に対して耐
性のある被検査膜を形成し、その後、それらを溶解液中
に浸漬することにある。
（実施例）
以下この発明の一実施例を第１図ないし第３図を参照し
て説明する。
て説明する。
第１図において、ｌは半導体基板であシ、まずこの基板
ｌ上に、溶解液と反応してガス化する膜として、耐熱性
有機高分子樹脂膜であるポリイミド樹脂膜２を形成する
。このポリイミド樹脂膜２は、具体的には、通常のスピ
ン塗布と、１００〜３００℃のベークによシ１〜２μｍ
厚に形成される。
ｌ上に、溶解液と反応してガス化する膜として、耐熱性
有機高分子樹脂膜であるポリイミド樹脂膜２を形成する
。このポリイミド樹脂膜２は、具体的には、通常のスピ
ン塗布と、１００〜３００℃のベークによシ１〜２μｍ
厚に形成される。
次に、ポリイミド樹脂膜２上に、第２図に示すように、
被検出膜としてＡ／膜３を形成する。なお、第２図にお
いて、４はＡ／膜膜中中存在するピンホール欠陥を示す
。
被検出膜としてＡ／膜３を形成する。なお、第２図にお
いて、４はＡ／膜膜中中存在するピンホール欠陥を示す
。
しかる後、基板１上に２つの膜２．３を形成した上記構
造体を、溶解液としての発煙硝酸（９８％程度の濃硝酸
）に適当時間（通常５〜１０分間）浸漬し、その後、発
煙硝酸中から構造体を取出して水洗いする。この水洗い
後の構造体を第３図に示す。この図に示すように、構造
体を発煙硝酸に浸漬すると、Ｍ膜３にピンホール欠陥４
がある場合は、そのピンホール欠陥部のＭ膜３が大きく
盛り上がる。
造体を、溶解液としての発煙硝酸（９８％程度の濃硝酸
）に適当時間（通常５〜１０分間）浸漬し、その後、発
煙硝酸中から構造体を取出して水洗いする。この水洗い
後の構造体を第３図に示す。この図に示すように、構造
体を発煙硝酸に浸漬すると、Ｍ膜３にピンホール欠陥４
がある場合は、そのピンホール欠陥部のＭ膜３が大きく
盛り上がる。
すなわち、ポリイミド樹脂膜２は発煙硝酸に侵されるが
、Ｍ膜３は侵されないため、Ｍ膜３にピンホール欠陥４
がある場合、そのピンホール欠陥４の下の部分のポリイ
ミド樹脂膜２だけが第３図に符号５で示すように侵され
る。また、ポリイミド樹脂が発煙硝酸中に溶解する際、
ガスを発生する。したがって、Ｍ膜３に１μｍφ程度の
ピンホール欠陥４がある場合、ピンホール欠陥部のＭ膜
３が第３図に符号６で示すように直径数ｍｒｘの範囲に
わたって盛り上がる。
、Ｍ膜３は侵されないため、Ｍ膜３にピンホール欠陥４
がある場合、そのピンホール欠陥４の下の部分のポリイ
ミド樹脂膜２だけが第３図に符号５で示すように侵され
る。また、ポリイミド樹脂が発煙硝酸中に溶解する際、
ガスを発生する。したがって、Ｍ膜３に１μｍφ程度の
ピンホール欠陥４がある場合、ピンホール欠陥部のＭ膜
３が第３図に符号６で示すように直径数ｍｒｘの範囲に
わたって盛り上がる。
それゆえ、この一実施例によれば、ピンホール欠陥４の
存在が肉眼で直接観察できるようになり、従来の方法に
比較してピンホール欠陥数の計数が飛躍的に高速化かつ
正確化する。
存在が肉眼で直接観察できるようになり、従来の方法に
比較してピンホール欠陥数の計数が飛躍的に高速化かつ
正確化する。
なお、上記一実施例で用いたポリイミド樹脂は、約５０
０ ’Ｃまで安定である。そこで、この温度以下で形成
でき、かつ発煙硝酸に対して耐性のある膜なら、上記一
実施例に示したＭ膜以外でも同様にしてピンホール欠陥
を測定できる。たとえば、金属膜ならばタングステン膜
、モリブデン膜、Ａｌ−８ｉ−Ｃｕの混合膜、半導体膜
ならばポリシリコン膜、絶縁体膜ならば窒化膜、ｓｉｏ
、膜のピンホール欠陥を検出できる。また、ピンホール
以外の類似の欠陥も検出できる。さらに、上記膜は、１
００入〜数μｍの厚みの範囲において上述のように欠陥
を検出できる。
０ ’Ｃまで安定である。そこで、この温度以下で形成
でき、かつ発煙硝酸に対して耐性のある膜なら、上記一
実施例に示したＭ膜以外でも同様にしてピンホール欠陥
を測定できる。たとえば、金属膜ならばタングステン膜
、モリブデン膜、Ａｌ−８ｉ−Ｃｕの混合膜、半導体膜
ならばポリシリコン膜、絶縁体膜ならば窒化膜、ｓｉｏ
、膜のピンホール欠陥を検出できる。また、ピンホール
以外の類似の欠陥も検出できる。さらに、上記膜は、１
００入〜数μｍの厚みの範囲において上述のように欠陥
を検出できる。
また、上記一実施例では、溶解液として発煙硝酸を用い
たが、その他、塩酸と過酸化水素の混合液、硫酸と過酸
化水素の混合液を使用できる。
たが、その他、塩酸と過酸化水素の混合液、硫酸と過酸
化水素の混合液を使用できる。
さらに、溶解液と反応してガス化する膜としてポリイミ
ド樹脂膜を用いたが、その他の耐熱性有機高分子樹脂膜
、例えばエポキシ樹脂膜を使用できる。
ド樹脂膜を用いたが、その他の耐熱性有機高分子樹脂膜
、例えばエポキシ樹脂膜を使用できる。
（発明の効果）
以上詳述したようにこの発明の方法によれば、欠陥部が
、下地の膜の溶解時に発生するガスによって大きく盛り
上がるため、ピンホール欠陥数などの測定を肉眼で高速
にかつ正確にできる。
、下地の膜の溶解時に発生するガスによって大きく盛り
上がるため、ピンホール欠陥数などの測定を肉眼で高速
にかつ正確にできる。
第１図ないし第３図はこの発明の半導体素子膜の欠陥検
査方法の一実施例を示す断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・ポリイミド樹脂膜、３・
・・Ｍ膜。 第１図 第２図 第：（図 手続補正書 昭和５９年１０月１９日 特許庁長官志賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５８年特 許 願第２４５２２８ 号２、発明の名
称 半導体素子膜の欠陥検査方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人 （０２９）沖電気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日 （自発）６、
補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄
査方法の一実施例を示す断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・ポリイミド樹脂膜、３・
・・Ｍ膜。 第１図 第２図 第：（図 手続補正書 昭和５９年１０月１９日 特許庁長官志賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５８年特 許 願第２４５２２８ 号２、発明の名
称 半導体素子膜の欠陥検査方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人 （０２９）沖電気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日 （自発）６、
