JPH03151650A - 半導体製造ラインのクリーン度判定方法 - Google Patents
半導体製造ラインのクリーン度判定方法Info
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- JPH03151650A JPH03151650A JP29047589A JP29047589A JPH03151650A JP H03151650 A JPH03151650 A JP H03151650A JP 29047589 A JP29047589 A JP 29047589A JP 29047589 A JP29047589 A JP 29047589A JP H03151650 A JPH03151650 A JP H03151650A
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- silicon oxide
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Links
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は半導体製造ラインにおけるゴミの量や大きさを
判定する方法、 特にこの判定を簡易に行い得るようにした半導体製造ラ
インのクリーン度判定方法に関する。
判定する方法、 特にこの判定を簡易に行い得るようにした半導体製造ラ
インのクリーン度判定方法に関する。
従来、この種のクリーン度を判定するには、実際の製品
としての処理が行われた半導体ウェハーのパターン面を
走査型顕微鏡等で走査しながら人がゴミ（パーティクル
）に基づくピンホールの大きさや量を目視で検査する方
法が用いられている。
としての処理が行われた半導体ウェハーのパターン面を
走査型顕微鏡等で走査しながら人がゴミ（パーティクル
）に基づくピンホールの大きさや量を目視で検査する方
法が用いられている。
しかしながら前述のようなりリーン度判定方法ではゴミ
の大きさが１μといった微小なものであるために複雑な
パターン内でこのゴミに対応する大きさのピンホールを
正確に識別し、計数することは困難で、計数が不正確に
なり、また時間もかかるという問題がある。 そこで本発明はこの問題を解消し得る半導体製造ライン
のクリーン度判定方法を提供することを課題とする。
の大きさが１μといった微小なものであるために複雑な
パターン内でこのゴミに対応する大きさのピンホールを
正確に識別し、計数することは困難で、計数が不正確に
なり、また時間もかかるという問題がある。 そこで本発明はこの問題を解消し得る半導体製造ライン
のクリーン度判定方法を提供することを課題とする。
前記の課題を解決するために本発明の方法は、ｆ単結晶
のシリコンウェハ（３）上にシリコン酸化膜（２）を形
成し、このシリコン酸化膜上に少なくとも１５モル％以
上の五酸化燐を含有するＰＳＧ膜（１）を形成し、この
ＰＳＧ膜上にポジレジスト（６）を塗布し、この塗布の
のち少なくともこのウェハを弗化水素酸の希釈溶液に浸
漬したうえ、前記ポジレジストを除去し、前記ウェハ上
のピンホールを検査するように」するものとする。
のシリコンウェハ（３）上にシリコン酸化膜（２）を形
成し、このシリコン酸化膜上に少なくとも１５モル％以
上の五酸化燐を含有するＰＳＧ膜（１）を形成し、この
ＰＳＧ膜上にポジレジスト（６）を塗布し、この塗布の
のち少なくともこのウェハを弗化水素酸の希釈溶液に浸
漬したうえ、前記ポジレジストを除去し、前記ウェハ上
のピンホールを検査するように」するものとする。
シリコン酸化膜付の単結晶シリコンウェハ上に、特に高
燐濃度のＰＳＧ膜（燐硅素ガラス膜）を形成したうえ、
少なくともポジレジストを塗布して弗化水素酸希釈溶液
によるエツチングを行うことで、前記高燐濃度のＰＳＧ
膜の希釈弗化水素酸に対する溶解度がシリコン酸化膜の
溶解度より著しく大であることから、ゴミ付着部のピン
ホールのエツチング後の大きさを拡大し、ピンホールの
識別を容易化する。
燐濃度のＰＳＧ膜（燐硅素ガラス膜）を形成したうえ、
少なくともポジレジストを塗布して弗化水素酸希釈溶液
によるエツチングを行うことで、前記高燐濃度のＰＳＧ
膜の希釈弗化水素酸に対する溶解度がシリコン酸化膜の
溶解度より著しく大であることから、ゴミ付着部のピン
ホールのエツチング後の大きさを拡大し、ピンホールの
識別を容易化する。
第１図（Ａ）〜（Ｆ）は本発明に基づく処理工程の一実
施例を示す。第１図（Ａ）は単結晶シリコン・ウェハの
断面図である。同図（Ａ）において３は単結晶シリコン
ウェハで、厚さは約５００μｍ程度、２は熱酸化によっ
て形成されたシリコン酸化膜（Ｓ ｉ Ｏ□膜とも記す
）で、厚さは数千人程度、１は熱酸化、もしくはＣＶＤ
法によって形成された高燐濃度のＰＳＧ膜であり、厚さ
は数千人程度である。本発明におけるこのＰＳＧ膜（燐
硅素ガラス膜ともいう）１は酸化硅素Ｓ ｉ Ｏｚ中に
五酸化燐Ｐ２０．を、後述の希釈弗酸に対する溶解度を
高めるために特に高濃度に、即ちＰｚＯｓ／Ｐ ２０５
＋ Ｓ 、ｔ、 ｏｘ）のル率が１５モル％以上となる
ように、固溶体として含有させた膜である。なお通常の
ＰＳＧ膜では前記の五酸化燐の含有量は２〜５モル％で
あるｈ 第１図（Ｂ）は同図（Ａ）の状態のウェハにスピン塗布
法により、ポジレジスト６を塗布し、パターン形成用の
ガラス・マスク５を介して紫外線４を照射している図で
ある。つまりこの工程はフォト・リソグラフィの露光工
程である。ここで７は半導体製造過程でウェハに付着し
たパーティクル（ゴミ）である。 第１図（Ｃ）は同図（Ｂ）の工程を経たウェハを現像液
（有機溶剤）に浸漬した後の状態を示すものである。ポ
ジレジスト６は紫外線４を照射された部分のみ現像液に
可溶となるため、マスク５のパターンの露出部８に対応
した部分のレジスト６だけが除去される。９はパーティ
クル７のためレジスト６が塗布されなかったために生じ
たポジレジスト６上のピンホールであり、マスク５上に
は存在しないものである。 第１図（Ｄ）は同図（Ｃ）の工程を終了したウェハを、
Ｓｉｎ、のエッチャントである弗化水素酸の希釈溶液に
浸漬した後の状態を表わし゛たものである。液体のエッ
チャントを使用、したエツチングは等方性エツチングで
あるため、膜の侵食は縦方向だけでなく横方向にも進む
ので、酸化膜の加工形状は同図（Ｄ）のようになり、Ｐ
ＳＧ膜１゜ＳｉＯ□膜２に対して、それぞれ１０．１１
のような傾斜（テーパ）が生じる。この時、Ｓｉ’ｊＯ
□膜２の希釈弗酸に対するエツチング速度に対し、零゛
発明によるＰＳＧｌ＊１のエツチング速度の方が著しく
速いため、テーパ１１に比ベテーバ１０の・傾斜の方が
なだらかになる。 第１図（Ｅ）は同図（Ｄ）の工程を経たウェハのレジス
ト６を除去した状態を示したものである。 同図（Ｅ）ではパーティクルマの介在のため、マスク５
上にないピンホール１２が形成されている。 なおここで前記レジスト６を除去するには、フェノール
系の薬液に浸漬してレジスト６を溶解する方法や□、酸
素プラズマ中にウェハを置いてレジスト６を燃焼して除
去する方・法等が用いられる。 第１図（Ｆ）は同図（Ｅ）のピンホール１２を拡大し、
同図（Ｅ）の矢印方向から眺めたものである。５ｉＯｚ
膜２は膜厚に固有の色を有するため、ピンホール１２は
図のように回忌円状に干渉縞を伴った穴に見える。この
穴は通常の（製品としての）ウェハ処理の場合に比べて
大きく拡大されて見える。
施例を示す。第１図（Ａ）は単結晶シリコン・ウェハの
断面図である。同図（Ａ）において３は単結晶シリコン
ウェハで、厚さは約５００μｍ程度、２は熱酸化によっ
て形成されたシリコン酸化膜（Ｓ ｉ Ｏ□膜とも記す
）で、厚さは数千人程度、１は熱酸化、もしくはＣＶＤ
法によって形成された高燐濃度のＰＳＧ膜であり、厚さ
は数千人程度である。本発明におけるこのＰＳＧ膜（燐
硅素ガラス膜ともいう）１は酸化硅素Ｓ ｉ Ｏｚ中に
五酸化燐Ｐ２０．を、後述の希釈弗酸に対する溶解度を
高めるために特に高濃度に、即ちＰｚＯｓ／Ｐ ２０５
＋ Ｓ 、ｔ、 ｏｘ）のル率が１５モル％以上となる
ように、固溶体として含有させた膜である。なお通常の
ＰＳＧ膜では前記の五酸化燐の含有量は２〜５モル％で
あるｈ 第１図（Ｂ）は同図（Ａ）の状態のウェハにスピン塗布
法により、ポジレジスト６を塗布し、パターン形成用の
ガラス・マスク５を介して紫外線４を照射している図で
ある。つまりこの工程はフォト・リソグラフィの露光工
程である。ここで７は半導体製造過程でウェハに付着し
たパーティクル（ゴミ）である。 第１図（Ｃ）は同図（Ｂ）の工程を経たウェハを現像液
（有機溶剤）に浸漬した後の状態を示すものである。ポ
ジレジスト６は紫外線４を照射された部分のみ現像液に
可溶となるため、マスク５のパターンの露出部８に対応
した部分のレジスト６だけが除去される。９はパーティ
クル７のためレジスト６が塗布されなかったために生じ
たポジレジスト６上のピンホールであり、マスク５上に
は存在しないものである。 第１図（Ｄ）は同図（Ｃ）の工程を終了したウェハを、
Ｓｉｎ、のエッチャントである弗化水素酸の希釈溶液に
浸漬した後の状態を表わし゛たものである。液体のエッ
チャントを使用、したエツチングは等方性エツチングで
あるため、膜の侵食は縦方向だけでなく横方向にも進む
ので、酸化膜の加工形状は同図（Ｄ）のようになり、Ｐ
ＳＧ膜１゜ＳｉＯ□膜２に対して、それぞれ１０．１１
のような傾斜（テーパ）が生じる。この時、Ｓｉ’ｊＯ
□膜２の希釈弗酸に対するエツチング速度に対し、零゛
発明によるＰＳＧｌ＊１のエツチング速度の方が著しく
速いため、テーパ１１に比ベテーバ１０の・傾斜の方が
なだらかになる。 第１図（Ｅ）は同図（Ｄ）の工程を経たウェハのレジス
ト６を除去した状態を示したものである。 同図（Ｅ）ではパーティクルマの介在のため、マスク５
上にないピンホール１２が形成されている。 なおここで前記レジスト６を除去するには、フェノール