補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄
Claims (2)
- （１）半導体基板上に、溶解液と反応してガス化する膜
を形成する工程と、この膜上に、溶解液に対して耐性の
ある被検査膜を形成する工程と、それらを溶解液中に浸
漬する工程とを具備する半導体素子膜の欠陥検査方法。 - （２）溶解液と反応してガス化する膜としてポリイミド
樹脂膜を、被検査膜としてＭ膜を、溶解液として発煙硝
酸を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体素子膜の欠陥検査方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58245228A JPS60140729A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体素子膜の欠陥検査方法 |
| US06/683,202 US4599241A (en) | 1983-12-28 | 1984-12-18 | Method for inspecting defects of thin material film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58245228A JPS60140729A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体素子膜の欠陥検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140729A true JPS60140729A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17130553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58245228A Pending JPS60140729A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体素子膜の欠陥検査方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4599241A (ja) |
| JP (1) | JPS60140729A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104851820A (zh) * | 2014-02-19 | 2015-08-19 | 北大方正集团有限公司 | 半导体器件的缺陷检测方法 |
| CN105009297A (zh) * | 2013-03-12 | 2015-10-28 | 应用材料公司 | 用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的介电薄膜的针孔评估方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5223443A (en) * | 1992-02-19 | 1993-06-29 | Integrated Device Technology, Inc. | Method for determining wafer cleanliness |
| US6248601B1 (en) | 1999-04-19 | 2001-06-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Fix the glassivation layer's micro crack point precisely by using electroplating method |
| KR101147262B1 (ko) * | 2005-06-20 | 2012-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 소자 및 그의 제조 방법 |
| NL2005436A (en) * | 2009-11-30 | 2011-05-31 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus. |
| US9561538B2 (en) | 2013-12-11 | 2017-02-07 | The Boeing Company | Method for production of performance enhanced metallic materials |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3672980A (en) * | 1970-12-01 | 1972-06-27 | Us Army | Method of rapidly detecting contaminated semiconductor surfaces |
| US4473795A (en) * | 1983-02-23 | 1984-09-25 | International Business Machines Corporation | System for resist defect measurement |
| US4514436A (en) * | 1983-07-28 | 1985-04-30 | At&T Technologies, Inc. | Methods of highlighting pinholes in a surface layer of an article |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58245228A patent/JPS60140729A/ja active Pending
-
1984
- 1984-12-18 US US06/683,202 patent/US4599241A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105009297A (zh) * | 2013-03-12 | 2015-10-28 | 应用材料公司 | 用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的介电薄膜的针孔评估方法 |
| CN104851820A (zh) * | 2014-02-19 | 2015-08-19 | 北大方正集团有限公司 | 半导体器件的缺陷检测方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4599241A (en) | 1986-07-08 |
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