系の薬液に浸漬してレジスト６を溶解する方法や□、酸
素プラズマ中にウェハを置いてレジスト６を燃焼して除
去する方・法等が用いられる。 第１図（Ｆ）は同図（Ｅ）のピンホール１２を拡大し、
同図（Ｅ）の矢印方向から眺めたものである。５ｉＯｚ
膜２は膜厚に固有の色を有するため、ピンホール１２は
図のように回忌円状に干渉縞を伴った穴に見える。この
穴は通常の（製品としての）ウェハ処理の場合に比べて
大きく拡大されて見える。
本発明によれば、単結晶のシリコンウェハ３上にシリコ
ン酸化膜２を形成し、このシリコン酸化膜２上に少なく
とも１５モル％以上の五酸化燐を含有するｐ、ｓｃ膜１
を形成し、このＰＳＧＩｌｕｌ上にポジレジスト６を塗
布し、この塗布ののち少なくともこのウェハを弗化水素
酸の希釈溶液に浸漬したうえ、前記ポジレジスト６を除
去し、前記ウェハ上のピンホールを検査するようにした
ので、ピンホールの発見が容易になる。従って、本発明
の方法により、半導体製造ラインのクリーン度（パーテ
ィクルのピンホール数による）を容易に判定できる。
ン酸化膜２を形成し、このシリコン酸化膜２上に少なく
とも１５モル％以上の五酸化燐を含有するｐ、ｓｃ膜１
を形成し、このＰＳＧＩｌｕｌ上にポジレジスト６を塗
布し、この塗布ののち少なくともこのウェハを弗化水素
酸の希釈溶液に浸漬したうえ、前記ポジレジスト６を除
去し、前記ウェハ上のピンホールを検査するようにした
ので、ピンホールの発見が容易になる。従って、本発明
の方法により、半導体製造ラインのクリーン度（パーテ
ィクルのピンホール数による）を容易に判定できる。
第１図は本発明の一実施例としての処理工程図である。
１：高燐濃度ｐｓｃ （燐硅素ガラス）膜、２：シリコ
ン酸化膜（Ｓ ｉ Ｏ，膜）、３：単結晶シリコンウェ
ハ、４：紫外線、５ニガラスマスク、６：ポジレジスト
、７：パーティクル、８：パターン露光部、９ニレジス
トピンホール、１０，１１ ：テーパ、１２：酸化膜
ピンホール。
ン酸化膜（Ｓ ｉ Ｏ，膜）、３：単結晶シリコンウェ
ハ、４：紫外線、５ニガラスマスク、６：ポジレジスト
、７：パーティクル、８：パターン露光部、９ニレジス
トピンホール、１０，１１ ：テーパ、１２：酸化膜
ピンホール。
Claims (1)
- １）単結晶のシリコンウェハ上にシリコン酸化膜を形成
し、このシリコン酸化膜上に少なくとも１５モル％以上
の五酸化燐を含有するＰＳＧ膜を形成し、このＰＳＧ膜
上にポジレジストを塗布し、この塗布ののち少なくとも
このウェハを弗化水素酸の希釈溶液に浸漬したうえ、前
記ポジレジストを除去し、前記ウェハ上のピンホールを
検査するようにしたことを特徴とする半導体製造ライン
のクリーン度判定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29047589A JPH03151650A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 半導体製造ラインのクリーン度判定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29047589A JPH03151650A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 半導体製造ラインのクリーン度判定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03151650A true JPH03151650A (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=17756494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29047589A Pending JPH03151650A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 半導体製造ラインのクリーン度判定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03151650A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113358536A (zh) * | 2021-06-02 | 2021-09-07 | 吉林大学 | 一种封装薄膜制备仪器环境中的灰尘颗粒检测方法 |
-
1989
- 1989-11-08 JP JP29047589A patent/JPH03151650A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113358536A (zh) * | 2021-06-02 | 2021-09-07 | 吉林大学 | 一种封装薄膜制备仪器环境中的灰尘颗粒检测方法 |
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